「Channel-Forming」に関連した英語例文の一覧と使い方(17ページ目) - Weblio英語例文検索

Further, the stator 23 also includes a metal plate-like member 4 for forming a cooling water channel 14 by welding the opening of the slot 3 to the tees 1a so as to close the opening of the slot 3.例文帳に追加

さらに、スロット３の開口部を閉塞するようにティース１ａに溶接することにより冷却水流路１４を形成する金属の板状部材４と、を備える。 - 特許庁

When this etching method is applied for forming a back channel portion of a thin film transistor, the thin film transistor can have excellent electrical characteristics.例文帳に追加

更には、当該エッチング方法を薄膜トランジスタのバックチャネル部を形成するエッチングに採用することで、当該薄膜トランジスタの電気的特性を良好なものとすることができる。 - 特許庁

The base 11a is pierced with the fine pins 21 of a punch 20 to form penetration holes 12b which allow the nozzle hole-forming part 12a to be communicated with the flow channel 16.例文帳に追加

基材１１ａをパンチ２０の微細ピン２１により貫通させて、ノズル穴形成部１２ａと流路１６とを連通する貫通孔１２ｂが形成される。 - 特許庁

The enclosed container 2 is cast of a light metal LM20 and provided with an extension surface 8 of fins, or the like, for forming a channel 12 extending in the vertical direction.例文帳に追加

密閉容器２は、その間に垂直方向に伸びる流路１２を形成するフィンなどの拡張表面８を有しており、かつ、軽金属ＬＭ２０で鋳造されている。 - 特許庁

In the method for forming the groove part for opening the container, the surfaces of the resin sheets 1a and 1b are irradiated with a laser L for forming the groove part and the forming range of the groove part along the irradiation direction is larger than the expanded quantity of the resin sheets 1a and 1b in the forming region of the flow channel 2.例文帳に追加

本発明に係る容器開口用溝部の形成方法は、樹脂製シート１ａ，１ｂの表面に向け、溝部形成用のレーザＬを照射し、かつレーザＬの照射による、その照射方向に沿った溝部の形成範囲が、流路２の形成部位における樹脂製シート１ａ，１ｂの膨出量より大きいことを特徴としている。 - 特許庁

The method of forming the fine flow channel 40 includes the processes of: forming a mask pattern 20 on a substrate 10; coating an exposed part 10a of the substrate 10 with noble metal particles 30; and forming the fine flow channel 40 on the surface of the substrate 10 by dipping the substrate 10 in an etching solution to etch the substrate 10 under the exposed part 10a of the substrate using the mask pattern 20 as a mask.例文帳に追加

基板１０上にマスクパターン２０を形成する工程と、貴金属微粒子３０を前記基板１０の露出部１０ａに塗布する工程と、前記基板１０をエッチング溶液に浸漬して前記マスクパターン２０をマスクとして前記基板の露出部１０ａ下部の基板１０をエッチングすることにより、前記基板１０表面に微細流路４０を形成する工程と、を含む微細流路４０の形成方法である。 - 特許庁

In the method of forming the silicon germanium conducting channel 18 under the gate stack 6 of the semiconductor device, comprises the steps of forming a gate stack 6 on a silicon film on an insulating film, growing a silicon germanium film on the silicon film, and forming a silicon germanium conducting channel 18 between the gate stack 6 and the insulating film 2 by heating a semiconductor device and diffusing germanium in the silicon film.例文帳に追加

本発明は、半導体デバイスのゲートスタック６の下方にシリコンゲルマニウム伝導チャネル１８を形成する方法において、ゲートスタック６を絶縁膜上のシリコン膜の上に形成し、シリコン膜上にシリコンゲルマニウム膜を成長させ、半導体デバイスを加熱して、ゲルマニウムをシリコン膜中に拡散させ、シリコンゲルマニウム伝導チャネル１８をゲートスタック６と絶縁膜２との間に形成する工程を有する方法を提供する。 - 特許庁

The flow channel chip 1 equipped with a flow channel 11 for allowing a fluid to flow is equipped with a substrate 2 consisting of a light pervious material and having a groove for forming the flow channel 11 formed thereto, and the film 3 consisting of the light pervious material and pasted on the substrate 2 by a pressure-sensitive adhesive to seal the groove.例文帳に追加

流体を流すための流路１１を備えた流路チップ１であって、光を透過可能な材料からなり、流路１１を形成するための溝が形成された基板２と、光を透過可能な材料からなり、感圧型接着剤により基板２に貼り付けられて溝を封止するフィルム３と、を備えることを特徴とする。 - 特許庁

While adjoining an electrode H1, forming the branching of the charge transfer channel 1, a pair of transfer electrodes connected to a first-layer electrode 2 and a second-layer electrode 3 are arranged, as well as, the horizontal shift register before branching, on each charge transfer channel 1, to form transfer electrodes HLa and HLb, respectively, of the horizontal shift register of the transfer channel 1.例文帳に追加

電荷転送経路１の分岐を形成する電極Ｈ１に隣接して、それぞれの電荷転送経路１上には分岐前の水平シフトレジスタと同様に第１層目の電極２と第２層目の電極３が接続された電送電極が１対配置され、それぞれの転送経路1の水平シフトレジスタの転送電極ＨＬａ、ＨＬｂを形成する。 - 特許庁

To prevent the air bypass leakage around the control valve 30 in an air channel 18, the bushings and the counterbores 56, 58 are extended through the body without being arranged in the channel 18, and the sealing surfaces 66, 68 of the cylinder for forming the part of the cylinder holes sealably engage the shaft 34 between the counterbores 56, 58 and the channel 18.例文帳に追加

空気流路１８内の制御弁３０の回りの空気迂回漏洩を防止するために、ブッシングと各カウンタボア５６、５８は、前記本体を通じて延在して空気流路１８に入らず、円筒穴を一部画定する円筒封止面６６、６８が、カウンタボア５６、５８と空気流路１８の間で回転軸３４に封止可能に係合する。 - 特許庁

In the RAKE receivers H1 - Hm of the final stage, from the signals of a control channel received without the interference elimination, the path search of a reception channel, channel estimation and the weight estimation of arriving direction beam forming when using an array antenna are performed in the existing processing function parts and the respective estimated values are reported to each interference replica generation unit 1-1.例文帳に追加

最終段のＲＡＫＥ受信機Ｈ１〜Ｈｍでは、干渉除去されずに受信される制御チャネルの信号から、受信チャネルのパスサーチ、チャネル推定、アレーアンテナを用いる際には到来方向ビームフォーミングのウェイト推定を、既存の処理機能部で行い、それらの各推定値を各干渉レプリカ生成ユニット１−１に通知する。 - 特許庁

The conducting channel 8 has a breather chamber 81 positioned at the outside of a crank chamber and forms a part of the conducting channel and a conducting port 82 for conducting the blow-by gas outward and the introducing channel 9 is installed at the crankcase 3 and has an introducing port 91 communicating with the crank chamber 6 and forming an inlet of the breather chamber 81.例文帳に追加

前記導出路８は、クランク室の外側に位置して前記導出路の一部分を形成するブリーザ室８１と、ブローバイガスＧを外部へ導出する導出孔８２とを有し、前記導入路９は、クランクケース３に設けられ、前記クランク室６に連通して前記ブリーザ室８１の入口を形成する導入孔９１を有する。 - 特許庁

The manufacturing method of an electro-optical apparatus includes a semiconductor layer formation process of forming a semiconductor layer (1a) of a transistor on a substrate (10); an impurity introduction process introducing impurities into a channel portion (1a') of the semiconductor layer; and a gate electrode formation process forming a gate electrode (3b) so as to overlap with the channel portion in plan view of the substrate.例文帳に追加

電気光学装置の製造方法は、基板（１０）に、トランジスタの半導体層（１ａ）を形成する半導体層形成工程と、半導体層のチャネル部（１ａ’）に不純物を導入する不純物導入工程と、基板を平面的に見て、チャネル部に重なるようにゲート電極（３ｂ）を形成するゲート電極形成工程とを備える。 - 特許庁

The manufacturing method includes the stages of: preparing a semiconductor substrate having a source region, a drain region, and a channel region connecting the source region and drain region; forming a gate insulating film on a top surface of the channel region; and forming a gate electrode of a metal compound material on the gate insulating film by a reactive sputtering method.例文帳に追加

その製造方法は、ソース領域と、ドレイン領域と、ソース領域とドレイン領域を結ぶチャネル領域を有する半導体基板を用意する工程と、チャネル領域の表面にゲート絶縁膜を形成する工程と、反応性スパッタリング法によってゲート絶縁膜上に金属化合物材料からなるゲート電極を形成する工程を備えている。 - 特許庁

The present invention is a manufacturing method of a semiconductor device having a p-channel MISFET in a pMIS formation region 1A, and an n-channel MISFET in an nMIS formation region 1B, comprises: a process of forming an Al film 8a on an HfON film 5; and a process of forming a Ti-rich TiN film 7a on the Al film.例文帳に追加

本発明は、ｐチャネル型ＭＩＳＦＥＴをｐＭＩＳ形成領域１Ａに有し、ｎチャネル型ＭＩＳＦＥＴをｎＭＩＳ形成領域１Ｂに有する半導体装置の製造方法であって、ＨｆＯＮ膜５上にＡｌ膜８ａを形成する工程と、Ａｌ膜上にＴｉリッチなＴｉＮ膜７ａを形成する工程と、を有する。 - 特許庁

This double pipe heat exchanger 2 has five inner pipes 2 axially extending in parallel with each other and forming a first flow channel inside, and an outer pipe 22 receiving the inner pipes 21, and forming a second flow channel with the inner pipes 21, and four second inner pipes 21b among five inner pipes 21 are disposed on positions at equal distances from a center shaft.例文帳に追加

二重管式熱交換器２は、軸方向に平行に延び内側に第一流路を形成する５本の内管２１と、この内管２１を収容するとともに内管２１との間に第二流路を形成する外管２２とを有しており、５本の内管２１のうち４本の第二内管２１ｂは、中心軸から等距離の位置に配置されている。 - 特許庁

In an ink-jet image forming method for forming an image on a recording medium 30 by ejecting ink drops from the nozzles 9a of an ink channel 5 by applying voltage to electrodes 6, the ink drops are ejected simultaneously from the nozzles 9a set in each ink channel 5, and the ejected ink drops are combined somewhere to form one picture element.例文帳に追加

電極６に電圧を印加して、インクチャネル５のノズル９ａからインク滴を射出して記録媒体３０に画像を形成するインクジェット画像形成方法であり、インクチャネル５毎に設けた複数のノズル９ａから同時にインク滴を射出し、この射出された複数のインク滴がいずれかの位置で合体して１つの画素を形成する。 - 特許庁

This semiconductor storage device is characterized by that memory transistors M11 to M22, each having a source region and a drain region formed at a surface part of a semiconductor across a channel forming region, a gate insulating film which is provided on the channel-forming region and includes a charge storage means, and a gate electrode on the gate insulating film are arranged in the word direction and the bit direction.例文帳に追加

半導体の表面部分にチャネル形成領域を挟んで形成されたソース領域およびドレイン領域と、当該チャネル形成領域上に設けられ内部に電荷蓄積手段を含むゲート絶縁膜と、当該ゲート絶縁膜上のゲート電極とを備えたメモリトランジスタＭ１１〜Ｍ２２がワード方向とビット方向に複数配置されている。 - 特許庁

In an island-like semiconductor film having a pair of impurity regions and a channel forming region formed on the insulating substrate, a first metal film is formed on the pair of impurity regions; and a second metal film to function as a reflecting film is formed on a gate electrode located on the channel forming region through a gate insulating film.例文帳に追加

絶縁基板上に形成された一対の不純物領域及びチャネル形成領域を有する島状の半導体膜において、一対の不純物領域上に第１の金属膜を形成し、ゲート絶縁膜を介してチャネル形成領域上に位置するゲート電極上に反射膜として機能する第２の金属膜を形成する。 - 特許庁

The method for manufacturing a BiCMOS integrated circuit has a step for forming a base region 211 of a bipolar transistor and a P-type well 212 of an N-channel MOS transistor in one injecting step, and a step for forming a collector contact body well 213 of the bipolar transistor and an N-type well 208 of a P-channel MOS transistor in one injecting step.例文帳に追加

ＢｉＣＭＯＳ集積回路を製造する方法は、バイポーラ・トランジスタのベース領域２１１とＮチヤンネルＭＯＳトランジスタのＰ形ウエル２１２とを１つの注入段階で作成する段階と、バイポーラ・トランジスタのコレクタ接触体ウエル２１３とＰチヤンネルＭＯＳトランジスタのＮ形ウエル２０８とを１つの注入段階で作成する段階とを有する。 - 特許庁

The present manufacturing method of CMOS integrated circuit device comprises forming a titanium nitride film for adjusting electrical characteristics of a high dielectric gate insulation film before forming a gate electrode film at an N channel region and a P channel region, the titanium nitride film being composed of a lower film containing relatively rich titanium and an upper film containing relatively rich nitrogen.例文帳に追加

本願発明は、ＣＭＯＳ集積回路デバイスの製造方法において、Ｎチャネル領域およびＰチャネル領域において、ゲート電極膜形成前の高誘電率ゲート絶縁膜の電気的特性を調整するためのチタン系窒化物膜を下方のチタンを比較的多く含む膜と、上方の窒素を比較的多く含む膜を含む構成とするものである。 - 特許庁

To provide a drive circuit that can set a dead time for each channel of a two-channel signal driving two switching elements connected in series by using a dead time generation circuit and need only one external capacitor in the case of forming into an integrated circuit.例文帳に追加

１個のデッドタイム生成回路を用いて、直列に接続されている２つのスイッチング素子を駆動する２系統の信号のそれぞれ対してデッドタイムを設けることができ、ＩＣ化した場合に外付けコンデンサを１個にすることができるドライブ回路を提供する。 - 特許庁

On a channel forming member 12, a sub-through hole 16 is so formed as to partially overlap a through-hole 15 (through-hole for side through), which is a scheduled formation region for a wiring channel of a side part which is formed for electrical connection path to a rear surface side.例文帳に追加

溝形成用部材１２上には、裏面側への電気的接続経路のために形成される側部の配線溝（１０５）の形成予定領域としての貫通孔１５（サイドスルー用貫通孔）に、一部重なるようにして副貫通孔１６が形成されている。 - 特許庁

A semiconductor integrated circuit device which is excellent in performance is constituted by building the buried channel MOSFET optimized in channel surface concentration profile by a manufacturing method using a new gate oxide film forming method and, at the same time, mounting a nonvolatile memory on the circuit device.例文帳に追加

チャネル表面濃度プロファイルを最適化した埋め込みチャネル型ＭＯＳＦＥＴを新しいゲート酸化膜形成方法を用いた製造方法で構築し、同時に不揮発性メモリーを搭載し、パフォーマンスに優れた半導体集積回路装置を構成するものである。 - 特許庁

To provide an inkjet printer which achieves space saving and cost reduction by forming an atmosphere release channel that prevents the intrusion of dust in air into an ink course, and using the atmosphere release channel in common with a course in which an ink overflowing from a tank is treated.例文帳に追加

インク経路内への空気中のゴミ侵入を防止する大気開放流路を作ると共に、タンクからオーバーフローしたインクの処理を行う経路を、大気開放流路を共用することで省スペース／低コスト化を実現するインクジェットプリンタを提供することである。 - 特許庁

To simplify the manufacturing process of a semiconductor apparatus constituting a CMOS circuit by an n-channel MIS transistor and a p-channel MIS transistor forming a gate electrode composed of a metallic material on a gate insulating film composed of a high dielectric material.例文帳に追加

高誘電体材料からなるゲート絶縁膜上に金属材料からなるゲート電極を形成するｎチャネル型ＭＩＳトランジスタおよびｐチャネル型ＭＩＳトランジスタによってＣＭＯＳ回路を構成する半導体装置の製造工程を簡略化する。 - 特許庁

To provide an organic semiconductor film and an organic semiconductor device, in which an n-channel region and a p-channel region are prepared together without needing particular change of a material for forming the organic semiconductor film, and furthermore threshold voltage can be controlled.例文帳に追加

特に有機半導体薄膜を形成する材料を変更しなくても、ｎチャネル領域とｐチャネル領域とを共に作製することが可能であり、さらには、閾値電圧の制御も可能となる有機半導体膜および有機半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide a forming method of a semiconductor device that decreases the penetration of boron into a channel, and that forms a source/drain region with up to an embedded oxide layer completely doped, and simultaneously applies compressive stress to the channel in doping the source/drain region and a gate electrode.例文帳に追加

ソース／ドレイン領域とゲート電極へのドーピングにおける、チャネル中へのボロン浸透の低減と、埋め込み酸化物層まで完全にドープされたソース／ドレイン領域の形成と、併せてチャネルへの圧縮応力を印加する半導体装置の形成方法の提供。 - 特許庁

The thin film transistor 1 is a bottom-gate-type TFT and has on a base 11 a gate electrode 12, a gate insulating film 13, an oxide semiconductor layer 14 forming a channel, a channel protection film 16, and source and drain electrodes 15A, 15B in that order.例文帳に追加

薄膜トランジスタ１は、ボトムゲート型のＴＦＴであり、基板１１上に、ゲート電極１２、ゲート絶縁膜１３、チャネルを形成する酸化物半導体層１４、チャネル保護膜１６およびソース・ドレイン電極１５Ａ，１５Ｂをこの順に備えるものである。 - 特許庁

A gate line 7 is formed of a semiconductor material different from that of the channel layer 3 and making a PN junction with the channel layer 3 (a semiconductor material mainly composed of polysilicon) and the need for forming a gate diffusion layer by ion implantation is eliminated.例文帳に追加

ゲート配線７は、チャネル層３にＰＮ接合するチャネル層３とは異種の半導体材料（ここではポリシリコンを主成分とした半導体材料）によって形成されており、イオン注入によるゲート拡散層の形成を不要とした構成である。 - 特許庁

A transistor has a charge channel formed near the heterojunction between two semiconductor layers, in a plurality of semiconductor layers 2-9 which are laminated on another on a semiconductor substrate 1, for forming a transistor channel and a gate electrode 13 formed on the semiconductor layers 2-9.例文帳に追加

トランジスタのチャネルを形成するために半導体基板１上に積層された複数の半導体層２〜９内で２つの半導体層間のヘテロ接合近傍に電荷のチャネルが形成され、複数の半導体層２〜９上にゲート電極１３を有する。 - 特許庁

To provide a process for manufacturing liquid ejection head in which the productivity of a high quality liquid ejection head can be enhanced by forming a liquid channel with high accuracy and aligning the liquid channel with a liquid ejection energy generating element accurately.例文帳に追加

液流路を高精度に形成するとともに液流路と液吐出エネルギー発生素子との位置合わせを正確に行うことができ、高品位の液体噴射ヘッドの生産性を向上させることが可能な液体噴射ヘッドの製造方法を提供する。 - 特許庁

Temporary joining parts 60, which are formed in a plurality of places on a nozzle plate 11, comprise a negative-pressure forming part 54 which forms a recessed shape between a channel plate 12 and the part 54, an elastic deformation part 51, an annular lip 53 which is brought into close contact with the channel plate 12, and an opening 52.例文帳に追加

ノズル板１１に複数個所形成された仮接合部６０は、流路板１２との間で凹形状の負圧形成部５４、弾性変形部５１、流路板１２に密着させる環形状のリップ５３及び開口部５２より構成される。 - 特許庁

The apparatus for producing a glass article includes a melting furnace 2 which is a supply source of molten glass, a supply channel 7 for supplying molten glass flowing out from the melting furnace 2 toward the downstream side, and a forming part 5 linked to the downstream end of the supply channel 7.例文帳に追加

ガラス物品製造装置は、溶融ガラスの供給源となる溶融窯２と、該溶融窯２から流出した溶融ガラスを下流側に向かって供給する供給用流路７と、該供給用流路７の下流端に通じる成形部５とを備える。 - 特許庁

In an upper angle part facing to the end face of an edge part of the drainable pavement section in a block main body 7 providing a channel 9 in the longitudinal direction, a draining blind bore 22 for forming a drain hole connected to the channel 9 to drain seepage water out is provided.例文帳に追加

長さ方向に水路９が設けられてなるブロック本体７の、排水性舗装部の縁部分の端面に臨む上角部分において、水路９に連通して浸透水を排出させる排水孔を形成するための排水用盲孔２２が設けられている。 - 特許庁

A p-channel MOS transistor 26 is connected to save a standby current, for example, between the common source line 24b and power supply line 24a of the p-channel MOS transistor which turns OFF at least during the standby mode among the MOS transistors forming a decoder 22.例文帳に追加

たとえば、デコード部２２を構成するＭＯＳトランジスタのうち、少なくとも、スタンドバイ時にオフするｐチャネルＭＯＳトランジスタの共通ソースライン２４ｂと電源ライン２４ａとの間に、スタンドバイ電流を削減するためのｐチャネルＭＯＳトランジスタ２６を接続する。 - 特許庁

A valve structure 19 is made of the same polymer material as a material to form a channel in a side shooter type inkjet head having the degree of freedom of arrangement of nozzles and suitable for attaining high definition images by photolithography technology in the process of forming the channel.例文帳に追加

ノズルの配置に自由度があり、高品位な画質の達成に適しているサイドシューター型インクジェットヘッドに、流路を形成する工程で、流路を構成する材料と同一の高分子材料で、ホトリソグラフィー技術により弁構造１９を作製する。 - 特許庁

An improved plating system 100 comprises a plurality of non-electrically conductive shields 130 forming an elongated upper channel 122 and an elongated lower channel 121; a plating solution sparger comprising a series of inlets oriented to direct any plating solution flowing through the inlets into the lower channel and towards the upper channel; and a plurality of anodes positioned outside and along the length of the upper and lower channels.例文帳に追加

細長い上方チャネル１２２と細長い下方チャネル１２１とを形成する複数の非導電性シールド１３０と、入口を通って下方チャネルに入り、上方チャネルに向かって流れるように、あらゆるめっき溶液を向けるように配向された一連の入口を備えるめっき溶液スパージャと、上方チャネルおよび下方チャネルの外部に、その全長に沿って配置された複数のアノードとを備える、改良方法およびめっきシステム１００。 - 特許庁

To provide a liquid jetting head in which a reservoir can be formed good by surely removing an adhesion layer by wet etching, and a channel-forming substrate and a reservoir-forming substrate can be firmly joined to each other, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

密着層をウェットエッチングによって確実に除去してリザーバを良好に形成することができ、且つ流路形成基板とリザーバ形成基板とを強固に接合することができる液体噴射ヘッド及びその製造方法の提供。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and its forming method which can improve an electrical property of the semiconductor device by forming a bar-shaped protruding portion at a bottom portion, and by increasing a width of channel although a damascence depth of recessed area is reduced.例文帳に追加

リセス領域の食刻深さは低減させるものの、底部分にバー形態の突出部を形成し、チャンネルの広さを増加させ、半導体素子の電気的特性を向上させ得る半導体素子及びその形成方法を提供する。 - 特許庁

A detour forming section 139 forming a detour 137 detouring a channel going toward the outlet 135b of a downstream buffer chamber 134b from the second hole is provided in the downstream buffer chamber 134b making the liquid flow out of the second hole stay.例文帳に追加

第２の孔から流出した液体を停留させる下流バッファ室１３４ｂには、第２の孔から下流バッファ室１３４ｂの出口１３５ｂに向う流路を迂回させる迂回路１３７を形成する迂回路形成部１３９を設けた。 - 特許庁

In the gas sensor evaluation device 1, the sectional area at a forming position of an evaluated gas sensor installation section 49 is set smaller than that at a forming position of a first gas introducing section 45 of a gas flow channel of a reaction section gas pipe 41.例文帳に追加

ガスセンサ評価装置１は、反応部ガス配管４１のガス流路のうち第１ガス導入部４５の形成位置における断面積よりも、評価対象ガスセンサ設置部４９の形成位置における断面積が小さく形成されている。 - 特許庁

In the case that a caller terminal connected through a channel requests plain paper printing of the image data after receiving the image data, a plain paper image forming device 2 is selected from the other image forming devices connected through the network and they are printed.例文帳に追加

回線を介して接続されている発信側端末が画像データの普通紙印刷を要求した場合、画像データを受信した後、ネットワークを介して接続されている他の画像形成装置から普通紙画像形成装置２選択し、印刷させる。 - 特許庁

A fin-type semiconductor region 102 has a channel forming region 106 having a first width W1 in a gate width direction, and a source/drain forming region 107 having a second width W2, which is in the gate width direction and wider than the first width W1.例文帳に追加

フィン型半導体領域１０２は、ゲート幅方向に第１の幅Ｗ１を持つチャネル形成領域１０６と、ゲート幅方向に第１の幅Ｗよりも広い第２の幅Ｗ２を持つソース・ドレイン形成領域１０７とを有する。 - 特許庁

A signal processing part 50 intermittently transmits the control signals by forming a non-directional pattern, receives the control signals from a mobile station by forming an array antenna pattern and further, transmits link channel allocation by the non-directional pattern or the array antenna pattern.例文帳に追加

信号処理部５０は、制御信号を無指向性パターンを形成して間欠送信し、移動局からの制御信号に対してアレイアンテナパターンを形成して受信し、さらに、リンクチャネル割当を無指向性パターンとアレイアンテナパターンの何れかで送信する。 - 特許庁