「Channel V」に関連した英語例文の一覧と使い方(2ページ目) - Weblio英語例文検索

In the inverter, each arm A contains normally-on elements P and N-channel MOS transistors Q connected in series, built-in diodes D for the N-channel MOS transistors Q are used as free wheel diodes and the breakdown voltage of each N-channel MOS transistor Q is 10 to 50 V.例文帳に追加

このインバータでは、各アームＡは直列接続されたノーマリーオン素子ＰおよびＮチャネルＭＯＳトランジスタＱを含み、ＮチャネルＭＯＳトランジスタＱの内蔵ダイオードＤはフリーホイールダイオードとして使用され、ＮチャネルＭＯＳトランジスタＱの耐圧は１０〜５０Ｖである。 - 特許庁

The water flowing in the closed section water channel 3 collides against a face directed on the upstream side of the closed section water channel 3 in a lower end part of the suction bellmouth 6 to reduce a flow rate V at just upstream position of the vertical shaft pump P in the closed section water channel 3.例文帳に追加

閉断面水路３を流れる水を吸込ベルマウス６の下端部における閉断面水路３の上流側に指向している面６Ａに衝突させて、閉断面水路３内における立軸ポンプＰの直上流位置の流速Ｖを減少させる。 - 特許庁

In the behavior that the seal material 21 leaves the mounting channel 11, the wire 31 moves to protrude gradually from a flat part 23 of the seal material 21 along an inclined face 29 on a terminal side of a V-channel part 26 provided in the seal material 21.例文帳に追加

装着溝11からシール材21が離脱する挙動において、シール材21に設けたＶ溝部26の基端側の傾斜面29に沿って、線材31がシール材21の平坦部23から徐々に突出するように移動する。 - 特許庁

An optical fiber 16 of each channel in an optical fiber array 18 arrayed in V grooves 12 has a part having a core 50 broken (reflection part 60) on the way.例文帳に追加

Ｖ溝１２に整列された光ファイバアレイ１８において、各チャネルの光ファイバ１６は、その途中でコア５０が途切れた部分（反射部６０）を有する。 - 特許庁

The shape of the arm is the shape suitable for clamping the part of the living body such as a V shape, a U shape, a C shape, a channel shape, a W shape, and an E shape.例文帳に追加

アームの形状は、Ｖ字型、Ｕ字型、Ｃ字型、コの字型、Ｗ字型、Ｅ字型であり、生体の一部の挟持に適した形状となっている。 - 特許庁

A tone mapping part 2 uses each map image stored in the tone map storage part 1 on a set of (U, V) channel images to generate map images.例文帳に追加

色合写像部２は一組の（Ｕ，Ｖ）チャネルの画像に対して、色合写像記憶部１に記憶されている各写像画像を用いて写像画像を生成する。 - 特許庁

A stabilization voltage V_REF is supplied to a gate of an N-channel MOS transistor of a switch SWO of the V-I converters 30, 20 during the calibration operation.例文帳に追加

Ｖ・Ｉ変換器３０、２０のスイッチ素子ＳＷ0のＮチャンネルＭＯＳトランジスタのゲートに、校正動作の間に安定化電圧Ｖ_REFが供給される。 - 特許庁

In this pneumatic tire hating a block pattern formed on the tread part, the block patterns substantially constitute a V-shape in a pair, and the angle of the V-shaped block side wall 3 in the radial direction from the tread part 4 to the channel bottom 5 is gradually decreased from the front part of the V-shape to the rear part thereof.例文帳に追加

トレッド部の踏面部にブロックパターンが形成されている空気入りタイヤにおいて、前記ブロックパターンのブロック１が一対で実質上矢羽形状を構成し、該矢羽形状のブロック側壁３が踏面部４から溝底５に向けて径方向に対しなす角度が、該矢羽形状の前方部から後方部に向けて漸次減少している。 - 特許庁

The start of the DC-DC converters of the first channel and the second channel is started, when output voltages Vo1 and Vo2 become 0 (V) or less, in comparators COMP1 and COMP2.例文帳に追加

コンパレータＣＯＭＰ１およびＣＯＭＰ２において、出力電圧Ｖｏ１およびＶｏ２が０（Ｖ）以下の値となることが検出されることに応じて、第１チャンネルおよび第２チャンネルのＤＣ−ＤＣコンバータの立ち上げが開始される。 - 特許庁

The optical switch 1 is equipped with a base substrate 2, where a plurality of V-grooves 4 extending vertically to the width direction of the optical switch 1 are formed across a channel part 3 and optical fibers 5a-5d are arranged in each V-groove 4.例文帳に追加

光スイッチ１はベース基板２を有し、このベース基板２には、光スイッチ１の幅方向に対して垂直な方向に延びる複数本のＶ溝４が溝部３を挟んで形成され、各Ｖ溝４内には光ファイバ５ａ〜５ｄが配置されている。 - 特許庁

When 1 V is applied to the P type well 123, electric charges are injected into a channel (P type well 213) from a source 116 and a drain 117 by its forward bias (a).例文帳に追加

Ｐ型ウェル１２３に１Ｖが印加されると，その順方向バイアスによって，ソース１１６およびドレイン１１７からチャネル（Ｐ型ウェル１２３）に電子が注入される（ａ）。 - 特許庁

Thereafter, the housing element is formed where a conductive part is exposed to a mark of crack or to a cracking part by cracking the element 20 at the V-shaped channel part 24.例文帳に追加

その後、素材２０をＶ字溝２４部分で割ることにより、割れ跡または割れ目に導電性を有する部分を露出させた筐体要素を構成する。 - 特許庁

With the current-voltage characteristics of the P-channel thin-film transistor having the structure, the leakage current is equal to or less than 10-12 A when the drain voltage is equal to 1 V.例文帳に追加

前記構造を有するＰチャネル型薄膜トランジスタの電流−電圧特性は、ドレイン電圧が１Ｖの時、リーク電流は１０^-12Ａ以下であることを特徴とする。 - 特許庁

A memory cell in which threshold voltage in the non-selection block BLOCK1 is low state is turned on, and a channel layer formed on the memory cell being turned on is made reference voltage 0 V.例文帳に追加

上記非選択ブロックBLOCK1内のしきい値電圧が低い状態のメモリセルがオンして、そのオンしたメモリセルに形成されたチャネル層が基準電圧０Ｖとなるようにする。 - 特許庁

A p-type channel well region 3 is formed in the surface layer part of an n-type epitaxial layer 2 on an n+-substrate 1 and a V-shaped groove 4 is formed in the region 3.例文帳に追加

ｎ^+ 型基板１の上のｎ型エピタキシャル層２の表層部にはチャネルｐウエル領域３が形成され、ｐウエル領域３にはＶ字型溝４が形成されている。 - 特許庁

A first noise-suppressing section 32 subtracts the spectrum Nw[j] of a stationary noise from the spectrum X[j] of an acoustic signal V[j] of each channel, coresponding to a subtraction coefficient α.例文帳に追加

第１雑音抑圧部３２は、定常雑音のスペクトルＮw[j]を減算係数αに応じた度合で各チャネルの音響信号Ｖ[j]のスペクトルＸ[j]から減算する。 - 特許庁

It can be easily judged on the basis of the evaluation of I-V characteristics of the pin diode whether the channel region formed of the intrinsic semiconductor layer is of p-type or n-type.例文帳に追加

ｐｉｎダイオードのＩ−Ｖ特性の評価から真性半導体層にて形成されるチャネル領域がｐ型またはｎ型のいずれか容易に判別できる。 - 特許庁

To reduce a current collapse phenomenon of a semiconductor transistor having a group III-V nitride semiconductor as a channel region.例文帳に追加

III−Ｖ族窒化物半導体をチャネル領域とする半導体トランジスタの電流コラプス現象の低減を図ることができ半導体トランジスタの製造方法を提供すること。 - 特許庁

A receiver acquires a channel matrix H using a reference signal from a transmitter and performs singular value decomposition thus obtaining a transmission weight V and a reception weight U^H of downlink.例文帳に追加

受信機は、送信機からのリファレンス信号を用いてチャネル行列Ｈを取得して特異値分解し、ダウンリンクの送信重みＶと受信重みＵ^Hを得る。 - 特許庁

In the case of reception, maximum data rate of modem transmitting channel is set at 26400 bit/s in V.34 mode (step S4), the ISP is called and mail data is received (step S5).例文帳に追加

また、受信の場合、モデムの送信チャネルをＶ．３４モードで最高データレートを２６４００ｂｉｔ／ｓに設定し（ステップＳ４）、ＩＳＰへ発呼して、メールデータの受信を行う（ステップＳ５）。 - 特許庁

The lip channel steel 10 of this invention is characterized by having a cross-sectional V-shaped folding part 18 extending in the longitudinal direction to at least a lip wall 14 and a rear back wall 16.例文帳に追加

本発明のリップ溝形鋼１０は、少なくともリップ壁１４と後背壁１６とに長手方向に延伸する断面Ｖ字形の折れ部１８を有することを特徴とする。 - 特許庁

To provide a vertical TFT transistor (V-TFT) structure which has a short channel length and is used in order to make a transistor without the limitation related with the photolithography, and its process flow.例文帳に追加

短いチャネル長を有し、フォトリソグラフィに関連づけられた制限のないトランジスタを作るために用いられる縦型ＴＦＴ（Ｖ—ＴＦＴ）トランジスタ構造およびプロセスフローを提供すること。 - 特許庁

The sensor attaching part 28 having a V-groove 29, and an insertion hole 31 for inserting the pressure-sensitive sensor is formed separately from the run channel 23, and is engaged with an attached part 23a, of a substantial triangle cross-section, of an in-cabin side end part for constituting one part of the run channel 23.例文帳に追加

Ｖ溝２９と、感圧センサが挿入される挿入孔３１を有するセンサ取付部２８をランチャンネル２３と別個に成形し、ランチャンネル２３の一部を構成する室内側端部の断面略三角形をなす被取付部２３ａに嵌合する。 - 特許庁

MODEMs making communication with each other exchange identification information denoting whether or not data including modulation parameters are to be exchanged in the case of control channel re-synchronization procedure in compliance with the recommendations V.34 before start of the control channel re-synchronization procedure.例文帳に追加

通信し合うモデム装置相互間で、勧告Ｖ.３４準拠の制御チャネル再同期手順の際に変調パラメータを含んだデータを交換し合うかどうかを示す識別情報に関し、該制御チャネル再同期手順が始まる前に、情報交換し合う。 - 特許庁

That is, even in the case where light with a wavelength of 350 nm is irradiated at 1×10^13 photons/cm^2sec, a channel region of a transistor is formed using an oxide semiconductor in which an amount of variation in the threshold voltage is less than or equal to 0.65 V, preferably less than or equal to 0.55 V.例文帳に追加

すなわち、３５０ｎｍの波長の光を１×１０^１３個／ｃｍ^２・ｓｅｃのフォトン数で照射された場合であっても、しきい値電圧の変動量が０．６５Ｖ以下、好ましくは０．５５Ｖ以下となる酸化物半導体でトランジスタのチャネル領域が形成されるようにする。 - 特許庁

In the packaging bag 100 composed of a sheet material 200, and consisting of seal parts 1, 2, 3 and 6 and a bag part 4 filled with a content 5, non-cutting channel parts 7 and 8 with an I shape or a V shape toward the bag part 4 are formed on both faces of edge parts of the seal parts 3 and 6 by laser processing.例文帳に追加

シート材２００からなりかつシール部１，２，３，６と内容物５が充填される袋部４とからなる包装袋１００において、シール部３，６の縁部の両面に、袋部４に向かうI形又はV形などの非切断溝部７，８をレーザー加工により形成した。 - 特許庁

Linearly tilted receiving surfaces 15 and 15 are provided on the connection end portions 3 and 3 of the water channel parts 2 and 2 on the water channel inner surface sides, and V-shaped surfaces 17 formed of the receiving surfaces adjacent to each other support both sides 19a and 19a of the outer surface 19 of the extendable and flexible part 7 receiving the internal hydraulic pressure.例文帳に追加

水路部２，２の接合端部分３，３の水路内面側には、直線状に傾斜する受面１５，１５が設けられ、隣り合う受面が形成するＶ字状の面１７が、内水圧を受けた伸縮屈曲部７の外面１９の両側１９ａ，１９ａを支持する。 - 特許庁

An output routing network that routes the compressed A/V data to each of the users over a corresponding communication channel via a second interface, and the compression unit is operable to modify a compression rate responsive to current characteristics of the corresponding communication channel for each user to optimize performance of the applications.例文帳に追加

出力ルーティングネットワークは、圧縮されたＡ／Ｖデータを、第２のインターフェイスを経、対応する通信チャンネルを経て各ユーザへルーティングし、圧縮ユニットは、各ユーザの前記対応する通信チャンネルの現在特性に応答して、アプリケーションの性能を最適化するように圧縮レートを変更する。 - 特許庁

To display some video images when a user selects a physical channel to which no logical channels correspond in a digital television broadcasting receiver to which a V chip 2.0 is mounted.例文帳に追加

Ｖチップ２．０が搭載されたデジタルテレビ放送受信装置において、論理チャンネルが対応付けられていない物理チャンネルをユーザが選択したときに、何らかの映像表示が行われるようにする。 - 特許庁

A plurality of engaging pieces 11 are provided at the outer periphery of the stopper ring 9, and a V-shaped bent part 12 engageable with an engaging channel 4 at the outer periphery of the outer ring 1 is provided in the engaging piece 11.例文帳に追加

ストッパリング９の外周に複数の係合片１１を設け、その係合片１１に外輪１外周の係合溝４に対して係合可能なＶ形折曲部１２を設ける。 - 特許庁

In the case of transmission, maximum data rate of modem receiving channel is set at 26400 bit/s in V.34 mode (step S2), an ISP is called and mail data stored at a storage section is transmitted (step S3).例文帳に追加

送信の場合、モデムの受信チャネルをＶ．３４モードで最高データレートを２６４００ｂｉｔ／ｓに設定し（ステップＳ２）、ＩＳＰへ発呼して、記憶部に蓄積されたメールデータの送信を行う（ステップＳ３）。 - 特許庁

To provide a technology which can follow and select an audio channel selected by a user even when a program or the like are switched, in an A/V device reproducing a program including plural audio data stream.例文帳に追加

複数のオーディオデータストリームを含むプログラムを再生するＡ／Ｖ機器において、プログラム等が切り換わった場合でも、使用者により選択されたオーディオチャネルを追従して選択できる技術を提供する。 - 特許庁

The demodulator 80 add the noise power v to the signal having the plurality of the symbols extracted from the plurality of the channel signals F1-FN, decodes its addition signal and outputs data DATA.例文帳に追加

復調器８０は、複数のチャネル信号Ｆ_１〜Ｆ_Ｎから抽出した複数のシンボルからなる信号に雑音電力ｖを加算し、その加算信号を復号してデータＤＡＴＡを出力する。 - 特許庁

The method includes: estimating (501) a downlink channel matrix H; performing (502) the SVD decomposition to obtain right singular matrix V; calculating (504) each element of a phase matrix V_L-phase from L column vectors V_L of V; and, based on these values, constructing (505) a precoder filter by calculating each element of a precoder with equal power distribution.例文帳に追加

ダウンリンクのチャネル行列Ｈを推定（５０１）し、ＳＶＤ分解を行なう事により右特異行列Ｖを得（５０２）、ＶのＬ個の列ベクトルＶ_Ｌから位相行列Ｖ_Ｌ−ｐｈａｓｅの各要素を計算し（５０４）、この値からパワー配分を均等にプリコーダの各係数を求め、プリコーダフィルタを構成（５０５）する。 - 特許庁

The prescribed number of V-shaped grooves 8 whose cross section is a V shape are formed in an axial direction on the outer peripheral surface of the flexible sheath 2, and a projection part formed between the grooves is sharp at the distal end and is turned to a tip part 9 to be abutted to the inner peripheral surface of the treatment instrument insertion channel 34.例文帳に追加

可撓性シース２の外周面には断面がＶ字形状となった所定数のＶ字溝８が軸線方向に向けて形成されており、溝間に形成されている突出部は先端が尖っており、処置具挿通チャンネル３４の内周面に当接する尖端部９となっている。 - 特許庁

A data file (binary) obtained from statistical processing is taken in (S31) and allocated (S32) to an instantaneous voltage V-current I channel memory space for storing the data, and effective values of effective electric power Pn, ineffective electric power Qn, and voltage V are converted from the data so as to be stored in a memory as an array (S33).例文帳に追加

統計処理で取得するデータファイル（バイナリ）を取り込み（Ｓ３１）、このデータを保存するための瞬時電圧Ｖ・電流Ｉチャンネルのメモリ空間へ割り当てておき（Ｓ３２）、これらデータから有効電力Ｐｎ、無効電力Ｑｎおよび電圧Ｖの実効値に変換し、配列としてメモリに格納する（Ｓ３３）。 - 特許庁

A timing for impressing a potential V corresponding to a time period of suction and discharging of ink, and a reference potential indicative of a level 0 to an electrode of each channel in the case of driving by every phase is made the same within the same block.例文帳に追加

同一のブロック内では、相ごとの駆動において、インクの吸入および吐出の期間に対応した電位Ｖおよび０レベルを表す基準電位を各チャネルの電極に与えるタイミングを同一とする。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a structure of a thin film transistor including an oxide semiconductor film, in which the threshold voltage of gate at which a channel is formed is positive and as close to 0 V as possible.例文帳に追加

酸化物半導体膜を用いる薄膜トランジスタのゲート電圧が０Ｖにできるだけ近い正のしきい値電圧でチャネルが形成される構造の作製方法を提供することを課題の一つとする。 - 特許庁

A channel estimation part 13 calculates the impulse response of a pilot symbol, and a discrete Fourier transformation part 20 and a weight vector calculation part 21 calculate a correlation matrix R and a correlation vector (v) to obtain w=R^-1v.例文帳に追加

チャネル推定部１３において、パイロットシンボルのインパルス応答を求め、離散フーリエ変換部２０、重みベクトル計算部２１において、相関行列Ｒと相関ベクトルｖを算出し、ｗ＝Ｒ^-1ｖを求める。 - 特許庁

By providing an internal water channel 20 by bending it to a V-shape, the internal water passage can be formed linearly without bending from a refracted portion 20a to an open portion 20b except for the refracting point 20a.例文帳に追加

内部水路２０をへの字状に屈折して設けることで、屈折部分２０ａ以外、すなわち、屈折部２０ａから開口部２０ｂにわたる内部水路２０を湾曲させることなく、直線状に形成した。 - 特許庁

When a connection destination of the operational amplifier 37A is switched from a data line 31A to a data line 31B, the control part applies a voltage of VSS<V≤VMM+Vt (Vt is a threshold voltage of a SW2) to a gate of an n-channel type field-effect transistor SW2 to make the n-channel type field-effect transistor SW2 transit to a conduction state.例文帳に追加

オペアンプ３７Ａの接続先をデータ線３１Ａからデータ線３１Ｂへ切り替える際、制御部は、ＶＳＳ＜Ｖ≦ＶＭＭ＋Ｖｔ（ＶｔはＳＷ２の閾値電圧）の電圧Ｖをｎチャネル型電界効果トランジスタＳＷ２のゲートに印加してｎチャネル型電界効果トランジスタＳＷ２を導通状態に遷移させる。 - 特許庁

The first data state of the MISFET is written in by bringing the second source- drain 7 to 0 V, applying a positive control voltage for turning the channel on to the gate 5, applying a positive control voltage to the first source-drain 6, and injecting majority carriers into the channel body 3 in the vicinity of the first source-drain junction.例文帳に追加

ＭＩＳＦＥＴの第１のデータ状態は、第２のソース／ドレイン７を０Ｖとし、ゲート５にチャネルをオンさせる正の制御電圧を印加し、第１のソース／ドレイン６に正の制御電圧を印加して、第１のソース／ドレイン接合近傍でチャネルボディ３に多数キャリアを注入することにより書き込まれる。 - 特許庁

The bearing fitting 10 attached to the fork of the forklift is characterized in that H steel 11 having a vertical cross section formed in H shape, a channel steel 12 stacked on an upper part of the H steel and an angle steel 13 placed on the cut portion obtained by cutting both side surfaces of the channel steel into V shape are welded and assembled.例文帳に追加

フォークリフトのフォークに装着される軸受金具１０であって、垂直断面がＨ形をしたＨ形鋼１１と、Ｈ形鋼の上部に積上げた溝形鋼１２と、溝形鋼の両側面をＶ字状にカットし、そのカットした部分に載置した山形鋼１３とを溶接して組み合わせたことを特徴とする。 - 特許庁

A first channel 4a and a second channel 4b such as V-shaped channels opposing mutually are formed in a first member 2 and a second member 3 on a joint face where these first and second members are mutually joined, respectively, and vibration control alloy 1 is fitted into a space 4 formed between the channels in such a way that it is abutted on respective channels.例文帳に追加

第一の部材２と第二の部材３とが接合される接合面に、互いに対向するＶ字溝などの第一の溝４ａと第二の溝４ｂをそれぞれの部材に形成し、溝間によって形成される空間４に、それぞれの溝に当接するように制振合金１を嵌合する。 - 特許庁

In a facsimile equipment that can be communicated according to ITU-T recommendation V.34, the control of modem 108 is shifted from primary channel reception control to control channel procedure control when an RCP (partial page control restoration instruction) frame is detected, when line energy for not less than prescribed time is not detected or when the state of reception modem is shifted to a control channel.例文帳に追加

ＩＴＵ−Ｔ勧告Ｖ.３４の通信可能なファクシミリ装置において、プライマリチャネルデータ受信時に、ＲＣＰ（部分ページ制御復帰命令）フレームの検出、又は所定時間以上の回線エネルギーの非検出、または受信モデムの状態がコントロールチャネルへ状態遷移したことを検出した場合に、モデムの制御をプライマリチャネル受信制御からコントロールチャネル手順制御へ移行するようにしたものである。 - 特許庁