「Buffer base」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

The base plate 1 of the voltage controlled oscillator is bi-seated into a 1st area S1 and 2nd area S2, circuit components of a resonance circuit are mounted on the area S1 and respective circuit components of an oscillator circuit and a buffer circuit are mounted on the area S2 respectively.例文帳に追加

電圧制御発振器の基板１を第１のエリアＳ１と第２のエリアＳ２とに２分割し、第１のエリアＳ１内に共振回路の回路部品を、第２のエリアＳ２内に発振回路とバッファ回路の各回路部品をそれぞれ実装する。 - 特許庁

A cover member 6, in which a plunger portion 14 projecting downward to its bottom surface, is formed and a key top portion 12 is connected to a base portion 11 through a skirt portion 13, a click sheet 10, a buffer conductive sheet 16, and a circuit board 1 including a fixed contact 2 formed on the surface are mounted in this order.例文帳に追加

底面に下方突出するプランジャ部１４が形成されたキートップ部１２とベース部１１とがスカート部１３で連接されているカバー部材６と、クリックシート１０と、緩衝用導電性シート１６と、固定接点２が表面に形成された回路基板１とがこの順に組み付けられる。 - 特許庁

The upper face of a workpiece placing base 50 is provided with this intermediate buffer member 24 having first to fifth placing parts 52a-52e comprising a plurality of stage parts formed in tiered stand shape gradually lower in height direction dimension from the back side toward the front side.例文帳に追加

ワーク載置台５０の上面部に、奥側から手前側に向かって高さ方向の寸法が徐々に低くなり、雛壇状に形成された複数の段部からなる第１乃至第５載置部５２ａ〜５２ｅを有する中間バッファ部材２４を設けた。 - 特許庁

On the manufacture of the donor film for the flat display element, an adhesive force of the transfer layer 75 to a donor base plate 70 can be improved by introducing the buffer film 65 between the light-heat conversion layer 55 and the transfer layer 75.例文帳に追加

平板表示素子用ドナーフィルムを製造することにおいて光−熱変換層５５と転写層７５間に緩衝膜６５を導入することによって、転写層７５のドナー基板７０に対する接着力を改善させることができる。 - 特許庁

The buffer member elastically deforms as the transfer plunger moves toward an axial base-end side relatively to the housing 50 to press the transfer plunger toward an axial tip side through retained elasticity based upon the elastic deformation.例文帳に追加

前記緩衝部材は、前記転写プランジャの前記ハウジング５０に対する軸線方向基端側への相対移動に伴って弾性変形し、該弾性変形に基づく保有弾性によって該転写プランジャを軸線方向先端側へ向けて押圧するように構成されている。 - 特許庁

Immediately before handover, a source base station transmits a data frame stored therein preferentially to a terminal station and increases the volume of data stored in the receiving buffer of the terminal station immediately before handover thus avoiding interruption of communication during handover processing.例文帳に追加

本発明では、ハンドオーバ直前に移動元基地局が端末局へ、移動元基地局に蓄積されたデータフレームを優先伝送することで、ハンドオーバ直前の端末局の受信バッファの蓄積データ量を増加させ、ハンドオーバ処理中の通信途切れを回避させる。 - 特許庁

A flat spring 70 as an elastic member for elastically energizing the paper loading base 62 in the direction for bringing it close to the manual feed cover 60, namely, toward a nearby position (storage position) when opening a manual feed part 64 is adopted as the buffer means.例文帳に追加

緩衝手段としては、手差部６４の開動作時に、用紙積載台６２を手差カバー６０に近づける向き、すなわち用紙積載台６２を近接位置（収納位置）に向けて弾性的に付勢する弾性部材としての板バネ７０を採用した。 - 特許庁

According to one embodiment, an insulated gate type bipolar transistor of reverse conducting type comprises: a second base layer of type N; a buffer layer of type N; a first collector layer of type N; a second collector layer of type P; a third collector layer of type P; and a collector electrode.例文帳に追加

一つの実施形態によれば、逆通電型の絶縁ゲート型バイポーラトランジスタは、Ｎ型の第二のベース層と、Ｎ型のバッファ層、Ｎ型の第一のコレクタ層、Ｐ型の第二のコレクタ層、Ｐ型の第三のコレクタ層、及びコレクタ電極が設けられる。 - 特許庁

The base material 77 is arranged in a bending state to intersect all virtual segments 91 which connect the driver IC 80 and the buffer tank 48 each other, and all virtual segments 92 which connect the driver IC 80 and the control board 84 each other, by a plurality of the number of times.例文帳に追加

そして、基材７７がドライバＩＣ８０とバッファタンク４８とを結ぶすべての仮想線分９１及びドライバＩＣ８０と制御基板８４とを結ぶすべての仮想線分９２と複数回交差するように屈曲した状態で配されている。 - 特許庁

In a packet control part in the base station controller for receiving data from a high order device, when transferring reception data accumulated in an internal buffer are transferred to the call processing part, the accumulated data are not continuously transmitted but divided into a prescribed size or smaller every transfer cycle and transmitted.例文帳に追加

上位装置からのデータを受信する基地局制御装置内のパケット制御部において、内部バッファに蓄積した受信データを呼処理部に転送する際、蓄積データを連続的に送信せず、転送周期毎に一定サイズ以下に分割して送信する。 - 特許庁

A liquid crystal display panel 10 is placed on a liquid crystal display panel placing base 1 with a buffer layer 5 between them, and an IC chip 20 is disposed on an extension part 12a of a substrate 12 of the liquid crystal display panel 10 so that mutual electrode terminals face each other with an ACF 25 between them.例文帳に追加

液晶表示パネル載置台１上に緩衝材層５を介して液晶表示パネル１０を載置し、その液晶表示パネル１０の基板１２の延設部１２ａ上に、ＩＣチップ２０をＡＣＦ２５を介して互いの電極端子を対向させて配置する。 - 特許庁

A mobile phone is equipped with a control means CPU 10 which uses a pair of storage sections RAM (2) and RAM (3) for music reproduction alternately as a buffer for music reproduction and successively reproduces a plurality of divided music data constituting one piece of music of music data distributed from either the base station or the Internet.例文帳に追加

一対の音楽再生用記憶部ＲＡＭ(２)，ＲＡＭ(３)を交互に音楽再生用のバッファに用い、基地局又はインターネットのいずれか一方から配信された音楽データ一曲を構成する複数の分割音楽データを連続再生する制御手段ＣＰＵ１０を備える。 - 特許庁

The GaN semiconductor crystal base material comprises: an Al_xGa_1-xN (0<x≤1) substrate layer grown directly on a crystal substrate via an AlN low-temperature grown buffer layer, and an Al_yGa_1-yN (0≤y<x) layer provided on the substrate layer.例文帳に追加

結晶基板直上に、ＡｌＮ低温成長バッファ層を介してＡｌ_xＧａ_1_-xＮ（０＜ｘ≦１）下地層が成長しており、該下地層上にＡｌ_yＧａ_1-yＮ（０≦ｙ＜ｘ）層が設けられていることを特徴とする、ＧａＮ系半導体結晶基材。 - 特許庁

When a substrate equipped with a circuit pattern, a conductive rubber plate and the IC chip are piled in due order on the base plate and the main slider is lowered, the buffer pressurizes the IC chip with a continuous and slow change, to thereby facilitate setting or adjustment of the applied pressure.例文帳に追加

ベースプレート上に回路パターンを備える基板、導電ゴム板およびＩＣチップを順次に重ね、主スライダを降下させると、緩衝体が連続的かつ緩やかな変化でＩＣチップを加圧するので加圧力設定や調整が容易である。 - 特許庁

A data compressing part 122 compresses the data of the input buffer 121 by variable length encoding processing or dictionary base compression processing, and a data outputting means 13 outputs the data processed by the data compressing part 12 to an output file 3.例文帳に追加

データ圧縮部１２２では, 入力バッファ１２１のデータを可変長符号化による処理または辞書ベース圧縮法による処理を行い, データ出力手段１３は, データ圧縮部１２で処理されたデータを出力ファイル３へ出力する。 - 特許庁

MOSFETs, in each of which a thin-film SiGe buffer layer and a strained Si channel grown on an insulating film are stacked, and an HBT (hetero-bipolar transistor) having a SiGe base layer epitaxially grown on the same thin-film SiGe layer and a Si emiter layer thereon, are formed to constitute a composite structure.例文帳に追加

絶縁膜上に薄膜ＳｉＧｅバッファ層とひずみＳｉチャネルを積層したＭＯＳＦＥＴおよび、同じく薄膜ＳｉＧｅ層上にエピタキシャル成長したＳｉＧｅベース層およびその上のＳｉエミッタ層を有するＨＢＴを複合化した構造を採用する。 - 特許庁

The system is provided with a control section 6 that manages the current state of an antenna and each resource of a base section as a resource for satellite communication by using a round robin queue that references and updates the current state by means of the round robin system and with a buffer that tentatively records a resource request or the like.例文帳に追加

リソースとしての衛星通信の基地局のアンテナ、各リソースの現在の状態等をラウンドロビン方式で参照、更新するラウンドロビンキューを用いて管理する制御部６及びリソース要求等を一時的に記録するバッファを設ける。 - 特許庁

The amount of the application of the adhesive per unit area in the area coated with the adhesive 2 is set equal to that of the application of the adhesive per unit area when buffer material is bonded and superposed by coating the whole backside of the floor base material 1 with the adhesive, or set to be increased by 40% or less.例文帳に追加

前記接着剤２が塗布された領域での単位面積当たりの接着剤塗布量を、床基材１の裏面全面に接着剤を塗布して緩衝材を接着積層するときの接着剤の単位面積当たりの塗布量と等しいか、４０％増量までの範囲とする。 - 特許庁

A buffer material 7 stuck to the rear face of a base board 1 in a floor finish material A is formed of a synthetic foamed resin material 8 with a large number of holes 9, 9,... by which the heat insulative property of the synthetic foamed resin material 8 itself is deteriorated.例文帳に追加

床仕上げ材Ａにおける基板１の裏面に貼着される緩衝材７を、多数の孔９，９，…が穿設された合成樹脂発泡材８からなるものとして、これら多数の孔９，９，…により合成樹脂発泡材８自体の断熱性を減じる。 - 特許庁

First and second trenches 8a and 8b are formed which penetrate the first and second n+ emitter layers 4a and 4b as well as the first and second p+ base layers 3a and 3b, and bottoms 9a and 9b of the trenches approach the bottom within the first and second n-buffer layers 2a and 2b.例文帳に追加

第１、第２ｎ^+ エミッタ層４ａ、４ｂ、第１、第２ｐ^+ ベース層３ａ、３ｂを貫通し、第１、第２ｎバッファ層２ａ、２ｂ内で、その底部近傍に、トレンチ溝の底部９ａ、９ｂが達するように、第１、第２トレンチ溝８ａ、８ｂが形成される。 - 特許庁

The ice-melting and snow-melting/ice and snow accretion prevention means is provided with a heating element 6 of three layer structure, the heating element laminating a buffer layer (S_iOx film), an ultraviolet absorbing layer (ZnO film) also serving as a heat generation layer, and a hard coat layer (SiO_xfilm) in order on a lens base body (polycarbonate).例文帳に追加

融氷融雪・着氷着雪防止手段は、レンズ基材（ポリカーボネート）上に順次バッファ層（ＳｉＯ_Ｘ膜）、発熱層を兼ねた紫外線吸収層（ＺｎＯ膜）、およびハードコート層（ＳｉＯ_Ｘ膜）を積層した３層構造の発熱体６を設けたことである。 - 特許庁

A base current of a TR Q1 can sufficiently be compensated by a collector current IC1 of the TR P1 by setting the collector current IC1 of the TR P1 equal to the current IC2 and setting the current amplification factors of the TRs Q1, Q2 equal to ach other so as to reduce an input current IIN to the buffer circuit.例文帳に追加

トランジスタＰ１のコレクタ電流Ｉ_C1をＩ_C2と等しくし、トランジスタＱ１とＱ２の電流増幅率を等しく設定すると、トランジスタＱ１のベース電流はトランジスタＰ１のコレクタ電流Ｉ_C1により十分補償でき、バッファ回路の入力電流Ｉ_INを低減できる。 - 特許庁

A mobile communication system comprises a plurality of mobile stations, the control station which relays packets addressed to the plurality of mobile stations, and the base station which stores the packets sent out by the control station temporarily in a buffer and sends them out to the plurality of mobile stations.例文帳に追加

移動通信システムは、複数の移動局と、複数の移動局宛てのパケットを中継する制御局と、制御局から送出された上記パケットを一時的にバッファに格納して複数の移動局に送出する基地局とから構成される。 - 特許庁

The buffer mechanism 30 comprises a cylinder 30a fixed to the side of a base member 10, a piston shaft 30b constantly receiving a resilient force in the direction projecting from one end of the cylinder 30a and a power transmission member 32 disposed in the end side of the piston shaft 30b.例文帳に追加

この緩衝機構３０は、ベース部材１０側に固定されたシリンダ３０ａと、このシリンダ３０ａの一端部から突出する方向の弾発力を常に受けているピストン軸３０ｂと、このピストン軸３０ｂの端部側に配置された動力伝達部材３２とによって構成されている。 - 特許庁

To smoothly transfer the heat of a floor heating panel to the surface of a floor finish material to shorten the rising time of temperature of the floor finish material up to a preset temperature even if a buffer material having a heat insulation property is stuck on the rear face of the base board in the floor finish material laid on the floor heating panel.例文帳に追加

床暖房パネル１１上に施工される床仕上げ材Ａが、断熱性を持つ緩衝材７が基板１裏面に貼着されているものである場合でも、床暖房パネル１１の熱を床仕上げ材Ａの表面へスムーズに伝達して床仕上げ面の設定温度への昇温時間を短縮する。 - 特許庁

A mobile communication system comprises: a plurality of mobile stations; a control station for relaying packets destined to the mobile stations; and a base station for temporarily storing the packets transmitted from the control station into a buffer and transmitting the packets to the mobile stations.例文帳に追加

移動通信システムは、複数の移動局と、前記複数の移動局宛てのパケットを中継する制御局と、前記制御局から送出された上記パケットを一時的にバッファに格納して前記複数の移動局に送出する基地局とから構成される。 - 特許庁

To provide a buffer sheet for adsorptive fixation having heat resistance, air permeability and flexibility by forming anti-static fluorine resin coating film on the non-woven fabric base to give a porous sheet and providing a permeable adhesive layer on one side face.例文帳に追加

この発明は、基材の織布に帯電防止性を有するフッ素樹脂被膜を形成して多孔質シートとし、その片面に通気性を有する粘着剤層を設けて、耐熱性、通気性、柔軟性を有する吸着固定用緩衝を得ようとするものである。 - 特許庁

A thin film transistor having a floating island region and a base region between the source and drain regions of an active layer is disposed in a buffer circuit for requesting a high withstand voltage and a rapid operating speed of various type circuits for constituting peripheral drive circuits 101, 102.例文帳に追加

また、周辺駆動回路１０１、１０２を構成する各種回路の内、高い耐圧と速い動作速度を要求するバッファ回路には、活性層のソース／ドレイン領域間に浮島領域およびベース領域を有する構成でなる薄膜トランジスタを配置する。 - 特許庁

To provide a method and a device for aligned installation for an elevator pit part capable of using effectively a machine table in consolidated structure and quickly aligning a car side buffer table using as the base point a balance weight side piano wire as part of the machine table.例文帳に追加

一体化された機械台を有効に利用し、その一部である釣合おもり側ピアノ線を基点にして、かご側緩衝器台を速やかに芯出しできるようにしたエレベータピット部分の芯出し据付装置及びその芯出し据付工法を得る。 - 特許庁

The impact buffer 10 is provided with a rail 40 extended to a prescribed direction, a base 50 installed on a floor and holding the rail 40 movably to the prescribed direction along the floor, and two stoppers 60 mounted on the rails 40.例文帳に追加

衝撃緩衝装置１０は、所定方向に延びるレール４０と、床面に設置され、レール４０を床面に沿う上述した所定方向に移動可能に保持するベース５０と、レール４０に取り付けられる２つのストッパー６０と、を備えている。 - 特許庁

A semiconductor device has an IGBT cell including a base region 14 and an emitter region 15 that are formed in an n-type drift layer 11, and a p-type collector layer 12 disposed below the drift layer 11 via an n-type buffer layer 13.例文帳に追加

半導体装置は、ｎ−型のドリフト層１１に形成されたベース領域１４およびエミッタ領域１５と、ドリフト層１１の下にｎ型のバッファ層１３を介して配設されたｐ型のコレクタ層１２とにより構成されるＩＧＢＴセルを有している。 - 特許庁

The method includes each step of (a) preparation of the ^18F-fluoro-deoxy-glucose (^18F-FDG) solution and (b) addition of at least one kind of buffer using a weak acid as a base to the ^18F-fluoro-2-deoxy-glucose (^18F-FDG) solution.例文帳に追加

その方法は、ａ）^１８Ｆ−フルオロ−デオキシ−グルコース（^１８Ｆ−ＦＤＧ）−溶液の用意、および、ｂ）弱酸をベースとする少なくとも１種の緩衝剤の^１８Ｆ−フルオロ−２−デオキシ−グルコース（^１８Ｆ−ＦＤＧ）−溶液への添加、の各段階を含む。 - 特許庁

The semiconductor device 100 is provided with: an n+ type buffer region 17; an n type drift region 16; a p type base region; a gate electrode 8; a source electrode 4; guard rings 12a and 12b; a channel stopper region 14; and a drain electrode 18.例文帳に追加

半導体装置１００は、ｎ^+型のバッファ領域１７と、ｎ型のドリフト領域１６と、ｐ型のベース領域２と、ゲート電極８と、ソース電極４と、ガードリング１２ａ、１２ｂと、チャネルストッパ領域１４と、ドレイン電極１８を備えている。 - 特許庁

Even if the fixed mold 61 and the movable mold 62 are displaced finely, a movable portion 73 displaces toward a base portion 71 in a buffer device 75 and readjusts to highly accurately accord the fixed mold 61 and the movable mold 62, thus manufacturing the highly accurate molding.例文帳に追加

これにより、固定金型６１と可動金型６２との間に微小な位置ズレが生じても、緩衝装置７５において可動部７３がベース部７１に対して変位するので、固定金型６１と可動金型６２とが精度よく合致するように再調整でき、高精度の成形品を製造することができる。 - 特許庁

When the transmission request of the time series information is received, the control part 25 outputs the time series information stored in the ring buffer part 23A, before a prescribed time with the reception time of the transmission request as a base point through the communication part to a network.例文帳に追加

この制御部２５は、時系列情報の送出要求を受信したとき、送出要求を受信した時を基点として、リングバッファ部２３Ａに記憶されている所定時間前からの時系列情報を、通信部を通じてネットワークに出力する。 - 特許庁

Input side buffers 3, 4 perform a time-base adjustment of forward scanning or backward scanning to a video signal, and it is selected by a switch circuit 2 according to a buffer selection signal from a timing generation circuit 1 to which of the input side buffers 3, 4 the video signal is to be inputted.例文帳に追加

入力側ラインバッファ３，４は映像信号に対して順走査、逆走査の時間軸調整を行い、映像信号が入力側ラインバッファ３，４のどちらに入力されるかはタイミング生成回路１からのバッファ選択信号によってスイッチ回路２で選択される。 - 特許庁

The composite film 10 obtained by laminating a base film 11, a buffer layer 12, a barrier layer 13 and a sealant layer in this order is made into a bag, and an aggregate of a solid 20 such as granules or the like is housed in the bag and then degassing packaged or vacuum packaged.例文帳に追加

基材フィルム（１１）、緩衝層（１２）、バリア層（１３）、シーラント層（１４）が順次この順序で積層された複合フィルム（１０）を袋状に製袋し、粒状など固形物の集合体（２０）を内部に収納し、脱気包装又は真空包装した。 - 特許庁

An n-type electron feeding layer 14 made of AlGa and an n-type electron transit layer 15 made of GaN are formed sequentially with an un-doped AlGaN buffer layer 12 and an un-doped AlGaN base layer 13 in between on a sapphire substrate 11.例文帳に追加

サファイアよりなる基板１１の上にundope−ＡｌＧａＮよりそれぞれなるバッファ層１２および下地層１３を介してｎ型ＡｌＧａＮよりなる電子供給層１４およびｎ型ＧａＮよりなる電子走行層１５が順次積層されている。 - 特許庁

This lens chamfering tool 10 for chamfering the peripheral edge of a lens 21 is constituted by fixing a sheet-like elastic buffer material 12 onto a base metal and fixing a diamond lapping film 13 with abrasive grains stuck to a resin film, thereon.例文帳に追加

本発明は、レンズ２１の周縁に面取り加工を施すためのレンズ面取り用工具１０であって、台金１１上に弾性を有するシート状の緩衝材１２を固定し、その上に樹脂フィルムに砥粒が固着されたダイヤモンドラッピングフィルム１３を固定して構成したものである。 - 特許庁

Prior to laminating the information recording member with the use of the heat press, the upper face of the thermoplastic resin base material 2 is thermally pressed with the help of a hot plate with a rough pressing face or roughed using the hot plate and a buffer material with a rough face.例文帳に追加

熱プレスを利用して積層を行なうのに先立ち、熱可塑性樹脂基材２の上面を、プレス面が粗面である熱板を用いて熱プレスするか、もしくは熱板と粗面を持つ緩衝材とを用いることにより粗面化することにより課題を解決した。 - 特許庁

In a foaming buffer sheet 1 having protruded closed cells in which an embossed film 22 in which a lot of embossments 21 are formed and a plane base film 24 are laminated, the embossed film 22 and the base film 24 are a polyethylene composition containing 100 pts.wt. of an ethylene-α-olefin copolymer and 20-150 pts.wt. of a metal hydrate.例文帳に追加

多数のエンボスを形成したエンボスフィルムと平面状のベースフィルムとが積層されている凸状の独立気泡を有する気泡性緩衝シートにおいて、エンボスフィルム及びベースフィルムが（Ａ）エチレン−α−オレフィン共重合体と特定の範囲の（Ｂ）金属水和物を含むポリエチレン組成物であることを特徴とする難燃性気泡性緩衝シート。 - 特許庁

To provide a wireless base station device and wireless communication method which can effectively obtain a diversity effect and an encoding gain, can reduce a buffer memory amount for a primary storage required, and simplifies a support for QoS, when a wireless communication is performed from a plurality of wireless terminal devices to a wireless base station device in an SDMA system.例文帳に追加

複数の無線端末装置から無線基地局装置にＳＤＭＡ方式で無線通信を行う場合、ダイバーシチ効果及び符号化利得を有効に得ることができ、必要となる一次保管用のバッファメモリ量を低減し、ＱｏＳへの対応を容易にした無線基地局装置及び無線通信方法を提供する。 - 特許庁

The thin film-like photocatalyst composed of ZnS, ZnO or the like is formed by using a complexing agent and a buffer agent selectively and dipping the base material into the solution containing the chemical species (for example, Zn) becoming a precursor to proceed a heterogeneous reaction between the solution and the surface of the base material in the CBD method.例文帳に追加

ＣＢＤ法において、錯化剤と緩衝剤を選択的に用いることにより、前駆体となる化学種（例えばＺｎ）を含む溶液に基材を浸し、溶液と基材表面との間で不均一反応を進行させることによって薄膜を基材上に選択的に析出させて、ＺｎＳやＺｎＯなどの薄膜状光触媒を作製する。 - 特許庁

In one aspect, the composition for removing residues has a pH from about 2 to about 9 and comprises a buffer solution composed of an organic acid and a base conjugated with the acid in a molar ratio of the acid to the base is 10:1 to 1:10, a fluoride and water, wherein substantially no organic solvent added is contained.例文帳に追加

１つの側面においては、残留物を除去する構成ための、約２〜約９の範囲にわたるｐＨを有する組成物であって、有機酸及び当該有機酸の共役塩基を１０：１から１：１０までの範囲にわたる酸対塩基のモル比で緩衝溶液、フッ化物、及び水を含むが、添加された有機溶媒は実質的に含まない残留物除去組成物である。 - 特許庁

A p^+-type collector region 8, an n^+-type buffer region 9, an n-type base region 10 formed of first and second regions 10a and 10b, a p-type base region 11 formed of first and second parts 11a and 11b and an emitter region 12 are formed in a semiconductor substrate 1 having a trench 5.例文帳に追加

トレンチ５を有する半導体基板１には、Ｐ^+型コレクタ領域８とＮ^+型バッファ領域９と第１及び第２の領域１０ａ、１０ｂから成るＮ型ベース領域１０と第１及び第２の部分１１ａ、１１ｂから成るＰ型ベース領域１１とエミッタ領域１２とが形成されている。 - 特許庁