「Capacitance」に関連した英語例文の一覧と使い方(194ページ目) - Weblio英語例文検索

These pairs of variable capacitance elements are controlled by control voltage VCNT applied to a loop control terminal 3 and electrically separated/connected from/to a VCO body by switching transistors 101a, 102a, 103a, 101b, 102b and 103b being switch elements turned on/off by bandwidth setting signals VSW1, VSW2 and VSW3.例文帳に追加

これらの可変容量素子対は、ループコントロール端子３に印加されるコントロール電圧ＶＣＮＴにより制御されると同時に、帯域設定信号ＶＳＷ１、ＶＳＷ２、ＶＳＷ３によってオンオフされるスイッチ素子であるトランジスタ１０１ａ、１０２ａ、１０３ａ、１０１ｂ、１０２ｂ、１０３ｂの切替により、ＶＣＯ本体に電気的に分離・接続される。 - 特許庁

In order to thin this display device, a touch sensor IC16 which determines whether a button is pushed or not by detecting changes of capacitance is adopted, a cable line is eliminated to prevent malfunction caused by external magnetic noise of the touch sensor IC 16, and mounting positions can be changed by radioing information by infrared LEDs 18, 19.例文帳に追加

薄型にするために静電容量の変化を検出してボタンが押されたかどうかを判定するタッチセンスＩＣ１６を採用し、タッチセンスＩＣ１６の外部電磁ノイズによる誤動作を防止するためにケーブル回線をなくし、情報を赤外線ＬＥＤ１８、１９による無線通信することによって取り付け位置の変更も可能とする。 - 特許庁

An adaptive control part 109 measures a detection value of a reflected power outputted from a reflected power detection part 103 and reads out a phase angle and a capacity value from a storage part 110 as initial values on the basis of a measurement result and adaptively controls the phase angle and variable capacitance capacitors Cp and Cs so as to minimize the reflected power.例文帳に追加

適応制御部１０９は反射電力検出部１０３から出力された反射電力の検出値を測定し、測定結果に基づいて、記憶部１１０から位相角と容量値を初期値として読み出し、反射電力が最小となるように位相角と可変容量コンデンサＣｐ及びＣｓを適応的に制御する。 - 特許庁

A plurality of local select oxide films 4 are formed in a region surrounded by a select oxide film 2 for element isolation serving as an element separation region, and also there is formed the capacitance element configured by sequentially laminating a lower electrode 5, a dielectric film 6 and an upper electrode 7 which are curved along a rugged shape of the local select oxide films 4.例文帳に追加

素子分離領域であって素子分離用選択酸化膜２に囲まれた領域に、複数の局所的選択酸化膜４を有するとともに、局所的選択酸化膜４の凹凸形状に沿って湾曲する下部電極５、誘電体膜６、及び、上部電極７を順次積層した構造の容量素子を設ける。 - 特許庁

To suppress an off-state current and also to eliminate reduction in on current, to form lightly doped regions (LDD regions) and a gate electrode in a self-alignment manner to lessen the parasitic capacitance between the LDD regions and the gate electrode and to make it possible to lessen the area occupied by a thin film transistor.例文帳に追加

ＯＦＦ電流を抑えるとともにＯＮ電流の減少がなく、低濃度不純物領域（ＬＤＤ領域）とゲート電極を自己整合的に形成して寄生容量を小さくし、占有面積を小さくすることができる薄膜トランジスタ、薄膜トランジスタを用いたＣ−ＭＯＳインバータ回路、及びそれらの製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a highly reliable excimer lamp, capable of preventing surface discharge among electrodes and abnormal discharge among lead wires, even if a high voltage is impressed on the lamp in order to obtain a high radiation output, as to an excimer lamp of a dielectric barrier discharge system which does not have electrode in a discharge space or a capacitance coupling type high-frequency discharge system.例文帳に追加

放電空間内に電極を持たない誘電体バリア放電方式または容量結合型高周波放電方式のエキシマランプにおいて、高い放射出力を得るために、ランプに高電圧を印加しても電極間の沿面放電や、リード線間の異常放電を防止できる信頼性の高いエキシマランプを提供する。 - 特許庁

In forming an antenna 5 of a noncontact data transmission/ reception body 4 that consists of the coil pattern shaped antenna 5 having a bridge section 12 bridging partly over a coil section 10 and of an IC chip 13 mounted on the antenna, adjusting the stray capacitance formed between the bridge section 12 and the coil section 10 changes the resonance frequency into a prescribed frequency.例文帳に追加

一部分にコイル部１０を跨ぐブリッジ部１２を有するコイルパターン状のアンテナ５とこのアンテナに実装したＩＣチップ１３とからなる非接触型データ送受信体４の前記アンテナ５を形成するにあたり、ブリッジ部１２とコイル部１０との間に形成される浮遊容量を調節して共振周波数を所定値に変更する。 - 特許庁

In the electret condenser microphone where a fixed electrode 6 and a diaphragm 4 are placed at a prescribed interval to detect a sound signal given to the diaphragm 4 due to the change in a static capacitance between the electrode 6 and the diaphragm 4, the fixed electrode 6, the diaphragm 4 and semiconductor element 8 are contained in a box type case 9 made of an insulating material side by side.例文帳に追加

固定電極６と振動膜４とを一定間隔で配置し、両者間の静電容量の変化によって振動膜４に与えられた音声信号を検出するようにしたエレクトレットコンデンサマイクロホンにおいて、絶縁材からなる箱型ケース９内に、上記固定電極６及び振動膜４と、半導体素子８を並列に収納する。 - 特許庁

The manufacturing method of the capacitance type electromechanical conversion device includes: a step of forming an insulation layer 2 on a first silicon substrate 1 and forming at least one recessed part 3; a step of joining a second silicon substrate 5 on the insulation layer 2 by the fusion junction; and a step of thinning the second silicon substrate 5 and forming a silicon film 7.例文帳に追加

静電容量型電気機械変換装置の作製方法は、第一のシリコン基板１上に絶縁層２を形成し、少なくとも一つ以上の凹部３を形成する工程と、第二のシリコン基板５を絶縁層２上に溶融接合により接合する工程と、第二のシリコン基板５を薄化し、シリコン膜７を形成する工程を有する。 - 特許庁

The partial discharge is measured by connecting detection impedance 6 to a voltage detection terminal 101 provided to a voltage detection part 100 and a metal case 10 via signal lines 4, 5 to prevent decrease in detection sensitivity of the partial discharge signal due to stray capacitance, thereby measuring the detection signal based on the partial discharge at high sensitivity.例文帳に追加

検電部１００に設けられる検電端子１０１と金属ケース１０に信号線４，５を介して検出インピーダンス６を接続して部分放電を測定することにより、浮遊静電容量に起因する部分放電信号の検出感度低下を防ぎ、部分放電に基づく検出信号を高感度で測定することができる。 - 特許庁

The spaces of the intersecting conductive paths are connected parallel by the stray capacitance between the intersecting conductive paths and this impedance adjustable coil, and the impedance between the intersecting conductive paths is increased at Larmor frequency proportional to the intensity of static magnetic field of MRI apparatus, and the electric current flowing between the intersecting conductive paths is decreased.例文帳に追加

このインピーダンス調整用コイルと交差する導電経路の間の浮遊容量によって、交差する導電経路の間が並列に接続され、ＭＲＩ装置の静磁場の強度に比例するラーモア周波数において、交差する導電経路の間のインピーダンスが増加し、交差する導電経路の間を流れる電流が減少する。 - 特許庁

This liquid crystal display device 10 is provided, on a glass substrate 12, with scanning lines 14, common wiring 16 formed as additional capacitance lines in parallel with the scanning lines 14, and two bound lines 18A, 18B which are formed almost orthogonal to the common wiring 16 and connect the common wiring 16 with each other at both end parts thereof.例文帳に追加

本液晶表示装置１０は、ガラス基板１２上に、走査線１４と、走査線１４と平行に付加容量線として形成された共通配線１６と、共通配線１６とほぼ直交して形成され、各共通配線１６の両端部で共通配線１６をそれぞれ相互に結束する２本の結束線１８Ａ、Ｂとを備える。 - 特許庁

The first and second switches M1 and M2 are used to switch between a normal operation mode to detect charge from an input terminal 11 at the trace charge detecting circuit and a test operation mode to convert a voltage signal from the input terminal 11 into charge at the capacitance Ct for converting charge and to detect the converted charge at the trace charge detecting circuit 3.例文帳に追加

そして、第１,第２のスイッチＭ１,Ｍ２によって、入力端子１１からの電荷を上記微小電荷検出回路で検出する通常動作モードと、入力端子１１からの電圧信号を電荷変換用容量Ｃtで電荷に変換して、変換された電荷を微小電荷検出回路３で検出するテスト動作モードとを切り換える。 - 特許庁

To provide a capacitor manufacturing method, which can eliminate a creep phenomenon considered to be caused directly by an electric short circuit and makes a capacitor small-sized and large in capacitance even when the sizes of an anode body and an anode terminal become shorter in the manufacturing process of the capacitor, and to provide the capacitor.例文帳に追加

本発明は、コンデンサの製造工程中において陽極体と陽極端子との寸法がますます短くなった場合であっても、電気的短絡の直接原因であると考えられる這い上がり現象の発生を解消できるようになり、コンデンサの小型大容量化を図れるようになるコンデンサ製造方法及びコンデンサを提供することを課題とする。 - 特許庁

In this iontophoresis apparatus, a polarizable electrode containing a conductor having a specific surface area of 10 m^2/g or above, a polarizable electrode containing a conductor having a capacitance per unit volume of 1 F/g or above, or a polarizable electrode containing an activated carbon in the electrode structure on the working side or on the non-working side.例文帳に追加

イオントフォレーシス装置における作用側電極構造体又は非作用側電極構造体に、比表面積が１０ｍ^２／ｇ以上の導電体を含有する分極性電極、単位体積当たりの静電容量が１Ｆ／ｇ以上の導電体を含有する分極性電極、或いは活性炭を含有する分極性電極を設ける。 - 特許庁

The sensor is provided with an insulation board 11, a sensor electrode 12 as well as a grounding electrode 13 on one surface of the insulation board 11, and a sensor circuit 20 detecting approach of an object to the sensor electrode 12 as well as the grounding electrode 13 by detecting capacitance between the sensor electrode 12 and the grounding electrode 13.例文帳に追加

絶縁基板１１と、この絶縁基板１１の一方の面に所定のパターンで形成された検知電極１２及び接地電極１３と、検知電極１２と接地電極１３との間の静電容量を検出して検知電極１２及び接地電極１３に物体が接近したことを検出する検知回路２０とを備える。 - 特許庁

The acceleration sensor device 9 comprises: a capacitance electrode 2 in which a plurality of electrodes 2a, 2b are arrayed in a row and vertically face each other through a space 1; elastic members 4 disposed from both ends toward the center in the space 1; and a dielectric block 3 accommodated between the elastic members 4 in the space 1.例文帳に追加

それぞれ１列に配列された複数の電極２ａ，２ｂが間に空間１を配して上下に対向してなる容量電極２と、空間１の両端部から中央部に向けてそれぞれ配置された弾性部材４と、空間１の弾性部材４間に収容された誘電体ブロック３とを具備する加速度センサ装置９である。 - 特許庁

This ferroelectric memory device includes: a reference program part for adjusting and outputting the voltage of a reference level control signal by using a programmable register device to control the on/off of a switch for adjusting the capacitance of a capacitor connected to a driving power source; and a reference voltage generating part for outputting the reference voltage in accordance with the reference level control signal.例文帳に追加

強誘電体メモリ装置は、プログラマブルレジスタ装置を利用し、駆動電源に連結されたキャパシタの容量を調節するスイッチのオン・オフを制御することにより、レファレンスレベル制御信号の電圧を調節して出力するレファレンスプログラム部、及び前記レファレンスレベル制御信号に応じてレファレンス電圧を出力するレファレンス電圧発生部を含む。 - 特許庁

The ferrodielectric material memory device comprises a lower electrode 109, a capacitance insulation film 112 consisting of a ferrodielectric material film and an upper electrode 113 which are sequentially formed on a first interlayer insulation film 105 on a semiconductor substrate 100, and is also provided with a plurality of ferrodielectric material capacitors allocated in the word line direction and bit line direction.例文帳に追加

強誘電体メモリ装置は、半導体基板１００上の第１の層間絶縁膜１０５の上に順次形成された下部電極１０９、強誘電体膜よりなる容量絶縁膜及１１２び上部電極１１３を有し、ワード線方向及びビット線方向に配置された複数の強誘電体キャパシタを備えている。 - 特許庁

When the connection parts are bent by an acceleration, and the weight part and the detection arm are displaced integrally, by application of an AC current and by excitation of the vibration arms, gaps between each capacitor are fluctuated and each capacitance is changed, and thereby the magnitude and the direction of an acceleration are detected by detecting synchronously an output from the bridge circuit.例文帳に追加

交流電圧を印加して振動アームを励振させた状態で、加速度により連結部が撓曲して重り部及び検出アームが一体に変位すると、各コンデンサの隙間が変動してその静電容量が変化するので、ブリッジ回路の出力を同期検波することにより、加速度の大きさ及び向きが検出される。 - 特許庁

In the display device wherein a data holding circuit 3 having capacitance and a display part 4 having a plurality of pixel electrodes are formed on one first support substrate, a second support substrate 2 facing the first support substrate 1 is provided above the display part 4, but a counter substrate is not present above an area wherein the data holding circuit 3 is disposed.例文帳に追加

容量を有するデータ保持回路３と、複数の画素電極を有する表示部４とが一の第１支持基板上に形成された表示装置において、表示部４の上方には第１の支持基板１に対向する第２の支持基板２が設けられているが、データ保持回路３が配置された領域の上方には対向基板が存在しない。 - 特許庁

A thin film transistor 10 comprises a substrate 10, a gate electrode 30, gate dielectric layer 40, a source electrode 50, a drain electrode 60, and an organic semiconductor layer 70, wherein the gate dielectric layer 40 comprises a poly(4-vinylphenol-co-acrylonitrile)-based polymer which has a high dielectric constant and a high capacitance and is formed by coating or printing.例文帳に追加

基板１０、ゲート電極３０、ゲート誘電体層４０、ソース電極５０、ドレイン電極６０及び有機半導体層７０の薄膜トランジスター１０において、ゲート誘電体層４０を、高い誘電率と高いキャパシタンスを有し、かつコーティング法やプリンティング法で形成されるポリ(４−ビニルフェノール−コ−アクリロニトリル)系ポリマーで構成する。 - 特許庁

To ensure that a metal is added to an anode that comprises a porous material having a dielectric layer formed on the surface thereof, such that it entirely becomes cathode including the inside, and a metal cathode is formed suitably on the dielectric layer inside the anode, and thereby to provide a solid electrolytic capacitor that has low equivalent series resistance and high capacitance.例文帳に追加

表面に誘電体層が形成された多孔質体からなる陽極の内部まで十分に陰極となる金属が付与されて、陽極の内部における誘電体層の上にも適切に金属の陰極が形成されるようにし、等価直列抵抗が低く、かつ高容量な固体電解コンデンサが得られるようにする。 - 特許庁

The condenser microphone unit comprises a diaphragm, a diaphragm holder to which the diaphragm is bonded, and a fixed electrode arranged opposite to the diaphragm through a clearance and constituting a condenser together with the diaphragm, and the condenser microphone unit is such that the capacitance of the condenser unit used in an attenuator connected in series is variable.例文帳に追加

振動板と、この振動板が固着された振動板保持体と、上記振動板に隙間をおいて対向配置され上記振動板との間でコンデンサを構成する固定極とからなるコンデンサマイクロホンユニットと直列に接続する減衰器に用いるコンデンサユニットの静電容量が可変であることを特徴とするコンデンサマイクロホンユニットによる。 - 特許庁

In the antenna system 1, a chip antenna 4 configured by winding a radiation conductor 10 on a surface of a prismatic base body 9 in a band shape and dispersing variable capacitance elements 11 is mounted on a printed circuit board 2 via a plurality of metal leg pieces 3 and each of the metal leg pieces 3 is soldered to the radiation conductor 10 on a bottom surface of the chip antenna 4.例文帳に追加

アンテナ装置１は、角柱状の基体９の表面に放射導体１０を帯状に巻装すると共に可変容量素子１１を分散させてなるチップアンテナ４を、複数個の金属脚片３を介してプリント基板２上に実装したものであり、各金属脚片３はチップアンテナ４の底面で放射導体１０に半田接合されている。 - 特許庁

In the electrostatic capacitance input device 100, a first line area 955 is extended from one edge 10s of an input area 10a in an X direction to a first signal input/output area 950 along the edge 10s, and a first auxiliary line 971 and a second auxiliary line 972 are extended on both sides.例文帳に追加

静電容量型の入力装置１００において、第１配線領域９５５は、入力領域１０ａのＸ方向における一方の端辺１０ｓから端辺１０ｓに沿うように第１信号入出力領域９５０まで延在しており、その両側には第１補助配線９７１および第２補助配線９７２が延在している。 - 特許庁

A capacitance insulating film comprising a laminate film of hafnium oxide films 102, 103, 104 of first to third layers is formed on a lower electrode 101 of a capacitor, an oxygen ratio of the hafnium oxide films 102, 104 of the first and third layers to hafnium is greater than the oxygen ratio of the hafnium oxide film 103 of the second layer to hafnium.例文帳に追加

キャパシタの下部電極１０１上に、第１層〜第３層のハフニウム酸化膜１０２、１０３、１０４の積層膜で構成される容量絶縁膜が形成され、第１層、第３層のハフニウム酸化膜１０２、１０４のハフニウムに対する酸素比率は、第２層のハフニウム酸化膜１０３のハフニウムに対する酸素比率よりも大きい。 - 特許庁

A minute current measuring device comprises two sensor units disposed in contact with coated wires, and the respective sensor units include first electrodes disposed to oppose core wires of the respective coated wires and second electrodes disposed away from the first electrodes by a prescribed distance, so as to measure currents flowing through capacitance between the core wires and the electrodes.例文帳に追加

被覆電線に接するように配置した２個の前記センサユニットを備え、各センサユニットが、それぞれの被覆電線の芯線に対峙して配置した第１電極と第１電極から所定の距離を置いて第１電極より遠く離して配置した第２電極を備えて、前記芯線と各電極との間にキャパシタンスを通して流れる電流を測定する。 - 特許庁

In a semiconductor device, charge accumulated on the interface of an SiO_2 surface protective film 16 and a coating part 23 composed of a silicon resin can be reduced by coating the surface of an SiC pn junction diode 10, and setting the thickness of the surface protective film 16 composed of SiO_2 to 2 μm thereby decreasing the capacitance of the SiO_2 surface protective film 16.例文帳に追加

この半導体装置は、ＳｉＣ ｐｎ接合ダイオード１０の表面を被覆すると共にＳｉＯ_２で作製された表面保護膜１６の膜厚を２μｍにすることによって、ＳｉＯ_２表面保護膜１６の静電容量を下げてＳｉＯ_２表面保護膜１６とシリコン樹脂で作製された被覆部２３との境界面に溜る電荷を低減できる。 - 特許庁

The impressed voltage of the test object is measured simultaneously with measurement of the charge current thereof; the measurement value of the impressed voltage is used for calculating the leak current in charging the test object, and the leak current in charging is used for calculating a capacitance value of the test object based on the fact that leak current in charging the test object is proportional to the impressed voltage.例文帳に追加

被測定対象の充電時のリーク電流が印加電圧に比例することから、被測定対象の充電電流の測定と同時に印加電圧の測定を行って、この印加電圧の値を被測定対象の充電時のリーク電流値の算出に利用し、この充電時のリーク電流値を被測定対象の容量値の算出に利用する。 - 特許庁

The antenna device 1 has: an antenna conductor which is stored in the housing of mobile electronic equipment and receives a transmitted radio wave; a coil which is arranged near the antenna conductor and generates an induced electromotive force with the transmitted radio wave; and a capacitance portion which is electrically connected to the coil and extracts an electric signal of a desired frequency from the induced electromotive force.例文帳に追加

アンテナ装置１は、携帯電子機器の筐体の内部に収納され、送信電波を受信するアンテナ導体と、このアンテナ導体の近傍に配設され、送信電波により誘導起電力を誘起されるコイル部と、コイル部に電気的に接続され誘導起電力から所望の周波数の電気信号を抽出する容量部とを有している。 - 特許庁

To provide a structure of a discharge electrode in a plasma chemical vapor deposition system, in which the uniform plasma generation condition is attained even in large surface area film deposition by preventing the ununiform plasma generation condition caused by the ununiformity of standing wave, sheath capacitance, the gas flow of NF_3 for self cleaning or the like in the plasma chemical vapor deposition using very high frequency wave(VHF).例文帳に追加

高高周波（ＶＨＦ）を利用するプラズマ化学蒸着装置において、定在波、シースキャパシタンス、セルフクリーニング用ＮＦ_３ガス流れの不均一などで生じるプラズマ発生状況の不均一を防止し、大面積でプラズマ発生状況が均一となるようなプラズマ化学蒸着装置における放電電極の構造の提供。 - 特許庁

A conductive film 12 for the touch panel is provided between an observation-side substrate 2 of a liquid crystal display element 1 and an observation-side polarizer 10 disposed on the outer surface of the substrate 2, and an electrostatic capacitance type touch panel is formed which has an outer surface of the polarizer 10 to be touched between the conductive film 12 for the touch panel and the outer surface of the polarizer 10.例文帳に追加

液晶表示素子１の観察側基板２とその外面に配置された観察側偏光板１０との間にタッチパネル用導電膜１２を設け、このタッチパネル用導電膜１２と前記偏光板１０の外面との間に、前記偏光板１０の外面をタッチ面とした静電容量型タッチパネルを形成した。 - 特許庁

The acceleration sensor device 9 includes a capacitance electrode 2 comprising a plurality of electrodes 2a and 2b respectively arranged in a row and vertically facing each other across a space 1; elastic members 4 respectively disposed from both ends of the space 1 toward the center thereof; and a conductor block 3 accommodated between the elastic members 4 in the space 1.例文帳に追加

それぞれ１列に配列された複数の電極２ａ，２ｂが間に空間１を配して上下に対向してなる容量電極２と、空間１の両端部から中央部に向けてそれぞれ配置された弾性部材４と、空間１の弾性部材４間に収容された導体ブロック３とを具備する加速度センサ装置９である。 - 特許庁

The output sections have a field effect transistor 19 having a gate electrostatic capacitance connected to the signal lines so as to be connected in series to the capacitor 15 and an output circuit 20 for outputting the signal corresponding to the information according to the switching action of this transistor 19 so as to make the switching action corresponding to the change in the charge quantities.例文帳に追加

出力部は、前記電荷量の変化に対応したスイッチング動作をなすべく前記キャパシタと直列的に接続されるように信号線に接続されたゲート静電容量を備える電界効果トランジスタ１９と、該トランジスタのスイッチング動作に応じて前記情報に対応した信号を出力する出力回路２０とを備える。 - 特許庁

Since the influence of the parasitic capacitance of the piezoelectric vibrator 10 is negated by making the current which flows to the piezoelectric vibrator 10 and the current which flows to the condenser 20 for correction rotate reversely mutually at the center of an iron core 30, and a current phase is metered correctly, the piezoelectric vibrator can be certainly actuated at the resonance point using a control circuit.例文帳に追加

圧電振動子１０に流れる電流と補正用コンデンサ２０に流れる電流を、鉄心３０の芯線を中心に、互いに左右反対に回転させることで、圧電振動子１０の寄生容量の影響が打ち消され、電流位相が正確に計測されるので、制御回路を用いて共振点で確実に駆動することが可能となる。 - 特許庁

An inverting amplifier circuit is configured by connecting a feedback resistor 13 in parallel across an inverter 11, a crystal vibrator 14 is connected between input and output terminals of the inverting amplifier circuit, and oscillation capacitors 15, 16 are connected to the inverting amplifier circuit to provide a fixed load capacitance between a reference level and an oscillation circuit configured thereby.例文帳に追加

インバータ１１の両端に並列に接続された帰還抵抗１３により反転増幅回路を構成し、この反転増幅回路の入出力端に水晶振動子１４が接続されており、これにより構成される発振回路と基準電位の間に固定の負荷容量を与えるために、発振用のコンデンサ１５，１６が接続されている。 - 特許庁

Preferably, the microelectronic system is a microelectronic sensing system capable of sensing physical input such as pressure, vibration, sound, electrical activity (e.g., from muscle activity), tension, blood-flow, moisture, temperature, enzyme activity, bacteria, pH, blood sugar, conductivity, resistance, capacitance, inductance or other chemical, biochemical, biological, mechanical or electrical properties.例文帳に追加

好ましくは、マイクロ電子システムは、圧力、振動、音、電気活性（例えば筋肉活性からの）、張力、血流、水分、温度、酵素活性、細菌、ｐＨ、血糖、導電率、抵抗、キャパシタンス、インダクタンスなどの物理的入力、又は他の化学的、生化学的、生物学的、機械的又は電気的な特性の入力を感知できるマイクロ電子感知システムである。 - 特許庁

This device is provided with the switching element Tr formed on a semiconductor substrate (or a semiconductor layer supported by a substrate) 2, and the sensing pad electrode SP connected to one impurity area 6b of it for inducing electric charges for an amount corresponding to a capacitance value between a detection object (finger) and the electrode or supplying them through the switching element Tr.例文帳に追加

半導体基板（または基板に支持された半導体層）２に形成されたスイッチング素子Ｔｒと、その一方の不純物領域６ｂに接続され、検出対象物（指）との間の静電容量値に応じた量の電荷が誘起、またはスイッチング素子Ｔｒを介して供給されるセンシングパッド電極ＳＰとを有する。 - 特許庁

An active matrix substrate 10 contains an electric wiring arranged in a lattice-like manner with a gate electrode 2,... and a data electrode 3,...; a thin film transistor 4 provided in each lattice point; a pixel electrode 11 connected to the data electrode 3 via the thin film transistor 4; and an electric charge accumulation capacitance 5 connected in series to the pixel electrode 11.例文帳に追加

アクティブマトリクス基板１０ａは、ゲート電極２…とデータ電極３…とが格子状に配列された電極配線と、各格子点毎に設けられた薄膜トランジスタ４と、薄膜トランジスタ４を介してデータ電極３に接続される画素電極１１と、画素電極１１に直列接続される電荷蓄積容量５とを含む。 - 特許庁

This device is provided with at least two variable trap circuits 23 and 24 combining resonators 5-9 for blocking a band and variable capacitance diodes 10-13 and by using a band variable filter circuit 3 for passing only a desired signal between the variable trap frequencies, only the desired frequency band is varied corresponding to frequency hopping.例文帳に追加

帯域を阻止するための共振子５〜９と可変容量ダイオード１０〜１３を組み合わせた可変トラップ回路２３，２４を２つ以上備え、該可変トラップ周波数間に希望の信号のみを通過させる帯域可変型フィルタ回路３を用いて、周波数ホッピングに合わせて所望の周波数帯域のみを可変にすることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a MOS transistor having an intermediate breakdown voltage structure including a large drain breakdown voltage, small capacitance between a source-drain region and a gate electrode and a high junction breakdown voltage of a channel stop and the source-drain region formed under a field oxide film and capable of controlling the drain breakdown voltage by a simple process.例文帳に追加

ドレイン耐圧が大きく、・ドレイン・ソース領域とゲート電極間の容量が小さく、・フィールド酸化膜下に形成されたチャネルストップとソース・ドレイン領域の接合耐圧の高い、しかもそのドレイン耐圧を制御することのできる中耐圧構造を有するＭＯＳ型トランジスタを簡単なプロセスにより提供することを目的とする。 - 特許庁

To send and receive a high frequency signal reducing a transmission loss by preventing the characteristic impedance of a transmission path of a passing through conductor that connects an electrode pad and a semiconductor device from varying from a predetermined value (50 Ω) due to the generation of unnecessary capacitance between an inner layer ground conductor and the electrode pad in an insulating substrate.例文帳に追加

絶縁基板内の内層接地導体と電極パッドとの間で不要なキャパシタンスが発生し、これが電極パッドと半導体素子とを接続する貫通導体等の伝送路の特性インピーダンスを所定値（５０Ω）から変化させるのを防ぎ、高周波信号を伝送損失を小さくして送受信し得るようにすること。 - 特許庁

A plurality of U-shaped heat pipes connected to the back sheet metal 36 and the intermediate sheet metal 34 are provided to appropriately suppress temperature variation (temperature gradient) in a liquid crystal module 11 without disposing a member such as a heat sink on the backside of the back sheet metal 36 and without increasing the variation in the stray capacitance.例文帳に追加

また、背面板金３６と中間平板金３４とに接続される複数並べられたＵ字状のヒートパイプを備えることで、背面板金３６の裏側にヒートシンク等の部材を設けることなく且つストレキャパシタンスのばらつきを増大させることなく液晶モジュール１１内の温度ばらつき（温度勾配）を適切に抑制する。 - 特許庁

In a boosting potential generating circuit provided with a capacitive MOS transistor and a transfer MOS transistor and used for a DRAM comprising memory cells, a boosting potential generating circuit of small area and large capacitance can be realized by making a gate insulation film of the capacitive MOS transistor a thinner film than a gate insulation film of a MOS transistor constituting a memory cell.例文帳に追加

容量ＭＯＳトランジスタとトランスファＭＯＳトランジスタとを備え、メモリセルを含むＤＲＡＭに使用される昇圧電位発生回路において、容量ＭＯＳトランジスタのゲート絶縁膜を、メモリセルを構成するＭＯＳトランジスタのゲート絶縁膜の膜厚よりも薄い膜厚にすることにより、小面積で大容量の昇圧電位発生回路を実現する。 - 特許庁