「Channel-Forming」に関連した英語例文の一覧と使い方(23ページ目) - Weblio英語例文検索

If a channel clock period is T, the LD control part 17 emits pulse light of n/2 times (round down decimals) when forming a recording mark of a length of n x T (n ; an integer of 2 or larger).例文帳に追加

ＬＤコントロール部１７は、チャンネルクロックの周期をＴとしたときに、ｎ×Ｔの長さ（ｎは２以上の整数）の記録マークを形成する場合には、ｎ/２回（小数点以下切り捨て）のパルス光を照射する。 - 特許庁

A central supply needle 360 and a one side supply needle 370 for introducing liquid from a tank are welded to the channel forming unit 343 such that the circumferential edge of the filter 342 is held between.例文帳に追加

フィルタ３４２の周縁を流路形成装置３４３と挾持する状態に、タンクから液状体を導入する中央供給針３６０および片側供給針３７０を流路形成装置３４３に溶着する。 - 特許庁

To improve resistance to collapse by supporting pressure applied to a receiving surface by inclined planes by forming both ends of the corner section of a supporting bracket for supporting channel steel or the like in the inclined planes inclining in the internal angular direction.例文帳に追加

溝形鋼等を支持するための支持ブラケットの角部両端を内角方向に傾斜する傾斜面５に形成することで、受面３にかかる圧力を傾斜面５で支持して、耐崩壊性の向上を図る。 - 特許庁

In a process 201 for forming an adhesive layer, a thin film like adhesive layer of which the adhesive is solidified is formed on at least one face of the plate having formed thereon the opening section of the nozzle, the liquid reserve chamber, the liquid channel or the like.例文帳に追加

接着層形成工程２０１で、ノズル、液体貯留室又は液体流路等の開口部が形成されたプレートの少なくとも一面に接着剤が固形化した薄膜状の接着層を形成する。 - 特許庁

A second negative type barrier wall member 33 is laid thereon prior to development and subjected similarly to mask exposure thus forming exposed parts 33-1 for making a barrier wall sectioning a seal wall and an ink channel and unexposed parts 33-2 serving as ink channels.例文帳に追加

未現像のまま、この上にネガタイプの第2の隔壁部材33を積層し、同様にマスク露光し、シール隔壁とインク流路の区画隔壁を作るための露光部33−1と、インク流路となる非露光部33−2を形成する。 - 特許庁

The wall-type indoor unit 10 of the air conditioner mounted on a wall surface in a room, includes an indoor unit casing 12, side supplying flow channel forming members 25, 95, and a vertical wind direction adjusting blade 30.例文帳に追加

空気調和機の室内機１０は、室内の壁面に取り付けられる壁掛型の室内機であって、室内機ケーシング１２と、側方吹き出し流路形成部材２５，９５と、上下風向調整羽根３０とを備えている。 - 特許庁

A gas sensor 10 comprises: the channel forming member 20 having the measuring chamber 28 in which gas exists; and a piezoelectric element 51 disposed oppositely to the chamber 28 to transmit or receive an ultrasonic wave by means of a piezoelectric effect.例文帳に追加

ガスセンサ１０は、気体が存在する測定室２８を有する流路形成部材２０と、測定室２８に臨んで配置され圧電効果により超音波を送信または受信する圧電素子５１とを備えている。 - 特許庁

A first insulation layer, a floating gate, a second insulation layer, and a control gate are provided on a semiconductor substrate having a channel forming region between a pair of impurity regions formed while spaced apart from each other.例文帳に追加

互いに離間して形成された一対の不純物領域の間にチャネル形成領域を形成する半導体基板と、その上層部に、第１の絶縁層、浮遊ゲート、第２の絶縁層、制御ゲートを設ける。 - 特許庁

To provide a fluid control method capable of forming a stable interface without limiting the position of the interface between fluids in a fluid device comprising a confluence channel in which two fluids join.例文帳に追加

二つの流体を合流させる合流流路を有する流体デバイスにおいて、流体の界面位置が限定されず、かつ安定した界面を形成することができる流体の制御方法を提供する。 - 特許庁

Then, an air exhaust port 14 connected from the end of the specimen channel 1 to the outside of the specimen analysis tool A is formed by forming the air exhaust port 14 after elapse of a prescribed time as shown in figure (b).例文帳に追加

次に、図４（ｂ）に示すように、所定時間経過後に空気排出口１４を形成して検体流路１の端部から検体分析用具Ａの外部につながる空気排出口１４を形成する。 - 特許庁

As a crystal particle size of silicon forming a channel layer 141 of a peripheral TFT 110 is formed of micro crystal silicon, the variations of a threshold value voltage are suppressed to a certain degree while an on current is increased.例文帳に追加

周辺ＴＦＴ１１０のチャネル層１４１を形成するシリコンの結晶粒径は、微結晶シリコンによって形成されているので、閾値電圧のばらつきをある程度抑えながら、オン電流を大きくすることができる。 - 特許庁

To provide an extrusion feed device capable of forming a composite extrudate in various shapes by receiving many kinds of extrudates in various feed forms although the device has a structure having one same discharge channel.例文帳に追加

一つの同じ吐出路を持つ構造でありながら、多種類の押出物を多様な供給形態で受けて、多様な形態の複合押出物を形成することを可能にする押出供給装置を提供する。 - 特許庁

This channel is equipped with a main body 3 having a ditch 11 opened upward and a passage 20 formed obliquely upward along a side wall 5 forming the ditch 11 and the lower portion of the passage 20 is opened to the lower side of the ditch 11.例文帳に追加

上方に開口した溝１１を有する本体３と、溝１１を形成する側壁５に沿って斜め上方に形成された通路２０とを備え、通路２０の下側は溝１１の下側に通じる。 - 特許庁

To provide a flow channel forming device capable of improving the sealing performance of a partition, by preventing the intrusion of chips generated in cutting the existing fluid pipe between a bottom face of the partition and a bottom face inside of a casing.例文帳に追加

既設流体管の切断の時に発生する切り粉を仕切体の底面と筐体内部の底面との間に挟み込むことがなく、前記仕切体のシール性能の高い流路形成装置を提供する。 - 特許庁

A method for manufacturing a thin film transistor having an oxide semiconductor as a semiconductor layer including a channel formation region includes; forming an oxide insulating film to come into contact with the oxide semiconductor layer.例文帳に追加

チャネル形成領域を含む半導体層を酸化物半導体層とする薄膜トランジスタを有する半導体装置の作製方法において、酸化物半導体層に接する酸化物絶縁膜を形成する。 - 特許庁

To provide a bonding member capable of performing more reliable sealing than before and precisely forming a channel and further effectively suppressing mixture of bubbles on a bonding interface, and to provide a method of manufacturing the bonding member.例文帳に追加

特に従来に比べて確実な封止と流路を高精度に形成でき、更には接合界面での気泡混入を効果的に抑制できる接合部材及びその製造方法を提供することを目的としている。 - 特許庁

The method further includes a process of doping a channel region 124 disposed under the bottom surface of each of the concave portions 118, a process of depositing an electrode material 126 on each of the concave portions 118, and a process of forming source/drain regions.例文帳に追加

さらに、凹部１１８底面下に配されたチャンネル領域１２４をドープする工程と、凹部１１８にゲート電極材料１２６を堆積する工程とソース／ドレイン領域を形成する工程とを含む。 - 特許庁

The ink jet head comprises an ink supply tube 4, a channel forming member 11 in which a tubular joint 31 is formed, and a cap 8 covering a portion of the ink supply tube 4 fitted to the joint 31.例文帳に追加

インクジェットヘッドは、インク供給チューブ４と、筒状のジョイント部３１が形成された流路構成部材１１と、インク供給チューブ４のジョイント部３１に嵌合した部分を覆うキャップ８とを含んでいる。 - 特許庁

After the single electron memory for the two-quantum point application forms each floating gate 5, 6 on both the ends of a channel 1, an insulation layer is interposed thereon to have a structure for forming a control gate 7.例文帳に追加

本発明に係る二つの量子点応用単一電子メモリは、チャネル１上の両端に各々浮遊ゲート５、６を形成した後、その上に絶縁層４を介在させて制御ゲート７を形成した構造を有する。 - 特許庁

A first insulation layer, a floating gate, a second insulation layer, and a control gate are provided on a semiconductor layer having a channel forming region between a pair of impurity regions formed while spaced apart from each other.例文帳に追加

互いに離間して形成された一対の不純物領域の間にチャネル形成領域を有する半導体層と、その上層部に、第１の絶縁層、浮遊ゲート、第２の絶縁層、制御ゲートを設ける。 - 特許庁

A conduction detection part 130 which is part of a plurality of detection electrodes 131 and 132 closely arranged to each other is disposed at a peripheral edge on a surface on the piezoelectric actuator side of a channel forming substrate 11.例文帳に追加

流路形成基板１１の圧電アクチュエーター側の面の周縁部に、互いに近接して配された複数の検出電極１３１，１３２の一部である導通検出部１３０が設けられている構成とする。 - 特許庁

In order to decrease the number of sheets of mask, an ion implantation mask (photoresist layer 8) for regulating the threshold voltage of an N-channel MOS transistor is also used in ion implantation for forming a P-type well region.例文帳に追加

マスク枚数を削減するために、Ｎチャネル型ＭＯＳトランジスタのしきい値電圧調節用イオン注入とＰ型ウエル領域形成用イオン注入を同一のマスク（ホトレジスト層８）を用いて行うことに着目した。 - 特許庁

Subsequently, the liquid channel pattern is removed to form a plurality of pressure chambers 4, the transmission layer is removed except the parts corresponding to the plurality of pressure chambers 4 thus forming the island part 6.例文帳に追加

そののち前記液流路パターンを除去することによって前記複数の圧力室４を形成し、複数の圧力室４に対応する個所を除いて前記伝達層を除去することにより、アイランド部６を形成する。 - 特許庁

Consequently, a distance in the main scanning direction of the reservoir 111c can also be shortened, making it possible to further shorten the width size W in the main scanning direction of the feeding flow channel forming member 111.例文帳に追加

その結果、リザーバ１１１ｃの主走査方向における距離も短くすることができるので、供給流路形成部材１１１の主走査方向における幅寸法Ｗはさらに短くすることが可能となる。 - 特許庁

An island region of an epitaxial layer is isolated by a high concentration side isolation layer and a low concentration side isolation layer, and breakdown voltage is improved by forming a channel formation region with the same impurity concentration as a low concentration side isolation layer.例文帳に追加

エピタキシャル層の島領域を高濃度側分離層と低濃度側分離層により分離し、低濃度側分離層と同じ不純物濃度をもったチャネル形成領域を形成して、素子耐圧の向上を図る。 - 特許庁

To provide an apparatus and method for forming a physical channel for transmitting a processing result of a received data frame in an orthogonal frequency division multiple access (OFDMA) mobile communication system.例文帳に追加

直交周波数分割多重接続（ＯＦＤＭＡ）方式に基づく移動通信システムにおいて、受信したデータフレームの処理結果を伝送するための物理チャンネルを構成する装置及び方法を提供する。 - 特許庁

To fabricate a high quality J-FET element by a simple manufacturing process by forming an N-channel type J-FET(junction field effect transistor) element in a P-well region, having each region of an NPN transistor for common use.例文帳に追加

Ｐウェル領域内にＮチャネル型のＪ−ＦＥＴ素子を形成し、且つＮＰＮトランジスタの各領域を共用して形成することにより、高性能のＪ−ＦＥＴ素子を簡素な製造工程で形成すること。 - 特許庁

To provide a flow analyzing method of a resin and a screw planning method in a twin-screw extruder capable of easily forming a calculation model of the whole of a resin flow channel and capable of accurately reproducing the flow state of a whole resin.例文帳に追加

樹脂流路全体の計算モデル作成が容易で、かつ全体の樹脂の流動状態を正確に再現できる２軸押出機における樹脂の流動解析方法およびスクリュー設計方法を提供する。 - 特許庁

A water channel 12 is arranged to cross the tank walls 2 over the entire circumference of the processing tank 1 along upper edge positions of the left side wall 52, the right side wall 53, and the rear wall 54 of the bed 4 for forming the space of the lower part 1B.例文帳に追加

水路１２は、下部１Ｂの空間を形成するベッド４の左側壁５２、右側壁５３、後壁５４の上縁部位に沿って加工槽１の全周にわたって槽壁２を横断するように設けられる。 - 特許庁

An N-channel transistor includes a source coupled to a VSS, a gate for receiving a second boosted or non-boosted power gating control signal, and a drain for forming a switched internal VSS power source.例文帳に追加

Ｎチャネルトランジスタは、ＶＳＳに結合したソースと、第２の昇圧された、または非昇圧のパワーゲーティング制御信号を受取るためのゲートと、スイッチングされた内部ＶＳＳ電源を形成するドレインとを有する。 - 特許庁

To use a trolley truck with a frame as a rail for constructing a compound cross-section free-grade street gutter by forming the bottom portion of the gutter with a single U-shaped channel-shaped precast concrete frame while abbreviating a concrete base.例文帳に追加

コンクリートベースを省略して単一のＵ形水路状プレキャストコンクリートフレームで側溝底部を形成し、フレームを軌条とするトロッコ台車を用いて複断面自由勾配側溝を構築可能とする。 - 特許庁

At the distal end of the protrusion 153, a hook 155 is formed to project outward and engages a level difference surface 11c when the protrusion 153 is inserted into the hole 35 of the channel forming member 11.例文帳に追加

突出部１５３の先端には、外側に向かって突出した引っ掛け部１５５が形成されており、流路構成部材１１の孔３５に突出部１５３が挿入されたときに段差面１１ｃに係合する。 - 特許庁

An n-region CLL of a collector region CL of the bipolar transistor BT has an impurity density distribution identical to that of an n-channel forming region NC of a p-MOS transistor PT in the direction of thickness of the SOI layer SL.例文帳に追加

バイポーラトランジスタＢＴのコレクタ領域ＣＬのｎ^-領域ＣＬＬは、ＳＯＩ層ＳＬの厚み方向に対してｐＭＯＳトランジスタＰＴのｎ^-チャネル形成領域ＮＣと同じ不純物濃度分布を有している。 - 特許庁

To enable high-speed operation of a TFT by preparing a crystalline semiconductor film in which the locations and sizes of crystal grains have been controlled and employing the crystalline semiconductor film as the channel forming region of the TFT.例文帳に追加

結晶粒の位置とその大きさを制御した結晶質半導体膜を作製し、さらにその結晶質半導体膜をＴＦＴのチャネル形成領域に用いることにより高速動作を可能にする。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device, with which a bottom gate thin film transistor that has an improved S value and a channel forming region with a smaller thickness than that of a source region and a drain region can be manufactured in a simple step.例文帳に追加

ソース領域及びドレイン領域よりチャネル形成領域の膜厚が薄いＳ値の向上されたボトムゲート型薄膜トランジスタを簡単な工程で作製可能な半導体装置の作製方法を提供する。 - 特許庁

In this way, an implantation process for heavy ion and a heat treatment process for recovery of crystallinity for each of the implantation process are repeated for several times, thereby forming a P type channel diffusion layer 12 on the semiconductor substrate 11.例文帳に追加

このように、重イオンの注入工程及び該注入工程ごとの結晶性回復の熱処理工程を複数回繰り返すことにより、半導体基板１１の上部にＰ型チャネル拡散層１２を形成する。 - 特許庁

A part or all of a gate electrode overlapping with the channel forming regions 213 and 214 of pixel TFTs is superposed on second wirings (source wire or drain wire) 154 and 157 to improve a semiconductor device in numerical aperture.例文帳に追加

本願発明では、開口率を向上させるため、画素ＴＦＴのチャネル形成領域２１３、２１４と重なるゲート電極の一部または全部と第２配線（ソース線またはドレイン線）１５４、１５７とを重ねる。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device suppressing the increase of etching rate of an insulating film due to the pouring of ion upon forming a channel region or an impurity region which becomes a well region.例文帳に追加

チャネル領域またはウェル領域となる不純物領域の形成の際のイオン注入に起因する絶縁膜のエッチングレートの増大を抑制することが可能な半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The method of manufacturing the thin-film transistor includes: a step of forming a semiconductor thin film of a zinc oxide-tin compound doped with boron on a substrate; and a step of patterning the semiconductor thin film to form a channel.例文帳に追加

本発明による薄膜トランジスタの製造方法は、基板上にボロンドープされた酸化亜鉛−スズの化合物で半導体薄膜を形成するステップと、半導体薄膜をパターニングし、チャネルを形成するステップとを含む。 - 特許庁

To prevent peeling of a bonded surface around an opening when machining the opening of an oil passage, from being increased after a piston is applied to an internal combustion engine, in the piston with a piston cooling channel forming annular body buried therein.例文帳に追加

ピストン冷却流路形成用環状体を埋設したピストンにおいて油路の開口加工時に開口周りの接合面に生じた剥離が内燃機関等に適用された後に拡大することを阻止する。 - 特許庁

This header tank 3 is constituted by forming a refrigerant flow channel 21 inside by fitting a tank body 17 and a plate 19 to each other, and mounting a connector 13 as a refrigerant supply opening or discharge opening, on the tank body 17.例文帳に追加

ヘッダタンク３はタンク本体１７とプレート１９とを互いに重ね合わせて内部に冷媒流路２１を形成し、タンク本体１７上に冷媒の供給口または排出口となるコネクタ１３を装着する。 - 特許庁

To provide an internal combustion engine forming a lubricating oil returning channel capable of efficiently returning lubricating oil and increasing degree of freedom in design while inhibiting increase of volume of a cylinder block having cylinders formed therein.例文帳に追加

シリンダが形成されたシリンダブロックの嵩の増加を抑えながら、効率の良い潤滑油の戻しを行い、また、設計自由度を上げることができる潤滑油の戻し通路を形成する内燃機関を提供する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of transistors of semiconductor elements capable of forming a trench type gate, reducing source/drain resistance and gate resistance, without additional processes, and permitting efficient control of short-channel effects.例文帳に追加

トレンチ型ゲートを形成し、追加的な工程無くソース/ドレイン抵抗及びゲート抵抗を低くすることができ、短チャンネル効果の効率的な調節が可能な半導体素子のトランジスタ製造方法を提供する。 - 特許庁

The method includes steps of forming a gate oxide layer which is arranged on a channel region, forming a first metal layer which is arranged on the gate oxide layer and has a first thickness, forming a second metal layer which is arranged on the first metal layer and has a second thickness, and setting a gate work function corresponding to the combination of the first and second thicknesses.例文帳に追加

方法は、チャネル領域上に配置されるゲート酸化物層を形成するステップと、ゲート酸化物層上に配置される第１厚さを有する第１金属層を形成するステップと、第１金属層上に配置される第２厚さを有する第２金属層を形成するステップと、第１厚さおよび第２厚さの組み合わせに応じるゲート仕事関数を設定するステップとを含む。 - 特許庁

To provide a method for forming a semiconductor device which uses a laser crystallizing method capable of preventing a grain boundary from being formed in a channel forming region of a TFT, preventing the mobility of a TFT from being markedly decreased by the grain boundary, and preventing a decrease in on-current and an increase in off-current, and to provide a semiconductor device formed by using the forming method.例文帳に追加

ＴＦＴのチャネル形成領域に粒界が形成されるのを防ぎ、粒界によってＴＦＴの移動度が著しく低下したり、オン電流が低減したり、オフ電流が増加したりするのを防ぐことができるレーザー結晶化法を用いた、半導体装置の作製方法及び該作製方法を用いて作製された半導体装置の提供を課題とする。 - 特許庁