「Capacitance」に関連した英語例文の一覧と使い方(189ページ目) - Weblio英語例文検索

To solve the problems wherein, when measuring fluid having a low conductivity by connecting a detector to a converter through a cable, an internal resistance of the detector is heightened, and thereby an electromotive force is attenuated by a relation with an input impedance of the converter, and simultaneously the electromotive force is also attenuated by a relation with a stray capacitance of the cable.例文帳に追加

検出器と変換器をケーブルで接続して低導電率の流体を測定すると、検出器の内部抵抗が増大するので、変換器の入力インピーダンスとの関係で起電力が減衰し、同時にケーブルの浮遊容量の関係で起電力も減衰するという課題を解決する。 - 特許庁

When the input Vi is at low level, a first switching element 23a is turned off and a second switch element 23a is turned on by turning on a first off-control element 24a and a second current control element 25b, and the input capacitance Cin of the inverter circuit 20 by the size of the discharge current, in response to a second control voltage Vc2.例文帳に追加

一方、入力Ｖｉがロウレベルの時は、第１オフ制御素子２４ａ，第２電流制御素子２５ｂがオンすることにより、第１スイッチ素子２３ａがオフ、第２スイッチ素子２３ｂがオンして、第２制御電圧Ｖc2に応じた大きさの放電電流によりインバータ回路２０の入力容量Ｃinが放電される。 - 特許庁

Performance degradation, adhesion, or the like of a first connecting end 2a can be prevented by restraining the imbalance of the rush current flown at respective connecting ends generated when turning on the power switch, due to capacitance of a second capacitor 7b being larger than that of a first capacitor 5b, through bypassing with a bypassing means 11.例文帳に追加

第１のコンデンサ５ｂの静電容量が第２のコンデンサ７ｂの静電容量より大きいことにより、電源スイッチ２を導通状態にする時の、各接続端に流れる突入電流の不平衡をバイパス手段１１によりバイパスすることにより抑制し、第１の接続端２ａの性能劣化や溶着等を防止できる。 - 特許庁

The electrical signal generating device corresponding to deviations comprises one electrical conductive coil spring and another small-diameter electrical conductive coil spring which is inserted into the one electrical conductive coil spring and copes with the changes in the capacitance between the two coil springs caused by the expansion and contraction of either of the two coil springs as a displacement detection parameter of one end of the coil spring.例文帳に追加

また、一の導電性コイルばねと該導電性コイルばねに挿通される小径の導電性コイルばねとからなり、前記何れか一方の導電性コイルばねの伸縮に起因する両者間の静電容量の変化をコイルばねの一端の変位検出パラメータとする変位に対応する電気信号発生デバイス。 - 特許庁

Since a capacitor 96A is provided on the way that the divided voltage output is fed back from the resistance 95 to the control part, time taken until the electrification bias reaches a predetermined value is delayed based on time taken until charge in accordance with capacitance is stored in the capacitor 96A after a power supply circuit for an electrifying roller is started.例文帳に追加

分圧出力が抵抗９５から該制御部にフィードバックする途中にコンデンサ９６Ａが設けられているため、該帯電ローラ用電源回路が起動してから、コンデンサ９６Ａに静電容量に応じた電荷が蓄えられるまでの時間に基づいて、帯電バイアスが所定の値に到達するまでの時間が遅延する。 - 特許庁

As PMOS transistors Tr13 and Tr14 for source follower use in pixels 10 are used in an ON state all the time with their gates connected to retention capacitance Cs1 and Cs2, only a threshold voltage Vth of the PMOS transistors Tr13 and Tr14 for source follower use is set to +0.5 V, resulting in a normally ON state.例文帳に追加

画素１０内のソースフォロワ用ＰＭＯＳトランジスタＴｒ１３及びＴｒ１４は、ゲートが保持容量Ｃs1、Ｃs2に接続されて常にオン状態で使用されるため、ソースフォロワ用ＰＭＯＳトランジスタＴｒ１３及びＴｒ１４の閾値電圧Ｖthのみが＋０.５Ｖに設定され、ノーマリーオン状態とされる。 - 特許庁

Then, an opening 71a for the N+ diffusion layer 62b and an opening 71b for the polycrystalline Si film 66b are simultaneously formed on an SiO2 film 68, and SiN films 72a and 72b that are the capacitance dielectric films of the MIS capacitor 88 and the MIM capacitor 89 are simultaneously formed on the openings 71a and 71b.例文帳に追加

そして、Ｎ^+ 拡散層６２ｂに対する開口７１ａと多結晶Ｓｉ膜６６ｂに対する開口７１ｂとをＳｉＯ_2 膜６８に同時に形成し、ＭＩＳ容量素子８８及びＭＩＭ容量素子８９の夫々の容量誘電膜であるＳｉＮ膜７２ａ、７２ｂを開口７１ａ、７１ｂ上に同時に形成する。 - 特許庁

Similarly, a static capacitance is formed between a second slide electrode 60 and a second chassis 32 by facing the second slide electrode 60 with the second chassis 32 with a paint layer 3204 inbetween in a state that the second slide electrode 60 electrically connected to the first chassis 22 is in slide contact with the second chassis 32.例文帳に追加

同様に、第１のシャーシ２２に電気的に接続された第２の摺動電極６０が第２のシャーシ３２の摺接した状態では、第２の摺動電極６０と第２のシャーシ３２が塗装層３２０４を挟んで位置することにより、第２の摺動電極６０と第２のシャーシ３２の間に静電容量が形成される。 - 特許庁

To provide a semiconductor device equipped with an MIM capacitor capable of utilizing a wiring region directly under the MIM capacitor as a wiring, and capable of preventing the number of wiring layers and an IC chip area from increasing, in the spatially constituted MIM capacitor capable of raising a capacitance density, and to provide a method of manufacturing the semiconductor device.例文帳に追加

容量密度を高めることが可能な、立体構造のＭＩＭキャパシタにおいてＭＩＭキャパシタ直下の配線領域が配線として利用でき、配線層数の増大や、ＩＣチップ面積の増大を防ぐことのできるＭＩＭキャパシタを備えた半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The pressure-sensitive sensor includes a fixed electrode 7 having a surface covered with a dielectric member 4, and a movable electrode 6 having a surface partially contacting a surface of the dielectric member 4 by receiving an external pressure, and generating an electrostatic capacitance between the fixed electrode 7 corresponding to the magnitude of the pressure.例文帳に追加

感圧センサは、表面が誘電部材４によって覆われた固定電極７と、外部からの圧力を受けることにより表面が誘電部材４の表面に部分的に接し、その圧力の大きさに応じた静電容量を固定電極７との間に生じる可動電極６とを備える。 - 特許庁

A band limiting filter 16 is a filter circuit for altering and limiting the band of an intermediate frequency signal by a frequency characteristics selection signal 18 corresponding to the received frequency and includes a plurality of variable capacitance circuits through which the frequency characteristics are set.例文帳に追加

帯域制限フィルタ１６は、受信周波数に対応し周波数特性選択信号１８によって中間周波数信号の帯域を変更して制限するフィルタ回路であり、複数の容量可変回路を含み、この容量可変回路によって周波数特性が設定されるように構成される。 - 特許庁

To provide a binder for a secondary battery equipped with enough adhesion with a metal collector, a cathode active material, and an anode active material, and capable of improving high-rate discharge characteristics and cycle characteristics, or for an electrochemical cell electrode capable of making capacitance larger, and inner resistance smaller of an electric double-layer capacitor.例文帳に追加

金属集電体、正極活物質、および負極活物質に対して十分な密着性を有し、高率放電特性やサイクル特性を向上させることができる二次電池、または電気二重層キャパシターの静電容量を大きく,内部抵抗を小さくすることができる電気化学セル電極用バインダーを提供する。 - 特許庁

To provide a capacitor assuring higher energy density (high capacitance) using aliphatic polyketone unwoven cloth as an electrode separator and excellent productivity with small internal resistance; and also to provide a thin and rigid electrode separator for uniform and porous capacitor showing excellent heat resistance, size stability, electric insulation property, anti-chemical property, and moisture-proof property.例文帳に追加

脂肪族ポリケトン不織布を電極セパレーターとして用いた高エネルギー密度（高容量）で、内部抵抗の小さい生産性の良いコンデンサー、および、薄くて強靱で、耐熱性、寸法安定性、電気絶縁性、耐薬品性、低吸水性に優れ、かつ、均一で多孔性のコンデンサー用電極セパレーターを提供する。 - 特許庁

A third intermediate unit 22 is formed by embedding a pair of capacitance switches 4, 4 in a second electrode 6, and thereafter embedding, in an external insulation material 2, a second intermediate unit formed by combining a first intermediate unit made by cutting the second electrode 6, a mandrel 21 and a first electrode 5.例文帳に追加

１対の静電容量スイッチ部４、４を第二電極中６中に包埋した後、この第二電極６を切断して造った第一中間ユニットと、マンドレル２１及び第一電極５とを組み合わせた第二中間ユニットを、外部絶縁体２中に包埋して、第三中間ユニット２２とする。 - 特許庁

In this case, the length of the anode oxide film formed area 6B is longer than that of the anode oxide film unformed area 6A, therefore, when mis-alignment occurs between the auxiliary electrode 6 and the pixel electrode 5 in the horizontal direction, an overlapping area increases as a whole, and this compensates the auxiliary capacitance.例文帳に追加

この場合、陽極酸化膜形成領域６Ｂの長さは陽極酸化膜非形成領域６Ａの長さよりも長くなっているので、補助容量電極６と画素電極５との間に左右方向のアライメントずれが生じた場合、全体としての重なる面積が増大し、これにより補助容量を補うことができる。 - 特許庁

To realize a large capacitance transmission by allowing high precision and high speed control of the carrier wave frequency of an optical signal, for assuring stability in oscillation frequency of a transmission light source, for improved transmission performance, and improved band utilization rate of transmission channel due to high density in multiple wavelength intervals.例文帳に追加

光信号の搬送波周波数を高精度かつ高速に制御可能にして、送信光源の発振周波数の安定性を確保し、伝送性能の向上をはかるほか、波長多重間隔の高密度化により伝送路の帯域利用率の向上をはかって大容量の伝送を実現する。 - 特許庁

To obtain an ink jet head ejecting ink by deforming a diaphragm with an electrostatic force in which ink ejection characteristics are prevented from deteriorating, by avoiding increase of a time constant determined by the resistance of a semiconductor substrate and the capacitance of a capacitor constituted of the diaphragm and a discrete electrode facing the diaphragm.例文帳に追加

静電気力によって振動板を変形させ、インクを吐出するインクジェットヘッドにおいて、半導体基板の抵抗値と振動板とこれに対向する個別電極で構成されるコンデンサの容量から決定される時定数の増大を避け、このために生じるインク吐出特性の悪化を防止する。 - 特許庁

The electret making device is provided with a means capable of clamping the porous body with the pair of the dielectrics whose total capacitance is 2×10-7 C/(m2.V) or more and total of thickness is 0.2 mm or more, and a means capable of applying the high DC voltage between the dielectrics.例文帳に追加

本発明のエレクトレット化装置は、総静電容量が２×１０^-7Ｃ／（ｍ^2・Ｖ）以上、かつ厚さの合計が０．２ｍｍ以上の１対の誘電体により、多孔性被処理体を挟持することのできる手段、及び前記誘電体間に直流高電圧を印加できる手段、とを備えたものである。 - 特許庁

The leakage coaxial cable formed by coaxially arranging a center conductor 2 and an external conductor 1 provided with a plurality of radiation slots 3 to form leakage electromagnetic field includes an compensating part to compensate for additional capacitance equivalent to a propagation time delay to be generated in each slot of the plurality of radiation slots 3.例文帳に追加

中心導体２と、漏洩電磁界形成用の複数の放射スロット３が形成された外部導体１とを同軸に配してなる漏洩同軸ケーブルにおいて、複数の放射スロット３の各々において生じる伝播時間遅延量に等価の付加容量を補償するための補償部を備える。 - 特許庁

A shielding region comprising the same layer as a semiconductor layer for forming a channel layer is formed near a channel region, thus preventing the deterioration in the transistor characteristics due to the light from the back light without increasing the capacitance between the gate and source, and the gate and drain, and hence obtaining the liquid crystal display having the improved image quality.例文帳に追加

チャネル層を形成する半導体層と同一層から成る遮光領域をチャネル領域近傍に形成することにより、ゲートとソース間及びゲートとドレイン間の容量を増加させることなく、バックライト光によるトランジスタ特性の劣化を防ぐことができ、画質の向上した液晶表示装置が得られる。 - 特許庁

That is, the gate wiring 8 is made a double layer structure of the metallic film of a row like wiring pattern and the storage ITO film 9, and by prolonging the pixel electrode 4 on the upper layer of the double layer structure, the structure forming the auxiliary capacitance by the part where the pixel electrode 4 is overlapped the gate wiring 8 is obtained.例文帳に追加

つまり、ゲート配線８を行状の配線パターンの金属膜とストレージＩＴＯ膜９との２層構造とし、その２層構造の上層に画素電極４を延在させることにより、画素電極４がゲート配線８とオーバーラップする部分にて補助容量を形成する構造とする。 - 特許庁

In the liquid level detector 10, a detection circuit 11 detects variations in capacitance in a probe 4 dispensing a liquid sample, containing a sample or a reagent caused by bringing the probe 4 into contact with the liquid surface of the liquid sample, and a determination circuit 18 determines whether this is liquid surface, on the basis of a detected signal.例文帳に追加

試料又は試薬を含む液体試料を分注するプローブ４が液体試料の液面に接触することによるプローブにおける静電容量の変化を検知回路１１によって検知し、検知した信号に基づいて判定回路１８が液面か否かを判定する液面検知装置１０。 - 特許庁

When the voltage of a drain line DSL falls from V_cc to V_ss or rises from V_ssto V_cc, the V_th is corrected avoiding periods (S1, S2) wherein the voltage of a ground line GND fluctuates because of coupling through parasitic capacitance C_α generated between the ground line GND and drain line DSL.例文帳に追加

ドレイン線ＤＳＬの電圧がＶ_ｃｃからＶ_ｓｓに下がったり、Ｖ_ｓｓからＶ_ｃｃに上がったりしたときに、グラウンド線ＧＮＤとドレイン線ＤＳＬとの間に生じる寄生容量Ｃ_αを介したカップリングによってグラウンド線ＧＮＤの電圧が揺れている期間（Ｓ１，Ｓ２）を避けて、Ｖｔｈ補正を行う。 - 特許庁

The thickness of an insulating film 28, the width and thickness of a wiring 25, the length of the wiring 25 or the diameter of a bump portion 26 formed on the wiring 25 are formed so that the capacitance of a capacitor structure generated among a solid-state imaging device chip 20, the wiring 25 and bump portion 26 is less than a desired value.例文帳に追加

絶縁膜２８の厚み、または配線２５の線幅と厚み、または配線２５の長さ、または配線２５上に形成されるバンプ部２６の径を、固体撮像素子チップ２０と配線２５及びバンプ部２６との間に発生するコンデンサ構造の静電容量を所望の値以下とするように形成する。 - 特許庁

In opening the collector capacitance selector valve 9 after quick acceleration from a totally closed state of acceleration as a condition for pressure reduction of the sub-collector 7 by more than a prescribed value, change quantity of valve opening area in an initial stage in a valve opening action period is set to be smaller than change quantity of valve part opening area in a terminal stage.例文帳に追加

サブコレクタ７の圧力が所定値以上低下する条件であるアクセル全閉状態からの急加速後に、コレクタ容量切換弁９を開弁させるときに、その開弁動作期間のうち初期における弁部開口面積の変化量を、終期における弁部開口面積の変化量に比べて小さくする。 - 特許庁

The collector of a transistor Q1 is grounded for high frequencies by a bypass capacitor Cp, variable capacitance diodes VD2 and VD1 are respectively provided between the emitter and collector of Q1 and between the emitter and base of Q1, and a resonance circuit composed of capacitors C3 and C4 and a strip line L1 is equivalently connected between the base and collector of Q1.例文帳に追加

トランジスタＱ１のコレクタをバイパスコンデンサＣｐで高周波的に接地し、Ｑ１のエミッタとコレクタとの間およびエミッタとベースとの間に可変容量ダイオードＶＤ２，ＶＤ１をそれぞれ設け、コンデンサＣ３，Ｃ４およびストリップラインＬ１による共振回路をＱ１のベース−コレクタ間に等価的に接続する。 - 特許庁

A power source scanner switches a feeding line DS of previous line, from high potential to low potential before the mobility correcting operation, and after the threshold potential correcting operation, introduces a capacity coupling voltage into one current terminal of the transistor T2 for driving via auxiliary capacitance Csub and to make it conduct normal execution of the mobility correcting operation.例文帳に追加

電源スキャナは、閾電圧補正動作の後で移動度補正動作の前に、前行の給電線ＤＳを高電位から低電位に切り換え、補助容量Ｃｓｕｂを介して容量カップリング電圧を駆動用トランジスタＴ２の一方の電流端に入れ、以って移動度補正動作を正常に行わせる。 - 特許庁

When the switching element 36 is turned from ON to OFF, a reflux electric current Id based on the inductance coil 38 flows in the forward direction of the diode 40 through a closed circuit 46 composed of the inductance coil 38, the capacitance 12, and the diode 40, and the capacitor 12 is charged with the reflux electric current Id.例文帳に追加

そして、スイッチング素子３６がオン状態からオフ状態になると、インダクタンスコイル３８、コンデンサ１２およびダイオード４０からなる閉回路４６内でインダクタンスコイル３８に基づく電流Ｉdがダイオード４０の順方向に還流し、この還流する電流Ｉdによってコンデンサ１２が充電される。 - 特許庁

To provide an intake system for an engine provided with a main collector 5 and a sub-collector 7 connected to it through a collector capacity changing valve 9 capable of preventing reduction of intake air quantity when the collector capacitance selector valve 9 is opened by reduction of pressure of the sub-collector 7 by more than a prescribed value to pressure of the main collector 5.例文帳に追加

エンジンの吸気系のメインコレクタ５と、これにコレクタ容量切換弁９を介して接続されるサブコレクタ７とを備える場合に、メインコレクタ５の圧力に対し、サブコレクタ７の圧力が所定値以上低下することにより、コレクタ容量切換弁９が開いたときに吸入空気量が低下するのを防止する。 - 特許庁

To provide a pinching detector for an electric sliding door, which employs a capacitance sensor, which prevents false detection near a full-closing position and a malfunction caused by an increase in the change of level of detection determination, and which enables detection sensitivity to be set at a constant and high level throughout an operating range.例文帳に追加

静電容量センサを用いた電動スライドドアの挟み込み検知装置であって、全閉付近での誤検知と、検知判定におけるレベル変化の増大による不具合が防止され、動作範囲全体にわたって検知感度を一定かつ高感度に設定することが容易な挟み込み検知装置を提供する。 - 特許庁

To provide an electronic component module in which soldering places can be reduced and the handling of minute components can be avoided and which can individually measure an electric characteristic such as a capacitance value of a capacitor and a resistance value and is suitable to be used in a nonreversible circuit element and to provide a nonreversible circuit element using the electronic component module and its manufacturing method.例文帳に追加

はんだ付け個所が削減でき、微小部品の取り扱いが回避でき、しかもコンデンサの容量値や抵抗値等の電気的特性を個別に測定できる、非可逆回路素子に用いて好適な電子部品モジュール、それを用いた非可逆回路素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

In the optical module with the semiconductor light-emitting device 8, an optical fiber 6 transmitting light radiated from the light-emitting element and the semiconductor photodetector 9 which receives light radiated by the light-emitting device, constitution in which the junction capacitance of the photodetector 9 is set in 0.64 pF or less is adopted.例文帳に追加

半導体発光素子８と、この半導体発光素子が放射する光を伝送する光ファイバ６と、半導体発光素子が放射する光を受ける半導体受光素子９と、を有する光モジュールであって、半導体受光素子９の接合容量が０．６４ｐＦ以下である構成を採る。 - 特許庁

The electrostatic capacitance sensor is constituted of a stationary substrate 1 on which a stationary electrode 1a is formed, a movable electrode provided oppositely to the stationary substrate 1a beyond a gap (g), having a movable part 3d oscillating against the stationary substrate 1, and a weight 4 fixed with the moveable part 3d having recessed parts 4g on a part of outer surface.例文帳に追加

固定電極１ａが形成された固定基板１と、固定電極１ａとギャップｇを存して対向配置された可動電極を有して固定基板１に対して揺動可能な可動部３ｄと、可動部３ｄに取り付けられ、外面の一部に凹部４ｇを有する重り４とを備えて構成する。 - 特許庁

In a power supply board 1, a solder mound 4 is added to the area across the entire length and width of one conductor pattern 31 forming an electric path where a current is supplied at all times to increase a current value capacitance of the conductor pattern 31, resulting in preventing early degradation and burning out of the conductor pattern 31.例文帳に追加

電源基板１において、電流が常時供給される電路を形成している１つの導体パターン３１の全長及び全幅に亘る領域に半田盛り４を追加してその導体パターン３１の電流値容量を増大させることによりその導体パターン３１の早期劣化及び焼き切れを防止する。 - 特許庁

An inductance L_2 of a secondary winding 8 of the air-core transformer 4a and a stray capacitance C_s, generated by the Cockcroft-Walson circuit 10a, electrically connected to the secondary winding 8 in parallel are used to form a parallel resonance circuit resonating at a frequency f of an AC power supplied to a primary winding 6.例文帳に追加

空心変圧器４ａの２次巻線８のインダクタンスＬ_2 と、コッククロフト・ワルトン回路１０ａが生じさせる浮遊容量であって２次巻線８に電気的に並列接続された浮遊容量Ｃ_S とを用いて、１次巻線６に供給される交流電力の周波数ｆで共振する並列共振回路を形成している。 - 特許庁

The average particle diameter of the lead carbonate powder is set at 10 μm which is equivalent to 20% of the thickness of a positive electrode mixture layer painted on the one surface of the aluminum foil, and its mixed quantity to the positive electrode active material mixture is set at 0.1 mol when dischargeable capacitance of the lithium manganate under fully charged condition is 1 F.例文帳に追加

炭酸鉛粉末は、平均粒子径をアルミニウム箔の片面に塗着した正極合剤層の厚さの２０％に相当する１０μｍとし、正極活物質合剤に対する混合量を、満充電状態におけるマンガン酸リチウムの放電可能容量を１Ｆとしたときに、０．１モルとした。 - 特許庁

A liquid crystal device 100 has a side light shield layer 7a perpendicular to a support substrate 10d, formed along both width-directional ends of a lattice-shaped non-display area 100c where a scan line 3a, a capacitance line 5b, a data line 6a and a field effect transistor 30 are formed on the support substrate 10d.例文帳に追加

液晶装置１００では、支持基板１０ｄにおいて、走査線３ａ、容量線５ｂ、データ線６ａおよび電界効果型トランジスタ３０が形成されている格子状の非表示領域１００ｃの幅方向の両端部に沿って、支持基板１０ｄに対して垂直な側部遮光層７ａが形成されている。 - 特許庁

To provide an aluminum material having superior etching characteristics for an electrolytic capacitor electrode, which can reliably increase the surface area, by making etch pits densely and uniformly formed on its surface, using the etch pits as starting points, and making them further deeply etched into tunnel-shaped pits so as to be hardly combined with each other, and consequently can increase the capacitance.例文帳に追加

エッチピットを高密度かつ均一に形成させ、このエッチピットを起点に深くかつトンネル内で結合が起こりにくくエッチングすることで確実に拡面率を高め、静電容量の更なる増大を図ることができる、エッチング特性に優れた電解コンデンサ電極用アルミニウム材等を提供する。 - 特許庁

Also, an inverter Iv5 which has the same constitution as an inverter Iv6 connected to a data output section SAOUT and whose output section is open is connected to a load side output section being a dummy output section of the sense amplifier 14, unbalance of coupling capacitance in the output section of the sense amplifier 14 is remarkably reduced.例文帳に追加

また、センスアンプ１４のダミー出力部である負荷側出力部には、データ出力部ＳＡＯＵＴに接続されたインバータＩｖ６と同じ構成であり、出力部がオープンとなったインバータＩｖ５が接続されており、センスアンプ１４の出力部におけるカップリング容量のアンバランスを大幅に低減する。 - 特許庁

An element unit 3 having at least one of functions such as inductance, resistance, and capacitance is formed on a base 1, a resist film 4 is formed on the side of the base 1 and patterned, its disused part is removed, a protective material 5 is formed on a part where the disused part is removed, and the residue of the resist film 4 is removed.例文帳に追加

基台１にインダクタンス，抵抗，キャパシタの少なくとも一つの機能を有する素子部３を形成し、基台１の少なくとも側面上にレジスト膜４を形成し、レジスト膜４をパターニングして不要部分を除去し、除去した部分に保護材５を形成し、レジスト膜４の残留部分を除去した。 - 特許庁

Since a resistive element and a switch are not inserted in the propagation path(26) of the high frequency input signal, located between the input terminal and the gates of the amplifier transistors, problems of deterioration in the noise figure due to the resistive element, a parasitic capacitance, and deterioration in the high frequency characteristic due to the switch are not caused.例文帳に追加

この可変減衰器（２４）によれば、入力端子から増幅トランジスタのゲートとの間の高周波入力信号の伝播経路（２６）中に、抵抗素子やスイッチが挿入されていないので、抵抗素子によるノイズフィギュアの劣化や寄生容量の問題、スイッチによる高周波特性の劣化がない。 - 特許庁

The potential of an epitaxial layer 2A below a bonding pad 5 to which a resonance circuit for VCO is connected is fixed at a predetermined potential (Vcc) through a resistance 6 from a conventional floating state and then change in the potential of the epitaxial layer 2A is made fast to speedily stabilize a parasitic capacitance value, so that a drift at power-ON time is improved.例文帳に追加

ＶＣＯ用共振回路が接続されるボンディングパッド５下のエピタキシャル層２Ａの電位を、従来のフローティング状態から抵抗６を介して所定（Ｖｃｃ）電位に固定することで、エピタキシャル層２Ａの電位変化を速くして、寄生容量値が速やかに安定することから、電源ＯＮ時のドリフトが改善する。 - 特許庁

The driving circuit of electrooptical device drives either one of a PMOS transistor MP1 and an NMOS transistor constituting the transmission gate in accordance with polarity of an image signal such that a feed-through voltage generated due to a parasitic capacitance of the CMOS transmission gate is generated in the direction of increasing an absolute value of an image signal at all times.例文帳に追加

ＣＭＯＳトランスミッションゲートの寄生容量に起因して生じるフィードスルー電圧が、常に画像信号の絶対値を増大させる方向に生じるように、画像信号の極性に応じて、トランスミッションゲートを構成するＰＭＯＳトランジスタＭＰ１またはＮＭＯＳトランジスタＭＮ１のいずれか一方を駆動する。 - 特許庁

The conductive plate 112 is housed in a conductive plate housing part 303, arranged in the first housing 101 away from a shield case 304 of the external connector 111 in the thickness direction H of the first housing 101 to overlap the shield case 304 in the thickness direction H, and capacitance-coupled to the shield case.例文帳に追加

導電板１１２は、導電板収納部３０３に収納され、第１筐体１０１の厚さ方向Ｈに外部コネクタ１１１のシールドケース３０４と重なるように、シールドケース３０４から厚さ方向Ｈに離間して第１筐体１０１に配置され、シールドケースと静電容量結合する。 - 特許庁

To provide an industrial robot for mainly operating upward work with an arm structure, in which interference area is less for saving space, even if a plurality of robots are installed densely in such space limited in right and left directions, a burden on a motor reduction gear is reduced, and the capacitance of the motor reduction gear can be reduced.例文帳に追加

主に上向きの作業を行い、前後左右方向に限られた空間に複数のロボットを稠密設置可能な、干渉域の少ない省スペースな、かつモータ・減速機への負荷を低減することができ、モータ・減速機容量を小さくすることが可能なアーム構造を有する産業ロボットを提供。 - 特許庁