「Channel-Forming」に関連した英語例文の一覧と使い方(32ページ目) - Weblio英語例文検索

Consequently, the on-resistance can be reduced such that the contact resistance can be reduced by contacting with all the side walls of each contact trench Tc and besides the rise of the channel impurity concentration of a p-type well region 4 caused by the lateral direction diffusion of impurities effectively in forming an additional p^+-type region 8 of the bottom may be suppressed.例文帳に追加

これにより、各コンタクトトレンチＴｃの側壁すべてでコンタクトがとれるようになるためコンタクト抵抗を低減することができ、さらにその底面の追加ｐ^+型領域８形成時の不純物の横方向拡散によるｐ型ウェル領域４のチャネル不純物濃度の上昇を効果的に抑え、オン抵抗の低減を図ることができる。 - 特許庁

A waveguide forming region 10 which is composed of the successive connection of an optical input waveguide 2, a first slab waveguide 3, an array waveguide 4 composed of a plurality of channel waveguides 4a of which the relative lengths are different from each other by prescribed values, a second slab waveguide 5 and a plurality of optical output waveguides 6 is formed on a substrate 1.例文帳に追加

光入力導波路２と、第１のスラブ導波路３と、互いの長さが設定量異なる複数のチャンネル導波路４ａを並設してなるアレイ導波路４と、第２のスラブ導波路５と、複数の並設した光出力導波路６とを順に接続してなる導波路形成領域１０を基板１上に形成する。 - 特許庁

To prevent increase of pressure loss in a cooling medium inlet pipe 20 in a cooler 17 comprising a case main body 22 forming a cooling medium flow channel and provided with cooling fins 23 inside thereof, and the cooling medium inlet pipe 20 and a cooling medium outlet pipe 21 respectively connected with the case main body 22.例文帳に追加

冷却媒体流路を形成する冷却フィン２３がその内部に設けられるケース本体２２と、ケース本体２２に接続される冷却媒体入口配管２０及び冷却媒体出口配管２１と、を備える冷却器１７において、冷却媒体入口配管２０における圧力損失が増大することを防止することを目的とする。 - 特許庁

The technology for the semiconductor element manufacturing method includes a process of forming the epitaxial layer on the upper portion of the element separating structure of the recess gate area, designing the semiconductor element of the SOI tunnel structure, thereby, reducing the ion implantation concentration in the channel area and improving characteristics of refresh of the element, tWR and LTRAS.例文帳に追加

本発明は半導体素子の製造方法に関し、特にリセスゲート領域の素子分離構造上部にエピタキシャル層を形成し、ＳＯＩチャンネル構造の半導体素子を設計することによりチャンネル領域にイオン注入濃度を低減させ、素子のリフレッシュ、ｔＷＲ及びＬＴＲＡＳ特性を改良することができる技術である。 - 特許庁

To provide a process for fabricating a semiconductor device using a laser crystallization process for preventing formation of a grain boundary in the channel forming region of a TFT, significant lowering in mobility of the TFT due to the grain boundary, reduction of on current, or increase of off current, and to provide a semiconductor device fabricated by that method.例文帳に追加

ＴＦＴのチャネル形成領域に粒界が形成されるのを防ぎ、粒界によってＴＦＴの移動度が著しく低下したり、オン電流が低減したり、オフ電流が増加したりするのを防ぐことができるレーザー結晶化法を用いた、半導体装置の作製方法及び該作製方法を用いて作製された半導体装置の提供を課題とする。 - 特許庁

To provide a DRAM with a memory cell portion and a peripheral circuit portion both installed together, which can integrates on the same substrate a first insulated gate type transistor, capable of forming a minute contact hole with self-alignment to a gate electrode and a second insulated gate type transistor, capable of fully reducing the parasitic resistance, while suppressing short-channel effect.例文帳に追加

本発明は、メモリセル部とその周辺回路部とを混載させてなるＤＲＡＭにおいて、ゲート電極に対して自己整合的に微細なコンタクトホールの開孔が可能な第１の絶縁ゲート型トランジスタと、短チャネル効果を抑制しつつ、寄生抵抗を十分に緩和することが可能な第２の絶縁ゲート型トランジスタとを同一基板上に集積できるようにする。 - 特許庁

The heat exchanger comprises a plurality heating pipes 5 interconnected with a water channel for heating and arranged in parallel while forming a plurality of stages in vertical direction, and identical fins 4 arranged in a plurality of parallel arrays wherein a guide plate 7 inclining to guide combustion gas along the heating pipes 5 is formed to stand from the fins while describing a circle concentric to the heating pipes 5.例文帳に追加

暖房用水路に連通する暖房パイプ５を並列に複数個、上下方向に複数個有し、かつ平行に複数列同一フィン４中に備えたものにおいて、暖房パイプ５と同心円を描く形状で、暖房パイプ５に沿うように案内する傾斜した案内板７をフィンから立ち上げて形成している。 - 特許庁

A separate plate 17 is disposed in a separate body 15 forming a gas nozzle 20 to form two fuel gas flow channels 13, 14 of different areas , and valves 11, 12 as two flow channel opening and closing means capable of opening and closing the fuel gas flow channels 13, 14 are disposed on a branch of two fuel gas flow channels.例文帳に追加

ガスノズル２０を形成するセパレートボディ１５内に、面積の異なる２つの燃料ガス流路１３、１４が形成されるようにセパレートプレート１７を取付け、該２つの燃料ガス流路の分岐部に、それぞれの燃料ガス流路１３、１４をそれぞれ開閉することが可能な２つの流路開閉手段である弁１１、１２を設ける。 - 特許庁

The optical input waveguide 12, a first slab waveguide 13, an array- waveguide 14 comprising channel waveguides 14a which are different in length and arranged in parallel each other, a second slab waveguide 15, and an optical output waveguides 16, which are arranged in parallel, are connected in order to form a waveguide-forming part 10 on a substrate 11.例文帳に追加

光入力導波路１２と、第１のスラブ導波路１３と、互いに異なる長さの複数の並設したチャネル導波路１４ａからなるアレイ導波路１４と、第２のスラブ導波路１５と、複数の並設した光出力導波路１６とを順に接続してなる導波路形成部１０を基板１１上に形成する。 - 特許庁

The manufacturing method of a TFT has a process for forming semiconductor films 3a, 3b on a substrate 1 and has a process for implanting conductive impurities into the semiconductor films, by exposing the substrate to a plasma atmosphere 30 containing the conductive impurities for the semiconductor films in the state wherein at least a channel region of the semiconductor films is exposed to the plasma atmosphere.例文帳に追加

本ＴＦＴの製造方法は、基板１上に半導体膜３ａ，３ｂを形成する工程と、半導体膜の少なくともチャネル領域が露出した状態で、当該半導体膜に対する導電性不純物を含むプラズマ雰囲気３０中に基板を暴露して、導電性不純物を半導体膜に注入する工程を備える。 - 特許庁

After the fine particle 6 to which the precursor molecule 11 is bonded is arranged in the region for forming a channel layer 9, the precursor molecule 11 bonded to the fine particle 6 and other precursor molecule 11 bonded to an adjoining fine particle 6 are bonded and the adjoining fine particles 6 are coupled by organic semiconductor molecules 7 produced as a result.例文帳に追加

次に前駆体分子１１が結合した微粒子６を、チャネル層９の形成領域に配置した後、微粒子６に結合した前駆体分子１１と、隣接する微粒子６に結合した他の前駆体分子１１とを結合させ、この結果生成する有機半導体分子７によって、隣接する微粒子６間を連結する。 - 特許庁

As a result, the gate insulation film 7b in the vicinity of the end of the gate electrode 8 of a source side can be protected with the insulating film 15 when the impurities for forming the source and the drain are introduced, and the gate insulation film 7b can be protected from damaging or the like, so that imperfect gate insulation of the power n channel LDMOS FETQn can be prevented.例文帳に追加

これにより、そのソースおよびドレイン形成のための不純物導入時に、ソース側のゲート電極８の端部近傍のゲート絶縁膜７ｂを絶縁膜１５により保護でき、そのゲート絶縁膜７ｂに損傷等が生じるのを防止できるので、パワーｎチャネルＬＤＭＯＳ・ＦＥＴＱｎのゲート絶縁不良を防止できる。 - 特許庁

The channel coordination apparatus comprises a communication control part for absorbing communication protocol differences among the channels, a workflow definition part for storing definitions of workflows coordinating a plurality of channels, a workflow processing part for storing work programs in processing units capable of forming part of the workflows, and processing specified work, and a workflow control part for executing a processing-requested defined workflow.例文帳に追加

チャネル連携装置は、チャネル毎の通信プロトコルの違いを吸収する通信制御部と、複数のチャネルが連携するワークフローの定義を格納しているワークフロー定義部と、ワークフローの一部を構成し得る処理単位であるワークプログラムを格納し、指示ワークを処理するワークフロー処理部と、処理依頼された定義されているワークフローを実行するワークフロー制御部とを備えている。 - 特許庁

This cyclone dust collector includes a cyclone body having a suction port sucking the air containing dust and an exhaust port connected to a vacuum suction source, and forming a rotating air flow on the air to be sucked in the suction port; and a channel guide member constituted at the exhaust port for guiding a laminar flow simultaneously with reducing the flow rate of the purified air to be exhausted via the exhaust port.例文帳に追加

ゴミが含まれた空気が吸い込まれる吸入口と真空吸入源と連結される排気口を備え、吸入口に吸い込まれる空気について回転気流を形成するサイクロン本体と、排気口を介して排出される浄化された空気の流速を落とすと同時に、層流流動を導くため排気口に構成される流路ガイド部材とを含む。 - 特許庁

This image forming apparatus comprises the image processing board for applying predetermined image processing to image data, the exposure head which is constituted to be separated from the image processing board and performs multi-channel exposure on a surface of a recording medium according to the image data transmitted from the image processing board, and a transmission means for transmitting the image data in parallel from the image processing board to the exposure head.例文帳に追加

本発明の画像形成装置は、画像データに所定の画像処理を施す画像処理基板と、画像処理基板とは分離型に構成され、画像処理基板から転送される画像データに応じて、記録媒体の表面を多チャンネル露光する露光ヘッドと、画像処理基板から露光ヘッドに前記画像データをパラレルに転送する転送手段とを備えている。 - 特許庁

In the liquid ejection head, a unit is formed by bonding a coupling plate 18 having a plurality of chambers 17 communicating with nozzle openings to a channel forming substrate 10 in which a pressure generating chamber 12 having a diaphragm 50 bonded, one side thereof, to the coupling plate 18 and communicate with respective chambers 17 and having a pressure generating means for ejecting liquid on the other side thereof is formed.例文帳に追加

複数のノズル開口連通室１７を有する連結板１８と、一方の面を連結板１８に接合されノズル開口連通室１７の各々に連通し、他方の面に液体を吐出するための圧力発生手段を有する振動板５０を有する圧力発生室１２が形成された流路形成基板１０とを接合して、ユニットを形成する。 - 特許庁

In the inkjet head made by joining an actuator including a piezoelectric material to convert electrical energy to mechanical energy of ink jet and a manifold forming an ink channel to feed an ink to the actuator by an adhesive, the adhesive includes a balloon-shaped additive containing a gas.例文帳に追加

電気的エネルギーをインク射出の機械的エネルギーに変換する圧電性材料を含むアクチュエータと、該アクチュエータに対してインクを供給するためのインク供給流路を構成するマニフォールド部材とが接着剤によって接合されてなるインクジェットヘッドにおいて、前記接着剤中に、気体を内包したバルーン状の添加剤が含まれてなることを特徴とするインクジェットヘッド。 - 特許庁

The liposome uniform in the particle size can be obtained using a liposome manufacturing apparatus equipped with a microtube having a flow channel through which a lipid dissolved solution containing at least one lipid, water and a water miscible organic solvent flows, a housing part for housing the microtube, and a cooling means for cooling the liposome dissolved solution in the microtube within the housing part to a liposome forming temperature.例文帳に追加

１以上の脂質と、水と、水混和性有機溶媒とを含む脂質の溶解液が流れる流路を有するマイクロチューブと、前記マイクロチューブを収容する収容部と、前記収容部における前記マイクロチューブ内の前記溶解液をリポソームが生成する温度に冷却する冷却手段とを備えるリポソーム製造装置を用いることにより、粒径の揃ったリポソームを得ることができる。 - 特許庁

The reaction device for nucleic acid analysis includes a reaction chamber, forming a channel on a substrate 101 and detects a nucleic acid immobilized on fine particles 103 on the substrate 101, and the fine particles 103, on which the nucleic acid that is a detection object is immobilized, are arranged by a fine structure 102 arranged on the substrate 101.例文帳に追加

本発明の核酸分析用反応デバイスは、基板１０１上に流路を形成する反応チャンバーを備え、基板１０１上で微粒子１０３に固定された核酸を検出する核酸分析用反応デバイスであって、基板１０１上に配列した微細構造体１０２によって検出対象の核酸が固定化された微粒子１０３が配置されている。 - 特許庁

The mold 10 with the heater includes a mold body 12 for forming the cavity C, the high-frequency coil 13 arranged in the mold body 12 and heating the cavity surface 11 facing the cavity C of the mold body 12, and further has an auxiliary heating flow channel 17 auxiliarily heating a projected part 16 spaced apart from the high-frequency coil 13 of the cavity surface 11.例文帳に追加

本発明に係る加熱装置付金型１０は、キャビティＣを形成する金型本体１２と、該金型本体１２に設けられて金型本体１２のキャビティＣに面するキャビティ面１１を加熱する高周波コイル１３とを備え、キャビティ面１１のうち高周波コイル１３から離間した突起部１６を補助的に加熱する補助加熱流路１７が設けられたものである。 - 特許庁

A print head 35" is constituted by forming a plurality of drivers 22 of a drive circuit, individual wiring electrodes 23, heating parts 24, a common electrode 25, sub-common channels 36 dividing a common ink channel and ink supply holes 37 in a chip substrate 21, laying a barrier wall 38" and a top plate 31 thereon and then making ejection nozzles 32.例文帳に追加

印字ヘッド３５″は、チップ基板２１に駆動回路の複数のドライバ２２、個別配線電極２３、発熱部２４、共通電極２５、共通インク流路を分割したサブ共通流路３６及びインク供給孔３７が形成され、これらの上に隔壁３８″が積層され更に天板３１が積層され、吐出ノズル３２が形成されることにより、構成されている。 - 特許庁

And also, it is provided with a gas separator arranged on the electrolyte/electrode complex, and forming a part of a wall face of a gas flow channel formed on the electrolyte/electrode complex, and a sealing part integrally formed with the electrolyte/electrode complex on an outer peripheral part of the electrolyte/electrode complex, having flexibility and assuring a gas sealing property by contacting to the gas separator.例文帳に追加

また、電解質・電極複合体上に配置され、電解質・電極複合体上に形成されるガス流路の壁面の一部を形成するガスセパレータと、電解質・電極複合体の外周部に電解質・電極複合体と一体で形成されると共に、可撓性を有し、ガスセパレータと接触することによってガスシール性を確保するシール部を備える。 - 特許庁

To provide a method for fabricating a semiconductor device employing a laser crystallization process capable of preventing formation of a grain boundary in the channel forming region of a TFT, significant lowering in mobility of the TFT due to the grain boundary, reduction of on current and increase of off current, and to provide a semiconductor device fabricated by that method.例文帳に追加

ＴＦＴのチャネル形成領域に粒界が形成されるのを防ぎ、粒界によってＴＦＴの移動度が著しく低下したり、オン電流が低減したり、オフ電流が増加したりするのを防ぐことができるレーザー結晶化法を用いた、半導体装置の作製方法及び該作製方法を用いて作製された半導体装置の提供を課題とする。 - 特許庁

A high reliability semiconductor device is realized by forming gate electrodes to be of a laminated structure, and separately making a TFT (n-channel TFT in a drive circuit), having a low density impurity area superposed on the gate electrode via a gate insulating film and a TFT (TFT in a pixel part) having a low density impurity area not superposed on the gate electrode in each circuit.例文帳に追加

ゲート電極を積層構造とし、それぞれの回路においてゲート絶縁膜を介してゲート電極と重なる低濃度不純物領域を有するＴＦＴ（駆動回路におけるｎチャネル型ＴＦＴ）とゲート電極と重ならない低濃度不純物領域を有するＴＦＴ（画素部におけるＴＦＴ）とを作りわけることにより、信頼性の高い半導体装置を実現する。 - 特許庁

In the microchip, having the examination liquid injection port 2 connected to a flow channel 11 formed by bonding a plurality of sheet members A and B to permit the examination liquid and a reagent to flow, the examination liquid injection port 2 protrudes toward the center X of the port 2 on the side opposite to the other sheet member B of a port forming surface.例文帳に追加

本発明のマイクロチップは、複数の板部材Ａ，Ｂを貼り合わせて、検査液と試薬が流れる流路１１が形成され、当該流路１１につながる検査液注入孔２を有するマイクロチップにおいて、検査液注入孔２は、孔を形成する面の、他方の板部材Ｂと反対側が孔２の中心Ｘに向かって突出していることを特徴とする。 - 特許庁

In a semiconductor device in which a gate electrode is formed on a substrate, a gate insulating film is formed to cover the gate electrode, an oxide semiconductor film is formed on the gate insulating film, and a first conductive film and a second conductive film are formed on the oxide semiconductor film, the oxide semiconductor film has at least a region crystallized in a channel forming region.例文帳に追加

基板上にゲート電極を形成し、ゲート電極を覆ってゲート絶縁膜を形成し、ゲート絶縁膜上に酸化物半導体膜を形成し、酸化物半導体膜上に第１の導電膜及び第２の導電膜を形成する半導体装置であって、酸化物半導体膜は、チャネル形成領域において少なくとも結晶化した領域を有する。 - 特許庁

(1) The separator for a fuel cell provided with two plate parts 18a, 18b conducted with each other with a side facing an electrolyte film made flat, and a partition 18c fitted at a hollow part 18d for forming a coolant channel has the partition 18c formed of a curing agent capable of flowing at coating and curing after coating.例文帳に追加

（１）互いに導通され、間に中空部１８ｄを形成し、電解質膜１１に対面する側を平面とされた２つのプレート部１８ａ、１８ｂと、 中空部１８ｄに設けられた、冷媒通路を形成する仕切り１８ｃと、を有する燃料電池用セパレータであって、 仕切り１８ｃを、塗布時は流動可能で塗布後に硬化する硬化剤で形成した燃料電池用セパレータ１８。 - 特許庁

A gate insulation layer with a hydrogen concentration of less than 6×10^20 atoms/cm^3 and a fluorine concentration of 1×10^20 atoms/cm^3 or more is used as a gate insulation layer in contact with an oxide semiconductor layer forming a channel region, whereby the amount of hydrogen released from the gate insulation layer can be reduced and hydrogen diffusion to the oxide semiconductor layer can be prevented.例文帳に追加

チャネル領域を形成する酸化物半導体層と接するゲート絶縁層に、水素濃度が６×１０^２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３未満であり、且つフッ素濃度が１×１０^２０ａｔｏｍｓ／ｃｍ^３以上であるゲート絶縁層を用いることで、ゲート絶縁層から放出される水素量が低減され、酸化物半導体層に水素が拡散することを防ぐことができる。 - 特許庁

A semiconductor device, having an implanted structure, prevents impurity atoms from bouncing out of P-type diffused layers 4 and 5 as implanted layers with an N-type thin film layer 8 as an reverse conductivity type or prevents forming the inverted layer at the channel part, by canceling the bounced out P-type impurity atoms by the N-type atoms as the reverse conductivity type.例文帳に追加

埋め込み構造を有する半導体装置において、埋め込み層であるＰ型拡散層４及び５からの不純物原子の飛び出しを反対導電型であるＮ型の薄膜層８により防止し、あるいは飛び出したＰ型の不純物原子を反対導電型であるＮ型の原子で相殺することによって、チャンネル部の反転層の形成を防止する。 - 特許庁

In order to solve a short channel effect in a highly integrated semiconductor device, a method of fabricating a semiconductor device includes steps of: forming gate patterns over an insulating layer and a silicon active region formed on a semiconductor substrate; removing the silicon active region exposed between the gate patterns; and filling a space between the gate patterns to form a plug.例文帳に追加

高集積半導体装置において、ショートチャンネル効果を克服するため、本発明に係る半導体素子の製造方法は半導体基板の上部に形成された絶縁層、及びシリコン活性領域上にゲートパターンを形成するステップ、前記ゲートパターンの間の露出したシリコン活性領域を取り除くステップ、及び前記ゲートパターンの間を埋め込んでプラグを形成するステップを含む。 - 特許庁

In forming a laminated body in which an ink channel system is constituted of through holes of respective shapes of a plurality of joined plates, plates each having a filter part set to the through hole for preventing the foreign matters from mixing are used as the plates constituting the laminated body, whereby the filter parts are provided to positions corresponding to a common feed port 12 in the laminated body.例文帳に追加

複数のプレートを接合し、これらのプレートが有するそれぞれの形状の貫通孔により、内部にインク流路系が構成される積層体を形成するにあたって、積層体を構成するプレートとして、異物の混入を防止するフィルタ部を貫通孔に備えたプレートを用いることで、積層体内の共通供給口１２に対応する位置にフィルタ部を備える構成とする。 - 特許庁

To provide a reactor having a cylinder-shape mixing channel capable of forming a multi-layer flow in the radius direction in the inside, improving the mixing capability by a synergetic effect of turbulent current mixing and swirling current stirring, and thus producing a reaction product at a high yield and a high efficiency in a case of reaction by mixing a plurality of fluids containing respectively different kinds of substances.例文帳に追加

それぞれ異種の物質を含んでいる複数の流体を混合して反応させた場合、円筒形状の混合流路内で半径方向に多層流れを形成し、乱流混合及び旋回流による攪拌効果を相乗することにより混合性能を向上させ、反応生成物を高収率，高効率で生産できる混合流路を有する反応装置を提供する。 - 特許庁

The inkjet recording head comprises a recording head unit 5 having an ink ejecting part, a tank holder unit 4 for holding an ink tank 7 containing ink being ejected from the recording head unit 5, and a liquid supply passage 8 formed between the tank holder unit 4 and a channel forming member 1 bonded thereto in order to supply ink contained in the ink tank 7 to the recording head unit 5.例文帳に追加

インクジェット記録ヘッドは、インクを吐出する吐出部を有する記録ヘッドユニット５と、記録ヘッドユニット５で吐出するインクを収容するインクタンク７が装着されるタンクホルダユニット４と、インクタンク７に収容されたインクを記録ヘッドユニット５に供給するために、タンクホルダユニット４に接合された流路形成部材１との間に形成された液体供給路８とを備えている。 - 特許庁

To provide an organic electronic device structure in which a mapping of a surface free energy is performed on a substrate surface by a very simple structure and means; and which materializes a large angle from the substrate surface and a sufficient azimuth anchor ring in an alignment of an organic semiconductor molecule, and has such a high and good adhesion that an electrode material forming a channel does not separate therefrom in a rubbing step also.例文帳に追加

非常に簡便な構成・手段で表面自由エネルギーによるマッピングを基板表面に施し、かつ有機半導体分子の配向において基板面からの大きな角度と十分な方位角アンカリングを実現し、さらにチャネルを形成する電極材料がラビング工程においても剥離しない高い密着性を持つ優れた有機電子デバイス構造を実現する。 - 特許庁

In this electrooptical device, TFTs for switching pixels in a display region and TFTs for forming a circuit in a peripheral circuit region all consist of the same conduction type (e.g. N channel) TFTs and polysilicon of the same conduction type with the TFTs is embedded in contact holes 82 and 83 for electrical connection to a source region or drain regions 1d and 1e of the TFT 30.例文帳に追加

本発明の電気光学装置は、表示領域内の画素スイッチング用ＴＦＴと周辺回路領域内の回路形成用ＴＦＴが全て同一導電型（例えばＮチャネル）のＴＦＴであり、ＴＦＴ３０のソース領域またはドレイン領域１ｄ，１ｅとの電気的接続をとるコンタクトホール８２，８３内に前記ＴＦＴと同一導電型のポリシリコンが埋め込まれている。 - 特許庁

A semiconductor film is formed on an insulating film, surface of the semiconductor film is irradiated with a solid-state laser beam, backside of the semiconductor film is irradiated with the solid-state laser light reflected on a reflector arranged below the insulating film in order to crystallize the semiconductor film, and an active layer including the source region, the drain region and a channel forming region is formed by using the crystallized semiconductor film.例文帳に追加

絶縁膜上に半導体膜を形成し、半導体膜の表面に固体レーザー光を照射し、半導体膜の裏面には、絶縁膜の下方に配置された反射体によって反射された固体レーザー光を照射して半導体膜を結晶化させ、結晶化させた半導体膜を用いてソース領域、ドレイン領域及びチャネル形成領域を含む活性層を形成する。 - 特許庁

The method for manufacturing the probe with a field-effect transistor channel structure comprises a first step of producing the field-effect transistor, a second step of preparing to grow up the carbon nanotube on one upper section edge of a gate electrode of the field-effect transistor, and a third step of forming the carbon nanotube on the one upper section edge of the gate electrode of the prepared field-effect transistor.例文帳に追加

このために本発明は、電界効果トランジスタを製造する第１段階と;前記電界効果トランジスタのゲート電極上部一端に炭素ナノチューブを成長させるために準備する第２段階と;前記準備された電界効果トランジスタのゲート電極上部一端に炭素ナノチューブを生成する第３段階とを含む電界効果トランジスタチャンネル構造を持つ探針の製造方法を提供する。 - 特許庁

In a centrifugal separator revolving the mixed fluid MG flowing in an interval space 10 and separating a liquid L from the mixed fluid M by the centrifugal force of the generated revolving stream, a spiral flow channel 15 for forming the revolving stream along the inner wall surface 10a of the internal space 10 is provided between a mixed fluid inflow port 12 and a liquid outflow port 13.例文帳に追加

内部空間１０内に流入した混合流体ＭＧを旋回流にして、該旋回流の遠心力によって混合流体ＭＧから液体Ｌを分離する遠心分離器において、混合流体流入口１２と液体流出口１３との間に、内部空間１０を形成する内壁面１０ａに沿って前記旋回流を形成するための螺旋流路１５を設けた構成を採用した。 - 特許庁

This cooling block is fabricated by joining a first aluminum base material and a second aluminum base material in a heating environment containing oxygen with zinc between the base materials, while a concave for forming a coolant channel is machined on either or both of the base materials so that a diffusion bonding layer with zinc diffused in aluminum and an anti-corrosion layer made of zinc oxidized films can be formed simultaneously.例文帳に追加

各々アルミニウムからなり、少なくともそれらの一方に冷却液の流路形成用の凹部が加工されている第１の母材及び第２の母材を、両者の間に亜鉛を介在させた状態で酸素を含む加熱雰囲気下で接合することにより、亜鉛がアルミニウム中に拡散された拡散接合層と亜鉛酸化膜からなる防食層とが同時に形成されることにより冷却ブロックを形成する。 - 特許庁

The nonvolatile semiconductor memory comprises two source- drain regions 108 of a second conductivity type semiconductor separated from each other through a channel forming region of a first conductivity type semiconductor, a first gate electrode 105 arranged linearly along the separating region of two source-drain regions 108, and second gate regions 109G_1 and 109G_2 arranged linearly along the first gate electrode 105.例文帳に追加

第１導電型半導体からなるチャネル形成領域を挟んで互いに離間しそれぞれ第２導電型半導体からなる２つのソース・ドレイン領域１０８と、２つのソース・ドレイン領域１０８の離間領域に沿ってライン状に配置されている第１のゲート電極１０５と、第１のゲート電極１０５に沿ってライン状に配置されている第２のゲート電極１０９_G1、１０９_G2とを有する。 - 特許庁

To provide a method of discriminating a combination of an electrode and an organic semiconductor which have improved electron injection efficiency and hole injection efficiency in an organic TFT, to achieve two kinds of n-channel and p-type TFTs, and to provide a complementary organic thin film transistor (organic CTFT) and a complementary organic TFT array forming a desired circuit configuration using the organic CTFT.例文帳に追加

有機ＴＦＴにおいて、電子注入効率とホール注入効率を改善した電極と有機半導体の組み合わせをそれぞれ判別する手法を提供し、また、ｎ型チャネルＴＦＴとｐ型チャネルＦＥＴの２種類のＴＦＴを実現し、相補型有機薄膜トランジスタ（有機ＣＴＦＴ）および、有機ＣＴＦＴによる所望の任意回路構成を形成する相補型有機ＴＦＴアレイを提供する。 - 特許庁

The method of manufacturing a semiconductor epitaxial crystal substrate comprises steps for forming a nitride gallium semiconductor crystal layer composed of a buffer layer 2, a channel layer 3 and an electron supply layer 4 on a base substrate 1 by an epitaxial method, laminating AlN continuously in an epitaxial growth furnace on the electron supply layer 4 as a precursor of a dielectric film, and then performing oxidation treatment to the laminated precursor to form a dielectric film 5.例文帳に追加

下地基板１上にエピタキシャル法によって、バッファ層２、チャネル層３、及び電子供給層４から成る窒化ガリウム半導体結晶層を形成した後、エピタキシャル成長炉内で連続してＡｌＮを電子供給層４上に誘電体膜の前駆体として積層し、しかる後、積層した前駆体に対して酸化処理を施すことによって誘電体膜５を形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that is constituted by forming a completely depleted MISFET transistor using an SOI layer and can set a threshold to a specified value while the sensitivity threshold to the fluctuation of the film thickness of the SOI layer is roughly maintained at the minimum value even when the impurity concentration in the channel region of a MISFET fluctuates by changing the back gate voltage depending on the impurity concentration.例文帳に追加

ＳＯＩ層を用いた完全空乏化ＭＩＳＦＥＴトランジスタを形成してなる半導体装置において、ＭＩＦＳＥＴのチャネル不純物濃度に依存して、バックゲート電圧を変化させることによって、不純物濃度が変動しても、ＳＯＩ膜厚バラツキに対するしきい値感度をほぼ極小に保ったままで、しきい値を規定する値にできるようにする半導体装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

In an ink jet printer comprising an ink tank 15 for storing ink, a recording had 1 having nozzles for ejecting ink, and an ink supply tube 16 forming an ink channel leading from the ink tank 15 to the recording had 1 and supplying ink to the recording had 1, a heater 17 and a cooling tube 19 connected with the printer body 50 and regulating ink temperature are provided in the ink supply tube 16.例文帳に追加

インクを貯留するインクタンク１５と、インクを吐出するノズルを有する記録ヘッド１と、インクタンク１５から記録ヘッド１に至るインク流路を形成しインクを記録ヘッド１に供給するインク供給管１６とを備えてなるインクジェットプリンタであって、プリンタ本体５０と接続されインクの温度を調節するヒータ１７及び冷却管１９を、インク供給管１６の内部に設けた。 - 特許庁

a leak current in channel flowing in a memory cell of an over erasing state of which the threshold voltage is low is suppressed in a self-adjustment way by connecting the resistor R1, in a memory cell being an object of batch rewriting, output voltage of a charge pump circuit supplying drain voltage of a high potential required for forming a high electric field region for generating sub-threshold CHE is secured.例文帳に追加

抵抗Ｒ１を接続することによって、しきい値電圧が低い過消去状態のメモリセルにおいて流れるチャネル性リーク電流が自己調整的に抑制され、一括した書戻し対象のメモリセルにおいて、サブスレッショルドＣＨＥを発生させるための高電界領域を形成するのに必要な高電位のドレイン電圧を供給するチャージポンプ回路の出力電圧が確保される。 - 特許庁