「Buffer base」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

If a trouble occurs in the base peeling part 31, the substrates staying in a substrate heating part 28 and the joining part 29 are stored in the buffer area.例文帳に追加

ベース剥離部３１でトラブルが発生したときには、基板加熱部２８及び接合部２９に滞留している基板は、バッファエリアに収納される。 - 特許庁

In the main cell, a second base layer 7 of the second conduction type and emitter layer 8 of the first conductive type are installed, and in the dummy cell, a buffer layer 9 of the second conductive type is installed.例文帳に追加

メインセル内に第２導電型の第２ベース層７と第１導電型のエミッタ層８とが配設され、ダミーセル内に第２導電型のバッファ層９が配設される。 - 特許庁

To minimize a delay buffer to adjust deviation in reception timing of a signal sent from a plurality of base stations in the case of conducting hand-over through site diversity reception with respect to a terminal for mobile communication.例文帳に追加

移動通信用端末装置に関し、サイトダイバーシティ受信を行ってハンドオーバーを行う際に、複数の基地局から送信される信号の受信タイミングのずれを調整するための遅延バッファを最小とする。 - 特許庁

Differential output terminals VS11, VS12 are connected to base terminals of buffer circuits Q3, Q4 of the next stage, emitter terminals are connected to diodes D1, D2, and a full wave rectifier signal VM 11 is obtained from cathode terminals connected in common.例文帳に追加

差動出力端子ＶＳ１１、ＶＳ１２は、次段のバッファ回路Ｑ３、Ｑ４のベース端子に接続されて、エミッタ端子がダイオードＤ１、Ｄ２に接続され、共通接続されたカソード端子から全波整流信号ＶＭ１１を得る。 - 特許庁

A second base layer (7) of a second conductivity type and emitter layers (8) of a first conductivity type are arranged in the main cell (MR), and a buffer layer (9) of a second conductivity type is arranged in the dummy cell (DR).例文帳に追加

メインセル（ＭＲ）内に第２導電型の第２ベース層（７）と第１導電型のエミッタ層（８）とが配設され、ダミーセル（ＤＲ）内に第２導電型のバッファ層（９）が配設される。 - 特許庁

The thermal storage material 4 is provided on the backside of a base material 2 of the bathroom constituting member 1, which constitutes the floor, wall or ceiling of the bathroom, via a thermal buffer material 3.例文帳に追加

浴室の床又は壁又は天井を構成する浴室構成部材１の基材２の裏面に熱緩衝材３を介して蓄熱材４を設ける。 - 特許庁

A base fishing rod 1 has a cylindrical body part 11 and a buffer layer 12 formed in the inner circumference of the end on the tip side of the body part 11 and softer than the body part 11.例文帳に追加

元竿１は、筒状の本体部１１と本体部１１の穂先側端部内周面に形成され本体部１１より軟質な緩衝層１２とを有する。 - 特許庁

Then the CPU 109 discriminates whether the ID matches a broadcast ID stored in a broadcast ID buffer 107 and continuously receives the broadcast information, without transmitting the incoming answering signal to the base station, when the ID matches the broadcast ID.例文帳に追加

そして、ブロードキャストＩＤバッファ１０７に保存してあるブロードキャストＩＤと一致するか否かを判断し、一致する場合は、基地局に着信応答信号を送信することなくブロードキャスト情報を連続受信する。 - 特許庁

The welding gun 2 is provided, between the driving part 10 and the stud holding part 7, with a buffer 14 that buffers a reaction at the time of the pressure-welding of the fused stud part to the fused base material part.例文帳に追加

溶接ガン２には、駆動部１０とスタッド保持部７との間に、溶融後のスタッド部分を溶融後の母材部分に圧接する際の反動を緩衝する緩衝装置１４が設けられている。 - 特許庁

A Tlast decision section 16 decides a lowest reception timing on the basis of an adjustment value of a delay buffer that adjusts a deviation from reception timings of communication channels from each base station in a site diversity state.例文帳に追加

サイトダイバーシティ状態時の各基地局からの通信チャネルの受信タイミングのずれを調整する遅延バッファ調整値を基に、最も遅い受信タイミングをＴ_last決定部１６により決定する。 - 特許庁

A device of a frame 6 fitted with a resilient piece 5 having buffer function through a hydraulic cylinder, pneumatic cylinder or a base frame 3 mounted on the follower shaft 2 of a drive 1 is installed to the left and right of the freight.例文帳に追加

油圧シリンダー又は空圧シリンダーあるいは駆動（１）の従動軸（２）に装着した基礎枠体（３）を介して緩衝ある弾性体（５）を付帯した枠体（６）の装置を貨物の左右の位置に取り付ける。 - 特許庁

To realize a buffer circuit by compensating a base current of a transistor(TR) so as to reduce an input current and to realize a high input impedance thereby avoiding reduction in an input dynamic range due to the adoption of a current compensation circuit.例文帳に追加

トランジスタのベース電流を補償することにより、入力電流を低減し、高入力インピーダンスを実現でき、且つ電流補償回路による入力ダイナミックレンジの低下を回避できるバッファ回路を実現する。 - 特許庁

A plurality of patterns of phase compensation circuits, each including a resistor and a capacitor connected in series, are provided at an input portion (a base of a transistor Q5) of a buffer in the amplifying apparatus.例文帳に追加

増幅装置内のバッファの入力部（トランジスタＱ５のベース）に、直列接続した抵抗とコンデンサからなる位相補償回路を複数パターン設ける。 - 特許庁

To solve a matter that communication is interrupted when the data stored in the receiving buffer 308 of a terminal station are drained during handover processing of the terminal station for switching the base station.例文帳に追加

端末局が基地局を切り替えるハンドオーバ処理中に、端末局の受信バッファ３０８の蓄積データ量が枯渇すると、通信途切れが発生する。 - 特許庁

The relation of a distance Ls between a base layer (5), formed on the surface of a drift layer (3) and an n-type buffer layer (2) and film thickness t of a semiconductor substrate (10) formed contacting the drift layer (3), is set at Ls≤t≤2×Ls.例文帳に追加

ドリフト層（３）表面に形成されるベース層（５）とｎ型バッファ層（２）との間の距離Ｌｓと、このドリフト層（３）に接して形成される半導体基板（１０）の膜厚ｔとの関係を、Ｌｓ≦ｔ≦２・Ｌｓに設定する。 - 特許庁

The base station apparatus includes a calculation means that calculates the number of mobile stations having data to be transmitted in a transmission buffer, and a call reception means that carries out new call reception in accordance with the number of mobile stations.例文帳に追加

基地局装置は、送信バッファに送信すべきデータが存在する移動局の数を算出する算出手段と、上記移動局の数に基づいて新規の呼の受付を行う呼受付手段とを備える。 - 特許庁

A fine hole in a pyramid shape for which a side wall is a {111} plane is provided on the surface of the Si single crystal substrate and the buffer layer composed of the BP base material is formed on the substrate surface by a vapor growth method.例文帳に追加

Ｓｉ単結晶基板表面に側壁を｛１１１｝面とする四角錐状の細孔を設け、該基板表面上に気相成長法によりＢＰ系材料からなる緩衝層を形成する。 - 特許庁

To provide an emitter follower circuit 11 that acts like a buffer for impedance conversion or the like and can stably compensate a base current Ib of a transistor(TR) Q1 supplied to a load.例文帳に追加

インピーダンス変換のバッファなどとして用いられるエミッタフォロワ回路１１において、負荷側へ流れるトランジスタＱ１のベース電流Ｉｂの補償を安定して行う。 - 特許庁

Subsequently, the temperature of the reaction chamber is again raised up to 1,040°C and a GaN single crystal film with a thickness of about 20 μm is obtained on the base crystal substrate through the CrN film and the GaN buffer layer by growing the GaN single crystal film.例文帳に追加

次いで、再び反応室の温度を１０４０℃まで上げ、ＧａＮ単結晶膜を成長させることにより、下地結晶基板上にＣｒＮ膜、ＧａＮバッファー層を介して厚さが約２０μｍのＧａＮ単結晶膜を得た。 - 特許庁

The terminal 1 transmits the position information stored in the buffer to a center station 4 through a PHS base station 2 and a public line network 3 at a prescribed reporting time interval.例文帳に追加

そして、所定の通知時間間隔毎にＰＨＳ端末１はバッファ内に格納された位置情報をＰＨＳ基地局２及び公衆回線網３を介してセンター局４に送信する。 - 特許庁

A PECL OUT BUFFER 120 inputs an output signal from the oscillation circuit part 100 to a base of a first transistor TR2 of a differential amplifier via a serial circuit of a capacitor C2 and a resistor R9 and is connected to an emitter of a buffer transistor TR4 via a resistor R12, and its terminal becomes a backward output (/OUT).例文帳に追加

ＰＥＣＬ ＯＵＴ ＢＵＦＦＥＲ１２０は、前記発振回路部１００からの出力信号をコンデンサＣ２と抵抗Ｒ９の直列回路を介して差動増幅器の第１のトランジスタＴＲ２のベースに入力すると共に、抵抗Ｒ１２を介してバッファトランジスタＴＲ４のエミッタに接続され、その端子が反転出力（／ＯＵＴ）となる。 - 特許庁

This TMR element includes laminate configurations consisting of at least a pin layer 2, a metallic oxide buffer layer 3, a barrier layer 4, and a free layer 5, and the metallic oxide buffer layer 3 whose film formation has been carried out in reducing atmosphere is basically configured of materials which are easy to oxidize as compared with materials constituting the pin layer 2 as base materials.例文帳に追加

少なくともピン層２／金属酸化物バッファ層３／バリア層４／フリー層５からなる積層構成を含むＴＭＲ素子であって、還元雰囲気中で成膜された前記金属酸化物バッファ層３は、ピン層２を構成する材料に比較して酸化されやすい材料を基材としたものであることが基本になっている。 - 特許庁

The forming method of the multi-layered mirror for the manufacture of a micro-cavity of a light emitting device comprises a process of forming the buffer layer on a transparent base plate of the light emitting device, and a process of forming the multi-layered mirror by sputtering a plurality of thin films having different refractive index from each other on the buffer layer.例文帳に追加

発光装置のマイクロキャビティ構造用の多層ミラーの形成方法であって、発光装置の透明基板上にバッファ層を形成する工程と、前記バッファ層上に異なる屈折率の複数の薄膜をスパッタリングし、多層ミラーとする工程とからなることを特徴とする上記方法、及びマイクロキャビティ構造用の多層ミラー。 - 特許庁

This thermocouple fixing structure has a three-layered structure formed by mounting a buffer plate 19 as a pressing member of a strand 16a of a thermocouple 16 at an upper part of a base plate 18 mounted on a process tube at a predetermined interval, and mounting a fixed plate 17 as a holding member of the thermocouple 16 at an upper part of the buffer plate 19 at a predetermined interval.例文帳に追加

本熱電対固定構造は、プロセスチューブに取り付けられたベースプレート１８の上方に所定の間隔をおいて熱電対１６の素線１６ａ押え部材である緩衝プレート１９が配置されており、その緩衝プレート１９の上方に所定の間隔をおいて熱電対１６の保持部材である固定プレート１７が配置された３層構造を有する。 - 特許庁

This crystal oscillation circuit has an oscillation transistor(TR) 2, a buffer transistor(TR) 1 in cascade connection thereto, a crystal vibrator 12 and capacitive elements C2, C3, and further has a temperature characteristic provision circuit (TR3-TR6, R5-R7) that provides temperature characteristics to a current flowing through a resistor deciding the base voltage of the buffer TR.例文帳に追加

請求項１に記載の発明は、発振用トランジスタ（ＴＲ２）及びこれにカスケード接続されたバッファのトランジスタ（ＴＲ１）と、水晶振動子（１２）と、容量素子（Ｃ２，Ｃ３）とを有する水晶発振回路において、バッファのトランジスタのベース電圧を決定する抵抗に流れる電流に温度特性を付与する温度特性付与回路（ＴＲ３〜ＴＲ６，Ｒ５〜Ｒ７）を有する。 - 特許庁

The radio base station 100 comprises: an E-DPDCH inverse diffusion section 113 for executing an inverse diffusion of the signal series B1 received via E-DPDCH; an HARQ buffer 121 for storing the signal series B1 outputted from the E-DPDCH inverse diffusion section 113; and an HARQ control section 123 for executing the synthesis processing by using the signal series B1 stored in the HARQ buffer 121.例文帳に追加

無線基地局１００は、E-DPDCHを介して受信した信号系列Ｂ１の逆拡散処理を実行するE-DPDCH逆拡散部１１３と、E-DPDCH逆拡散部１１３から出力された信号系列Ｂ１を格納するHARQバッファ１２１と、HARQバッファ１２１に格納された信号系列Ｂ１を用いて、合成処理を実行するHARQ制御部１２３とを備える。 - 特許庁

The gateway 2 also sets the total amount of maximum band per unit of terminal or per unit of terminal and service between the base station 4 and the terminal 6 and between the base station 4 and the gateway 2, based on radio section's band information such as a buffer amount of transmission waiting packets in each base station 4.例文帳に追加

また、基地局４〜端末６間および基地局４〜ゲートウェイ２間の各端末６の端末単位または端末かつサービス単位の最大帯域に対して、基地局４単位または基地局４かつサービス単位の最大帯域の総量を、各基地局４の送信待ちパケットバッファ量などの無線区間の帯域情報に基づいてゲートウェイ２が設定する。 - 特許庁

The patch server 21 of an remote patch device 2 authenticates the accessed tuner based on the content of an authentication data base (DB) 23, sends patch data accumulated in a patch data buffer 22 to the tuner 1, patches the program and stores the status and the change history of the tuner 1 in a status data base 24 and a change history data base 25.例文帳に追加

リモートパッチ装置２のパッチサーバ２１は、認証データベース（ＤＢ）２３の内容に基づきアクセスしたチューナの認証を行い、パッチデータバッファ２２に蓄えられたパッチデータをチューナ１に送りプログラムにパッチを当てるとともに、ステータスデータベース２４及び変更履歴データベース２５に当該チューナ１のステータス及び変更履歴を記憶する。 - 特許庁

To not reduce transfer rate of data addressed to a specific mobile station UE transferred to a radio base station BTS from a radio network controller RNC when there is room in a radio transmission path established between the radio base station BTS and the specific mobile station UE or a buffer for the specific mobile station UE in the radio base station BTS.例文帳に追加

無線基地局ＢＴＳと特定の移動局ＵＥとの間で確立されている無線伝送路や、無線基地局ＢＴＳにおける特定の移動局ＵＥ用のバッファ等に余裕がある場合に、無線制御装置ＲＮＣから無線基地局ＢＴＳに対して転送される特定の移動局ＵＥ宛てのデータの転送速度を低下させない。 - 特許庁

The anticorrosive coated steel includes a base material steel and an anticorrosive coated layer laminated directly or via an intermediate layer on the base material steel and based on an inorganic compound containing sulfur or silicon, wherein a substance having a pH buffer action is incorporated into at least the steel side part or the intermediate layer of the anticorrosive coated layer, coming into contact with the base material steel.例文帳に追加

素地鋼材と、該素地鋼材上に、直接または中間層を介して積層され、硫黄または珪素を含有する無機化合物ベースの防食被覆層とを有し、前記素地鋼材と接触する、防食被覆層の少なくとも鋼材側部分または中間層に、ｐＨ緩衝作用のある物質を含有させる。 - 特許庁

In the power semiconductor device as an IEGT, a p-type collector layer 13, an n-type buffer layer 14 and a n-type base layer 15 are formed on a collector electrode in this order, and a main cell 21 and a dummy cell 22 are alternately provided on an upper surface of the n-type base layer 15 along a direction parallel to the n-type base layer 15.例文帳に追加

ＩＥＧＴである電力用半導体装置において、コレクタ電極上にｐ型コレクタ層１３、ｎ型バッファー層１４、ｎ型ベース層１５をこの順に設け、ｎ型ベース層１５上に、ｎ型ベース層１５の上面に平行な方向に沿ってメインセル２１及びダミーセル２２を交互に設ける。 - 特許庁

The method for creating a balanced soil nourishment environment comprises physically taking out and removing a base from soil by substituting for and sticking to zeolite in a bag a surplus base in soil, and making organic matter extracted from compost act as a buffer material when substituting and sticking base by zeolite.例文帳に追加

ゼオライトの塩基置換能を活かして土壌中の過剰な塩基を袋中のゼオライトに置換吸着せしめて物理的に塩基を土壌中から取り出し除去するとともに、堆肥より抽出した有機物をもってゼオライトによる塩基置換吸着の際の緩衝材として作用させる方法によって、均衡ある土壌養分環境を造成する課題を解決する。 - 特許庁

By the repetition of such line based wavelet inverse transform, as soon as the base band image data are stored as much as a predetermined L line in the buffer 122, the control portion 111 causes a line base analysis filter portion 311 to perform a line based wavelet transform to the base band image data as much as the L line.例文帳に追加

このようなラインベースウェーブレット逆変換処理が繰り返されることにより、バッファ１２２にベースバンドの画像データが所定のＬライン分蓄積され次第、制御部１１１は、ラインベース分析フィルタ部３１１に、そのＬライン分のベースバンドの画像データに対して、ラインベースウェーブレット変換を行わせる。 - 特許庁

The wireless network controller 100 extends a buffer 161 for buffering data received from a mobile terminal MT via base stations BS1 and BSX, depending on the difference between the data transmission time between the wireless network controller 100 and the base station BS1, and the data transmission time between the wireless network controller 100 and the base station BSX.例文帳に追加

無線ネットワーク制御装置１００が、基地局ＢＳ１、ＢＳＸを経由して移動端末ＭＴから受信したデータをバッファリングするバッファ１６１を、無線ネットワーク制御装置１００と基地局ＢＳ１の間のデータ伝送時間と、無線ネットワーク制御装置１００と基地局ＢＳＸの間のデータ伝送時間と、の差の大きさに応じて拡張する。 - 特許庁

A mobile station monitors a transmission buffer and sends a line request signal 18 to a base station through a control line on the occurrence of transmission data, the base station decides an idle communication line, informs the mobile station of a line assignment signal 19 via the control line, and the mobile station and the base station make data transmission reception through an assigned communication line.例文帳に追加

移動局で送信バッファを監視し、送信データが発生すると、回線要求信号１８を制御回線を通じて基地局へ送り、基地局は空き通信回線を決定して制御回線を介して回線割当信号１９を移動局へ通知し、移動局と基地局は割り当てられた通信回線を通じてデータの送受信を行う。 - 特許庁

The organic electroluminescent device includes a base material, a first electrode layer formed on the base material, the organic electroluminescent layer formed on the first electrode layer and having at least a light emitting layer, a semiconductor buffer layer formed on the organic electroluminescent layer and containing an inorganic compound and metal of which band gaps are 2.0 eV or more, and a second electrode layer formed on the semiconductor buffer layer.例文帳に追加

本発明は、基材と、上記基材上に形成された第１電極層と、上記第１電極層上に形成され、かつ少なくとも発光層を有する有機エレクトロルミネッセンス層と、上記有機エレクトロルミネッセンス層上に形成され、バンドギャップが２．０ｅＶ以上である無機化合物および金属を含有する半導体緩衝層と、上記半導体緩衝層上に形成された第２電極層とを有することを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子を提供することにより、上記目的を達成するものである。 - 特許庁

The method for manufacturing a nitride-based single crystal substrate includes steps of: forming a ZnO layer 23 on a base substrate 21; forming a low-temperature nitride buffer layer 24 using dimethyl hydrazine (DMHy) as an N source on the ZnO layer; growing a nitride single crystal 25 on the low-temperature nitride buffer layer; and separating the nitride single crystal from the base substrate by chemically eliminating the ZnO layer.例文帳に追加

窒化物単結晶基板の製造方法は、母基板２１上にＺｎＯ層２３を形成する段階と、上記ＺｎＯ層上にＮソースとしてジメチルヒドラジン（ＤＭＨｙＤＭＨｙ）を使用して低温窒化物バッファ層２４を形成する段階と、上記低温窒化物バッファ層上に窒化物単結晶２５を成長させる段階と、上記ＺｎＯ層を化学的に除去することにより上記母基板から上記窒化物単結晶を分離させる段階とを含む。 - 特許庁

The laser driver includes a pass transistor to supply the current to the laser, an operational amplifier to set up a reference voltage on a base of the pass transistor, and a CMOS buffer to apply a drive voltage to an emitter circuit of the pass transistor.例文帳に追加

レーザドライバは、レーザに電流を供給するための通過トランジスタと、通過トランジスタのベース上で基準電圧を設定するための演算増幅器と、通過トランジスタのエミッタ回路にドライブ電圧を印加するためのＣＭＯＳバッファとを含む。 - 特許庁

This optical modulator 40 is the embedded ridge waveguide type semiconductor optical modulator and has an n-InP buffer layer 14, GaInAsP-base multiple quantum well structure 16, p-InP upper clad layer 18 and p-GaInAs contact layer 20 on an n-InP substrate 12.例文帳に追加

本光変調器４０は、埋め込みリッジ導波路型半導体光変調器であって、ｎ−ＩｎＰ基板１２上に、ｎ−ＩｎＰバッファ層１４、ＧａＩｎＡｓＰ系多重量子井戸構造１６、ｐ−ＩｎＰ上部クラッド層１８、及びｐ−ＧａＩｎＡｓコンタクト層２０を備えている。 - 特許庁

This buffer comprises damping valves 36 and 37 for a low speed area wherein damping force generating valves 4 and 5 in the respective directions of elongation pressures in a piston and a base valve are situated in juxtaposition; and two damping force generating valves for damping valves 40 and 41 for middle and high speed areas.例文帳に追加

ピストンやベースバルブに設ける伸圧それぞれの方向の減衰力発生バルブ４，５を、並列に配置した低速度域用の減衰バルブ３６，３７と中・高速度域用の減衰バルブ４０，４１の二つの減衰力発生バルブで構成する。 - 特許庁

Further, the buffer circuit 6 is connected to a common potential by being connected to an analog ground GND 2 for a radio circuit different from a digital ground GND 1 for a control part where the base band signal processing circuit 3 is connected.例文帳に追加

また、バッファ回路６は、ベースバンド信号処理回路３が接続される制御部用のディジタルグランドＧＮＤ１とは異なる無線回路用のアナロググランドＧＮＤ２に接続されることにより、共通電位に接続されている。 - 特許庁

In the lid material having a base material layer 11, an aluminum foil layer 12 and a sealant layer 14, a buffer layer 13 comprising an ethylene-methacrylic acid copolymer with Shore D hardness of 50 or more is disposed between the aluminum foil layer 12 and sealant layer 14.例文帳に追加

基材層１１とアルミ箔層１２とシーラント層１４とを有する蓋材において、アルミ箔層１２とシーラント層１４との間に、ショアＤ硬度が５０以上のエチレン−メタクリル酸共重合体からなる緩衝層１３を配置する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a Zn based buffer layer which well covers a base material and is formed at a practical reaction speed with no need of providing a fine particle layer that functions as a nucleus for crystal growth or a catalyst.例文帳に追加

下地を良好に被覆し、結晶成長の核あるいは触媒等として機能する微粒子層を設けることを必須とすることなく実用的な反応速度で成膜することができるＺｎ系バッファ層の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an organic EL light emitting device preventing a stress concentration in an edge part of a buffer layer or a base layer of a gas barrier layer, improving dampproofing of the gas barrier layer, having no deterioration of light emission characteristics due to water invasion into an organic EL element, and having a high reliability.例文帳に追加

ガスバリア層の下地層である緩衝層の縁部における応力集中を防止して、ガスバリア層の防湿性を向上させ、有機ＥＬ素子への水分浸入による発光特性の劣化がなく、信頼性の高い有機ＥＬ発光装置を提供する。 - 特許庁

In the method of manufacturing a tape base material for superconducting wire rod 2 in which an orientation layer 21 is formed on a metal substrate 10 by an ion beam assisted vapor deposition method and a buffer layer 22 is formed on the orientation layer, lattice distortion of the orientation layer is alleviated by giving a prescribed thermal history to the orientation layer.例文帳に追加

金属基板上１０にイオンビームアシスト蒸着法により配向層２１を形成し、この配向層の上に緩衝層２２を形成する超電導線材用テープ基材２の製造方法において、配向層に所定の熱履歴を与えることにより配向層の格子歪みを緩和する。 - 特許庁