「Capacitance」に関連した英語例文の一覧と使い方(195ページ目) - Weblio英語例文検索

The output sections have a field effect transistor 19 having a gate electrostatic capacitance connected to the signal lines so as to be connected in series to the capacitor 15 and an output circuit 20 for outputting the signal corresponding to the information according to the switching action of this transistor 19 so as to make the switching action corresponding to the change in the charge quantities.例文帳に追加

出力部は、前記電荷量の変化に対応したスイッチング動作をなすべく前記キャパシタと直列的に接続されるように信号線に接続されたゲート静電容量を備える電界効果トランジスタ１９と、該トランジスタのスイッチング動作に応じて前記情報に対応した信号を出力する出力回路２０とを備える。 - 特許庁

The ferrodielectric material memory device comprises a lower electrode 109, a capacitance insulation film 112 consisting of a ferrodielectric material film and an upper electrode 113 which are sequentially formed on a first interlayer insulation film 105 on a semiconductor substrate 100, and is also provided with a plurality of ferrodielectric material capacitors allocated in the word line direction and bit line direction.例文帳に追加

強誘電体メモリ装置は、半導体基板１００上の第１の層間絶縁膜１０５の上に順次形成された下部電極１０９、強誘電体膜よりなる容量絶縁膜及１１２び上部電極１１３を有し、ワード線方向及びビット線方向に配置された複数の強誘電体キャパシタを備えている。 - 特許庁

When the connection parts are bent by an acceleration, and the weight part and the detection arm are displaced integrally, by application of an AC current and by excitation of the vibration arms, gaps between each capacitor are fluctuated and each capacitance is changed, and thereby the magnitude and the direction of an acceleration are detected by detecting synchronously an output from the bridge circuit.例文帳に追加

交流電圧を印加して振動アームを励振させた状態で、加速度により連結部が撓曲して重り部及び検出アームが一体に変位すると、各コンデンサの隙間が変動してその静電容量が変化するので、ブリッジ回路の出力を同期検波することにより、加速度の大きさ及び向きが検出される。 - 特許庁

In the display device wherein a data holding circuit 3 having capacitance and a display part 4 having a plurality of pixel electrodes are formed on one first support substrate, a second support substrate 2 facing the first support substrate 1 is provided above the display part 4, but a counter substrate is not present above an area wherein the data holding circuit 3 is disposed.例文帳に追加

容量を有するデータ保持回路３と、複数の画素電極を有する表示部４とが一の第１支持基板上に形成された表示装置において、表示部４の上方には第１の支持基板１に対向する第２の支持基板２が設けられているが、データ保持回路３が配置された領域の上方には対向基板が存在しない。 - 特許庁

A thin film transistor 10 comprises a substrate 10, a gate electrode 30, gate dielectric layer 40, a source electrode 50, a drain electrode 60, and an organic semiconductor layer 70, wherein the gate dielectric layer 40 comprises a poly(4-vinylphenol-co-acrylonitrile)-based polymer which has a high dielectric constant and a high capacitance and is formed by coating or printing.例文帳に追加

基板１０、ゲート電極３０、ゲート誘電体層４０、ソース電極５０、ドレイン電極６０及び有機半導体層７０の薄膜トランジスター１０において、ゲート誘電体層４０を、高い誘電率と高いキャパシタンスを有し、かつコーティング法やプリンティング法で形成されるポリ(４−ビニルフェノール−コ−アクリロニトリル)系ポリマーで構成する。 - 特許庁

A conductive film 12 for the touch panel is provided between an observation-side substrate 2 of a liquid crystal display element 1 and an observation-side polarizer 10 disposed on the outer surface of the substrate 2, and an electrostatic capacitance type touch panel is formed which has an outer surface of the polarizer 10 to be touched between the conductive film 12 for the touch panel and the outer surface of the polarizer 10.例文帳に追加

液晶表示素子１の観察側基板２とその外面に配置された観察側偏光板１０との間にタッチパネル用導電膜１２を設け、このタッチパネル用導電膜１２と前記偏光板１０の外面との間に、前記偏光板１０の外面をタッチ面とした静電容量型タッチパネルを形成した。 - 特許庁

In the antenna system 1, a chip antenna 4 configured by winding a radiation conductor 10 on a surface of a prismatic base body 9 in a band shape and dispersing variable capacitance elements 11 is mounted on a printed circuit board 2 via a plurality of metal leg pieces 3 and each of the metal leg pieces 3 is soldered to the radiation conductor 10 on a bottom surface of the chip antenna 4.例文帳に追加

アンテナ装置１は、角柱状の基体９の表面に放射導体１０を帯状に巻装すると共に可変容量素子１１を分散させてなるチップアンテナ４を、複数個の金属脚片３を介してプリント基板２上に実装したものであり、各金属脚片３はチップアンテナ４の底面で放射導体１０に半田接合されている。 - 特許庁

In this iontophoresis apparatus, a polarizable electrode containing a conductor having a specific surface area of 10 m^2/g or above, a polarizable electrode containing a conductor having a capacitance per unit volume of 1 F/g or above, or a polarizable electrode containing an activated carbon in the electrode structure on the working side or on the non-working side.例文帳に追加

イオントフォレーシス装置における作用側電極構造体又は非作用側電極構造体に、比表面積が１０ｍ^２／ｇ以上の導電体を含有する分極性電極、単位体積当たりの静電容量が１Ｆ／ｇ以上の導電体を含有する分極性電極、或いは活性炭を含有する分極性電極を設ける。 - 特許庁

To ensure that a metal is added to an anode that comprises a porous material having a dielectric layer formed on the surface thereof, such that it entirely becomes cathode including the inside, and a metal cathode is formed suitably on the dielectric layer inside the anode, and thereby to provide a solid electrolytic capacitor that has low equivalent series resistance and high capacitance.例文帳に追加

表面に誘電体層が形成された多孔質体からなる陽極の内部まで十分に陰極となる金属が付与されて、陽極の内部における誘電体層の上にも適切に金属の陰極が形成されるようにし、等価直列抵抗が低く、かつ高容量な固体電解コンデンサが得られるようにする。 - 特許庁

The condenser microphone unit comprises a diaphragm, a diaphragm holder to which the diaphragm is bonded, and a fixed electrode arranged opposite to the diaphragm through a clearance and constituting a condenser together with the diaphragm, and the condenser microphone unit is such that the capacitance of the condenser unit used in an attenuator connected in series is variable.例文帳に追加

振動板と、この振動板が固着された振動板保持体と、上記振動板に隙間をおいて対向配置され上記振動板との間でコンデンサを構成する固定極とからなるコンデンサマイクロホンユニットと直列に接続する減衰器に用いるコンデンサユニットの静電容量が可変であることを特徴とするコンデンサマイクロホンユニットによる。 - 特許庁

Since a metallic material film is formed on a semiconductor layer such as Si substrate, a material for constituting a semiconductor layer, such as a silicon oxide film, is tends to be difficult to formed, so a dielectric film with a large capacitance per unit area, which comprises a base material layer such as MgO layer with high dielectric constant as well as crystalline CeO2 layer, is provided.例文帳に追加

つまり、Ｓｉ基板などの半導体層の上に、金属材料の膜が形成されていることで、シリコン酸化膜等の半導体層を構成する材料の酸化膜が形成されにくいので、比誘電率の高いＭｇＯ層などの下地層及び結晶性ＣｅＯ_2 層を含む単位面積当たりの容量の大きい誘電体膜が得られる。 - 特許庁

A switching means 11 is provided between capacitances C1, C2 of step-up capacitors 4, 5 and capacitances C3, C4 of smoothing capacitors 6, 10 in order to ensure stabilized torque control and high efficiency or high speed in the middle speed region by regulating the capacitance of the capacitor and increasing/decreasing the DC voltage VDC.例文帳に追加

昇圧用のコンデンサ４容量Ｃ１とコンデンサ５容量Ｃ２と平滑用のコンデンサ６容量Ｃ３とコンデンサ１０容量Ｃ４との間に切り換え手段１１を備え、該切り換え手段により、コンデンサ容量を調整し、直流電圧ＶＤＣを増減させ、安定したトルク制御や中速領域での高効率化や高速化が可能となる。 - 特許庁

First slits (region dividing slits) not deposited with metal are formed with width of 0.05-0.2 mm from the margin portion to the heavy edge portion at an interval of 2-15 mm in the width direction of the film, and second slits (fuse function slits) are provided at the capacitance portion in parallel with the region dividing slits.例文帳に追加

そして、０．０５ｍｍ以上、０．２ｍｍ以下の幅でマージン部からヘビーエッジ部にかけて、金属の蒸着されていない第一のスリット（領域分割スリット）を２ｍｍ以上、１５ｍｍ以下の間隔でフィルムの幅方向に形成するとともに、前記静電容量部に前記領域分割スリットに平行する第二のスリット（ヒューズ機能スリット）を設けた。 - 特許庁

As the inductance component from the ground conductive layer 12 to the ground conductor of the exterior electric circuit can be neglected and an LC resonance caused by a capacitance component between the surface acoustic wave filter 17 and the package can be reduced, then attenuation quantity in a blocking area turned into a high frequency and a deterioration in an isolation between input/output lines 13 and 13 can be improved.例文帳に追加

接地導体層12から外部電気回路の接地導体までのインダクタンス成分を削除することができ、弾性表面波フィルタ素子17およびパッケージが持つキャパシタンス成分とのＬＣ共振を抑制することができるので、高周波化した阻止域における減衰量および入出力配線13・13間のアイソレーションの劣化を改善できる。 - 特許庁

The method implements global routing for signals among blocks by using a global floor plan 50 that specifies the coordinates of region and macro-block and the net list 10 (S52), inserts a temporary repeater into the net list 10 on the basis of wiring capacitance and resistance 56 (S58), and layouts a cell based upon an insertion result of the temporary repeater (S62).例文帳に追加

リージョンやマクロブロックの座標値を規定した概略フロアプラン５０とネットリスト１０を使用してブロック間信号の概略配線を行い（Ｓ５２）、概略配線の結果得られる配線容量，抵抗５６に基づいてネットリスト１０に仮リピータを挿入し（Ｓ５８）、仮リピータ挿入の結果に基づいてセルの配置を行う（Ｓ６２）。 - 特許庁

The substrate for the liquid crystal display has a gate bus line 12 and a drain bus line 14 formed to cross each other via an insulating film on the substrate and a pixel electrode 16 disposed so as to cover at least one of the gate bus line 12 and the drain bus line 14 via a dielectric layer and forming a parasitic capacitance between the gate bus line 12 and the drain bus line 14.例文帳に追加

基板上に絶縁膜を介して互いに交差して形成されたゲートバスライン１２及びドレインバスライン１４と、誘電体層を介して、ゲートバスライン１２及びドレインバスライン１４の少なくとも一方を覆うように配置され、ゲートバスライン１２及びドレインバスライン１４との間に寄生容量を形成する画素電極１６とを有するように構成する。 - 特許庁

This excreta processing device 20 comprises a filth tank 21 connected to the diaper cup 1 to suck and store excreta in the diaper cup 1, a negative pressure suction means 22 to generate negative pressure to suck excreta from the diaper cup 1 into the filth tank 21, and a capacitance type proximity sensor 10 to detect if filth including excreta exists or not.例文帳に追加

オムツカップ１に接続してこのオムツカップ１の排泄物を吸引し溜める汚物タンク２１と、負圧を発生させオムツカップ１から排泄物を汚物タンク２１へ吸引する負圧吸引手段２２と、排泄物を含む汚物の有無を検出する静電容量形近接センサ１０とを有する排泄物処理装置２０である。 - 特許庁

An integration circuit comprising a resistance arranged at a connector connection detection part and the capacitance of the HDMI cable itself measures variation in rise time of a signal when a pulse signal is output from the connection detection part by the connection detection part to obtain the effect of detecting whether the cable is connected.例文帳に追加

本発明では、コネクタ接続検出部に配置した抵抗と、ＨＤＭＩケーブル自身の静電容量とで構成される積分回路によって、接続検出部からパルス信号を出力した際の信号の立ち上がり時間の変化を接続検出部で計測することで、ケーブルの接続の有無を検出するという効果を奏するものである。 - 特許庁

To enable to thin an insulation film (a film thickness converted to an oxide film) between a floating gate and a control gate with charge holding characteristics and dielectric strength maintained, and to prevent reduction in capacitance due to a bird's beak entering the floating gate and the control gate in a required oxidation process after the control gate is processed.例文帳に追加

電荷保持特性及び絶縁耐圧を維持したまま浮遊ゲートと制御ゲート間の絶縁膜（酸化膜換算膜厚）を薄膜化でき、制御ゲート加工後に必要な酸化工程において、浮遊ゲート及び制御ゲートにバーズビークが侵入して容量が低下するのを防止できる不揮発性半導体記憶装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A developing bias power source 55 is configured to apply the vibration voltage of a single inter-peak voltage value between a photoreceptor drum 3 and a developing sleeve 52 independently of a photoreceptor drum 3 and the use state of toner 51 when the residual amount of the toner in the developer container 5a is detected at every prescribed time according to capacitance between an antenna A54 and the developing sleeve 52.例文帳に追加

アンテナＡ５４と現像スリーブ５２との間の静電容量に応じて現像剤容器５ａ内のトナー残量が所定時間毎に検知される時に、現像バイアス電源５５が、感光ドラム３、トナー５１の使用状況に依らず単一のピーク間電圧値の振動電圧を感光ドラム３と現像スリーブ５２との間に印加するよう設定する。 - 特許庁

To solve the problem that an inter-wiring capacitance value is changed since a dummy metal is inserted to a layout after timing is matched after the end of layout routing processing when preparing a mask required for manufacturing a semiconductor device, timing design is required again and a design period (TAT) from the end of the layout routing processing to mask preparation becomes long.例文帳に追加

半導体装置製造に必要なマスク作成時において、配置配線処理終了後のタイミングを合わせ込んだ後のレイアウトにダミーメタルを挿入するために、配線間容量値が変化してしまい、再度タイミング設計が必要となり、配置配線処理終了からマスク作成までの設計期間（ＴＡＴ）が長くなってしまう。 - 特許庁

To provide a capacitor manufacturing method, which can eliminate a creep phenomenon considered to be caused directly by an electric short circuit and makes a capacitor small-sized and large in capacitance even when the sizes of an anode body and an anode terminal become shorter in the manufacturing process of the capacitor, and to provide the capacitor.例文帳に追加

本発明は、コンデンサの製造工程中において陽極体と陽極端子との寸法がますます短くなった場合であっても、電気的短絡の直接原因であると考えられる這い上がり現象の発生を解消できるようになり、コンデンサの小型大容量化を図れるようになるコンデンサ製造方法及びコンデンサを提供することを課題とする。 - 特許庁

This process for producing an electrostatic capacitance-type acceleration sensor comprising a movable electrode 6 also serving as a weight, a beam 5, and a supporting section 4 made of metals, includes the steps of forming a space between a fixed electrode 2 and the movable electrode 6 by photoresist, and forming the supporting section 4, the beam 5, and the movable electrode 6 by photolithography, wet plating process, and etching process.例文帳に追加

錘を兼ねた可動電極６、梁５、および支持部４が金属からなる静電容量型加速度センサの製造方法であって、固定電極２と可動電極６との間隙をフォトレジストにより形成し、支持部４、梁５、および可動電極６をフォトリソグラフィー、湿式めっき法、およびエッチング法により形成する工程を備えている。 - 特許庁

To appropriately inhibit high-frequency noise without mounting a capacitor to a multilayer circuit board, by easily increasing capacitance in the capacitor using the interlayer insulating layer of the multilayer circuit board as a dielectric layer, and by increasing and reducing the density and thickness of a circuit, respectively.例文帳に追加

多層回路基板及びその製造方法に関し、多層回路基板にコンデンサを搭載することなく、高周波ノイズを良好に抑止できるようにする為、多層回路基板の層間絶縁層を誘電体層とするキャパシタに於けるキャパシタンスを容易に増大させることができるようにし、回路の高密度化及び微細化を進めることを可能にする。 - 特許庁

Pulse response noise S101, which occurs in a digit drive control signal S610 due to a sudden rise of a segment drive control signal by the influence of a simultaneous change of a segment drive high withstand voltage output port 102 via capacitance 608 between wirings around a vacuum fluorescent display tube, is detected by a leakage light emitting noise detecting circuit 103.例文帳に追加

セグメント駆動用高耐圧出力ポート１０２の同時変化の影響でセグメント駆動制御信号Ｓ６１１が急激に立ち上がり、蛍光表示管内の配線間容量６０８を介してデジット駆動制御信号Ｓ６１０に発生するパルス応答ノイズＳ１０１を漏れ発光ノイズ検出回路１０３で検出する。 - 特許庁

A PD 3 for receiving optical signals is provided in one input IN1 while another dummy PD 4 not entering beams at all is provided in the other input IN2 of a parallel feedback differential amplifier circuit A1, so that two PDs may be monolithically formed also meeting the same bias requirement for avoiding the band deterioration by balancing the capacitance at the differential inputs.例文帳に追加

並列帰還型差動増幅回路Ａ１の一入力ＩＮ１には、光信号を受信する受信用ＰＤ３を設け、他方の入力ＩＮ２には、光を入射しないダミーＰＤ４を設け、これ等両ＰＤをモノリシックにて形成しかつ同一バイアス条件とすることで、差動入力容量のバランスをとって帯域劣化をなくす。 - 特許庁

A relaxation time when charge is stored in the display element of the pixel and other capacitance connected to the display element in parallel is focused on, and the voltage applied between the source and the drain of the transistor in the writing period is suppressed by changing the voltage of the video signal applied to the signal line step by step and finally setting it at the desired level.例文帳に追加

画素の表示素子と、表示素子に並列に接続されたその他の容量とに、電荷が蓄積される緩和時間に着目し、信号線に与えるビデオ信号の電圧を、段階的に推移させながら最終的に所望の高さにすることで、書き込み時においてトランジスタのソースとドレイン間に印加される電圧の大きさを抑える。 - 特許庁

A wiring 802 connected between a clock buffers 503 and 505 is laid, so as to be reduced to an irreducible minimum in length, a clock skew between the clock buffers 503 and 505 is set equal to that between clock buffers 502 and 504, by regulating the wiring capacitance of the wiring 802 and the resistance of a fill cell resistor 801.例文帳に追加

クロックバッファ５０３とクロックバッファ５０５との間を接続する配線８０２は、最小配線長で配線され、配線８０２に付随する配線容量とフィルセル抵抗８０１の抵抗値で、クロックバッファ５０３とクロックバッファ５０５間のクロックスキューを、クロックバッファ５０２とクロックバッファ５０４間のクロックスキューに等しくなるように調整する。 - 特許庁

A metallic wiring 5, which is at a ground potential GND, is provided between the shield layer 3 on the surface of a semiconductor substrate 1 and an inductor 8 formed with a spiral metallic wiring while the metallic wiring 5 is connected to the shield layer 3 to lower a resistance value in the shield layer while reducing the parasitic capacitance between the inductor and shield layers.例文帳に追加

半導体基板１表面上のシールド層３と渦巻き状に形成された金属配線からなるインダクタ８との間に、接地電位ＧＮＤが与えられた金属配線５を設け、この金属配線５をシールド層３に接続することで、インダクタ−シールド層間の寄生容量を小さくしつつ、シールド層での抵抗値を低く抑える。 - 特許庁

This fingerprint sensor is equipped with a detecting section (30) where a plurality of capacitance detection circuits (31) supplying signal transmission lines (37) with detection signals corresponding to the capacitances formed between themselves and surface portions of an object to be tested are arranged, and an amplifier circuit (40) which amplifies the detection signals output to the signal transmission lines.例文帳に追加

本発明の指紋センサは、被験物表面との間に形成される静電容量に対応した検出信号を信号伝達経路（３７）に出力する静電容量検出回路（３１）を複数配置した検出部（３０）と、前記信号伝達経路に出力された前記検出信号を増幅する増幅回路（４０）とを備える。 - 特許庁

To reduce thickness of an operation handle in an outer handle device for a vehicular door comprising a handle body, and a cover covering an outer side of the handle body, and housing a pair of electrodes, and a circuit board provided with a detection circuit detecting change of capacitance between the electrodes in the operation handle arranged in an outside face side of the vehicular door.例文帳に追加

ハンドル本体と、ハンドル本体の外側を覆うカバーとから成るとともに車両用ドアの外面側に配置される操作ハンドル内に、一対の電極と、両電極間の静電容量の変化を検出する検出回路が設けられる回路基板とが収容される車両用ドアのアウトハンドル装置において、操作ハンドルの薄型化を図る。 - 特許庁

Furthermore, since the parts (conductive layers 1a and 1b) of the loops formed on an underlying interlayer insulation film between both inductors have an equal length and the parts (conductive layers 2a and 2b) formed on an overlying interlayer insulation film also have an equal length, an external parasitic capacitance has an equal effect on both inductors.例文帳に追加

更に、両インダクタの間で、ループの長さのうち下層の層間絶縁膜上に形成されている部分（導電層１ａ及び１ｂ）の長さが互いに等しく、上層の層間絶縁膜上に形成されている部分（導電層２ａ及び２ｂ）の長さも互いに等しいため、外部からの寄生容量等の影響は両インダクタに等しく作用する。 - 特許庁

To provide a nonaqueous electrolytic solution secondary battery, composed of a positive electrode containing a positive electrode active material, a negative electrode containing a negative electrode active material, and a nonaqueous electrolytic solution of which a charge finish voltage can be 4.3 V or higher with no degradation in charging/discharging cycle characteristics, for a higher charge/discharge capacitance.例文帳に追加

正極活物質を含む正極と、負極活物質を含む負極と、非水電解質とを備える非水電解質二次電池において、充放電サイクル特性の低下を伴うことなく、充電終止電圧を４．３Ｖ以上にすることができ、これによって充放電容量を高めることができる非水電解質二次電池を得る。 - 特許庁

By providing a circular support conductor 31 at the outer periphery of the intermediate electrode 3 via a circular insulating layer 5 and supporting the circular support conductor 31 on the inner periphery of the grounded metallic tank 1 by a support conductor connecting member 31a, the capacitance between the intermediate electrode 3 and the grounded metallic tank 1 is reduced, thereby the voltage sharing ratio is reduced.例文帳に追加

そして、中間電極３の外周に環状絶縁層５を介して環状支持導体３１を設け、環状支持導体３１を支持導体接続部材３１ａにより接地金属タンク１の内面に支持することで、中間電極３と接地金属タンク１との間のキャパシタンスを低減して電圧分担比を低減する。 - 特許庁

The piezoelectric resonator chip 32 including: an exciting section made of a piezoelectric material; and exciting electrodes 38-1, 38-2 being driving electrodes formed to the exciting section, is provided with insulation films 11-1, 11-2 located on the surface of the exciting electrodes, and electrodes 12-1, 12-2 for attachment of capacitance located on the insulation films.例文帳に追加

圧電材料により形成された励振部と、該励振部に形成した駆動用の電極である励振電極３８−１，３８−２とを備える圧電振動片３２であって、前記励振電極の表面に設けた絶縁膜１１−１，１１−２と、該絶縁膜の上に設けた容量付加のための電極１２−１，１２−２とを備える。 - 特許庁

To provide an electric arc welding system, utilizing a high-capacitance AC circuit power source for operating two or more tandem electrodes of a type used for a seam welding of large metallic semi-manufactured products, by which the shift of a phase is not extended or contracted, either of hollowing or forming of molten metal between electrodes is eliminated and the pool of welding is not disturbed, .例文帳に追加

位相のシフトを拡張または収縮させることがなく、電極間の溶融した金属の空洞化または形成の何れかがなく、また溶接のたまりが乱されない、大きな金属半製品のシーム溶接に使用されるタイプの２つ以上のタンデム電極を動作する高容量交流回路電源を利用する電気アーク溶接系の提供。 - 特許庁

The display device 1 includes: a pixel circuit having thin-film transistors Tr and a capacitance element Cs arrayed and formed on a substrate 3; and the interlayer dielectric 105 covering over the pixel circuit, wherein the interlayer dielectric 105 is provided with connection holes 105a each of which exposes parts of a plurality of adjoining pixel circuits among the pixel circuits.例文帳に追加

基板３上に配列形成された薄膜トランジスタＴｒと容量素子Ｃｓとを有する画素回路と、画素回路を覆う層間絶縁膜１０５とを備えた表示装置１において、層間絶縁膜１０５は、画素回路のうち隣接する複数の画素回路の一部分を底部に露出させた接続孔１０５ａを備えている。 - 特許庁

Moreover, the oscillator creates a resonant signal using a large region of a capacity change region in a voltage-capacitance change curve of the varactor diode 21 at a time of VHF high band selection, and creates the resonant signal using a small region of the capacity change region in the voltage-capacity change curve of the varactor diode 21 at a time of VHF low band selection.例文帳に追加

また、ＶＨＦハイバンド選択時はバラクタダイオード２１の電圧−容量変化カーブのうち容量変化範囲の大きい領域を使用して共振信号を生成し、ＶＨＦローバンド選択時はバラクタダイオード２１の電圧−容量変化カーブのうち容量変化範囲の小さい領域を使用して共振信号を生成する。 - 特許庁

To provide a dielectric porcelain composition which permits sintering in a reductive environment, has reduced quantity of electrostriction upon voltage application, allows a capacitance temperature characteristic to satisfy X6S characteristic of EIA standard (-55 to 105°C, ΔC/C=±22% or less), moreover materializes high dielectric constant and has an improved high temperature accelerated life.例文帳に追加

還元性雰囲気中での焼成が可能であり、電圧印加時における電歪量が低減されており、容量温度特性がＥＩＡ規格のＸ６Ｓ特性（−５５〜１０５℃、ΔＣ／Ｃ＝±２２％以内）を満足でき、しかも高い比誘電率を実現しつつ、高温加速寿命が改善された誘電体磁器組成物を提供すること。 - 特許庁

Contacts 12 can be formed in the interlayer insulating film 10, to connect a diffusion layer 7 with bit lines 32 as intersecting voids 11 by forming a sidewall insulating film 14 on the inner wall of the contacts 12, a short circuit between bit lines 32 through contacts 12 can be eliminated, and parasitic capacitance between word lines can be reduced as well.例文帳に追加

コンタクト１２の内壁に側壁絶縁膜１４を形成することにより、ボイド１１と交差するようにして層間絶縁膜１０に拡散層７とビット線３２とを接続するためのコンタクト１２を形成することを可能とし、ビット線３２間のコンタクト１２を通じての短絡を無くすと共に、ワード線間の寄生容量を減じることができる。 - 特許庁

The device for measuring moisture inside a packaging container for measuring moisture inside the packaging container that is made of a non- conductive material is provided with a packaging container placement part 10 for placing the packaging container, and a surface electrode 14 on the surface of the packaging container placement part 10, thus measuring moisture inside the packaging container according to the capacitance value between surface electrodes.例文帳に追加

非導電性材料からなる包装容器の内部の水分を測定する包装容器内部の水分測定装置において、包装容器を載置する包装容器載置部１０を有し、包装容器載置部１０の表面に表面電極１４を備え、表面電極間の静電容量値により包装容器の内部の水分を測定する。 - 特許庁

To solve the problem that a high frequency semiconductor device having alternately arranged base contact regions and emitter regions increases the emitter region number to ensure an emitter peripheral length for increasing the current capacity, but this needs to increase the base contact region number according to that number and inevitably to enlarge base regions, resulting in an increased base-collector junction capacitance CBC causing high frequency characteristics to be deteriorated.例文帳に追加

ベースコンタクト領域とエミッタ領域が交互に配置された高周波半導体装置では電流容量を上げるためにエミッタ領域を増やしてエミッタ周辺長を確保するとベースコンタクト領域もその数に応じて必要で、必然的にベース領域が大きくなり、ベース-コレクタ間接合容量Ｃ_BCを増やしてしまう。 - 特許庁

The capacitance-type pressure sensor comprises a diaphragm 24 being applied with the pressure of fluid, a first electrode 22 formed planarly on the rear surface of the diaphragm 24, a base board 28 of an insulator positioned oppositely to the disphragm 24 while being space apart therefrom, and a second electrode 26 formed oppositely to the first electrode 22 on the surface of the base board 28.例文帳に追加

流体の圧力が印加されるダイヤフラム２４と、ダイヤフラム２４の裏面に平面的に形成された第一電極２２と、ダイヤフラム２４と一定間隔を隔てて対面して設けられた絶縁体のベース基板２８と、ベース基板２８の表面に形成され、第一電極２２と、対面して同様に設けられた第二電極２６を有する。 - 特許庁

After transmitting the ultrasonic wave, the primary side of the transformer 2 is short-circuited, so that an electrostatic energy stored in the capacitance of the transmission ultrasonic sensor 1 and an electric energy by the vibration of its periphery immediately return to the primary side of the transformer 2 and vanish to quickly mitigate excessive vibration of the transmission ultrasonic sensor 1 and its periphery.例文帳に追加

超音波の送信後にはトランス２の一次側を短絡することにより、送信用超音波センサ１のキャパシタンスに溜まっていた静電エネルギーおよびその周辺の振動による電気エネルギーが、速やかにトランス２の一次側に戻り消滅し、送信用超音波センサ１およびその周辺の余分な振動を速やかに鎮めることができる。 - 特許庁

This pressure sensor 1 for measuring the pressure in a rotating pressure vessel is equipped with a substrate 2, and the two same diaphragms 3, 4 arranged symmetrically on both sides of the substrate 2 in order to measure the pressure by a capacitance change or an electric resistance change caused by deformation of the diaphragms 3, 4.例文帳に追加

回転する圧力容器内の圧力を計測する圧力センサであって、基板２と、ダイヤフラム３、４の変形による静電容量変化または電気抵抗変化により圧力を計測するために基板２の両側に対称に配置された同一の２つのダイヤフラム３、４とを具備してなることを特徴とする圧力センサ１を採用する。 - 特許庁