「Capacitance」に関連した英語例文の一覧と使い方(190ページ目) - Weblio英語例文検索

To obtain a solid-state image sensing device which is enhanced in detection sensitivity by a method wherein a detection capacitance formed of a floating diffusion layer is decreased without varying an output electrode or a reset electrode in threshold value, and charge is trapped in a gate insulating film of ONO film when a device is charged while it is manufactured.例文帳に追加

製造中デバイスが帯電した場合、ゲート絶縁膜を構成するＯＮＯ膜中に電荷がトラップされ、出力電極やリセット電極のしきい値の変動が生じることなく、浮遊拡散層からなる検出容量が低減し、検出感度が向上する固体撮像装置を提供する。 - 特許庁

As a means to prevent saturation of TRs of an input stage circuit, a diode D1 is inserted to the circuit, and as a means to prevent saturation of TRs of an output stage circuit, a diode D2 is inserted to the circuit so as to attain a high speed operation with less additional components to prevent saturation and with less addition of undesired parasitic capacitance.例文帳に追加

また、入力段回路トランジスタの飽和を防止する手段として、ダイオードＤ１を挿入し、出力段回路トランジスタの飽和を防止する手段として、ダイオードＤ２を挿入することにより、飽和防止のための追加素子を少なく、余分な寄生容量の付加を少なくして、高速動作を可能とした。 - 特許庁

A varactor element 7 is connected between a gate bias application terminal 6 of a tip short-circuit stub 2 provided for input impedance matching and ground, the capacitance of the varactor element 7 is changed by adjusting a gate bias voltage so as to equivalently change the electric length of the tip short-circuit stub 2.例文帳に追加

入力インピーダンス整合用に設けた先端短絡スタブ２のゲートバイアス印加端子側６と接地との間に可変容量素子７を接続し、この可変容量素子７の容量値をゲートバイアス電圧値を調整することによって変化させ、先端短絡スタブ２の電気長を等価的に変化させる。 - 特許庁

A reverse bias applying means 9 is composed of a switching transistor Tr4 for writing a negative potential Vmb to the capacitance C1, applies the negative potential Vmb as the reverse bias, that is a negative polarity with reference to the source S, and performs downward adjustment of an upward change of the threshold voltage generated by applying the forward bias.例文帳に追加

逆バイアス印加手段９は、容量Ｃ１に負電位Ｖｍｂを書き込むスイッチングトランジスタＴｒ４からなり、ドライブトランジスタＴｒ２のゲートＧに、ソースＳ基準で負極性となる逆バイアスとして負電位Ｖｍｂを印加し、順バイアスの印加によって生じた閾電圧の上方変動を下方修正する。 - 特許庁

The measuring terminal 22A, the IGBT element and the photocoupler are provided for each of the plurality of loads 3, thereby easily individually controlling current supply to each load 3 by shutting off voltage application to the load 3 which is e.g., short-circuited, opened or determined defective in capacitance measurement of a previous step.例文帳に追加

測定端子２２Ａと、ＩＧＢＴ素子と、フォトカプラが、複数の負荷３毎にそれぞれ設けられているので、例えばショートまたはオープンとなっていたり、前工程の容量測定などで不良と判定された負荷３に対する電圧印加を遮断して、各負荷３への電流供給を容易に個別制御できる。 - 特許庁

The inclination sensor device 9 is provided with a capacitance electrodes 2 which are opposite up and down arranged in between a space 1 at least one side of which are composed of a plurality of electrodes 2a, and provided with a dielectric block 3 accomodated in the space 1, and movable between a plurality of electrodes 2a according to the inclination of space 1.例文帳に追加

空間１を間に配して上下に対向し、少なくとも一方が複数の電極２ａからなる容量電極２と、空間１内に収容され、空間１の傾きに応じて複数の電極２ａ間を移動可能な誘電体ブロック３とを具備する傾斜センサ装置９である。 - 特許庁

Even if an overcurrent due to the parasitic inductance L or capacitance C of the high voltage cable 22 is generated and begins to flow into the cold-electrode 12, the overcurrent can be prevented from flowing, as it is, into the cold-electrode 12 by the second current control resistor 41 and thereby long life of the cold-electrode 12 is ensured.例文帳に追加

高圧ケーブル２２に寄生しているインダクタンスＬやキャパシタンスＣに起因する過電流が発生して冷陰極１２に流れようとしても、第２の電流制御抵抗４１によって当該過電流がそのまま冷陰極１２に流れることを防止でき、冷陰極１２の長寿命化が図れる。 - 特許庁

This process for producing an electrostatic capacitance-type acceleration sensor comprising a fixed electrode 4, a movable electrode 6 also serving as a weight, and a beam 5 made of metals and placing them in the direction perpendicular to a substrate, includes the step of forming the fixed electrode 4, the movable electrode 6, and the beam 5 by wet plating process.例文帳に追加

固定電極４、錘を兼ねた可動電極６、および梁５が金属からなり、基板に対して垂直方向にこれらが配置されている容量型加速度センサの製造方法であって、固定電極４、可動電極６、および梁５を湿式めっき法により形成する工程を備えている。 - 特許庁

A conduction angle of AC input current is enlarged to improve a power factor by the rectifying operation of a 4-fold voltage rectifier circuit in which an amplitude relationship is imparted to the capacitance of a smoothing capacitor and voltage feeding back a switching output to a rectifying current route of a rectifying and smoothing circuit.例文帳に追加

そして、平滑コンデンサのキャパシタンスに大小関係を与えた４倍電圧整流回路の整流動作と、スイッチング出力を整流平滑回路の整流電流経路に電圧帰還する構成とにより、交流入力電流の導通角を拡大して力率改善を図るようにされる。 - 特許庁

At waiting conditions in which the charge pump 3 does not operate pumping of the voltage, the transistor switches SW1, SW2 are turned off, and thereby a current does not flow into the first resistance voltage dividing circuit 5 and a pumped voltage Vpp is detected only with the capacitance voltage-dividing circuit 4, and thereby the power consumption in waiting condition can be reduced.例文帳に追加

チャージポンプ３が昇圧動作を行っていない待機状態時は、トランジスタスイッチＳＷ１，ＳＷ２をオフして、第１の抵抗分圧回路５に電流が流れないようにして容量分圧回路４のみで昇圧電圧Ｖppの電圧検知を行うため、待機状態時の消費電力を低減することができる。 - 特許庁

This invention does not need to use off-chip inductors or capacitors, and contributes to the yield and the amount of production, because no extra connections are required, in comparison with prior art because switchings among the bands are performed by using the current, voltage or capacitance between the input terminal and the output terminal of the transistor.例文帳に追加

電流又は電圧もしくはトランジスタの入力端と出力端との間の電気容量値を使用してバンドを切替えているので、本発明は先行技術に比較して、チップ外のインダクタ及びキャパシタを使用する必要がなく、かつ、定格該の結線を要しないので歩止まり及び産量に寄与する。 - 特許庁

If the oscillation frequency of the oscillating circuit 21 increase with the rise in the temperature inside the capacitance sensor 11, then the resistance value of the thermostat 26 which constitutes the feedback resistance 24 rises, so as to increase the resistance value of the feedback resistance 24 and reduce the oscillating frequency of the oscillating circuit 21.例文帳に追加

静電容量センサ１１の内部温度が上昇して発振回路２１の発振周波数が高くなるような場合は、帰還抵抗２４を構成するサーミスタ２６の抵抗値が上昇するので、帰還抵抗２４の抵抗値が増大し、発振回路２１の発振周波数を低下させるように作用する。 - 特許庁

A temperature compensating thin-film capacitor 1 has such a structure, with a first dielectric thin film 5 having permittivity of 4.0 or lower and a coefficient of linear thermal expansion of 50 ppm/°C or higher and a second dielectric film 4 whose absolute value of a temperature coefficient of capacitance is 50 ppm/°C or lower are interposed between a pair of electrodes.例文帳に追加

比誘電率が４．０以下であり、かつ線熱膨張係数が５０ｐｐｍ／℃以上である第１の誘電体薄膜５と、容量温度係数の絶対値が５０ｐｐｍ／℃以下の第２の誘電体薄膜４とが一対の電極間に介在されたことを特徴とする温度補償用薄膜コンデンサ１。 - 特許庁

This capacitance-type physical quantity sensor comprises a fixed electrode 13 formed on a glass substrate 11, and a pressure-sensitive diaphragm 15a placed on a confronting position and serving as a movable electrode, and is suited to surface mounting since extraction parts 14a and 14b of the two electrodes are formed on an under surface 11b of the glass substrate.例文帳に追加

ガラス基板１１上に形成された固定電極１３と、対向する位置に置かれた可動電極となる感圧ダイヤフラム１５ａとを有し、両電極の引き出し部１４ａ，１４ｂがガラス基板の下面１１ｂに形成された、平面実装に適した静電容量型物理量センサである。 - 特許庁

To provide a capacitance type or conductivity type sensor device which is best suited for measuring storage levels such as liquid, powder and the like in a tank and a vessel, and is not only made compact and light, but also manufactured at low cost, and whose electrode in a complicated shape corresponding to shapes of the tank and the vessel can be produced easily.例文帳に追加

タンクや容器の形状にあわせた複雑な形状の電極の製作が容易であり、小型軽量化が図れると共に製造コストが安くなるような、タンクや容器内の液体や粉体等の貯蔵レベル等を計測するのに最適な静電容量式又は電気導電度式のセンサ体を提供する。 - 特許庁

As a width W_2 of the second region 11b is greater than a width W_1 of the first region 11a, an acoustic capacitance per a unit length of the second region 11b in the paper conveyance direction is greater than that of the first region 11a in the paper conveyance direction.例文帳に追加

第２領域１１ｂの幅Ｗ_2が、第１領域１１ａの幅Ｗ_1よりも大きくなっているため、第２領域１１ｂの紙送り方向に関する単位長さあたりの音響容量は、第１領域１１ａの紙送り方向に関する単位長さあたりの音響容量よりも大きくなっている。 - 特許庁

An auxiliary capacitance electrode 6 has an anode oxide film unformed area 6A formed of a pair of side parts on both sides of almost U-shaped part 6a to be superimposed on prescribed three side parts of the pixel electrode 5, and an anode oxide film formed area 6B (shown as hatched part) provided on both sides of the area 6A.例文帳に追加

補助容量電極６は、画素電極５の所定の３側辺部と重ね合わされるほぼコ字状部６ａの両側の一対の辺部からなる陽極酸化膜非形成領域６Ａと、その両側に設けられた陽極酸化膜形成領域６Ｂ（斜線で示す部分）とを有する。 - 特許庁

The voltage control circuit 8 of a DC chopper type quick charging circuit calculates the changes of quick charging voltage by the capacity fluctuations of the capacitor 7 from the measured temperature value of the capacitor itself or the ambient measured temperature value to correct the fluctuations of the calculated capacitance C by control of output current i.例文帳に追加

直流チョッパ型の急速充電回路の電圧制御回路８は、コンデンサ７の容量変動による急速充電電圧の変化を、コンデンサ自体の温度計測値、または周囲の温度計測値から算出し、この算出したコンデンサ容量Ｃの変動に出力電流ｉの制御で補正する。 - 特許庁

To provide a storage node formation method for a semiconductor device capable of uniformly maintaining capacitor capacitance and improving the reliability of an element by minimizing the loss difference of a conductive film at the center part and peripheral part of a cell area generated by an etch- back process at the time of separation of a storage node 26.例文帳に追加

ストレージノード２６の分離時にエッチバック工程によって発生するセル領域の中央部と周辺部の導電膜が損失差異を最小化させることによって、キャパシタ容量を均一に維持でき、素子の信頼性を向上させることができる半導体装置のストレージノード形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a card-like data recording medium which has optical recording data with comparatively large capacitance, electric recording data and visual sense confirmation data describing description of recorded contents of an optical recording medium or related information, respectively, in a data recording medium having an outer shape with standard card size.例文帳に追加

標準のカード・サイズの外形を有するデータ記録媒体において比較的大きな容量の光学的記録データと、該光学的記録媒体の記録内容を説明若しくは関連情報を記載した電気的記録データ及び視覚確認データをそれぞれ具備するカード状データ記録媒体を提供する。 - 特許庁

The lower electrode 16 of the capacitance element is formed on the insulating film 14 so that the electrode 16 may be connected to the plug 15 and the electrode 16 is constituted of a first-conductivity barrier film 16a, a second-conductivity iridium oxide barrier film (oxygen barrier film) 16b, and a metallic film 16c.例文帳に追加

層間絶縁膜１４の上にはコンタクトプラグ１５と接続されるように容量素子の下部電極１６が形成されており、該下部電極１６は、第１の導電性バリア膜１６ａ、酸化イリジウム膜よりなる第２の導電性バリア膜（酸素バリア膜）１６ｂ及び金属膜１６ｃより構成されている。 - 特許庁

In a stator of the brushless motor molded by an insulative resin, a capacitance between a shaft and a bracket can be reduced, and the high-frequency electrolytic corrosion (the wavy abrasion phenomenon) is prevented from occurring to the bearing since a stator iron core is short-circuited to the bracket through an iron core connecting terminal and a bracket connecting terminal.例文帳に追加

絶縁樹脂にてモールドされたブラシレスモータの固定子において、固定子鉄心は鉄心接続端子とブラケット接続端子を経由してブラケットと短絡する構造にすることで、軸とブラケット間の静電容量を減少させることが可能であり軸受の電食（波状磨耗現象）を防止することを目的とする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a MOS type semiconductor integrated circuit device which integrates a MISFET element, a flash memory element, a capacitance element such as a polysilicon capacitor which use silicon nitride films formed in a hot wall type batch vacuum CVD furnace which prevents the generation of a foreign substance caused by the deformation and minute movement of a wafer.例文帳に追加

ウエハが変形し微妙な移動によって異物が発生を防止したホット・ウォール型のバッチ式減圧ＣＶＤ炉で成膜される窒化シリコン膜を使用したＭＩＳＦＥＴ素子、フラッシュ・メモリ素子、およびポリシリコン・キャパシタ等の容量素子等を集積したＭＯＳ型半導体集積回路装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A capacitance element is formed by winding anode foil and cathode foil together with a separator and a PEDT(polyethylene dihydroxythiophene) polymer layer is formed between both electrodes by impregnating the element with an EDT or an EDT solution and, in addition, with a hydrophilic oxidizing agent by 30-50% and heating the element to 20-180°C for 30 minutes or longer.例文帳に追加

陽極箔を陰極箔及びセパレータと共に巻回してコンデンサ素子を形成し、このコンデンサ素子にＥＤＴ又はＥＤＴ溶液を含浸し、さらに３０〜５０％の親水性の酸化剤を含浸して、２０〜１８０℃、３０分以上加熱し、両電極間にＰＥＤＴポリマー層を形成する。 - 特許庁

This can switch on the switch element on completion of charge regeneration and charging of parasitic capacitances of the two switch elements to avoid a power loss caused as a charge stored in the parasitic capacitance of the switch element to be turned on flows through the switch element turned on.例文帳に追加

こうすれば、二つのスイッチ素子の寄生容量での電荷の回生および充電が完了した後に、スイッチ素子をＯＮに切り換えることができるので、ＯＮにしようするスイッチ素子の寄生容量に蓄えられた電荷が、ＯＮにしたスイッチ素子を流れて電力損失が発生することを回避することが可能となる。 - 特許庁

To provide a curtain sensor for detecting a dielectric potential generated by approach or contact of a person or an object to a curtain as a change in capacitance of the curtain, and to be useful for crime prevention and monitoring work of nursing or the like by installing the curtain sensor to the gateway or window of a building.例文帳に追加

本発明は、人や物体がカーテンに接近又は接触することにより生じる誘電電位がカーテンの静電容量の変化として検出できるカーテンセンサを提供することを目的とし、建物の出入り口や窓に本発明のカーテンセンサを設置すれば、防犯や介護等の監視業務に役立つことができるものである。 - 特許庁

In this capacitance type pressure sensor, an insulating film A28 and an insulating film B31 of a multilayer structure formed on a fixed electrode 16 formed on a first base board 10 and a diaphragm part 13 of a second base board 11 are oppositely joined via a cavity part 14, and the fixed electrode 16 is formed on a shield layer 30.例文帳に追加

第１の基板１０に形成される固定電極１６と第２の基板１１のダイアフラム部１３に形成された多層構造の絶縁膜Ａ２８及び絶縁膜Ｂ３１が、キャビティ部１４を介して対向するように接合され、かつ、固定電極１６がシールド層３０の上に形成された静電容量型圧力センサ。 - 特許庁

An electrical conductor 11 is wound around in spiral form, and by using the stray capacitance, generated between the lines as a resonant capacitor, a resonant capacitor, which is originally a separate part, is dispensed with; and moreover, by reducing the increase of the resistance in the high-frequency range, the inexpensive and loss-reducing induction heating device can be realized.例文帳に追加

電気導体１１を渦巻き状に巻回し、その線間に発生する浮遊容量を共振コンデンサとして活用することのより、従来別部品であった共振コンデンサが不要となり、さらに高周波域の抵抗上昇を低減して、低損失かつ安価な誘導加熱装置を実現している。 - 特許庁

To solve the problem that high speed operation can not be expected when an EL element has a large junction capacitance and, when a current course is changed, a transistor which controls a driving current becomes a source follower for a switching transistor connected with a power source line and the source voltage of a driving transistor is varied in accordance with characteristics of a switching transistor.例文帳に追加

ＥＬ素子がおおきな接合容量を持つ場合に、高速動作が期待できないこと、及び、電流経路が変換した場合に電源ラインに接続されるスイッチングトランジスタに対し駆動電流を制御するトランジスタがソースフォロワとなり、駆動用トランジスタのソース電圧がスイッチング用トランジスタの特性により変動する。 - 特許庁

The array substrate includes: a plurality of scanning lines 19, a plurality of auxiliary capacitance lines 21, a plurality of signal lines 27 and a plurality of switching elements formed on the substrate; an insulating film; a plurality of pixel electrodes 34; and a plurality of base portions 7 formed of the same material as the pixel electrodes 34 and formed on the insulating film.例文帳に追加

アレイ基板は、基板上に形成された複数の走査線１９、複数の補助容量線２１、複数の信号線２７及び複数のスイッチング素子と、絶縁膜と、複数の画素電極３４と、画素電極３４と同一材料で上記絶縁膜上に形成された複数の下地部７とを有する。 - 特許庁

To provide a structure of a semiconductor device wherein stray capacitance between a thin film vibrator and a semiconductor substrate is little and to provide the semiconductor device including the thin film vibrator that can be formed by a generic thin film forming technology without the need for using a piezoelectric body, applicable to high frequency applications and driven at a low voltage.例文帳に追加

薄膜振動子と半導体基板との浮遊容量の少ない半導体装置の構造を提供するとともに、圧電体を用いなくても一般的な薄膜形成技術によって形成でき、高周波化と低電圧駆動が可能な薄膜振動子を有する半導体装置を提供することにある。 - 特許庁

To provide an electrolyte for driving an electrolytic capacitor capable of inhibiting radical chain thermal oxidation reaction for a long term only with a small quantity of chemical added without dropping spark generating voltage of the electrolytic capacitor, and capable of inhibiting an increase in a rate of capacitance change and tanδ while inhibiting an increase in specific resistance of the electrolyte.例文帳に追加

電解コンデンサの火花発生電圧が低下させずに、少量の薬品添加でもラジカル連鎖熱酸化反応を長期的に抑え、電解液の比抵抗の上昇を抑制しながら、容量変化率、tanδの上昇の抑制が可能な電解コンデンサの駆動用電解液を提供すること。 - 特許庁

To provide a copper foil with a carrier which reduces a connection resistance without dropping an electric capacitance of a compact Li battery in a laminated circuit substance performing an interconnection by a conductive paste and thins down a film having excellent adhesiveness with the substrate in a laminated substrate for ensuring the adhesiveness with resin on both the surfaces of the copper foil.例文帳に追加

小型化したＬｉ電池の電気容量を落さず、導電ペーストによって相間接続を行う積層回路基板においては接続抵抗を低くし、銅箔両面にて樹脂との密着性を確保する積層基板においては基板との密着性が良好な薄膜化したキャリア付き銅箔を提供することである。 - 特許庁

Also, since an n well 111 in the driving control circuit region 201 is separated from an n^- well 112 in the pixel paved region 202, potential fluctuation of the n well 111 does not propagate directly to the pixel paved region 202 but becomes capacitive coupling by parasitic capacitance, and the influence on the pixel paved region 202 can be reduced.例文帳に追加

また、駆動等制御回路領域２０１のｎウェル１１１と、画素敷き詰め領域２０２のｎ^-ウェル１１２は分離されているので、ｎウェル１１１の電位の変動は直接、画素敷き詰め領域２０２に伝搬せず、寄生容量による容量結合となって画素敷き詰め領域２０２への影響は小さくできる。 - 特許庁

Hereby, when an on-off switch 24 is in the open state, the charge is prevented from flowing into the sensor electrode E1 from a supply potential V2 through a diode 26, and erroneous detection generated when the on/off state of on-off switches 22-24 is controlled and the capacitance change is detected from a potential change, can be prevented.例文帳に追加

これにより、開閉スイッチ２４が開状態のときに、ダイオード２６を介して電源電位Ｖ２からセンサ電極Ｅ１に電荷が流れ込むことがなくなり、開閉スイッチ２２〜２４の開閉を制御してノードＮ１の電位の変化から静電容量の変化を検出する際の誤検出を防ぐことができる。 - 特許庁

For frequencies used for the transmission line, the signals can be transmitted without distortions, if a resistor R per unit length of the transmission line determined by a resistor of a laminated conductor, inductance L per unit length of the transmission line, conductance G per unit length and capacitance C of unit length satisfy the expression R/G=L/C.例文帳に追加

伝送線路を使用する周波数において積層導体の抵抗で決まる伝送線路の単位長さあたりの抵抗Ｒが、伝送線路の単位長さあたりのインダクタンスＬ、単位長さあたりのコンダクタンスＧ、単位長さあたりのキャパシタンスＣとの関係をＲ／Ｇ＝Ｌ／Ｃであれば、信号はひずみなく伝播する。 - 特許庁

The liquid crystal display device is arranged so a to modulate a gamma correction voltage or a compensation potential difference Vepp in capacitance coupling driving by a vertical cycle control voltage generated according to the temperature of at least one point in the liquid crystal device and the expected temperature distribution in the vertical direction of the liquid crystal panel.例文帳に追加

液晶表示装置内の少なくとも１ヶ所の部位の温度と、予め予想される液晶表示パネルの垂直方向の温度分布に応じて作成された垂直周期の制御電圧により、ガンマ補正用電圧もしくは容量結合駆動における補償電位差Ｖｅｐｐを変調するようにした。 - 特許庁

To prevent the composition deviation of a capacitance insulating film by suppressing the thermal diffusion of a metal element for composing the capacity insulating film into a lower electrode, when film-forming the capacity insulating film made of a ferroelectric or a high dielectric by using a method where temperature in film formation in an MOCVD method, or the like becomes approximately 300°C or higher.例文帳に追加

ＭＯＣＶＤ法などの成膜時の温度が約３００℃以上となる方法を用いて強誘電体又は高誘電体よりなる容量絶縁膜を成膜する際に、容量絶縁膜を構成する金属元素が下部電極中へ熱拡散することを抑制して、容量絶縁膜の組成ずれを防止する。 - 特許庁

This capacitance sensor includes a frame 21 sandwiched between first and second substrates 11 and 31, displaceable weights 22a-22e supported by the frame 21, and electrodes 12a-12d, 13, 32a-32d, and 33 provided on the substrates 11 and 31 correspondingly to the weights 22a-22e.例文帳に追加

第１の基板１１と第２の基板３１に挟まれた枠体２１と、この枠体２１に支持された変位可能な重錘体２２ａ乃至２２ｅと、この重錘体２２ａ乃至２２ｅに対応して基板１１，３１上に設けられた電極１２ａ乃至１２ｄ，１３，３２ａ乃至３２ｄ，３３とを備えている。 - 特許庁

An image forming apparatus includes: voltage detection means 50 for detecting voltage of an electric double-layer capacitor 42 in a power storage device 41; and calculation means 45 for detecting an arrival time until the voltage of the electric double-layer capacitor 42 reaches a second specified value from a first specified value to determine capacitor electrostatic capacitance during charging.例文帳に追加

蓄電装置４１における電気二重層キャパシタ４２の電圧を検知する電圧検知手段５０と、充電時において電気二重層キャパシタ４２の電圧が第１所定値から第２所定値に達するまでの到達時間を検知してキャパシタ静電容量を求める算出手段４５と、を備える。 - 特許庁

The lighting system 1 includes: an electrode portion 2; a frequency variable oscillation circuit 3 that varies a frequency with change of a stray capacitance Cs formed between the electrode portion 2 and a human body M; and a controller 7 which controls lighting of a light source 9 based on the fluctuation signal obtained by the frequency variable oscillation circuit 3.例文帳に追加

照明装置１は、電極部２と、電極部２と人体Ｍと間に形成された浮遊容量Ｃｓの変化で周波数が可変する周波数可変発振回路３と、周波数可変発振回路３で得られる揺らぎ信号に基いて光源９を点灯制御する制御部７とを備える。 - 特許庁

There is provided a conductive polymer electrolyte that is not only small in deterioration of the impedance characteristics but also high in the capacitance generating ratio while maintaining the high withstand voltage characteristics by applying a combination of salt and the ionic liquid having one type or more of the ionic liquid with a predetermined anion composition or the ionic liquid having the predetermined anion composition.例文帳に追加

特定のアニオン成分を有するイオン液体を１種以上、あるいは特定のアニオン成分を有するイオン液体と塩の組み合わせを用いることにより、高耐圧特性を維持しつつインピーダンス特性低下が少なく、かつ高容量発現率のに導電性高分子電解質を提供することができる。 - 特許庁

To provide a protective circuit for protecting elements, which tend to decrease in input capacitance and resistance value, from degradation and breakage, by suppressing potential rising, against a high-speed surge on the GHz order such as CDM which a conventional protective circuit designed to absorb a surge on the MHz order or less does not handle.例文帳に追加

ＭＨｚオーダー以下のサージを吸収するように設計された従来の保護回路が想定していないＣＤＭのようなＧＨｚオーダーの高速なサージに対して電位上昇を抑制し、入力容量が小さく耐量値が低くなる傾向にある素子を劣化や破壊から守るための保護回路を提供する。 - 特許庁

The booster antenna and reader/writer provided with the variable capacitance element is capable of changing the resonance frequency, according to the rotational position, thereby data communication between a contactless communication medium and the reader/writer can be controlled and data leakage unintended by a holder of the contactless medium can be restrained.例文帳に追加

この可変容量素子を備えるブースターアンテナおよび読取書込装置は、回転位置に応じて共振周波数を変化させることができるため、非接触通信媒体と読取書込装置との間のデータ通信を制御することができ、非接触媒体の所有者が意図しないときのデータの漏洩を抑制することができる。 - 特許庁

By arranging a mobile unit between electrodes movably and detecting a change in capacitance generated according to the travel of the mobile unit for applying to the tilt sensor for detecting the tilt of a case to which the electrode is mounted, the degree of freedom for setting a detection angle for detecting the tilt can be obtained.例文帳に追加

電極間に移動体を移動可能に配置して、移動体の移動に応じて生じる静電容量の変化を検知することにより、電極が取り付けられるケースの傾斜を検出する傾斜センサに適用することができ、傾斜検出を行うための検出角度を設定する自由度が得られる。 - 特許庁