「Capacitance」に関連した英語例文の一覧と使い方(194ページ目) - Weblio英語例文検索

On a surface of aluminum foil, a roll-pressed mark of the aluminum foil is removed, and multiple recessed parts each having a tip with an acute angle are present, and the colorimetric value (L value of Hunter Lab) on the surface of the aluminum foil is set to 65-80, whereby positive electrode foil high in capacitance can be provided by improving pit density by an etching process and uniformizing pit length.例文帳に追加

アルミニウム箔の表面が、アルミニウム箔の圧延傷が取り除かれて先端が鋭角を有する凹部が多数存在し、かつ該アルミニウム箔の表面の測色値（ハンターＬａｂのＬ値）を６５〜８０とすることにより、エッチング処理によるピット密度の向上とピット長さを均一化し、静電容量の高い陽極箔を得ることができる。 - 特許庁

To solve the problem, the semiconductor IC of this invention measures the temperature based on the variation of frequency from a oscillation circuit, wherein the capacitance of the oscillation circuit is a ferroelectric substance, therefore the oscillation frequency is characteristically varied based on the varying dielectric characteristics depending on the temperature variation of the ferroelectric substance.例文帳に追加

かかる課題を解決するため、本発明の半導体集積回路は、発振回路からの発振周波数の変化に基づいて温度を測定する半導体集積回路において、発振回路の容量が強誘電体であり、強誘電体の温度変化によって変化する誘電特性に基づいて、発振周波数を変化させることを特徴とする。 - 特許庁

In order to reduce impedance in light emission drive of the electrodeless discharge lamps 13 at a set frequency of a light emission drive A.C. voltage, electrode part capacitance formed by the external electrodes 15 of the electrodeless discharge lamps 13 and a translucent insulation tube and impedance adjustment inductance 16 forming a series resonance circuit at a set frequency are formed.例文帳に追加

そして、発光駆動交流電圧の設定周波数にて無電極放電ランプ１３の発光駆動時のインピーダンスを低減するために、無電極放電ランプ１３の外部電極１５及び透光性絶縁管が形成する電極部キャパシタンスと設定周波数にて直列共振回路を形成するインピーダンス調整インダクタンス１６が設けられる。 - 特許庁

This high side switching circuit 120 provided in the USB device is provided with a reference voltage variable circuit 12a for changing the reference voltage Vref of an operational amplifier A1 for generating the gate voltage of an output transistor Q1 in order to adjust the charging current waveform of the bypass capacitor C1 without changing the capacitance of the capacitor C1.例文帳に追加

本発明に係るＵＳＢ装置に設けられたハイサイドスイッチ回路１２０では、バイパスコンデンサＣ１の静電容量を変えることなく、その充電電流波形を調整するために、出力トランジスタＱ１のゲート電圧を生成するオペアンプＡ１の基準電圧Ｖ_refを変化させる基準電圧可変回路１２ａを設けている。 - 特許庁

To solve the problem of a semiconductor device constituted to include a plurality of wiring layers covering the highest wiring layer with a protection film that when a cavity is formed among wires to reduce wiring capacitance, junction interface is formed within the protection film at the upper part of the cavity, and the wiring is corroded with water invaded through the junction interface.例文帳に追加

複数の配線層を有し、最上の配線層を保護膜で覆って構成される半導体装置において、配線容量低減のために配線間に空洞を形成した場合、空洞上方の保護膜中に接合界面が形成され、その接合界面を通して浸入した水分によりはいせんが腐食する問題を解決する。 - 特許庁

The aluminum anode foil for an electrolytic capacitor is obtained by forming a chemical film having a voltage resistance of ≥800 V on etching foil having a mean pit diameter of ≥1.2 μm, preferably, 1.3 μm, and, more preferably 1.4 μm, thus has a voltage resistance of ≥700 V, and satisfactory electrostatic capacitance properties as well.例文帳に追加

本発明の電解コンデンサ用アルミニウム陽極箔は、平均ピット径が１．２μｍ以上、好ましくは１．３μｍ、さらに好ましくは１．４μｍのピットを有するエッチング箔に８００Ｖ以上の化成皮膜を形成しているので、７００Ｖ以上の耐電圧特性を有し、静電容量特性も良好な電解コンデンサ用アルミニウム陽極箔として用いることができる。 - 特許庁

The AC power of commercial power and DC power of a photovoltaic generator 32, are accumulated (charged) in a secondary battery 36 as DC voltage through a bidirectional inverter 34, which is converted into AC power by a DC-AC inverter 38, and then fed to the electric power load 22, or the like, of large capacitance through the AC supply route 30.例文帳に追加

また、太陽光発電装置３２の直流電力及び商用電力の交流電力が双方向インバータ３４を経て直流電圧として二次電池３６で蓄電（充電）される、ＤＣ−ＡＣインバータ３８で交流電力に変換されて交流供給ルート３０により容量の大きい電力負荷２２等に送られる。 - 特許庁

To provide a stationary inductor device capable of increasing an electric device capacitance by improving a cooling efficiency on the surface of a tank to lower a temperature rise on the surface of the tank, or contracting an installation area by miniaturizing a transformer and not permitting an inspector, a worker or the like to touch directly the surface of the tank.例文帳に追加

本発明の課題は、タンク表面での冷却効率を向上させてタンク表面での温度上昇を低下させて電器容量を増加させたり、或いは変圧器の小型化を図り据付面積を縮小すると共に、点検者や作業者等が直接タンク表面に触れることができない静止誘導電器を提供するにある。 - 特許庁

To provide a compound thin film magnetic head equipped with an MR head element of CPP structure which can adjust parasitic capacitance without changing thickness of insulation layers between a substrate and a lower shield layer and between an upper shield layer and a lower magnetic pole layer, thickness, shape and area of a lower shield layer, an upper shield layer and a lower magnetic pole layer.例文帳に追加

基板と下部シールド層との間及び上部シールド層と下部磁極層との間の絶縁層の層厚、下部シールド層、上部シールド層及び下部磁極層の層厚、形状及び面積を変更することなく、寄生キャパシタンスの調整可能な、ＣＰＰ構造のＭＲヘッド素子を備えた複合型薄膜磁気ヘッドを提供する。 - 特許庁

To make it possible to carry out a precise measuring evaluation of a dielectric characteristic of a dielectric in a high frequency band in a minute thin-film capacitance element used for measuring the dielectric characteristic of the thin-film dielectric and a thin-film dielectric characteristic measuring evaluation method.例文帳に追加

薄膜誘電体の誘電特性測定に用いる微小薄膜キャパシタンス素子及び薄膜誘電特性測定評価方法であって、高周波数帯域における誘電体の誘電特性を高精度に測定評価することのできる微小薄膜キャパシタンス素子及びそれを用いた薄膜誘電特性測定評価方法を提供する。 - 特許庁

A plurality of discrete time analog processing circuits 101 are connected in parallel with each other, a gm value and a capacitance of a capacitor in each circuit system are set independently based on a prescribed condition, and an output signal obtained from each circuit system is synthesized by means of a buffer capacitor 102, so that an equivalently high-dimensional IIR filter property is achieved.例文帳に追加

複数の離散時間アナログ処理回路１０１を並列に接続し、各々の回路系統におけるｇｍ値やキャパシタの容量値を、所定の条件に基づいて独立に設定し、各々の回路系統から得られる出力信号をバッファキャパシタ１０２によって合成することにより、等価的に高次なＩＩＲフィルタ特性を実現する。 - 特許庁

Thereby, when acceleration is applied in the excitation direction, the right and left mass parts 3 normally vibrating at the same amplitude and in phases opposite to each other resultantly have amounts of displacements in the same phase, and acceleration in the excitation direction can be detected by detecting the amounts of displacements in the same phase as a change of capacitance by the excitation-direction acceleration detection part 8.例文帳に追加

これにより、励振方向に加速度が印加された場合、普段同振幅かつ逆位相で振動している左右の質量部３は、同位相の変位量を有することになり、その同位相の変位量を静電容量の変化として、励振方向加速度検出部８により検出することで、励振方向の加速度を検出することができる。 - 特許庁

The upper end section (capacity region) of a first radiation conductor 3 that resonates with a radio wave at a relatively low frequency is set to be a wide section 3a in a pair of long and short radiation conductors 3 and 4 that is provided on the surface of the dielectric substrate 2 that is raised on a ground surface 1, thus reducing a resonance frequency by increasing capacitance.例文帳に追加

接地面１上で起立する誘電体基板２の表面に設けた長短一対の放射導体３，４のうち、相対的に低い周波数の電波と共振させる第１の放射導体３の上端部（容量領域）を幅広部３ａとなすことにより、そのキャパシタンスが大きくなって共振周波数を小さくすることができる。 - 特許庁

The electrode metal material where an active carbon layer is deposited and formed is utilized for the double-layer electrode of an electric double-layer capacitor, and carbon particles that are included in the surface compensates for the continuity between the active carbon layer and a valve metal electrode, thus preventing the internal resistance of the electrode from increasing even if the surface oxidation of the valve metal occurs, and maintaining capacitance.例文帳に追加

電極金属材料は、活性炭層が被着形成されて、電気二重層キャパシタの二重層電極に利用され、表面に含まれる炭素粒子が、活性炭層と弁金属電極との導通を補償するので、弁金属の表面酸化によっても、電極の内部抵抗は増加せず、静電容量も保持される。 - 特許庁

A display device includes: a first substrate and a second substrate that face each other; liquid crystal 99 interposed between the substrates; a plurality of measuring scanning lines 26 extended along the substrates between the substrates; and a plurality of capacitance sensing circuits 91 and a plurality of light sensing circuits 81 arranged in planes along the substrates between the substrates.例文帳に追加

互いに対向する第１基板および第２基板と、両基板間に挟持される液晶９９と、両基板間で両基板に沿って延在する複数の計測用走査線２６と、両基板間で両基板に沿って面状に配列された複数の容量センシング回路９１および複数の光センシング回路８１とを備える。 - 特許庁

The first capacitor and the first resistor generate a ripple voltage signal, made to relate to the switch output voltage, so as to supply the ripple voltage signal, namely, which is the ripple voltage signal having the magnitude being a function of a capacitance value of the second capacitor, to the feedback voltage node for the use in the fixed on-time/minimum off-time feedback control scheme.例文帳に追加

それら第１のキャパシタおよび第１の抵抗器は上記スイッチ出力電圧に関連づけられたリプル電圧信号を発生してそのリプル電圧信号、すなわち第２のキャパシタの容量値の関数である大きさを備えるリプル電圧信号を固定オン時間・最小オフ時間饋還制御スキーム用に饋還電圧ノードに供給する。 - 特許庁

In this automatic layout and wiring method, when a semiconductor integrated circuit provided with a differential amplifier 1 comprising two terminals T1, T2 for differential inputs is laid out, a capacitor 2 having an electrostatic capacitance capable of transmitting noise component transmitted to one out of the two terminals to the other of the two terminals is formed at the inside of the semiconductor integrated circuit.例文帳に追加

差動入力のための二つの端子を有する差動増幅器（１）を備えた半導体集積回路がレイアウトされるとき、上記二つの端子の一方に伝達されるノイズ成分を上記二つの端子のうちの他方に伝達可能な静電容量値を有するキャパシタ（２）を半導体集積回路の内部に形成する。 - 特許庁

In the process for fabricating a semiconductor device where the shape of skin surface is detected by detecting the capacitance of the skin surface and a conductive film through a silicon nitride and polyimide film of passivation film, a polyimide film having a thickness of 400-700 nm is formed on the uppermost layer of the semiconductor device at a temperature of 350-380°C.例文帳に追加

パシベーション膜である窒化シリコン及びポリイミド膜を介して皮膚表面と導電膜との容量を検出し、皮膚表面の形状を検出する半導体装置の製造方法において、その半導体装置の最上層に膜厚が４００ｎｍ以上７００ｎｍ以下のポリイミド膜を硬化温度を３５０℃以上３８０℃以下で形成する。 - 特許庁

When mounted on a printed circuit board (120) to connect two segments of a signal line (124), the notch filter and a ground plane (122) of the printed circuit board are united and form a virtual conductive loop having an inductance and a capacitance whose product is the center frequency of the notch of the notch filter.例文帳に追加

プリント回路基板（１２０）上に信号ライン（１２４）の２つのセグメントを接続するように搭載された場合、このノッチフィルタとプリント回路基板（PCB）のアース平面（１２２）が一体となって仮想導体ループが形成され、この仮想導体ループは、あるインダクタンスとキャパシタンスを有し、これらの積はこのノッチフィルタのノッチの中心周波数と等しい。 - 特許庁

To provide a capacitor element having the prescribed capacitance in a laminated composite device in which one or more circuit element patterns are formed on the surfaces of dielectric layers, and the circuit element patterns formed on the circuit element layers are interconnected to constitute an electronic circuit which displays a prescribed function.例文帳に追加

各回路素子層は、誘電体層の表面に、１或いは複数の回路素子パターンを形成してなり、複数の回路素子層に形成された複数の回路素子パターンが互いに接続されて、所定の機能を発揮すべき電子回路を構成している積層型複合デバイスにおいて、所期のキャパシタンスを得ることが出来るコンデンサ素子を提供する。 - 特許庁

To solve problems for device development of a silicon nanowire, concretely for example, solve an expansion problem of an electrode material of an electrochemical element, prevent peeling-off of the material, solve a problem of irreversible capacity, and provide an electrode of the electrochemical element large in battery capacity or capacitance, and a simple and convenient manufacturing method of these.例文帳に追加

シリコンナノワイヤーをデバイス展開するための課題を解決し、具体的には例えば、電気化学素子の電極材料の膨張課題を解決すると共に材料の剥がれを防止しかつ不可逆容量の課題を解決し、電池容量または静電容量が大きな電気化学素子の電極、及びそれらの簡便な製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an optical head mounting an optical means for converging a laser beam being projected onto an optical recording medium in which numerical aperture can be increased through a solid immersion lens and the air gap can be controlled accurately based on the capacitance while simplifying the actuator or signal processing for focus servo furthermore.例文帳に追加

光学記録媒体に照射すべきレーザビームを収束させる光学手段を搭載する光学ヘッドであって、ソリッドイマージョンレンズにより開口数を大きくすることができ、かつ、静電容量に基づいてエアギャップを高精度に制御することができ、しかも、フォーカスサーボのためのアクチュエータや信号処理を一層簡略化することのできるものを提供する。 - 特許庁

To provide a wiring substrate suppressing occurrence of tensile stress and compressive stress of an insulating film layer formed on a substrate and reducing the stress even if it occurs, and suppressing wiring delay by reducing parasite capacitance generated between wiring lines, and also to provide an electrooptical apparatus and an electronic equipment using the same.例文帳に追加

基板上に形成した絶縁膜層の引張り応力および圧縮応力の発生を抑制し、仮に応力が発生してもそれを低減することのできる配線基板、且つ配線間に発生する寄生容量を低減し配線遅延を抑制する基板、それを用いた電気光学装置及び電子機器を提供することを課題とする。 - 特許庁

The semiconductor device at least includes: multiple MOS transistors; capacitance elements having dielectrics made of a piezoelectric material, which are arranged near one specific one or more specific ones of the MOS transistors; and a means for applying a voltage in the direction parallel to the polarization vectors of the dielectrics.例文帳に追加

本発明に係る半導体装置は、複数個のＭＯＳトランジスタと、その中の１つ又は２つ以上の特定のＭＯＳトランジスタの近傍に配され、電歪体材料からなる誘電体を有する容量素子と、前記誘電体の分極ベクトルに平行な方向に電圧を印加する手段とを、少なくとも備えたことを特徴とする。 - 特許庁

Since any one resonator is selected by controlling the capacitance characteristics of the variable capacity diode with an input voltage from the voltage control terminal Vcont to satisfy or not satisfy the oscillation conditions, a frequency switching oscillator where the circuit current required for frequency switching is reduced sharply can be realized.例文帳に追加

そして電圧制御端子Ｖｃｏｎｔからの入力電圧により可変容量ダイオードが有するキャパシタンス特性を制御して発振条件の成立／不成立を起こすことで何れか一つの共振部を選択するよう機能するので、周波数切り替えに要する回路電流を大幅に低減した周波数切替式発振器を実現することができる。 - 特許庁

To make the area of a junction field-effect transistor small and small in parasitic capacitance and to actualize high efficiency and high performance for a semiconductor device, which has mixed mounting of a bipolar transistor and a junction field-effect transistor on a common semiconductor device, and its manufacturing method.例文帳に追加

バイポーラトランジスタと接合型電界効果トランジスタとが共通の半導体基板上に混載されている半導体装置及びその製造方法において、接合型電界効果トランジスタの小面積化、低寄生容量化を達成し、高密度化、高性能化を実現することができる半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

In a MOS type solid-state imaging device, a photodiode element 102 is formed in a particular shape such as H-shape, X-shape, and ring-shape optimized for obtaining a diffusion of electron-hole pairs in a substrate, rather than directly obtaining an electric charge by improving an aperture rate, and by reducing a capacitance, a high photoelectric conversion efficiency is realized.例文帳に追加

ＭＯＳ型固体撮像素子において、フォトダイオード素子１０２が、開口率を向上させて電荷を直接得るよりもむしろ、基板中の電子正孔対の拡散を得るために最適化された、Ｈ字状、Ｘ字状，リング状など特殊な形状に形成されており容量を低減させることにより光電変換効率を向上させる。 - 特許庁

In this ultrasonic probe driving device for pulse generation for giving a pulse to an ultrasonic probe of an ultrasonic flaw detection device, a capacitance variable circuit 20 for adjusting a charge characteristic part of the pulse so as to match with an inherent frequency band of the ultrasonic probe is included, and an adjustment circuit for adjusting a discharge characteristic part of the pulse is installed.例文帳に追加

超音波探傷装置の超音波プローブに対してパルスを与えるパルス発生用の超音波プローブ駆動装置は、超音波プローブの固有の周波数帯域に整合するように上記パルスの充電特性部を調整する静電容量可変回路２０を含み、さらに上記パルスの放電特性部を調整する調整回路を設けている。 - 特許庁

As the reverse bias voltage is applied to the organic EL element 112R or the like by coupling through a sustaining capacitance C_s, a high reverse bias voltage can be easily applied to the organic EL element 112R or the like compared to a process of applying a reverse bias to the organic EL element 112R or the like through a transistor T_Dr.例文帳に追加

このとき、有機ＥＬ素子１１２Ｒ等への逆バイアス電圧の印加は保持容量Ｃ_ｓを介したカップリングによって行われるので、トランジスタＴ_Ｄｒを介して有機ＥＬ素子１１２Ｒ等に逆バイアスを印加した場合よりも、有機ＥＬ素子１１２Ｒ等に対して大きな逆バイアス電圧を容易に印加することができる。 - 特許庁

Furthermore, the power supply device forms a parallel resonance circuit that resonates at the frequency f of AC power fed to a primary winding 6 by using the inductance L_2 of a secondary winding 8 of the air core transformer 4a and stray capacitance C_s that is generated by the Cockcroft-Walton circuit 10a and electrically connected to the secondary winding 8 in parallel therewith.例文帳に追加

しかも、空心変圧器４ａの２次巻線８のインダクタンスＬ_2 と、コッククロフト・ワルトン回路１０ａが生じさせる浮遊容量であって２次巻線８に電気的に並列接続された浮遊容量Ｃ_S とを用いて、１次巻線６に供給される交流電力の周波数ｆで共振する並列共振回路を形成している。 - 特許庁

To provide a device for measuring a leakage current capable of acquiring currents Igc in each phase and as total flowing through a ground electrostatic capacitance of a distribution circuit of three-phase four wires or three-phase three wires of distribution system, and capable of determining the leakage current Igr including no error caused by an unbalanced state, and a phase where the leakage current Igr increases.例文帳に追加

３相４線、又は３相３線式の配電方式配電回路の対地静電容量を通じて流れる各相別及び合計の電流Iｇｃ、アンバランス状態に起因する誤差を含まない漏れ電流Ｉｇｒ及び漏れ電流Ｉｇｒが増大している相の判定を行うことのできる漏洩電流測定装置を提供する。 - 特許庁

A protective circuit of two or more multi-stage connection transistors in diode connection with small parasitic capacitance and no possibility of malfunction, even if input signal more than power supply voltage is applied, is assembled in the internal circuit operated at high frequency band, while a protective circuit made up of a transistor in one diode connection is assembled in the internal circuit operated at low frequency band.例文帳に追加

高周波数帯で動作する内部回路には、寄生容量が小さく、電源電圧以上の入力信号が印加されても誤動作しないダイオード接続した複数のトランジスタによる多段接続の保護回路を組み込み、低周波数帯で動作する内部回路には一つのダイオード接続のトランジスタによる保護回路を組み込む。 - 特許庁

This charge pumping circuit, using a MOSFET in a charge transfer device, is configured so as to control a gate voltage to a fixed level by a divided voltage between a first resistor connected to a source-gate of a MOSFET for charge transfer and a second resistor connected to a drain-gate and to supply a clock pulse for on-off controlling the gate through a capacitance.例文帳に追加

電荷転送素子にＭＯＳＦＥＴを用いたチャージポンプ回路において、電荷転送用ＭＯＳＦＥＴのソース−ゲートに接続した第１の抵抗とドレイン−ゲートに接続した第２の抵抗との分圧電圧によりゲートの電圧を一定レベルに制御し、ゲートをオン・オフ制御するクロックパルスを容量を介して供給するような構成とした。 - 特許庁

The display device includes a transparent electrode 2 formed on a main surface on the side facing a display area, of a cover glass 1 having two opposite main surfaces; and a capacitance, varying according to the size of a touched area formed between a finger 7, in contact with the main surface on the other side of the cover glass 1 and the transparent electrode 2 for detecting varied amounts.例文帳に追加

対向する両主面を有するカバーガラス１において表示領域に対向する側の一主面に形成された透明電極２と、カバーガラス１の他方側の一主面に接触した指７と透明電極２との間に形成され、接触面積の大きさに応じて変化する静電容量の変化量を検出する。 - 特許庁

To provide a gate drive circuit capable of suppressing an increase in a negative peak voltage (an absolute value) of a gate voltage during turn-off of a gate turn-off thyrister (SiC-GTO) using a wide gap semiconductor generated by an increase in crystal defect, and capable of preventing the generation of self-ignition by the internal capacitance of the SiC-GTO.例文帳に追加

ワイドギャップ半導体を用いたゲートターンオフサイリスタ（ＳｉＣ−ＧＴＯ）において、結晶欠陥の増加により生じる、ＳｉＣ−ＧＴＯのターンオフ時におけるゲート電圧の負のピーク電圧（絶対値）の増大を抑制するとともに、ＳｉＣ−ＧＴＯ内部の静電容量による自己点弧を防止するゲート駆動回路を提供すること。 - 特許庁

The object sensor includes a sensor body having the basic constitution as a contact sensor (having a piezo cable 11 as a sensor head), a detection circuit of the contact sensor (contact detection circuit 30) and a detection circuit of the electric capacitance sensor (approach detection circuit 40) using a conductor (shield mesh wire 18) of the sensor body as a detection electrode.例文帳に追加

接触センサとしての基本構成を有するセンサ本体（ピエゾケーブル１１をセンサヘッドとするもの）と、接触センサの検出回路（接触検出回路３０）と、センサ本体の導電体（シールド網線１８）を検出電極として利用する静電容量センサの検出回路（接近検出回路４０）とを備えた構成とする。 - 特許庁

Since the influence of the parasitic capacitance of the piezoelectric vibrator 10 is negated by making the current which flows to the piezoelectric vibrator 10 and the current which flows to the condenser 20 for correction rotate reversely mutually at the center of an iron core 30, and a current phase is metered correctly, the piezoelectric vibrator can be certainly actuated at the resonance point using a control circuit.例文帳に追加

圧電振動子１０に流れる電流と補正用コンデンサ２０に流れる電流を、鉄心３０の芯線を中心に、互いに左右反対に回転させることで、圧電振動子１０の寄生容量の影響が打ち消され、電流位相が正確に計測されるので、制御回路を用いて共振点で確実に駆動することが可能となる。 - 特許庁

An inverting amplifier circuit is configured by connecting a feedback resistor 13 in parallel across an inverter 11, a crystal vibrator 14 is connected between input and output terminals of the inverting amplifier circuit, and oscillation capacitors 15, 16 are connected to the inverting amplifier circuit to provide a fixed load capacitance between a reference level and an oscillation circuit configured thereby.例文帳に追加

インバータ１１の両端に並列に接続された帰還抵抗１３により反転増幅回路を構成し、この反転増幅回路の入出力端に水晶振動子１４が接続されており、これにより構成される発振回路と基準電位の間に固定の負荷容量を与えるために、発振用のコンデンサ１５，１６が接続されている。 - 特許庁

Preferably, the microelectronic system is a microelectronic sensing system capable of sensing physical input such as pressure, vibration, sound, electrical activity (e.g., from muscle activity), tension, blood-flow, moisture, temperature, enzyme activity, bacteria, pH, blood sugar, conductivity, resistance, capacitance, inductance or other chemical, biochemical, biological, mechanical or electrical properties.例文帳に追加

好ましくは、マイクロ電子システムは、圧力、振動、音、電気活性（例えば筋肉活性からの）、張力、血流、水分、温度、酵素活性、細菌、ｐＨ、血糖、導電率、抵抗、キャパシタンス、インダクタンスなどの物理的入力、又は他の化学的、生化学的、生物学的、機械的又は電気的な特性の入力を感知できるマイクロ電子感知システムである。 - 特許庁

To send and receive a high frequency signal reducing a transmission loss by preventing the characteristic impedance of a transmission path of a passing through conductor that connects an electrode pad and a semiconductor device from varying from a predetermined value (50 Ω) due to the generation of unnecessary capacitance between an inner layer ground conductor and the electrode pad in an insulating substrate.例文帳に追加

絶縁基板内の内層接地導体と電極パッドとの間で不要なキャパシタンスが発生し、これが電極パッドと半導体素子とを接続する貫通導体等の伝送路の特性インピーダンスを所定値（５０Ω）から変化させるのを防ぎ、高周波信号を伝送損失を小さくして送受信し得るようにすること。 - 特許庁

A plurality of U-shaped heat pipes connected to the back sheet metal 36 and the intermediate sheet metal 34 are provided to appropriately suppress temperature variation (temperature gradient) in a liquid crystal module 11 without disposing a member such as a heat sink on the backside of the back sheet metal 36 and without increasing the variation in the stray capacitance.例文帳に追加

また、背面板金３６と中間平板金３４とに接続される複数並べられたＵ字状のヒートパイプを備えることで、背面板金３６の裏側にヒートシンク等の部材を設けることなく且つストレキャパシタンスのばらつきを増大させることなく液晶モジュール１１内の温度ばらつき（温度勾配）を適切に抑制する。 - 特許庁

In a boosting potential generating circuit provided with a capacitive MOS transistor and a transfer MOS transistor and used for a DRAM comprising memory cells, a boosting potential generating circuit of small area and large capacitance can be realized by making a gate insulation film of the capacitive MOS transistor a thinner film than a gate insulation film of a MOS transistor constituting a memory cell.例文帳に追加

容量ＭＯＳトランジスタとトランスファＭＯＳトランジスタとを備え、メモリセルを含むＤＲＡＭに使用される昇圧電位発生回路において、容量ＭＯＳトランジスタのゲート絶縁膜を、メモリセルを構成するＭＯＳトランジスタのゲート絶縁膜の膜厚よりも薄い膜厚にすることにより、小面積で大容量の昇圧電位発生回路を実現する。 - 特許庁

The present invention uses the transparent piezoelectric sheet with a contour of the first transparent plane electrode part including a contour of the second transparent plane electrode part in top view, or with the contour of the second transparent plane electrode part including the contour of the first transparent plane electrode part in top view, combinedly with a resistance film type or an electrostatic capacitance type touch panel.例文帳に追加

第１透明平板電極部の輪郭が、平面視において第２透明平板電極部の輪郭を包含するか、または第２透明平板電極部の輪郭が、平面視において前記第１透明平板電極部の輪郭を包含する透明圧電シートを、抵抗膜型あるいは静電容量型タッチパネルと組み合わせて使用する。 - 特許庁

The acceleration sensor device 9 comprises: a capacitance electrode 2 in which a plurality of electrodes 2a, 2b are arrayed in a row and vertically face each other through a space 1; elastic members 4 disposed from both ends toward the center in the space 1; and a dielectric block 3 accommodated between the elastic members 4 in the space 1.例文帳に追加

それぞれ１列に配列された複数の電極２ａ，２ｂが間に空間１を配して上下に対向してなる容量電極２と、空間１の両端部から中央部に向けてそれぞれ配置された弾性部材４と、空間１の弾性部材４間に収容された誘電体ブロック３とを具備する加速度センサ装置９である。 - 特許庁

This ferroelectric memory device includes: a reference program part for adjusting and outputting the voltage of a reference level control signal by using a programmable register device to control the on/off of a switch for adjusting the capacitance of a capacitor connected to a driving power source; and a reference voltage generating part for outputting the reference voltage in accordance with the reference level control signal.例文帳に追加

強誘電体メモリ装置は、プログラマブルレジスタ装置を利用し、駆動電源に連結されたキャパシタの容量を調節するスイッチのオン・オフを制御することにより、レファレンスレベル制御信号の電圧を調節して出力するレファレンスプログラム部、及び前記レファレンスレベル制御信号に応じてレファレンス電圧を出力するレファレンス電圧発生部を含む。 - 特許庁