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Channel Vの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 128件
An image reconstruction device 22 computes a decay rate a(u, v) of each channel (u, v) by multiplying a channel constant k(u, v) by an output value I_ref of the reference channel, dividing its product by output I(u, v) of each channel with the analyte mounted, and logarithmically converting its quotient.例文帳に追加
画像再構成装置22は、チャンネル定数k(u,v)に、リファレンスチャンネルの出力値I_refを乗じ、被検体が設置された状態における各チャンネルにおける出力I(u,v)で除したものを、対数変換したものとして、各チャンネル(u,v)の減衰率a(u,v)を算出する。 - 特許庁
The channel includes a first III-V compound semiconductor material formed of group III and group V elements.例文帳に追加
チャネルは、III族元素とV族元素から構成される第一III-V族化合物半導体材料からなる。 - 特許庁
The case 30 demarcates a channel V to receive the adjustment and an adjacent channel B next to the channel V to receive the adjustment.例文帳に追加
胴体部分30は、調節を受ける流路Vと、調節を受ける流路Vに隣接する一定流路Bとを画定する。 - 特許庁
Namely, V(t) is obtained in each channel by the equation V(t)=Va(t)-V(b)*Ra/Rb, and the range where V(t) exceeds a prescribed threshold is extracted, to thereby extract a defect expectation region D.例文帳に追加
すなわち、V(t)=Va(t)-V(b)*Ra/Rb により、各チャンネルごとにV(t)を求め、これが所定の閾値を超える範囲を抽出することにより、欠陥候補領域Dを抽出する。 - 特許庁
To provide a Ge channel element small in hysteresis in a C-V characteristic.例文帳に追加
C−V特性におけるヒステリシスの小さなGeチャネル素子を得る。 - 特許庁
An R→V converting circuit 20 converts impedances of respective electrodes of a LEFT channel, a RIGHT channel, and a MIDDLE channel of a plug connected to the jack interface 10 into voltage values of V-LEFT 201, V-RIGHT 202, and V-MIDDLE 203, and outputs them.例文帳に追加
R→V変換回路20は、ジャックインターフェース10に接続されたプラグのLEFTチャンネル、RIGHTチャンネル、およびMIDDLEチャンネルの各極のインピーダンスを、V−LEFT201、V−RIGHT202、およびV−MIDDLE203の電圧値へ変換して出力する。 - 特許庁
A V channel 20 along the peripheral direction is provided in a fringe part of a raceway surface 8 of the inner ring and an opening part 25 of the oil supply hole 21 is formed on a first slope 20a of the V channel 20.例文帳に追加
内輪軌道面8の縁部に周方向に沿うV溝20を設け、V溝20の第1の斜面20aに給油孔21の開口部25を形成する。 - 特許庁
The liner is supported in the V-shaped channel by at least one row of shock mounts on either side of the channel.例文帳に追加
ライナーは、チャンネルの両側部の上の少なくとも一列の緩衝取付け具によりL字形チャンネル内に支持される。 - 特許庁
By bending the panel along the V-shaped channel of the core material, a corner panel is formed.例文帳に追加
そして、前記芯材の溝部に沿って当該パネルを折り曲げてコーナーパネルを形成する。 - 特許庁
A positioning rod 25 is placed in two V channels 22 of the stem 21, the V channel 24 is engaged with the positioning rod 25 for mounting the optical element 23, and a V channel 29 is engaged with the positioning rod 25 for mounting the fiber-fixing tool 27.例文帳に追加
ステム21の2つのV溝22に位置合わせ棒25を載置し、位置合わせ棒25にV溝24を係合させて光素子23を搭載し、さらに位置合わせ棒25にV溝29を係合させてファイバ固定具27を搭載する。 - 特許庁
A drainage pump V is incorporated into a frame body of a gate for opening and closing a channel, the pump V is connected to a driver 23 through a power transfer mechanism (decelerator) 21, and water in one side of the closed channel is discharged by driving the pump V with the driver 23 in a state to close the channel.例文帳に追加
水路を開閉するゲートの枠体35に排水用のポンプVを組み込み、ポンプVを動力伝達機構(減速機)21を介して駆動機23に接続し、水路を閉じた状態でポンプVを駆動機23によって運転することにより閉じた水路の一方の側の水を排水する。 - 特許庁
As a result, a control signal ψE comes to 0 v to turn on a P-channel MOS transistor P1.例文帳に追加
その結果、制御信号φEは0Vとなり、PチャネルMOSトランジスタP1はオンされる。 - 特許庁
The pump V is so set that a rotary shaft 20 thereof is approximately parallel with the flow of the channel.例文帳に追加
ポンプVはその回転軸20が水路の流れに略水平になるように設置される。 - 特許庁
This rib 72 includes a channel 72a of the V-shaped cross section, in response to the V-shaped cross section of the electrical line receiving part 83.例文帳に追加
このリブ72が電線受け部83の断面略V字形状に対応する断面略V字状溝72aを有していることを特徴としている。 - 特許庁
There are a method for inputting the viewpoint images M(v) in parallel by an independent channel for each viewpoint, and a method for inputting the viewpoint images M(v) in series by one channel as interleaved signals.例文帳に追加
視点画像M(v)は各視点毎に独立したチャンネルで並列に入力する方法と、各視点の信号がインターリーブされた信号として1つのチャンネルでシリアルに入力する方法がある。 - 特許庁
To provide a method in which a beautiful V-shaped channel is implemented in high productivity in processing for molding the V-shaped channel when hinge structure is given to a thick foam sheet, and to provide an apparatus for the method.例文帳に追加
厚手の気泡シートにヒンジ構造を与える場合に行なう、V字溝を成形する加工において、美麗なV字溝を高い生産性をもって実施する方法と、装置を提供すること。 - 特許庁
The elastic connection member 5 comprises an extendable and flexible part 7 bent in V-shape from the inner surface side of the water channel parts to the outside of the water channel parts.例文帳に追加
弾性接合部材5は、水路の内面側から水路外方に向けてV字状に屈曲する伸縮屈曲部7を具える。 - 特許庁
The channel switch 12 is thrown to a channel that is discriminated as no error by the channel selection discrimination section 10 and any of the synchronizing signals F/V/H without any error can be outputted to the system.例文帳に追加
選択スイッチ12は、チャンネル選択判定部10でエラーがないと判定されたチャンネル側に切り換えられ、エラーのないチャンネルの同期信号F/V/Hがシステム側に出力される。 - 特許庁
V may be selected to achieve a desired spatial diversity order and channel estimation overhead order.例文帳に追加
Vは、所望の空間ダイバーシティ次数およびチャネル推定オーバヘッド次数を実現するように選択されうる。 - 特許庁
The terminal station selects a wireless channel B, when a speed V of a vehicle is a reference speed V1 or lower on the basis of a speed V of the vehicle on which the terminal station is mounted, and selects a wireless channel A, when the speed V of the vehicle is higher than the reference speed V1.例文帳に追加
端末局は、この端末局が搭載された車両の速度Vに基づいて、車両の速度Vが基準速度V1以下のときには、無線チャンネルをBにし、車両の速度Vが基準速度V1より大きいときには、無線チャンネルをAにする。 - 特許庁
And the first positive voltage +3 V is applied to a control gate connected to the word lines WL32-WL63, potential difference between the control gate (+3 V) and the channel layer (0 V) is made small, an electric field between a floating gate and the channel layer is reduced, and a substrate disturbance is relaxed.例文帳に追加
そうして、ワード線WL32〜WL63に接続された制御ゲートに第1の正電圧+3Vが印加され、制御ゲート(+3V)とチャネル層(0V)との電位差が小さくなって、フローティングゲートとチャネル層との間の電界を減少させ、基板ディスターブを緩和する。 - 特許庁
The molded article 1 is pushed up from the underside of the V-shaped receiving channel 17 by means of a member 15 brought into contact with the runner 3.例文帳に追加
成形品1をV状受溝17の下側からランナー3に当接した部材15により押し上げる。 - 特許庁
Synchronizing signals F/V/H detected by each channel respectively are fed to a selector switch 12.例文帳に追加
一方、各チャンネルでそれぞれ検出された同期信号F/V/Hは、選択スイッチ12にそれぞれ供給される。 - 特許庁
This frame side positioning member 66 comprises a V-channel 661, a positioning pin 662 and a fitting screw hole 663.例文帳に追加
このフレーム側位置決め部材66は、V溝661と位置決めピン662と取付ネジ穴663とを有する。 - 特許庁
Meanwhile, the external signal ψC exceeding 3.6 V turns on the P-channel MOS transistor 10 to come a control signal ψF outputted from a differential amplifier circuit 9 to 0 V.例文帳に追加
一方、外部信号φCが3.6Vを超えると、PチャネルMOSトランジスタP10がオンされ、差動増幅回路9から出力される制御信号φFは0Vとなる。 - 特許庁
A sectional V-shaped channel forming blade is inserted to a depth in the middle of a thickness direction, from one main surface side of an unbaked ceramic mother board, to form a child board dividing break channel having V-shaped sectional shape, and a break channel for removing an outer peripheral area is formed by laser scribing.例文帳に追加
断面V字状の溝形成刃を未焼成セラミック母基板の一方主面側から、厚さ方向の途中の深さまで挿入して、断面形状がV字状の子基板分割用ブレイク溝を形成するとともに、レーザースクライブにより、外周領域除去用ブレイク溝を形成する。 - 特許庁
The reaction reactor 109 has an upstream first reactor section 107 having a larger surface area/volume ratio (S/V ratio) of the reaction channel and a downstream second reactor section 108 having a smaller surface area/volume ratio (S/V ratio) of the reaction channel.例文帳に追加
反応リアクタ109は、反応流路の表面積/体積比(S/V比)が大きい上流側の第1のリアクタ部107と、反応流路の表面積/体積比(S/V比)が小さい下流側の第2のリアクタ部108とを有する。 - 特許庁
The relay 3 is connected to the inspection channel 22 and 0 V is applied to the relay from the inspection channel 22 and VDD is applied from the power supply unit 21 and the current value from the inspection channel 22 is measured to inspect the connection of the power supply terminals.例文帳に追加
リレー3を検査チャネル22に接続し検査チャネル22より0Vを印加し、電源ユニット21よりVDDを印加し、検査チャネル22より電流値を測定することにより電源端子の接続を検査する。 - 特許庁
When voltage applied to the P type well 123 is changed to -5 V, a depletion layer 124 is formed in the channel.例文帳に追加
P型ウェル123に対して印加される電圧が−5Vに変化すると,チャネルに空乏層124が形成される。 - 特許庁
Then N channel MOS transistor 66 fixes an output of an internal circuit 28a operated by a power source of 1.5 V group.例文帳に追加
NチャネルMOSトランジスタ66は、1.5V系統の電源で動作する内部回路28aの出力を固定する。 - 特許庁
An external signal ψC inputted from a pad 2 of less than 3.6 V turns off a P-channel MOS transistor P10.例文帳に追加
パッド2から入力される外部信号φCが3.6V未満の場合、PチャネルMOSトランジスタP10はオフとなる。 - 特許庁
Meanwhile, a channel region of a MOS transistor operating at the 3 V is formed on a deep well and electrically isolated.例文帳に追加
一方、3Vで動作するMOSトランジスタのチャネル領域は、ディープウェルに形成されて電気的に分離されている。 - 特許庁
An element 20 constituting a housing element as the electromagnetic wave shielding member is molded into a shape including a V-shaped channel 24 having the V-shaped cross-section on a single surface in the thickness direction with the conductive resin.例文帳に追加
電磁波シールド部材である筐体要素を構成する素材20を、導電性樹脂により、厚さ方向片面に断面V字形のV字溝24を有する形状に成形する。 - 特許庁
Memories 12 and 22 of the control part 10 and the modem part 20 store a program for transmitting the picture information data on the control channel by the extended T.30 standard and a program for transmitting the picture information data on the primary channel on the basis of the V.34 standard.例文帳に追加
制御部10およびモデム部20のメモリ12,22には、拡張したT.30規格により画情報データを制御チャネルで送信するプログラムと、V.34規格準拠により画情報データをプライマリチャネルで送信するプログラムとが格納されている - 特許庁
Video-signal processing circuits 111, 112 to 11n in each channel for the video processing circuit 10 are supplied with a positive power-supply voltage +V and a ground voltage GND, and output driver circuits 121, 122 to 21n in each channel for the video processing circuit 10 are supplied with the positive power-supply voltage +V and a negative power-supply voltage -V.例文帳に追加
映像処理回路10の各チャネルの映像信号処理回路111,112,・・・,11nに正電源電圧+Vと接地電圧GNDを供給し、映像処理回路10の各チャネルの出力駆動回路121,122,・・・,21nに正電源電圧+Vと負電源電圧−Vを供給する。 - 特許庁
Furthermore, the MODEMs exchange the identification information in a control channel startup procedure in compliance with the ITU-T recommendations V.34.例文帳に追加
また、該識別情報を、ITU−T勧告V.34準拠の制御チャネルスタートアップ手順中において、情報交換する。 - 特許庁
The overpack is separable into an upper and lower section with the lower section having a V-shaped channel extending along its longitudinal axis.例文帳に追加
オーバーパックは上方部分及び下方部分に分離可能であり、下方部分は縦方向に延びるV字形チャンネルを有する。 - 特許庁
To provide a semiconductor device with a group III-V channel and a group IV source and drain, and to provide also a method for manufacturing the semiconductor device.例文帳に追加
III−V族チャネルとIV族ソース−ドレインとを有する半導体デバイス及びその製造方法を提供する。 - 特許庁
The molded article 1 is slid into a V-shaped receiving channel 17 on the top face of a receiving member 14 obliquely provided from a shoot 10 to restrict its direction.例文帳に追加
成形品1をシュート10から斜設した受部材14上面のV状受溝17に滑入して方向を規制する。 - 特許庁
In an image decoding method, it is determined whether deblock filtering is performed on each border between adjacent blocks in a reference image for a luminance channel (Y) and a chrominance channel (U, V), respectively.例文帳に追加
画像復号方法及び復号装置は、輝度チャンネルとクロミナンスチャンネルの各々について、基準画像内の隣接するブロックの境界毎にデブロックフィルタリングを行なうか否かを判定する。 - 特許庁
A current flowing to respective inverters is controlled by the current flowing to the P channel transistor P1 of a V-I conversion part 10 and the P channel transistor P3 for constituting a current mirror circuit.例文帳に追加
各インバータに流れる電流は、V−I変換部10のPチャンネルトランジスタP1とカレントミラー回路を構成するPチャンネルトランジスタP3を流れる電流によって制御される。 - 特許庁
After that, the drain side select-gate line SGD is set to VSG3, 0 V is transferred to only a channel of a selection memory cell (time t4).例文帳に追加
この後、ドレイン側セレクトゲート線SGDが、VSG3に設定され、選択メモリセルのチャネルのみに0Vが転送される(時刻t4)。 - 特許庁
Hence the PNP transistor 5 and the n channel MOS transistor 6 are both turned on, and the 5 V power supply voltage is supplied to the drive IC 3.例文帳に追加
そのため、PNPトランジスタ5、nチャネルMOSトランジスタ6は共にオンとなり、電源電圧5VがドライブIC3に供給される。 - 特許庁
The general calling setting device 6 receives the calling extension request 7 and extends the general calling channel to a free slot (voice (V) channel 4d) to which a center device 1b having relayed the calling extension request 7 firstly can assign the channel.例文帳に追加
一斉通話設定装置6は通話拡張要求7を受信し、通話拡張要求7を最初に中継した中央装置1bがチャネルをアサイン可能な空きスロット(音声(V)チャネル4d)へ、一斉通話チャネルの拡張を実行する。 - 特許庁
Since the V-channel 51 communicates with the downstream side end of the paper transfer direction of the ink-absorbing member 53 along the underside of the ink-absorbing member 53, the surplus inks flow through the V-channel 51 and reach the entire area below the ink-absorbing member 53.例文帳に追加
ここで、V溝51がインク吸収部材53の下面に沿ってのインク吸収部材53の用紙搬送方向下流側端部にまで連通しているため、余剰インクはV溝51を流通してインク吸収部材53の下方全域にわたって到達可能である。 - 特許庁
A channel region of a MOS transistor operating at the 0.5 V is electrically isolated by a trench and a deep well formed in a shallow well.例文帳に追加
そして、0.5Vで動作するMOSトランジスタのチャネル領域は、シャローウェルに形成されてトレンチとディープウェルとで電気的に分離されている。 - 特許庁
Hence a PNP transistor 5 and an n channel MOS transistor 6 are both turned off, and a 5 V power supply voltage is not supplied to a drive IC 3.例文帳に追加
そのため、PNPトランジスタ5、nチャネルMOSトランジスタ6は共にオフとなり、電源電圧の5VはドライブIC3には供給されない。 - 特許庁
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