「Capacitance」に関連した英語例文の一覧と使い方(193ページ目) - Weblio英語例文検索

Then, the capacitance of the electric charge collecting capacitor is set so that an average electric charge collecting rate every time becomes the maximum when electric charges are transferred to the electric charge collecting capacitor from the electric charge/discharge capacitor and also electric charge reuse operation is repeated several times.例文帳に追加

ここで、電荷充放電容量から電荷回収用容量に電荷を移動して電荷回収し、電荷回収用容量から電荷充放電容量に電荷を移動して電荷再利用する操作を複数回繰り返すとき、１回あたりの平均電荷回収率が最大となるように、電荷回収用容量の容量値を設定する。 - 特許庁

To solve a problem wherein a voltage impressed to a load is varied by a current value because a current detecting resistance is arranged in an output side of a current output part, and a problem wherein a phase delay is generated by an influence of the resistance in a capacitance load, in a voltage impression current measuring circuit for impressing the prescribed voltage onto the load to measure a current.例文帳に追加

負荷に所定の電圧を与えて電流を測定する電圧印加電流測定回路において、電流検出抵抗を電流出力部の出力側に配置しているので、電流の値によって負荷に印加される電圧が変化し、またこの抵抗の影響で容量負荷のときに位相遅れが発生するという課題を解決する。 - 特許庁

Here, a diode Dc, which is conducted when the parasitic capacitance Cs is charged by the resonance current of the current resonance circuit 5 after the switching element S1 is turned on and when a voltage between the drain and the source VDS of the switching element S1 is increased up to an output voltage Vo, is connected between one end of the switching element S1 and the line of the output voltage Vo.例文帳に追加

ここでは、スイッチング素子Ｓ１がオン状態になった後、電流共振回路５の共振電流によって寄生容量Ｃｓが充電され、スイッチング素子Ｓ１のドレイン・ソース間電圧ＶDSが出力電圧Ｖｏまで上昇すると導通するダイオードＤｃを、スイッチング素子Ｓ１の一端と出力電圧Ｖｏのラインとの間に接続している。 - 特許庁

When the collector level of the TR Q24 is rapidly decreased attending a voltage drop of the transmission line 23, a current flows through a power lie 27 via the TR Q26 and the capacitor C21, and a compensation current with the same current value as the flowing current flows to a base-emitter junction capacitance of the TR Q24 from the TR Q27 via the common base line 29.例文帳に追加

伝送線２３の電圧低下に伴ってトランジスタＱ２４のコレクタ電位が急峻に低下すると、電源線２７からトランジスタＱ２６およびコンデンサＣ２１を介して電流が流れ、その電流と同じ大きさの補償電流が、トランジスタＱ２７から共通ベース線２９を介してトランジスタＱ２４のベース・エミッタ間接合容量に流れ込む。 - 特許庁

Either of the TFT 171 or 172 is turned on, for example, when selecting a scanning line 112, voltages Vsl, Vsh in response to writing-in polarity are impressed to the common electrode 108 corresponding to the scanning line via a power supply lines 161, 162 and a turn-on state is continued by a parasitic capacitance of a gate electrode, even after finishing the selection of the scanning line.例文帳に追加

例えば、ある走査線１１２が選択されるとき、ＴＦＴ１７１、１７２のいずれかがオンして、書込極性に応じた電圧Ｖsl、Ｖshが当該走査線に対応するコモン電極１０８に給電線１６１、１６２を介して印加されるとともに、当該走査線の選択が終了した後でもゲート電極の寄生容量によってオンし続ける。 - 特許庁

For this reason, a depletion layer formed in the junction of a P type well layer 102 and a P+ type semiconductor region 103a, and the fourth region 118 can be extended in the direction of the photoelectric transfer section 307, so that the parasitic capacitance can be reduced, electric potential fluctuation by signal charges can be magnified, and the output conversion efficiency can be enhanced.例文帳に追加

このため、Ｐ型ウエル層１０２及びＰ+型半導体領域１０３ａと、第４領域１１８との接合部に形成される空乏層を光電変換部３０７の方向に延ばすことができるため、寄生容量を低減することができ、信号電荷による電位変動を大きくすることができ、出力変換効率を向上させることができる。 - 特許庁

Since a capacitance sensor 54 measures position information on an upper face of a floating object 48 floating by an amount corresponding to moving speed of the wafer from the surface (upper face) of a wafer by dynamic pressure of air flow generated by movement of the wafer W, face information of the wafer surface can indirectly be measured without directly measuring the wafer surface.例文帳に追加

静電容量センサ５４により、ウエハＷの移動により発生する気流の動圧により、ウエハの表面（上面）からウエハの移動速度に応じた量だけ浮上する浮上体４８の上面の位置情報が、計測されるので、ウエハ表面を直接的に計測することなく、間接的にウエハ表面の面情報を計測することができる。 - 特許庁

In the case of controlling a slave filter circuit acting like the Gm-C filter circuit by using a control circuit including a master filter of the same circuit configuration, a capacitor to match an output side capacitance of the slave filter circuit and the master filter circuit with each other is added to an idle terminal having no succeeding circuit in output terminals of the slave filter circuit and the master filter circuit.例文帳に追加

また、Ｇｍ−Ｃフィルタ回路として用いるスレーブフィルタ回路の制御を、同一回路のマスターフィルタを含む制御回路を用いて行う場合、スレーブフィルタ回路とマスターフィルタ回路の出力端子で後続する回路がない空き端子に、スレーブフィルタ回路とマスターフィルタ回路の出力側容量を一致させるための容量をさらに付加する。 - 特許庁

In the device, the inductance of the resonance coil and the capacitance of the resonance capacitor are adjusted so that a current whose frequency is approximately synchronized with the frequency of damped waves generated from a charging power supply to charge the lead storage battery flows in a circuit constituted by the series resonance circuit and the lead storage battery.例文帳に追加

本装置は、共振用コイルのインダクタンスと共振用コンデンサのキャパシタンスとが、鉛蓄電池を充電するための充電用電源から発生する減衰波の周波数と概ね同調する周波数の電流が直列共振回路と鉛蓄電池とによって構成される回路の内部に流れるように調整されたことを特徴とする。 - 特許庁

When video signals are written by pseudo line sequential driving, switches SW1 to SWn of a horizontal switch circuit 33 are driven by using horizontal switch pulses HCK1 to HCK 4 having a gradually varying waveform during rising (or falling) so as to suppress influences of coupling by a parasitic capacitance between adjacent signal lines.例文帳に追加

疑似線順次駆動にて映像信号を書き込む際に、立ち上がり（または、立ち下がり）が徐々に変化する波形の水平スイッチパルスＨＣＫ１〜ＨＣＫ４を用いて水平スイッチ回路３３の各スイッチＳＷ１〜ＳＷｎを駆動することで、隣接する信号線間の寄生容量によるカップリングの影響を抑えるようにする。 - 特許庁

To provide a logic circuit having no defects like in a conventional decoder circuit such as the large capacitance of an input in the conventional decoder circuit, rounded input waveform, large area required for an element separating area, full amplitude of an output caused by a PN configuration and a muck time required for reaching the threshold of a driver.例文帳に追加

従来のデコーダ回路における入力部のゲート容量が大きいこと，入力波形がなまること，素子分離領域が必要となり面積が大となること，ＰＮ構成のため出力がフル振幅となること，ドライバーのしきい値に達するのに時間がかかる等の従来のデコーダ回路の欠点のない論理回路の提供。 - 特許庁

The capacitive pressure sensor detects the variation of capacitance between a diaphragm 15 formed as a part of a semiconductor substrate 11 and an electrode film 17 formed on an insulating member 13 so as to be disposed opposite the diaphragm, and includes first and second diffusion wiring layers 21 and 23 separately provided on the semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板１１の一部分として形成されたダイアフラム１５と、絶縁性部材１３上にダイアフラムと対向して設けられた電極膜１７との間の静電容量変化を検出する静電容量型圧力センサであって、半導体基板にそれぞれ離間して設けられた第１及び第２拡散配線層２１及び２３を具える。 - 特許庁

To realize an image display device permitting to be increased in a screen size and image quality with low power consumption by eliminating an influence of parasitic capacitance produced in thin film display elements as mach as possible, and to realize a method for driving an image display device and thin film display elements, hardly influenced by noise and can display favorably with a relatively small driving signal.例文帳に追加

薄膜表示素子に生じる寄生容量の影響を極力取り除き、低消費電力で大画面、かつ高画質とすることの可能な画像表示装置を実現し、ノイズの影響を受け難く、比較的小さな駆動信号でも良好な表示を行うことな可能な画像表示装置および薄膜表示素子の駆動方法を実現する。 - 特許庁

The variable capacitance element includes a signal line 1 arranged on a substrate 10, movable electrodes 3a, 3b, 3c arranged to cross over the signal line 1 and with both ends fixed on the substrate 10, and fixed capacitances 4a, 4b, 4c arranged between at least one end of both ends of the movable electrodes 3a, 3b, 3c and the substrate 10.例文帳に追加

可変容量素子は、基板１０に設けられた信号線路１と、前記信号線路１を跨ぐように設けられ、両端が基板１０に対して固定された可動電極３ａ、３ｂ、３ｃと、可動電極３ａ、３ｂ、３ｃの両端のうち少なくとも一端と基板１０との間に設けられる固定容量４ａ、４ｂ、４ｃを有する。 - 特許庁

In a semiconductor device, charge accumulated on the interface of an SiO_2 surface protective film 16 and a coating part 23 composed of a silicon resin can be reduced by coating the surface of an SiC pn junction diode 10, and setting the thickness of the surface protective film 16 composed of SiO_2 to 2 μm thereby decreasing the capacitance of the SiO_2 surface protective film 16.例文帳に追加

この半導体装置は、ＳｉＣ ｐｎ接合ダイオード１０の表面を被覆すると共にＳｉＯ_２で作製された表面保護膜１６の膜厚を２μｍにすることによって、ＳｉＯ_２表面保護膜１６の静電容量を下げてＳｉＯ_２表面保護膜１６とシリコン樹脂で作製された被覆部２３との境界面に溜る電荷を低減できる。 - 特許庁

The impressed voltage of the test object is measured simultaneously with measurement of the charge current thereof; the measurement value of the impressed voltage is used for calculating the leak current in charging the test object, and the leak current in charging is used for calculating a capacitance value of the test object based on the fact that leak current in charging the test object is proportional to the impressed voltage.例文帳に追加

被測定対象の充電時のリーク電流が印加電圧に比例することから、被測定対象の充電電流の測定と同時に印加電圧の測定を行って、この印加電圧の値を被測定対象の充電時のリーク電流値の算出に利用し、この充電時のリーク電流値を被測定対象の容量値の算出に利用する。 - 特許庁

The antenna device 1 has: an antenna conductor which is stored in the housing of mobile electronic equipment and receives a transmitted radio wave; a coil which is arranged near the antenna conductor and generates an induced electromotive force with the transmitted radio wave; and a capacitance portion which is electrically connected to the coil and extracts an electric signal of a desired frequency from the induced electromotive force.例文帳に追加

アンテナ装置１は、携帯電子機器の筐体の内部に収納され、送信電波を受信するアンテナ導体と、このアンテナ導体の近傍に配設され、送信電波により誘導起電力を誘起されるコイル部と、コイル部に電気的に接続され誘導起電力から所望の周波数の電気信号を抽出する容量部とを有している。 - 特許庁

To provide a structure of a discharge electrode in a plasma chemical vapor deposition system, in which the uniform plasma generation condition is attained even in large surface area film deposition by preventing the ununiform plasma generation condition caused by the ununiformity of standing wave, sheath capacitance, the gas flow of NF_3 for self cleaning or the like in the plasma chemical vapor deposition using very high frequency wave(VHF).例文帳に追加

高高周波（ＶＨＦ）を利用するプラズマ化学蒸着装置において、定在波、シースキャパシタンス、セルフクリーニング用ＮＦ_３ガス流れの不均一などで生じるプラズマ発生状況の不均一を防止し、大面積でプラズマ発生状況が均一となるようなプラズマ化学蒸着装置における放電電極の構造の提供。 - 特許庁

The variable capacity capacitor controls the distance between the electrodes of a capacitor by utilizing mechanical movement and varies the capacitance of the capacitor periodically to generate a high voltage pulse or a DC high voltage according to that period.例文帳に追加

機械力により周期的にその静電容量を変化することで、この周期に従った高電圧パルスないし直流高電圧を発生することができる可動容量型コンデンサ、該コンデンサに高圧電源と高電圧ダイオードを組み合わせた高電圧発生装置、該高電圧発生装置を使用して高電圧を発生させる高電圧発生方法。 - 特許庁

These pairs of variable capacitance elements are controlled by control voltage VCNT applied to a loop control terminal 3 and electrically separated/connected from/to a VCO body by switching transistors 101a, 102a, 103a, 101b, 102b and 103b being switch elements turned on/off by bandwidth setting signals VSW1, VSW2 and VSW3.例文帳に追加

これらの可変容量素子対は、ループコントロール端子３に印加されるコントロール電圧ＶＣＮＴにより制御されると同時に、帯域設定信号ＶＳＷ１、ＶＳＷ２、ＶＳＷ３によってオンオフされるスイッチ素子であるトランジスタ１０１ａ、１０２ａ、１０３ａ、１０１ｂ、１０２ｂ、１０３ｂの切替により、ＶＣＯ本体に電気的に分離・接続される。 - 特許庁

In order to thin this display device, a touch sensor IC16 which determines whether a button is pushed or not by detecting changes of capacitance is adopted, a cable line is eliminated to prevent malfunction caused by external magnetic noise of the touch sensor IC 16, and mounting positions can be changed by radioing information by infrared LEDs 18, 19.例文帳に追加

薄型にするために静電容量の変化を検出してボタンが押されたかどうかを判定するタッチセンスＩＣ１６を採用し、タッチセンスＩＣ１６の外部電磁ノイズによる誤動作を防止するためにケーブル回線をなくし、情報を赤外線ＬＥＤ１８、１９による無線通信することによって取り付け位置の変更も可能とする。 - 特許庁

The spaces of the intersecting conductive paths are connected parallel by the stray capacitance between the intersecting conductive paths and this impedance adjustable coil, and the impedance between the intersecting conductive paths is increased at Larmor frequency proportional to the intensity of static magnetic field of MRI apparatus, and the electric current flowing between the intersecting conductive paths is decreased.例文帳に追加

このインピーダンス調整用コイルと交差する導電経路の間の浮遊容量によって、交差する導電経路の間が並列に接続され、ＭＲＩ装置の静磁場の強度に比例するラーモア周波数において、交差する導電経路の間のインピーダンスが増加し、交差する導電経路の間を流れる電流が減少する。 - 特許庁

In the electret condenser microphone where a fixed electrode 6 and a diaphragm 4 are placed at a prescribed interval to detect a sound signal given to the diaphragm 4 due to the change in a static capacitance between the electrode 6 and the diaphragm 4, the fixed electrode 6, the diaphragm 4 and semiconductor element 8 are contained in a box type case 9 made of an insulating material side by side.例文帳に追加

固定電極６と振動膜４とを一定間隔で配置し、両者間の静電容量の変化によって振動膜４に与えられた音声信号を検出するようにしたエレクトレットコンデンサマイクロホンにおいて、絶縁材からなる箱型ケース９内に、上記固定電極６及び振動膜４と、半導体素子８を並列に収納する。 - 特許庁

An adaptive control part 109 measures a detection value of a reflected power outputted from a reflected power detection part 103 and reads out a phase angle and a capacity value from a storage part 110 as initial values on the basis of a measurement result and adaptively controls the phase angle and variable capacitance capacitors Cp and Cs so as to minimize the reflected power.例文帳に追加

適応制御部１０９は反射電力検出部１０３から出力された反射電力の検出値を測定し、測定結果に基づいて、記憶部１１０から位相角と容量値を初期値として読み出し、反射電力が最小となるように位相角と可変容量コンデンサＣｐ及びＣｓを適応的に制御する。 - 特許庁

A plurality of local select oxide films 4 are formed in a region surrounded by a select oxide film 2 for element isolation serving as an element separation region, and also there is formed the capacitance element configured by sequentially laminating a lower electrode 5, a dielectric film 6 and an upper electrode 7 which are curved along a rugged shape of the local select oxide films 4.例文帳に追加

素子分離領域であって素子分離用選択酸化膜２に囲まれた領域に、複数の局所的選択酸化膜４を有するとともに、局所的選択酸化膜４の凹凸形状に沿って湾曲する下部電極５、誘電体膜６、及び、上部電極７を順次積層した構造の容量素子を設ける。 - 特許庁

To suppress an off-state current and also to eliminate reduction in on current, to form lightly doped regions (LDD regions) and a gate electrode in a self-alignment manner to lessen the parasitic capacitance between the LDD regions and the gate electrode and to make it possible to lessen the area occupied by a thin film transistor.例文帳に追加

ＯＦＦ電流を抑えるとともにＯＮ電流の減少がなく、低濃度不純物領域（ＬＤＤ領域）とゲート電極を自己整合的に形成して寄生容量を小さくし、占有面積を小さくすることができる薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタを用いたＣ−ＭＯＳインバータ回路、及びそれらの製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a highly reliable excimer lamp, capable of preventing surface discharge among electrodes and abnormal discharge among lead wires, even if a high voltage is impressed on the lamp in order to obtain a high radiation output, as to an excimer lamp of a dielectric barrier discharge system which does not have electrode in a discharge space or a capacitance coupling type high-frequency discharge system.例文帳に追加

放電空間内に電極を持たない誘電体バリア放電方式または容量結合型高周波放電方式のエキシマランプにおいて、高い放射出力を得るために、ランプに高電圧を印加しても電極間の沿面放電や、リード線間の異常放電を防止できる信頼性の高いエキシマランプを提供する。 - 特許庁

In forming an antenna 5 of a noncontact data transmission/ reception body 4 that consists of the coil pattern shaped antenna 5 having a bridge section 12 bridging partly over a coil section 10 and of an IC chip 13 mounted on the antenna, adjusting the stray capacitance formed between the bridge section 12 and the coil section 10 changes the resonance frequency into a prescribed frequency.例文帳に追加

一部分にコイル部１０を跨ぐブリッジ部１２を有するコイルパターン状のアンテナ５とこのアンテナに実装したＩＣチップ１３とからなる非接触型データ送受信体４の前記アンテナ５を形成するにあたり、ブリッジ部１２とコイル部１０との間に形成される浮遊容量を調節して共振周波数を所定値に変更する。 - 特許庁

It is possible to suppress generation of parasitic capacitance between pixel electrodes 11 and source wiring 7 by arranging an insulating shading film 7a for shading between the pixel electrodes 11 and source in a structure not superposing the pixel electrodes 11 on the source wiring 7, and an active matrix type liquid crystal display device generating no cross-talk and decrease in contrast and having a high numerical aperture can be provided.例文帳に追加

画素電極とソース配線を重ねない構造において、画素電極とソースとの間を遮光する絶縁性遮光膜を設けることにより、画素電極とソース配線との寄与容量の発生を抑えることができ、クロストークやコントラスト低下のない表示品質が高く、開口率の高いアクティブマトリクス型液晶表示装置を得ることができる。 - 特許庁

This sensor has a constitution equipped with a sensor body (body using a piezo cable 11 as a sensor head) having a basic constitution as the contact sensor, a detection circuit (contact detection circuit 30) of the contact sensor, and a detection circuit (approach detection circuit 40) of the capacitance sensor utilizing a conductor (shield net wire 18) of the sensor body as a detection electrode.例文帳に追加

接触センサとしての基本構成を有するセンサ本体（ピエゾケーブル１１をセンサヘッドとするもの）と、接触センサの検出回路（接触検出回路３０）と、センサ本体の導電体（シールド網線１８）を検出電極として利用する静電容量センサの検出回路（接近検出回路４０）とを備えた構成とする。 - 特許庁

The manufacturing method of the capacitance type electromechanical conversion device includes: a step of forming an insulation layer 2 on a first silicon substrate 1 and forming at least one recessed part 3; a step of joining a second silicon substrate 5 on the insulation layer 2 by the fusion junction; and a step of thinning the second silicon substrate 5 and forming a silicon film 7.例文帳に追加

静電容量型電気機械変換装置の作製方法は、第一のシリコン基板１上に絶縁層２を形成し、少なくとも一つ以上の凹部３を形成する工程と、第二のシリコン基板５を絶縁層２上に溶融接合により接合する工程と、第二のシリコン基板５を薄化し、シリコン膜７を形成する工程を有する。 - 特許庁

The partial discharge is measured by connecting detection impedance 6 to a voltage detection terminal 101 provided to a voltage detection part 100 and a metal case 10 via signal lines 4, 5 to prevent decrease in detection sensitivity of the partial discharge signal due to stray capacitance, thereby measuring the detection signal based on the partial discharge at high sensitivity.例文帳に追加

検電部１００に設けられる検電端子１０１と金属ケース１０に信号線４，５を介して検出インピーダンス６を接続して部分放電を測定することにより、浮遊静電容量に起因する部分放電信号の検出感度低下を防ぎ、部分放電に基づく検出信号を高感度で測定することができる。 - 特許庁

A capacitance insulating film comprising a laminate film of hafnium oxide films 102, 103, 104 of first to third layers is formed on a lower electrode 101 of a capacitor, an oxygen ratio of the hafnium oxide films 102, 104 of the first and third layers to hafnium is greater than the oxygen ratio of the hafnium oxide film 103 of the second layer to hafnium.例文帳に追加

キャパシタの下部電極１０１上に、第１層〜第３層のハフニウム酸化膜１０２、１０３、１０４の積層膜で構成される容量絶縁膜が形成され、第１層、第３層のハフニウム酸化膜１０２、１０４のハフニウムに対する酸素比率は、第２層のハフニウム酸化膜１０３のハフニウムに対する酸素比率よりも大きい。 - 特許庁

To provide a backlight device capable of reducing the number of light emitting diodes needed to prevent unevenness of a light emission color on the whole device by increasing the light emission intensity of a fluorescent lamp and also preventing an electric power efficiency from being degraded owing to a decrease in parasitic capacitance of the fluorescent lamp.例文帳に追加

蛍光管の発光強度を補強して装置全体としての発光色の色ムラを防止するために必要な発光ダイオードの数を省減すると共に，前記蛍光管の寄生容量の減少に起因する電力効率の低下を防止することのできるバックライト装置及びこれを備えた液晶表示装置を提供すること。 - 特許庁

Just after the power switch 29 is turned ON, noise is generated by discharging of parasitic capacitance, so that accurate comparison results of the comparator 39 are not obtained, but the accurate comparison results of the comparator 39 can be obtained because the output of the comparator 39 is masked with a NOR circuit 41 during an output period of the delay signal TIME.例文帳に追加

パワースイッチ２９がＯＮした直後は、寄生容量に充電された電荷放電によるノイズが発生し、コンパレータ３９の正確な比較結果が得られないが、遅延信号ＴＩＭＥの出力期間は、コンパレータ３９の出力が否定論理和回路４１によってマスクされるので、正確なコンパレータ３９の比較結果を得ることができる。 - 特許庁

The sensor is provided with an insulation board 11, a sensor electrode 12 as well as a grounding electrode 13 on one surface of the insulation board 11, and a sensor circuit 20 detecting approach of an object to the sensor electrode 12 as well as the grounding electrode 13 by detecting capacitance between the sensor electrode 12 and the grounding electrode 13.例文帳に追加

絶縁基板１１と、この絶縁基板１１の一方の面に所定のパターンで形成された検知電極１２及び接地電極１３と、検知電極１２と接地電極１３との間の静電容量を検出して検知電極１２及び接地電極１３に物体が接近したことを検出する検知回路２０とを備える。 - 特許庁

In the electrostatic capacitance input device 100, a first line area 955 is extended from one edge 10s of an input area 10a in an X direction to a first signal input/output area 950 along the edge 10s, and a first auxiliary line 971 and a second auxiliary line 972 are extended on both sides.例文帳に追加

静電容量型の入力装置１００において、第１配線領域９５５は、入力領域１０ａのＸ方向における一方の端辺１０ｓから端辺１０ｓに沿うように第１信号入出力領域９５０まで延在しており、その両側には第１補助配線９７１および第２補助配線９７２が延在している。 - 特許庁

A minute current measuring device comprises two sensor units disposed in contact with coated wires, and the respective sensor units include first electrodes disposed to oppose core wires of the respective coated wires and second electrodes disposed away from the first electrodes by a prescribed distance, so as to measure currents flowing through capacitance between the core wires and the electrodes.例文帳に追加

被覆電線に接するように配置した２個の前記センサユニットを備え、各センサユニットが、それぞれの被覆電線の芯線に対峙して配置した第１電極と第１電極から所定の距離を置いて第１電極より遠く離して配置した第２電極を備えて、前記芯線と各電極との間にキャパシタンスを通して流れる電流を測定する。 - 特許庁

The horizontal sections of the components of the variable capacitance microphone are formed in an elliptical or a running track shape while the area of a diaphragm responding to source pressure is maintained to be equal to or larger than a certain size, thus preventing a reduction in sensitivity to sound pressure as well as occupying the minimum internal space of each of various electronic products that trend toward miniaturization and thinness.例文帳に追加

音圧に反応する振動板の面積を一定寸法以上とし、可変容量マイクロフォンの各構成要素の水平断面を楕円形や陸上競技場トラック形状に変形して、小型化、薄型化となっている各種の電子製品の内部空間を最小限に占めつつ、音圧に対する感度を低下させないようにする。 - 特許庁

To provide a voltage controlled variable capacitor that can be its manufactured without changing the conventional manufacture process, or adding any new process, preventing the circuit from being largely scaled or integrated into a high voltage, preventing the maximum value and minimum value of the capacitance per the unit area of an electrode from being fluctuated, and arbitrarily selecting high frequency C-V characteristics.例文帳に追加

従来の製造プロセスを変更したり、新たなプロセスを追加したりすることなく製造でき、回路が大型化及び高電圧化することがなく、電極の単位面積あたりの容量の最大値及び最小値が変動することがなく、高周波Ｃ−Ｖ特性を任意に選択できる電圧制御可変容量素子を提供する。 - 特許庁

While a plurality of alternating signals, each having a different phase from each other, are supplied to transmission electrodes 109A and 109B, capacitance between reception electrodes 111A and 111B and the transmission electrodes 109A and 109B is changed by keying operation, and the phases of the alternating signals induced in the reception electrodes 111A and 111B are compared and discriminated.例文帳に追加

互いに位相が異なる複数の交番信号を送信電極１０９Ａ、１０９Ｂに供給するとともに押鍵操作によって受信電極１１１Ａ、１１１Ｂと送信電極１０９Ａ、１０９Ｂとの間の静電容量を変化させ、受信電極１１１Ａ、１１１Ｂに誘起された交番信号の位相を、比較、弁別する。 - 特許庁

In the sensor 100 is constituted of an elastomer film 120 held by two flexible electrodes 140 between and uses the field reactive polymer of which the capacitance varies with an extending-contracting movement, the electric field reactive polymer is stuck to an elastic curing sheet 180, in a state of tension applied thereto.例文帳に追加

２つの柔軟な電極１４０によって挟まれたエラストマー膜１２０から構成され伸縮動作により静電容量が変化する電場応答性高分子を用いたセンサ１００において、電場応答性高分子が弾性を有する養生シート１８０に張力を加えた状態で貼着されていることにより上記の課題を解決する。 - 特許庁

The signal processor 3 includes a first integration circuit 10, a comparison circuit 20, an electric charge injection circuit 30, a capacitance value control section 40, a holding circuit 50, a counting circuit 60, an amplifying circuit 70, an AD conversion circuit 80, a reference value generating circuit 90, a voltage source 100, a second integration circuit 110, and a timing command signal generating circuit 120.例文帳に追加

信号処理装置３は、第１積分回路１０，比較回路２０，電荷注入回路３０，容量値制御部４０，保持回路５０，計数回路６０，増幅回路７０，ＡＤ変換回路８０，基準値生成回路９０，電圧源１００，第２積分回路１１０およびタイミング指示信号生成回路１２０を含む。 - 特許庁

Two conductors constituting the DC distribution network 40 are used as common conductors 13a, 13b, two power lines 16 between the inverter 14 and the outlet 11 are respectively connected to the common conductors 13a, 13b; and a capacitor 15 having capacitance for selectively transmitting a high-frequency signal is mounted to each of the common conductors 13a, 13b.例文帳に追加

そして、直流配電網４０を構成する２本の導体を共通導体１３ａ、１３ｂとし、インバータ１４とコンセント１１との間の２本の電力線１６同士をそれぞれ共通導体１３ａ、１３ｂに接続し、各共通導体１３ａ、１３ｂに、高周波信号を選択的に伝達する容量のキャパシタ１５を設ける。 - 特許庁

In an Si capacitor 10, a capacitor 40, which is composed of a lower electrode 42, dielectric layer 44, and lower electrode 46, can expand the area of the lower electrode 42-dielectric layer 44-upper electrode 46 and can obtain a high capacitance because of being formed on a wall surface of a trench 30 formed on an Si substrate 20.例文帳に追加

Ｓｉコンデンサ１０では、下部電極４２と誘電体層４４と上部電極４６とから成るコンデンサ部４０が、Ｓｉ基板２０に形成されたトレンチ３０の壁面上に形成されているめ、下部電極４２−誘電体層４４−上部電極４６の面積を広げることができ、高い容量を得ることができる。 - 特許庁