「Channel-Forming」に関連した英語例文の一覧と使い方(25ページ目) - Weblio英語例文検索

The bottom of the tray member 30 is formed such that level difference from the upper surface of the metal plate 50, at an upstream end 35d of the rectifying channel forming portion 35, is larger on the front end side than on the rear end side.例文帳に追加

そして、皿部材３０の底面は、整流通路形成部３５の上流端３５ｄにおける金属プレート５０の上面を基準とした段差が、後端側よりも前端側が大きくなるように形成されている。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device incorporating a p-channel junction type FET and a protective element that can be formed by the same process and includes a pn junction, while forming a junction type FET by a simple manufacture process.例文帳に追加

接合型ＦＥＴを簡単な製造工程で形成しながら、そのｐチャネル接合型ＦＥＴと同じ工程で形成することができｐｎ接合を含む保護素子とを内蔵する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

At the time of forming a semiconductor layer, e.g. an InGaAs channel layer, on a GaAs substrate 1 through InAlAs buffer layers 71, 73, As on the surface of the InAlAs buffer layer 71 is substituted by another group V element.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板１上にＩｎＡｌＡｓバッファ層７１，７３を介してＩｎＧａＡｓチャネル層などの半導体層を形成するに際し、そのＩｎＡｌＡｓバッファ層７１の表面のＡｓを別のＶ族元素で置換する。 - 特許庁

A gate electrode 6 is formed on a channel forming region interposed between a drain region 2 and a source region 3 on a board 1, and a semiconductor photodetector 10 is provided on the gate electrode 6 through the intermediary of a dielectric film 7.例文帳に追加

基板１においてドレイン領域２とソース領域３との間に介在するチャネル形成領域上に形成したゲート電極６上に誘電体膜７を介して半導体光検出素子１０が設けられる。 - 特許庁

The problem is solved by so forming an ion injecting region whose thickness corresponds to the thickness of a plurality of layers comprising channel regions and source/drain regions, in a semiconductor substrate previously as to use this substrate in a transcribing method of utilizing the injection of hydrogen.例文帳に追加

予め半導体基板にチャネル領域とソース／ドレイン領域の複数層の厚さに対応するイオン注入領域を形成し、この基板を水素注入よる転写法に使用することで、上記課題を解決する。 - 特許庁

The power gating circuit includes a P-channel transistor having a source coupled to a VCC, a gate for receiving a first boosted or non-boosted power gating control signal, and a drain for forming a switched internal VCC voltage.例文帳に追加

パワーゲーティング回路は、ＶＣＣに結合したソースと、第１の昇圧された、または非昇圧のパワーゲーティング制御信号を受取るためのゲートと、スイッチングされた内部ＶＣＣ電圧を形成するドレインとを有するＰチャネルトランジスタを含む。 - 特許庁

Subsequently, the separation layer 2 is eluted and the substrate 1 is separated, a liquid ejection opening 12 is made in the first coating resin layer 3 by laser ablation and the fusible resin layer 4b is eluted thus forming a liquid channel 13.例文帳に追加

その後に分離層２を溶出して基板１を分離し、第１の被覆樹脂層３にレーザーアブレーションによって液吐出口１２を形成し、そして溶解可能な樹脂層４ｂを溶出して液流路１３を形成する。 - 特許庁

Energy level on the bottom of conduction band of the floating gate is set lower than the energy level on the bottom of conduction band in the channel forming region of the semiconductor layer in order to enhance carrier injection properties, thus enhancing the charge retention characteristics.例文帳に追加

半導体層のチャネル形成領域の伝導帯の底のエネルギーレベルより、浮遊ゲートの伝導帯の底のエネルギーレベルを低くすることにより、キャリアの注入性を向上させ、電荷保持特性を向上させるためである。 - 特許庁

The buffer layer is provided between the source electrode layer and the drain electrode layer, and the semiconductor layer forming the channel formation region, and is provided particularly for relaxing the electric field in the vicinity of a drain edge and improving the withstanding voltage of the transistor.例文帳に追加

バッファ層は、チャネル形成領域を形成する半導体層とソース電極層及びドレイン電極層との間にあって、特にドレイン端近傍の電界を緩和して、トランジスタの耐圧を向上させるように設けられる。 - 特許庁

Energy level on the bottom of conduction band of the floating gate is set lower than the energy level on the bottom of conduction band in the channel forming region of the semiconductor layer in order to enhance carrier injection properties, thus enhancing the charge retention characteristics.例文帳に追加

また、半導体層のチャネル形成領域の伝導帯の底のエネルギーレベルより、浮遊ゲートの伝導帯底のエネルギーレベルを低くすることにより、キャリアの注入性を向上させ、電荷保持特性を向上させるためである。 - 特許庁

An insulating film 5 is formed on a channel formation impurity region 4 formed inside a semiconductor substrate 1, and the insulating film 5 in a gate forming region is subjected to first gate etching up to a halfway point in the insulating film 5 in a thickness direction (thickness of the residual part of the film 5:d1).例文帳に追加

半導体基板１内に形成されたチャネル形成不純物領域４上に絶縁膜５を成膜し、そのゲート形成箇所に対し膜厚途中まで第１のゲートエッチングを行う（残膜厚：ｄ１）。 - 特許庁

To control the amount of a photoresist remaining in a channel region to be uniform and to reduce projections at an end of a semiconductor layer, in relation to a method for forming a pattern using a photoresist composition and to a method for manufacturing a thin film transistor display panel.例文帳に追加

フォトレジスト組成物を用いたパターンの形成方法、薄膜トランジスタ表示板の製造方法に関し、チャンネル領域に残っているフォトレジストの量を均一にして、半導体層の末端の突出を減少させる。 - 特許庁

A liquid ejecting unit Y and a channel forming member 6 comprising a liquid supply unit are bonded, using an adhesive for main bonding, to be applied to a coating part P2, and an adhesive for temporary bonding, to be applied to a coating part P1.例文帳に追加

塗布部Ｐ２に塗布される本接着用の接着剤と、塗布部Ｐ１に塗布される仮接着用の接着剤と、を用いて、液体吐出ユニットＹと、液体供給ユニットを構成する流路形成部材６と、を接着する。 - 特許庁

Thus, the sensor substrate 5 hardly receives the effect of a part caused by the linear expansion/contraction in the direction of the axis a from among stress transmitted from the flow channel forming member (namely, the effect of first cylinder deformation of the support member 7).例文帳に追加

これにより、センサ基板５は、流路形成部材からの応力伝達の内、軸ａの方向における線膨張収縮に起因する部分の影響（つまり、支持部材７の第１円筒変形の影響）を受けなくなる。 - 特許庁

Based on the positional information of the object, a virtual sound source is set in front of a display for displaying the video image, and various parameters 51, 52 and 53 for forming the sound field of the virtual sound source are calculated for every channel.例文帳に追加

前記物体の位置情報に基づいて、前記映像を表示する表示器より前方に仮想音源を設定し、前記仮想音源の音場を形成するための各種パラメータ５１、５２、５３を前記チャンネルごとに計算する。 - 特許庁

The inkjet recording head has a flow channel forming member 3 provided on a surface of the silicon substrate 1, and formed with a plurality of pressure chambers 8 arranged juxtaposedly, and a delivery port 7 communicating each pressure chamber 8 with an external space.例文帳に追加

また、シリコン基板１の表面に設けられ、並べて配置された複数の圧力室８および各圧力室８と外部空間とを連通している吐出口７が形成された流路形成部材３を有している。 - 特許庁

A part positioned on both sides of the meandering channel 9 is an abutted part 10 where flat plate parts 15 forming a part of the base pieces 2 are abutted with each other, and the base pieces 2 can be separated from each other in an inside part 11 of the abutted part 10.例文帳に追加

蛇行流路９の両側に位置する部分は、基片２，２の一部をなす平板部１５，１５相互が当接した当接部分１０となされ、当接部分１０の内側の部分１１は、基片２，２相互が離間可能である。 - 特許庁

The inside of the casing is constituted as a hollow body forming an exhaust gas stream channel MFD and an exhaust gas flowing in opening 2J and an exhaust gas flowing out opening 2D are formed at one end and the other end of the exhaust gas stream MF in a flowing through direction respectively.例文帳に追加

筺体２内部が排気流通路ＭＦＤをなす中空体として構成され、該排気流ＭＦの流通方向における一端に排気流入口２Ｊが、他端に排気流出口２Ｄが形成される。 - 特許庁

The liquid resin (3) is discharged in a string shape from the multiple nozzles and falls on the molding mold (2) while being arranged in the width direction of the molding mold (2) so that the intrusion of air into the lens forming channel of the molding mold (2) is prevented.例文帳に追加

液状の電離放射線硬化型樹脂（３）が多連ノズルから糸状に吐出され、成形型（２）の幅方向に連なって成形型（２）上に落下するので、成形型（２）のレンズ形成溝内に空気を巻き込み難い。 - 特許庁

The fatty product is filled into a packing cover (4) which opens on one of sides by a grid die (31) placed in a product exit channel (14), thereby forming the individual portions which are separated by a separation gap.例文帳に追加

脂肪性生産品は、一方の側において開いているパッキングカバー（４）の中へ、生産品出口チャネル（１４）内に配置されるグリッドダイ（３１）によって充填され、これによって、分離ギャップによって分離される個別の部分を形成する。 - 特許庁

The channel forming substrate 12 comprises a chamber 12a communicating with the nozzle opening 11a, and a pressure generating chamber 12b communicating with the nozzle opening communication chamber 12a and opening on the side opposite to the nozzle plate 11.例文帳に追加

流路形成基板１２は、ノズル開口１１ａに連通するノズル開口連通室１２ａと、当該ノズル開口連通室１２ａに連通すると共にノズルプレート１１とは逆側にて開口する圧力発生室１２ｂと、を有する。 - 特許庁

The liquid channel 3 is provided with a supply part forming member 5A having a liquid supply opening 5 communicating with a common liquid supply chamber 6, and a cantilever movable member 8 disposed oppositely to the liquid supply opening 5.例文帳に追加

液流路３には、共通液体供給室６と連通する液体供給口５が形成された供給部形成部材５Ａと、液体供給口５に対向配置されて片持ち支持された可動部材８とが設けられる。 - 特許庁

To avoid the variation of the threshold voltage or the mobility of a transistor due to the variation of a gate insulation film, resulting from the change of its manufacturing process or the discrepancy of a used substrate in addition to the variation factor of the crystallizing condition in the channel forming region.例文帳に追加

トランジスタは作製工程や使用する基板の相違によって生じるゲート絶縁膜のバラツキや、チャネル形成領域の結晶状態のバラツキの要因が重なって、しきい値電圧や移動度にバラツキが生じてしまう。 - 特許庁

Energy level on the bottom of conduction band of the floating gate is set lower than the energy level on the bottom of conduction band in the channel forming region of the semiconductor substrate, in order to enhance carrier injection properties thus enhancing the charge retention characteristics.例文帳に追加

半導体基板のチャネル形成領域の伝導帯の底のエネルギーレベルより、浮遊ゲートの伝導帯底のエネルギーレベルを低くすることにより、キャリアの注入性を向上させ、電荷保持特性を向上させるためである。 - 特許庁

The mobility of the carriers can be improved by suppressing transit scattering of the carrier and access resistance to the channel, and the formation of parasitic capacitance can be avoided, without forming a conventional complicated structure.例文帳に追加

従来のような複雑な構造を形成することなく、キャリアに対する走行散乱およびチャネルに対するアクセス抵抗を抑えてキャリアの移動度を向上させることができると共に、寄生容量の形成も回避することができる。 - 特許庁

The ink ejection head comprises a chip 2 wherein a plurality of heaters 5 the respective heat effecting faces of which face an ink supply channel 3a are formed, and a nozzle forming member 3 wherein a plurality of ejection ports 4 corresponding respectively to electrothermal converters 5 are formed.例文帳に追加

インク供給路３ａにそれぞれの熱作用面が面する複数のヒータ５が形成されたチップ２と、それら電気熱変換体５にそれぞれ対応する複数の吐出口４が形成されたノズル形成部材３とを有する。 - 特許庁

In the case of forming a thin film transistor, impurities are implanted to the crystallized silicon film and after that, heat treatment is performed on the crystallized silicon film, whereby a defect density in a channel formation region is reduced and the doped impurities can be activated.例文帳に追加

薄膜トランジスタを作製する場合には、結晶化された珪素膜に不純物をドーピングした後に、加熱処理を行うことで、チャネル形成領域の欠陥密度を減らし、ドーピングされた不純物を活性化させることができる。 - 特許庁

By leveling the resin applied on the leveling starting side place of the previously applied resin (3), the intrusion of bubbles in the lens forming channel can be prevented properly.例文帳に追加

また、均し開始側の箇所に塗布する電離放射線硬化型樹脂（３）を、これより先に塗布した電離放射線硬化型樹脂（３）上で均すことにより、レンズ形成溝内への気泡の巻き込みをより適正に防止することができる。 - 特許庁

After that, impurities for forming n^+ type semiconductor regions for the source and the drain of the power n channel LDMOS FETQn are introduced in the semiconductor substrate 1 in the state that the thin insulating film 15 is still left.例文帳に追加

その後、上記薄い絶縁膜１５を残したままの状態で、パワーｎチャネルＬＤＭＯＳ・ＦＥＴＱｎのソースおよびドレイン用のｎ^＋型の半導体領域を形成するための不純物を半導体基板１に導入する。 - 特許庁

To form an isolation channel of stable quality with high yield, in the manufacture of a semiconductor device which includes a process for forming an isolation groove for dividing the active region on a semiconductor substrate.例文帳に追加

本発明は半導体基板に活性領域を区分する分離溝を形成する工程を含む半導体装置の製造方法に関し、安定した品質を有する分離溝を高い歩留まりで形成することを目的とする。 - 特許庁

A voice envelope waveform VV controlling musical sounds by sounding channels forming the playing parts is modified with part envelope waveforms PV controlling the musical sounds of the playing parts to generate modified envelope waveforms for every sounding channel.例文帳に追加

演奏パートの楽音を制御するパートエンベロープ波形ＰＶによって、その演奏パートを形成する各発音チャンネル毎の楽音を制御するボイスエンベロープ波形ＶＶを修飾し、各発音チャンネル毎の修飾エンベロープ波形を発生させる。 - 特許庁

Unevenness is provided on a substrate between a channel forming member and the substrate.例文帳に追加

流路形成部材と基板との間において、基板には凹凸が設けてあり、凸部がフィルターのとして機能し、また凹部がインク流路として機能する構成となっていることによりゴミフィルターとしての機能に影響を与えない構成が可能となる。 - 特許庁

An extension pipe is provided with a freely attachable and detachable connection pipe 20, an inside connection pipe 22 is provided inside the pipe 20, and an outside connection pipe 24 forming a first exhaust channel 23 is provided in the interval with the outer periphery of this inside connection pipe 22.例文帳に追加

延長パイプ（図示なし）に着脱自在に接続管２０を設け、その内部に内側接続管２２を設け、この内側接続管２２の外周との間に第１の排気風路２３を形成する外側接続管２４を設ける。 - 特許庁

This joint body 13 forming a joint 11 is formed by screwing a cap 17 with a main body 16, and a peripheral wall of the body 16 is provided with a through-hole 41 radially extended and communicated with a channel 20a.例文帳に追加

継手１１を構成する継手本体１３は本体１６にキャップ１７を螺合することにより形成されており、本体１６の周壁にはその半径方向に延び、流路２０ａと連通する貫通孔４１が形成されている。 - 特許庁

To avoid the variation of the threshold voltage or the mobility of a transistor due to the variation of agate insulation film, resulting from the change in its manufacturing process or the discrepancy of a used substrate in addition to the variation factor of the crystal conditions in the channel forming region.例文帳に追加

トランジスタは作製工程や使用する基板の相違によって生じるゲート絶縁膜のバラツキや、チャネル形成領域の結晶状態のバラツキの要因が重なって、しきい値電圧や移動度にバラツキが生じる。 - 特許庁

By altering the relative position of the case body 110 and the flow channel forming body 130 in the vertical direction by the lift mechanism, the relative position of the baffle part 122 and the open air introducing pipe 134 in the vertical direction is altered.例文帳に追加

昇降機構がケース体１１０と流路形成体１３０との上下方向における相対位置を変更することによって、バッフル部１２２と外気導入管１３４との上下方向における相対位置が変更される。 - 特許庁

To provide a wear resistant ring for a piston capable of compatibly materializing both of improvement of durability and improvement of cooling performance without causing steep rise of manufacturing cost in the wear resistant ring integrating a member for forming a coolant channel.例文帳に追加

冷却媒体流通路を形成するための部材が一体化されて成る耐摩環に対し、製造コストの高騰を招くこと無しに、耐久性の向上と冷却性能の向上とを両立できるピストン用耐摩環を提供する。 - 特許庁

The noise reduction method in which the interference reference signal is produced for a multi-channel interference compensation system comprises the steps of minimizing undesired effective signal components as reference by reducing interference in the effective signal via a spectral subtraction in at least one channel, supplying the useful signal to other channel, and forming at least one interference reference signal by the subtraction of both channels.例文帳に追加

多重チャネル妨害補償システムのための妨害基準信号を生成する形式の雑音低減のための方法において、少なくとも１つのチャネルにおけるスペクトルサブトラクションによって有効信号の妨害を低減することによって、基準として不所望の有効信号成分を最小化し、前記有効信号を別のチャネルに供給し、少なくとも１つの妨害基準信号を前記両チャネルのサブトラクションによって形成するように構成することで解決される。 - 特許庁

The micro scale method is improved by (a) utilizing a micro fluid device which includes two or more micro channel structures with a flow under common flow control and (b) forming an affinity complex in at least two micro channel structures under the flow conditions, and holding the immobilized-form affinity complex which is formed in reaction micro cavities of the used individual micro channel structures under the flow conditions.例文帳に追加

(ａ)流動が共通の流動制御下にある２またはそれ以上のマイクロチャンネル構造を含んでなるマイクロ流体デバイスを利用すること、ならびに(ｂ)少なくとも２つのマイクロチャンネル構造において流動条件下でアフィニティー複合体を形成させること、および使用された個々のマイクロチャンネル構造中の反応微小空洞において流動条件下で形成された、固定化形態のアフィニティー複合体を保持すること、により改善され得ることを認めた。 - 特許庁

To prevent ejection quantity and speed of ink drop from lowering by preventing the state of crystal composing the side face or the top face of a polarized piezoelectric ceramics from being varied due to cutting or blasting for forming a channel in the channel member of a head or laser machining for forming the lead wire of a driving electrode on the top face of the barrier wall thereby ensuring the essential displacement of the barrier wall.例文帳に追加

ヘッド４０を構成する流路部材３の流路２形成時における切削加工やブラスト加工、あるいは隔壁１の頂面に駆動用電極４の引出線１９を形成する際のレーザー加工によって、分極処理された圧電セラミックスからなる隔壁１の側面や頂面を構成する結晶の状態が変化することを防ぎ、隔壁１が持つ本来の変位量が得られるようにし、インク滴の吐出量や吐出速度の低下を防止する。 - 特許庁

To manufacture a horizontal silicon carbide power device by forming self-aligned shallow implantation region and deep implantation region, comparatively fixing an n-type dopant having a low diffusivity of the shallow implantation region, sufficiently diffusing a p-type dopant having a high diffusivity of the deep implantation region, and forming a p base region forming a well controlled channel around an n-type source.例文帳に追加

自己整列した浅い注入領域及び深い注入領域を形成し、浅い注入領域の低い拡散率を有するｎ型ドーパントを比較的固定すると共に、深い注入領域の高い拡散率を有するｐ型ドーパントを十分に拡散させ、良く制御されたチャネルを形成するｐベース領域をｎ型ソースの周りに形成して横型炭化シリコンパワーデバイスを製造する。 - 特許庁

A crystal defect caused by the implantation of a fluorine ion can be recovered to decrease the leak level of the p-channel MOS transistor and a fluctuation in the leak by the steps of implanting a fluorine ion for forming the fluorine ion implantation region, implanting ion for forming a p-tyep LDD6, and heat treating before forming side walls of gate electrodes 3, 23 at temperatures not less than 900°C.例文帳に追加

フッ素イオン注入領域形成用のフッ素イオン注入、ｐ型ＬＤＤ６形成用のイオン注入後で、かつ、ゲート電極３，２３のサイドウォールの形成前に９００℃以上の熱処理を行うことにより、フッ素イオン注入による結晶欠陥を回復することが出来，その結果ｐチャネル型ＭＯＳトランジスタのリークレベルを低くすることができ，かつリークのばらつきも小さくできる。 - 特許庁

In forming impurity injection regions 33 and 34 forming the photodiode part (photoelectric conversion part) 30a, or forming an impurity injection region adjacent to the photodiode part (photoelectric conversion part) 30a, for instance, a channel stop part 38, photoresist not containing a photoacid generating agent using an onium salt of an iodonium salt is used as photoresist films R1-R4 being impurity injection prevention films.例文帳に追加

上述したようにフォトダイオード部（光電変換部）３０ａを形成する不純物注入領域３３及び３４の形成や、フォトダイオード部（光電変換部）３０ａに隣接する不純物注入領域、例えばチャネルストップ部３８を形成する際に、不純物注入阻止膜であるフォトレジスト膜Ｒ１〜Ｒ４として、ヨウドニウム塩のオニウム塩を用いた光酸発生剤を含まないフォトレジストを用いる。 - 特許庁

The field effect transistor is constituted, by at least forming a channel layer, a gate insulating layer, a source electrode, a drain electrode and a gate electrode on a substrate; the channel layer comprises an amorphous oxide material including at least In and B; and the element ratio B/(In+B) of the amorphous oxide material is 0.05 or higher and 0.29 or lower.例文帳に追加

基板上にチャンネル層、ゲート絶縁層、ソース電極、ドレイン電極、ゲート電極が少なくとも形成されてなる電界効果型トランジスタであって、該チャンネル層は、少なくともＩｎとＢとを含むアモルファス酸化物材料より構成されており、該アモルファス酸化物材料の元素比率Ｂ／（Ｉｎ＋Ｂ）は０．０５以上０．２９以下であることを特徴とする電界効果型トランジスタ。 - 特許庁

The printer has a platen to position a printing medium, a printhead ejecting an ink toward a printing medium while reciprocating in parallel with the longitudinal axis of the platen, a fan to discharge air sucked from the vicinity of the platen, and multiple walls forming a winding intake channel or exhaust channel of the fan between the walls.例文帳に追加

印刷媒体を位置決めするためのプラテンと、前記プラテンの長手方向軸線と平行に往復移動しながら印刷媒体に向けてインクを噴射する印刷ヘッドと、前記プラテンの近傍から吸入した空気を排出するファンと、壁間に前記ファンの曲がりくねった吸気流路又は排気流路を形成している多重壁と、を備えることを特徴とするプリンタ。 - 特許庁