「Buffer base」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

After the base station BS1 is switched to the other base station BS2, the moving object 10 transmits a route updating notice to the other base station BS2, and the other base station BS2 extracts the final packet from a hand-over buffer and transmits it to the moving object 10.例文帳に追加

基地局ＢＳ１から他の基地局ＢＳ２に切替えた後に、移動体１０が該他の基地局ＢＳ２に経路更新通知を送信し、他の基地局ＢＳ２はハンドオーバ用バッファから最後のｎパケットを取出し移動体１０へ送信する。 - 特許庁

A stripe base layer arranged alternately and repeatedly with an n-type base layer 21 and a p-type base layer 22 is formed on one surface of an n-type buffer layer 1 and a p-type well layer 3, an n-type emitter layer 4, an emitter electrode 10 and an insulating gate electrode 6 are formed on the base layer.例文帳に追加

ｎ型バッファ層１の一方の表面上にｎ型ベース層２１とｐ型ベース層２２が交互に繰返し配列されたストライプ状のベース層を形成し、このベース層状にｐ型ウェル層３、ｎ型エミッタ層４、エミッタ電極１０及び絶縁ゲート電極６を形成する。 - 特許庁

This sheet body comprises the base material layer 3, a base film 14 compounded with the base layer 3 and the buffer layer 4 having a cap film 15 with a plurality of cap parts for forming a plurality of hermetically sealed air cells 18 between the cap film 15 and the base film 14 through compounding both films 14 and 15.例文帳に追加

基材層３と、基材層３に複合された、ベースフィルム１４、およびベースフィルム１４に複合されることによってベースフィルム１４との間で複数の密閉空気室１８を形成するための複数のキャップ部が形成されたキャップフィルム１５を備えた緩衝層４とを有する。 - 特許庁

A work floor 7 is disposed around the precision instrument supported and installed by the base isolation device in a base isolating manner, a base isolation clearance 8 is secured between the work floor and the precision instrument, and a buffer 9 restricting the excess horizontal displacement of the precision instrument is installed in the base isolation clearance.例文帳に追加

免震装置により免震支持して設置した精密機器の周囲に作業床７を設けるとともに、作業床と精密機器との間には免震クリアランス８を確保し、免震クリアランスに精密機器の過大水平変位を拘束する緩衝装置９を設置する。 - 特許庁

This raises TypeError if base doesn't support the read-onlybuffer protocol or doesn't provide exactly one buffer segment, or it raises ValueError if offset is less than zero.例文帳に追加

base が読み出し専用バッファに必要なバッファプロトコルをサポートしていない場合や、厳密に一つのバッファセグメントを提供していない場合にはTypeError を送出し、offset がゼロ以下の場合にはValueError を送出します。 - Python

An original digital signal to be time base companded is stored in a delay buffer 1 and waveforms adjacent in a time base direction is read while sequentially modifying its reference segment length by means of an adjacent waveform reading control part 2.例文帳に追加

時間軸圧伸すべき原ディジタル信号は遅延バッファ１に格納され、隣接波形読出制御部２によって、時間軸方向に隣接する波形をその参照区間の長さを順次変えながら読み出される。 - 特許庁

The InP semiconductor region 13 can comprise an InP support base of first conductive type and an InP buffer layer of first conductive type provided on the InP support base.例文帳に追加

また、ＩｎＰ半導体領域１３は、第１導電型のＩｎＰ支持基体と、ＩｎＰ支持基体上に設けられた第１導電型のＩｎＰバッファ層と含むことができる。 - 特許庁

A buffer layer 2 and a base GaN film 5 are formed on the substrate 1, and the mask layer 3 of a straight stripe pattern is formed on the base GaN film 5.例文帳に追加

基板１上にバッファ層２および下地ＧａＮ膜５が形成され、この下地ＧａＮ膜５上に直線ストライプパターンのマスク層３が形成される。 - 特許庁

The buffer is arranged between the tube and the base plate of the body and has a thermal expansion ratio higher than that of the body and lower than that of the base plate.例文帳に追加

前記緩衝部は、前記本体部のチューブと前記ベースプレートとの間に配置され、前記本体部より高く前記ベースプレートより低い熱膨張率を有する。 - 特許庁

This semiconductor device 1 includes: an n- type base region 14 formed on a semiconductor substrate 10; and an n+ type buffer region 13 formed on the undersurface of the n- type base region 14.例文帳に追加

半導体装置１は、半導体基板１０に設けられたｎ−型ベース領域１４と、ｎ−型ベース領域１４の下面に設けられたｎ＋型バッファ領域１３とを有する。 - 特許庁

The objective plantation base adjusting agent characteristically includes a pH-abnormal soil conditioner that contains a phosphate buffer solution and an enhancing agent including a salt of strong acid in addition to the plantation base conditioning agent.例文帳に追加

植栽基盤用調整剤に、リン酸緩衝液を含むｐＨ異常土壌改良剤と、強酸の塩を含む増強剤とを含有させたことを特徴とする。 - 特許庁

An n+ type cathode layer 32, p- type first base layer 22, n- type base layer 18, n+ type buffer layer 16, and p+ type anode layer 14 constitute an IGBT.例文帳に追加

ｎ^+型カソード層３２、ｐ^-型第１ベース層２２、ｎ^-型ベース層１８、ｎ^+型バッファ層１６、ｐ^+型アノード層１４によりＩＧＢＴが構成されている。 - 特許庁

A mobile terminal transmits an initial scheduling request to a base station and, in response to receiving a scheduling grant signal from the base station, transmits transmit buffer status information.例文帳に追加

移動端末は基地局に最初のスケジューリング要求を送信、基地局からのスケジューリング許可信号の受信に応じて、送信バッファ状態情報を送信する。 - 特許庁

To provide a buffer cassette which is large-sized, used for temporarily accommodating and storing a glass base plate and a glass base plate in the middle of processing, is randomly accessible by a robot, and shows a high accommodation efficiency.例文帳に追加

大型の、ガラス基板及び工程途中のガラス基板を一時的に収納、保管するための、ロボットによるランダムアクセス可能で、且つ、収納効率の高いバッファカセットを提供する。 - 特許庁

Moreover, the active layer 3 includes a P-type base region 6 which is formed away from the N-type buffer region 4 and an N-type emitter region 7 formed on the surface of the P-type base region 6.例文帳に追加

また、活性層３は、Ｎ型バッファ領域４から離間して形成されたＰ型ベース領域６と、Ｐ型ベース領域６の表面部に形成されたＮ型エミッタ領域７を備える。 - 特許庁

To provide a bag-like material for creating a soil environment which has a buffer action for not removing a base too much while removing a surplus base in soil, and to provide a method for adjusting a plant nourishment environment.例文帳に追加

土壌中の余剰な塩基を除去しつつ、かつ塩基を過剰に除去せしめないための緩衝作用を有する土壌環境を造成する袋状資材と植物養分環境を調整する方法を提供する。 - 特許庁

A signal decoding part 140 controls write of a decoded base band signal to a buffer by Input-Lock-Frame and outputs the base band signal synchronously with Ref-Lock-Frame.例文帳に追加

信号復号部１４０は、Input_Lock_Frameにより、復号したベースバンド信号のバッファへの書き込みを制御し、Ref_Lock_Frameに同期してベースバンド信号を出力する。 - 特許庁

The connector base part 20 has a first connection terminal 10 and a second connection terminal 30, while a first matching circuit 200, a second matching circuit 202, and a buffer circuit 204 are housed in the connector base part 20.例文帳に追加

コネクタ基部２０は、第１の接続端子１０及び第２の接続端子３０を有し、コネクタ基部２０には、第１の整合回路２００、第２の整合回路２０２、及びバッファ回路２０４が収納されている。 - 特許庁

An output buffer circuit for outputting a signal from a main base board to a representation control board, is composed of a unidirectional circuit for not passing a signal only in the direction for turning to a centralized relay base board.例文帳に追加

また、主基板からの信号を演出制御基板に出力する出力バッファ回路が、集中中継基板に向かう方向にしか信号を通過させない単方向性回路で構成される。 - 特許庁

Commencement of the hand-over about a mobile communication terminal 11 moving from the area of its original base station to the area of a destined base station is detected to buffer packet data in response to this direction.例文帳に追加

移動通信端末１１について移動元基地局１２のエリアから移動先基地局１３のエリアへのハンドオーバの開始を検出し、この検出に応答してパケットデータをバッファリングしておく。 - 特許庁

To provide a base-isolating device which can reduce oscillations, generated by an earthquake, by means of a steel wire and a plurality of rings, and which can also buffer the oscillations by rigidity possessed by the base-isolating device itself.例文帳に追加

鋼線及び複数のリングによって地震による揺動を抑制することができ、かつ、免震装置自体の有する剛性によっても揺動を緩衝することが可能な免震装置を提供することを課題とする。 - 特許庁

A buffer layer 10 composed of an oxide film of a first metallic material is formed on an insulative base 5 by spraying a first precursor solution containing the first metallic material toward the insulative base 5.例文帳に追加

絶縁性の基体５に向けて第１の金属材料を含有する第１の前駆体溶液を噴霧することによって、その第１の金属材料の酸化膜からなるバッファ層１０を形成する。 - 特許庁

A control portion 111 causes a line base synthesis filter portion 213 to perform a line based wavelet inverse transform for every lowest band component P line, to generate the image data of base band of one line, and a buffer 122 to hold it.例文帳に追加

制御部１１１は、ラインベース合成フィルタ部２１３に、最低域成分Pライン毎にラインベースウェーブレット逆変換を行わせ、１ラインのベースバンドの画像データを生成させ、それをバッファ１２２に保持させる。 - 特許庁

A buffer means for buffering impact force generated when opening a paper loading base 62 is provided in a space 67 being a dead space originally between a manual feed cover 60 and the paper loading base 62 except parts in the vicinity of shafts 61 and 63.例文帳に追加

軸６１および軸６３近傍を除く手差カバー６０と用紙積載台６２との間の元々のデッドスペースであった空間６７に、用紙積載台６２の開動作時の衝撃力を緩衝する緩衝手段を設けた。 - 特許庁

Impurities being mixed into a carrier supply layer 5, a buffer layer 2 or a Schottky contact layer can be reduced by forming any one of the buffer layer, carrier supply layer 5 or Schottky contact layer on an InAlAs/ InGaAs base semiconductor wafer of InAlGaAs.例文帳に追加

ＩｎＡｌＡｓ／ＩｎＧａＡｓ系の半導体ウェハのバッファ層２、キャリア供給層５か、あるいはショットキーコンタクト層８のいずれかをＩｎＡｌＧａＡｓにすることにより、キャリア供給層５、バッファ層２か、あるいはショットキーコンタクト層８への不純物の混入を減少させることができる。 - 特許庁

Thus, the base voltage of the buffer TR has temperature characteristics to compensate the temperature characteristics of the collector-emitter voltage of the buffer TR1 so that the duty factor and the signal amplitude can be maintained within a prescribed range over a wide temperature range.例文帳に追加

このため、バッファのトランジスタ（ＴＲ１）のベース電圧が温度特性を持ち、バッファのトランジスタ（ＴＲ１）のコレクタ・エミッタ間電圧の温度特性を補償することができ、広い温度範囲でデューティ比及び信号振幅を所定範囲に維持することが可能となる。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a liquid crystal display with reduced contact resistance by which the contact resistance can be reduced by depositing a buffer layer on the upper surface of an aluminum base metal and performing an annealing process so that the metal atoms of the buffer layer remain.例文帳に追加

アルミニウムベースメタルの上面にバッファ層を形成し、そのアーニリング過程でバッファ層の金属原子が残存するようにして、接触抵抗を減少させることができるようにした、接触抵抗を減少させた液晶ディスプレイの製造方法を提供する。 - 特許庁

This reagent contains a pigment selected from a group of eriochrome black T (EBT) and calmagite, triethanol amine, a glycol compound and a pH buffer agent, and the pH buffer agent comprises a combination of an amine selected from a group of primary amines and secondary amines, and a salt of a weak base.例文帳に追加

エリオクロムブラックＴ（ＥＢＴ）またはカルマガイトから選択される色素，トリエタノールアミン，グリコール化合物およびｐＨ緩衝剤を含有し、前記ｐＨ緩衝剤が、一級アミンまたは二級アミンから選択されるアミン類と弱塩基の塩との組み合わせからなる。 - 特許庁

This buffer structure includes a suspension means supported on a base, a laser unit holder rockably suspended by the suspension means, a light source unit attached to the unit holder to project laser line light, and a buffer member 11 attachable to and detachable from a laser marker body 1.例文帳に追加

ベースに支持されている吊り下げ手段と、吊り下げ手段によって揺動自在に吊り下げられているレーザーユニットホルダーと、レーザーユニットホルダーに取り付けられレーザーライン光を投射する光源ユニットと、レーザー墨出し器本体１へ着脱可能な緩衝部材１１を具備する。 - 特許庁

When the amount of a signal to be transmitted becomes zero in a buffer of a mobile station, the mobile station sends a buffer status report to a base station device to explicitly indicate that the amount of the signal to be transmitted has become zero.例文帳に追加

移動局内のバッファにおいて、送信すべき信号の量が０になった場合に、当該移動局が、送信すべき信号の量が０になったことを明示的に通知するバッファステータスレポートを基地局装置に対して通知する。 - 特許庁

The buffer mat is formed by sticking a bubble buffer sheet 2 in which a flat base film 5 and an embossed film 6 having many projections 6a are stuck together to have projecting closed cells, to a resin member 3 including a resin plate 4 having a porous structure.例文帳に追加

平面状のベースフィルム５と多数の凸部６ａを形成したエンボスフィルム６とを貼り合わせて凸状の独立した気泡を有する気泡性緩衝シート２を、多孔質構造を有する樹脂板４からなる樹脂部材３に貼り合わせて形成した。 - 特許庁

A reception buffer 9 and transmission buffer 13 have the characteristic that the gain decreases as the signal frequency decreases from near the high cut-off frequency of a base-band signal and corrects the distortion of the signal due to the loss in a reception system and a transmission.例文帳に追加

受信側バッファ９と送信側バッファ１３は、信号周波数がベースバンド信号の高域カットオフ周波数付近から低下するに従って利得が低減する特性を有し、受信系統と送信系統で生じる損失による信号の歪みを修正する。 - 特許庁

A first epitaxial growth step of forming a buffer layer 3 on a base plate and a second epitaxial growth step of forming a compound semiconductor layer 4 on the buffer layer 3 are carried out at a growth temperature of ≤600°C by an MOCVD (metal organic chemical vapor deposition) method.例文帳に追加

基体上にバッファ層３を形成する第１のエピタキシャル成長工程と、このバッファ層３上に化合物半導体層４を形成する第２のエピタキシャル成長工程とを、６００℃以下の成長温度におけるＭＯＣＶＤ（Metal Organic Chemical Vapor Deposition）法によって行う。 - 特許庁

An HBT 1 includes a semi-insulating InP substrate 2, a buffer layer 30 formed on the substrate 2, a subcollector layer 40 formed on the buffer layer 30, a collector layer 80, a base layer 90, an emitter layer 100, and an emitter contact layer 110 formed on the emitter layer 100.例文帳に追加

ＨＢＴ１は、半絶縁性のＩｎＰ基板２と、同基板２上に形成されたバッファ層３０と、バッファ層３０上に形成されたサブコレクタ層４０と、コレクタ層８０と、ベース層９０と、エミッタ層１００と、エミッタ層１００上に形成されたエミッタコンタクト層１１０とを有する。 - 特許庁

The ferroelectric capacitor Cf includes a buffer layer 64 formed on the upper part of a base, a lower electrode 66 formed on the upper part of the buffer layer 64, a ferroelectric layer 68 formed on the upper part of the lower electrode 66, and an upper electrode 70 formed on the upper part of the ferroelectric layer 68.例文帳に追加

強誘電体キャパシタＣｆは、基体の上方に形成されたバッファ層６４と、バッファ層６４の上方に形成された下部電極６６と、下部電極６６の上方に形成された強誘電体層６８と、強誘電体層６８の上方に形成された上部電極７０と、を含む。 - 特許庁

When the front open part 11 is closed, a hook driving member 22 is driven by the base frame 50; the hook member 21 is rotated: the hook part 21b is separated from the buffer guide 30; and the buffer guide 30 is returned to a working position by an urging member.例文帳に追加

前面開放部１１が閉じられると、ベースフレーム５０によりフック駆動部材２２が駆動され、フック部材２１が回動されて、フック部２１ｂが緩衝ガイド３０から離れ、緩衝ガイド３０は付勢部材により動作位置に復帰する。 - 特許庁

Print data transmitted from a client 10 are stored in a data buffer 32, and developed to image data by a plotting part 33, and stored in a frame buffer 34, and printed by a printer engine 35, and transmitted to a data base 30.例文帳に追加

クライアント１０から送られたプリントデータはデータバッファ３２に蓄積され、描画部３３でイメージデータに展開され、フレームバッファ３４に蓄積され、プリンタエンジン３５によって印字されると同時にデータベース３０へ送られる。 - 特許庁

Before authentication is established and the data are transmitted, data of a transmitting buffer 65 at each corresponding downward subscriber station in the base station 11 are cleared, and data of the own upward transmitting buffer 62 are cleared by the corresponding subscriber station 21.例文帳に追加

認証が確立してデータ伝送を行う前に、基地局１１内の該当する下り加入者局毎送信バッファ６５のデータのクリアを行うとともに、該当する加入者局２１が自身の上り送信バッファ６２のデータのクリアを行う。 - 特許庁

The intermediate layer 13 is set to have an impurity concentration between those of the buffer and base layers 12 and 14 considering its thickness dimension, so that a depletion layer will not reach the buffer layer 12 at the time of turning OFF the L load switching operation.例文帳に追加

中間層１３は、バッファ層１２とベース層１４との中間的な不純物濃度に設定すると共に厚さ寸法を考慮して設定することにより、Ｌ負荷スイッチング動作のターンオフ時に空乏層がバッファ層１２まで到達しないようにすることができる。 - 特許庁

To manufacture a wafer for a group III nitride semiconductor light emitting element by forming a buffer layer composed of a BP base material tightly adhered with an Si single crystal substrate provided with a composed of a {100} plane on the substrate and forming a group III nitride semiconductor layer on the buffer layer further.例文帳に追加

｛１００｝面からなる表面を有するＳｉ単結晶基板上に、該基板との密着したＢＰ系材料からなる緩衝層を形成し、さらに該緩衝層上にＩＩＩ族窒化合物半導体層を形成してＩＩＩ族窒化物半導体発光素子用ウェハを製造する。 - 特許庁

An HBT1 comprises a semi-insulating InP substrate 2, a buffer layer 30 formed on the substrate 2, a sub-collector layer 40 formed on the buffer layer 30, a collector layer 50, a base layer 60, an emitter layer 70, and an emitter contact layer 80 formed on the emitter layer 70.例文帳に追加

ＨＢＴ１は、半絶縁性ＩｎＰ基板２と、同基板２上に形成されたバッファ層３０と、バッファ層３０上に形成されたサブコレクタ層４０と、コレクタ層５０と、ベース層６０と、エミッタ層７０と、エミッタ層７０上に形成されたエミッタコンタクト層８０とを有する。 - 特許庁

With respect to design of a circuit including a boundary scan register, the wiring length estimate value between the boundary scan register which will be necessarily arranged in the vicinity of an I/O at the stage of layout buffer and the I/O buffer is stored in a data base 4.例文帳に追加

データベース４はバウンダリスキャンレジスタを含む回路の設計において、レイアウトの段階で必ずＩ／Ｏバッファの近傍に配置されるバウンダリスキャンレジスタとＩ／Ｏバッファとの間の配線長見積もり値が格納されている。 - 特許庁

A crystal oscillator 1 comprises a base 2 holding a plurality of electronic component elements 4 including an oscillation unit 5 constituting an oscillation circuit 51 of at least a crystal vibrator 52 and a transistor 53 or the like and an output buffer unit 6 constituting an output buffer circuit 61 of at least an output buffer IC chip 62.例文帳に追加

水晶発振器１には、少なくとも水晶振動子５２とトランジスタ５３等から発振回路５１を構成する発振部５と、少なくとも出力バッファ用ＩＣチップ６２から出力バッファ回路６１を構成する出力バッファ部６とを含む複数の電子部品素子４を保持するベース２が設けられている。 - 特許庁

The third buffer layer 5 is provided for reducing threading dislocation and residual strain of the light emitting layer 6, improving planarity of a base of the light emitting layer 3, and moderating a piezoelectric field of the light emitting layer 6 by using carriers generated in the third buffer layer 5, and Si is added to the third buffer layer as an impure substance acting as a donor.例文帳に追加

第３のバッファ層５は、発光層６の貫通転位および残留歪みを低減するとともに発光層３の下地の平坦性を向上させ、さらには当該第３のバッファ層５で生成されたキャリアを利用して発光層６のピエゾ電界を緩和するために設けたものであり、ドナーとなる不純物としてＳｉを添加してある。 - 特許庁

When a steel plate made base plate 13 fitted under an elastic body 10 available as a buffer is bolted to a fitting part 30 on the ground side base, a grout material 5 as well as a shim plate 15 is intervened between the fitting part 30 and the base plate 13.例文帳に追加

緩衝器をなす弾性体１０の下に取り付けた鋼板製のベースプレート１３を、地盤側の基礎部の取付部３０にボルト締めする際、その取付部３０とベースプレート１３との間には、シムプレート１５を介装すると共に、グラウト材５を介装する。 - 特許庁