「Channel-Forming」に関連した英語例文の一覧と使い方(24ページ目) - Weblio英語例文検索

The electro-optical device is provided with picture electrodes (9a), TFTs (30) connected therewith, shielding layers (73, 6a) covering at least channel areas of these TFTs, and light absorbing layers (72, 71a) mainly formed of the main material forming the channel areas arranged between these shielding layers and the TFTs.例文帳に追加

電気光学装置は、ＴＦＴアレイ基板（１０）上に、画素電極（９ａ）と、これに接続されたＴＦＴ（３０）と、このＴＦＴの少なくともチャネル領域を覆う遮光層（７３、６ａ）と、この遮光層とＴＦＴとの間に配置されておりチャネル領域を形成する主材料を主材とする光吸収層（７２、７１ａ）とを備える。 - 特許庁

A channel opening/closing means 82 is provided at a partition board 81 for dividing a humidification unit 4 and an outdoor air-conditioning unit 5 in an outdoor machine casing 80, and is opened, thus forming a suction- side channel that exhausts to the front side of an outdoor fan 29 via a suction- side discharge path 75 through a humidification rotor 58.例文帳に追加

室外機ケーシング８０内の加湿ユニット４と室外空調ユニット５とを仕切る仕切板８１に流路開閉手段８２を設け、流路開閉手段８２を開放状態とすることによって、加湿ロータ５８を通過し吸着側排出路７５を介して室外ファン２９前面に排気される吸着側流路を形成する。 - 特許庁

A hetero-junction type FET has an SiC substrate 1, a channel layer 3 formed on the substrate 1, a nitride semiconductor barrier layer 8 having a top surface 8a forming a hetero-junction with the channel layer 3, a gate electrode 5 formed on the top surface 8a, and a source electrode and a drain electrode 6 formed on the top surface 8a.例文帳に追加

ヘテロ接合型ＦＥＴは、ＳｉＣ基板１と、ＳｉＣ基板１上に形成されたチャネル層３と、頂面８ａを有し、チャネル層３との間にヘテロ接合を形成し、窒化物半導体からなるバリア層８と、頂面８ａ上に形成されたゲート電極５と、頂面８ａ上に形成されたソース電極およびドレイン電極６とを備える。 - 特許庁

In the method for manufacturing the p-channel trench MOSFET in which a gate electrode is p-type, the gate electrode is formed on a polycrystalline silicon film by forming an insulating film, implanting boron ions, and then performing a process for removing the insulating film for a plurality of times, thus providing the p-channel trench MOSFET that operates stably and has high quality.例文帳に追加

ゲート電極がＰ型であるＰチャネルトレンチＭＯＳＦＥＴの製造方法において、ゲート電極を多結晶シリコン膜上に絶縁膜を形成してボロンイオン注入を行いその後絶縁膜を除去する工程を複数回行って形成することで、動作が安定でかつ高品質なＰチャネルトレンチＭＯＳＦＥＴを提供することが可能となる。 - 特許庁

An outer protrusion H1501 and an inner protrusion H1502 facing the wall surface of a partition wall H1106 forming each ink channel H1201 are formed in each ink channel H1201 between the upstream side end on the electrothermal conversion element H1103 side and the downstream side rear end on the ink supply opening H1102 side for the ink introducing direction.例文帳に追加

各インク流路Ｈ１２０１には、インクの導入方向に対して電気熱変換素子Ｈ１１０３側の上流側端部とインク供給口Ｈ１１０２側の下流側後端との間に、各インク流路Ｈ１２０１を形成する隔壁Ｈ１１０６の壁面に互いに対向する外側凸部Ｈ１５０１および内側凸部Ｈ１５０２が形成される。 - 特許庁

To provide a vertical type transistor having a buried junction in which a dopant concentration can be highly maintained while a depth of a junction where dopant is diffused can be controlled, which achieve improved contact resistance, and improve threshold voltage (Vt) of a channel by reducing the distance of separation between the channel region and the buried junction, and method for forming the same.例文帳に追加

ドーパントの濃度をより高く確保しつつも、ドーパントが拡散されるジャンクション深さを制御することができ、改善された接触抵抗を実現し、チャネル領域との離隔間隔を減らしてチャネルのしきい電圧（Ｖｔ）を改善できる埋没ジャンクションを有する垂直型トランジスタ及びその形成方法を提供すること。 - 特許庁

This rail for the sash roller is composed of a long rail holder 1 mountable on a channel formed on a sill and having U-shaped cross section, a long spacer 2 mounted in the rail holder 1 and formed by a material capable of cutting, and the long rail main body 3 forming a V-shaped guide channel 3a provided on a spacer 2 and allowing the sash roller to slide on it.例文帳に追加

敷居に形成された溝に装着可能な長尺の断面Ｕ字状レールホルダ１と、レールホルダ１内に装着され切削加工可能な材質から形成された長尺のスペーサ２と、スペーサ２上に設置されてその上を戸車が滑動するＶ字状ガイド溝３ａを形成した長尺のレール本体３とからなる戸車用レール。 - 特許庁

The width of a semiconductor film 4, located on a gate electrode 2 forming a channel region between a source electrode 6a and a drain electrode 6b, is larger than any of the widths of the source electrode 6a and the drain electrode 6b located on the gate electrode 2, and uneveness regions 4a and 4b are formed in the width direction of the semiconductor film on both side edges of the channel region.例文帳に追加

ソース電極６ａとドレイン電極６ｂの間のチャネル領域を形成するゲート電極２上に位置する半導体膜４の幅が、ゲート電極２上に位置するソース電極６ａの幅とドレイン電極６ｂの幅の何れよりも広く、かつチャネル領域の両辺縁部の半導体膜の幅方向に凹凸部４ａ，４ｂを有して形成する。 - 特許庁

Then, a second liquid composition is stuck on or adjacently to the reformed region at the periphery of the first form and then repelled to form a second form 220, thereby forming the channel 250 having a channel length 255 between the first form 120 and second form 220.例文帳に追加

次に、第２の液体組成物を前記第１の形体の周囲の前記改質された領域の上にまたはそれに隣接して付着させ改質された領域によってはじき第２の形体２２０を形成することにより、第１の形体１２０と前記第２の形体２２０との間にチャネル長さ２５５を有すチャネル２５０を形成する。 - 特許庁

A valve accommodation box 2 is arranged immediately below a side rail 1 forming a channel shape inwardly in the vehicle width direction, the valve accommodation box 2 is supported via a support 3 fitted to the outer side of the side rail 1 in the vehicle width direction, and valves of a pneumatic system arranged in the channel of the side rail 1 are collectively accommodated in the valve accommodation box 2.例文帳に追加

車幅方向内側に向け溝形を成すサイドレール１の直下にバルブ収容ボックス２を配置し且つ該バルブ収容ボックス２を前記サイドレール１の車幅方向外側面に装着したサポート３を介して支持し、前記バルブ収容ボックス２内に前記サイドレール１の溝形内に配索される空圧系統のバルブを集めて収容する。 - 特許庁

On the inner and outer surfaces in a top heat exchange housing 32 forming an expansion cylinder block, a fin 38 for cooling a refrigerant having cryogenic effect and a working gas channel 39 are integrally formed by lost wax casting, and also on the inner and outer surfaces of a radiating heat exchanger 27, a fin 50 and a working gas channel 51 are integrally formed similarly.例文帳に追加

膨張シリンダーブロック１４を構成する頂部熱交換ハウジング３２に、その外面と内面に、冷熱冷媒冷却用のフィン３８と作動ガス流路３９を一体にロストワックス鋳造により形成するとともに、放熱熱交換器２７もその内外にフィン５０と作動ガス流路５１を同様に一体に形成する。 - 特許庁

The invention provides an isolated nucleic acid encoding a polypeptide comprising a CNG3B subunit of a cation channel: (i) forming, with at least one additional alpha subunit, the cation channel having the characteristic of cyclic nucleotide-gating; and (ii) comprising a subsequence having at least 85% amino acid sequence identity to amino acids 210 to 661 in a specific sequence.例文帳に追加

（ｉ）少なくとも１つの追加のαサブユニットと共に、環状ヌクレオチド−ゲートの特徴を有するカチオンチャンネルを形成し；そして（ii）特定の配列のアミノ酸210〜661に対して少なくとも85％のアミノ酸配列同一性を有する副配列を含んで成る、カチオンチャンネルのCNG3Bサブユニットを含んで成るポリペプチドをコードする単離された核酸。 - 特許庁

To obtain a method for manufacturing an MOSFET in which the generation of a short channel effect is prevented by suppressing the intrusion of impurity ions in the channel direction through a simple means at the time of forming an extension region in the MOSFET having a notch and gate electrode and decreasing the overlap of the notch and gate electrode and the extension region thereby sustaining a specified gate length.例文帳に追加

ＭＯＳＦＥＴの製造方法に関し、ノッチ・ゲート電極をもつＭＯＳＦＥＴに於けるエクステンション領域を形成する際、簡単な手段で不純物イオンがチャネル方向に入り込むことを抑制してノッチ・ゲート電極とエクステンション領域との重なりを小さくし、所定のゲート長を維持して短チャネル効果が生じないようにする。 - 特許庁

This combustion deodorizing device 1 comprises piping 3 forming a gas flow channel 2 in which a treated gas including a malodor component, a ceramic heat reservoir 5 mounted on the way of the gas flow channel 2 in the piping 3 and having a vent hole 5a formed inside of the heat reservoir, and a gas burner 7 for directly heating the ceramic heat reservoir 5.例文帳に追加

燃焼脱臭装置１は、悪臭成分を含む被処理ガスが流通可能なガス流路２を形成する配管３と、配管３内の前記ガス流路２の途中に設けられ、蓄熱体内部に形成された通気孔５ａを有するセラミック蓄熱体５と、セラミック蓄熱体５を直接加熱するためのガスバーナー７とを備える。 - 特許庁

The electro-optical device includes , on a TFT array substrate 10, a pixel electrode, a TFT 30 connected thereto, light shielding layers 73, 6a covering at least a channel region of the TFT, and light absorbing layers 72, 71a which are arranged between the light shielding layers and the TFT and are made principally from a main material for forming the channel region.例文帳に追加

電気光学装置は、ＴＦＴアレイ基板１０上に、画素電極と、これに接続されたＴＦＴ３０と、このＴＦＴの少なくともチャネル領域を覆う遮光層７３、６ａと、この遮光層とＴＦＴとの間に配置されておりチャネル領域を形成する主材料を主材とする光吸収層７２、７１ａとを備える。 - 特許庁

In the side member structure of the chassis frame for forming a series of side members having a rectangular section by combining two side member components having a channel-shaped section with each other, a cutout part is formed in a part of a blank of each side member component, the blank is formed in a channel-shaped section, and the cutout part is welded.例文帳に追加

２つの溝形断面のサイドメンバ構成部材を組み合わせて、矩形断面で一連のサイドメンバを形成するシャーシフレーム用のサイドメンバ構造において、サイドメンバ構成部材のブランクの一部に切込み部を形成し、前記ブランクを溝型断面に成形してから上記切込み部を溶接にて接合してなることを特徴とする。 - 特許庁

And, even if a semiconductor thin film forming layer 7b unnecessarily remains continuing to the semiconductor thin film forming layer 7a under a faulty drying flaw 22, the channel protective film 8a for faulty drying prevention acts as an insulating film, and thereby the drain electrode 13 and a pixel electrode 15 are prevented from being shorted.例文帳に追加

そして、乾燥不良痕２２下に半導体薄膜形成用層７ｂが半導体薄膜形成用層７ａに連続して不要に残存しても、乾燥不良防止用チャネル保護膜８ａが絶縁膜として機能することにより、ドレイン電極１３と画素電極１５とがショートしないようにすることができる。 - 特許庁

In the array substrate for a liquid crystal display device of the present invention, an oxide film is formed as a protective film during forming a channel protective film without separately forming an array substrate protective film, and this prevents failure, improves picture quality as well as reduces a material cost because other equipment and materials are unnecessary.例文帳に追加

又は、本発明による液晶表示装置用アレイ基板は、別途のアレイ基板保護膜を形成せずに、チャンネル保護膜形成時に酸化膜を形成して保護膜とすることで、不良を防止して画質を向上させるとともに、別途の装備と材料を要しないので材料費が節減される。 - 特許庁

To provide a method of forming an insulation film in a field effect transistor using a carbon nano material for forming the insulation film on a channel surface constituted of the carbon nano material by relatively low temperature treatment, and the field effect transistor using the carbon nano material having the insulation film formed by the method.例文帳に追加

比較的低温の処理でカーボンナノ材料によって構成されたチャネル表面に絶縁膜を成膜するためのカーボンナノ材料を用いた電界効果トランジスタにおける絶縁膜成膜方法及びそれによって絶縁膜が成膜されたカーボンナノ材料を用いた電界効果トランジスタを提供すること。 - 特許庁

The impurity element, such as a 3d transition metal, can be moved into a region far from the junction regions of a channel-forming region and a drain region by doping the element represented by P(phosphorus) in a region, in which source/drain are formed, and forming a gradient to the concentration distribution.例文帳に追加

上記問題点を解決するために、ソース／ドレインが形成される領域に、P（リン）に代表される元素をドープし、その濃度分布に勾配をつけることで、３ｄ遷移金属などの不純物元素を、チャネル形成領域とドレイン領域との接合領域から遠い領域に移動させることができる。 - 特許庁

This method of manufacturing a semiconductor device includes: a process of forming an SiC film 11; a heat treatment process of heat-treating the SiC film 11 with Si supplied to a surface of the SiC film 11; and a process of forming a facet obtained on the surface of the SiC film 11 by the heat treatment process into a channel 16.例文帳に追加

半導体装置の製造方法は、ＳｉＣ膜１１を形成する工程と、このＳｉＣ膜１１の表面にＳｉを供給した状態で、このＳｉＣ膜１１を熱処理する熱処理工程と、熱処理工程によってＳｉＣ膜１１の表面に得られたファセットをチャネル１６とする工程とを備えている。 - 特許庁

The fuel cell prevents drying up by increasing generation of product water by forming a gas flow channel 9 of a separator 3 jointed to either side face of the power generating part 2 the wider and the shallower as it goes further upstream, and prevents flooding by enhancing a drainage property of the product water by forming the same the narrower and the deeper as it goes further downstream.例文帳に追加

燃料電池は、発電部２の両側面に接合されるセパレータ３のガス流路９を上流側ほど幅を広く深さを浅く形成することで生成水の発生を多くしてドライアップを防止し、下流側ほど幅を狭く深さを深く形成することで生成水の排水性を高めてフラッディングを防止する。 - 特許庁

The method for fablicating the Multiple Gate Field Effect transistor structure includes the steps of preparing the SOI type substrate having at least one active semiconductor layer, the buried insulator and a carrier substrate, and forming from the semiconductor layer the fin-like structure on the insulator layer, the fin-like structure forming a region for the transistor channel of the Multiple Gate Field Effect transistor structure.例文帳に追加

該方法は、少なくとも１つの活性半導体層、埋込み絶縁体、およびキャリア基板を含むＳＯＩ型基板を用意するステップと、複数ゲート電界効果トランジスタ構造のトランジスタチャネルのための領域を形成するフィン状構造を、半導体層から前記絶縁体層上に形成するステップとを含む。 - 特許庁

To avoid the problem that a threshold voltage of a transistor is shifted to the negative side to deteriorate a channel mobility, by previously forming a nitrogen-silicon bond layer on a surface of a silicon oxide film, eliminating a hiding period of forming a silicon nitride film by a chemical vapor deposition method, and suppressing nitriding of a silicon oxide-silicon boundary.例文帳に追加

酸化シリコン膜表面に予め窒素−シリコン結合層を形成して、化学的気相成長法による窒化シリコン膜形成の潜伏時間を解消し、酸化シリコン−シリコン界面の窒化を抑えることで、トランジスタのしきい値電圧が負側にシフトし、チャネル移動度を劣化させる問題を回避する。 - 特許庁

In the process for forming a channel part, a part of first crystalline polymorphic silicon carbide is etched and second crystalline polymorphic silicon carbide is formed in the entire or a part of the etched place and the conductivity type of first and second crystalline polymorphic silicon carbide is controlled for forming a desired semiconductor device.例文帳に追加

また、チャネル部を形成する工程は、第一の結晶多形の炭化珪素の一部をエッチングし、エッチングされた箇所の全部あるいは一部に第二の結晶多形の炭化珪素を形成してなり、第一と第二の結晶多形の炭化珪素の導電型を所望の半導体装置となるように制御する。 - 特許庁

The method for manufacturing the semiconductor device comprises the steps of forming a source electrode 38 and a drain electrode 39 disposed between a semiconductor film 34 and an upper shielding film 42 in a tabular state of a long longitudinal shape in a direction perpendicular to a channel direction of a metal, and forming both ends so as to have an inverted tapered shape.例文帳に追加

半導体膜３４と上部遮光膜４２との間に配置されるソース電極３８及びドレイン電極３９を金属によりチャネル方向に直交する方向に長い長方形の平板状に形成すると共に、その両端部を逆テーパー形状を有するように形成している。 - 特許庁

In the injection mold 1 for forming a cavity 4 filled with a molten resin, a heat insulating member 20 comprising a foamed metal is provided so as to surround mold members 6a and 8a for forming the cavity 4 and an air passing channel 17 is provided to the heat insulating member 20 so as to let the heat insulating member 20 communicate with the outside of the mold.例文帳に追加

溶融樹脂が充填されるキャビティ４を形成する射出成形用金型１において、キャビティ４を形成する金型部材６ａ，８ａを囲んで、発泡金属からなる断熱部材２０が設けられているとともに、この断熱部材２０と型外とを連通する通気路１７が設けられている。 - 特許庁

To realize a thin film transistor capable of high speed operation by forming a polycrystalline semiconductor film having large grain diameter crystals wherein the positions and the sizes of the crystal grains are stably and efficiently controlled by the irradiation with a laser beam, and by using the polycrystalline semiconductor film for a channel forming region of the thin film transistor.例文帳に追加

レーザ光の照射により安定して効率よく結晶粒の位置とその大きさを制御した大粒径結晶を有する多結晶半導体膜を形成し、さらにその多結晶半導体膜を薄膜トランジスタのチャネル形成領域に用いることにより、高速動作可能な薄膜トランジスタを実現する。 - 特許庁

This semiconductor device comprises the element isolation insulating film 2 formed in a SOI layer 13 interposing an element-forming region, source/drain regions 8a, 8b formed in the element-forming region interposing a channel region, and titanium silicide films 40 formed on the source/drain regions 8a, 8b spacing away from the element isolation insulating film 2.例文帳に追加

ＳＯＩ層１３に素子形成領域を挟んで形成される素子分離酸化膜２と、素子形成領域にチャネル領域を挟んで形成されるソース／ドレイン領域８ａ，８ｂと、素子分離酸化膜２と間隔を隔ててソース／ドレイン領域８ａ，８ｂに形成されるチタンシリサイド膜４０とを備えている。 - 特許庁

The method is provided for manufacturing the thin film transistor, and includes the steps of forming the metal oxide film 2 by performing the sputtering without heating a substrate 1, and forming constituents such as a channel layer 3, a source electrode 4, a drain electrode 5 and a gate electrode 1 on the substrate followed by applying heat treatment.例文帳に追加

基板１の加熱を行わずに上記スパッタを行って上記金属酸化膜３を形成し、上記チャネル層３、ソース電極４、ドレイン電極５及びゲート電極２の各要素を基板上に形成した後、熱処理を施すことを特徴とする薄膜トランジスタの製造方法を提供する。 - 特許庁

A control circuit of the image forming apparatus (printer) calculates a jam occurrence frequency from jam occurrence number of a recording sheet detected via jam detecting sensors 200 to 239 under a plurality of image forming conditions, and transmits it to an image processor via a communication channel 10.例文帳に追加

画像形成装置（プリンタ）の制御回路は、複数の作像条件のそれぞれについてジヤム検出センサ２３_0 乃至２３_9 で検出された記録紙のジヤム発生回数と排紙センサ２５で検出された排紙枚数からジヤム発生頻度を計算し、通信回線１０を介して画像処理装置に送信する。 - 特許庁

In two taminar flows for forming the interface between liquids in the micro channel (30) on a micro chip (10), at least one solution flow (40A) is composed of several solution segments (1), (2), (3), (4), and (5) having different compositions.例文帳に追加

マイクロチップ（１０）上のマイクロチャンネル（３０）内で液液界面を形成する２層流において、少なくとも一方の溶液流れ（４０Ａ）は、組成の異なる溶液セグメントの複数（１）（２）（３）（４）（５）により構成されているものとする。 - 特許庁

In this method of manufacturing, as the dumper member 12 having the nozzle, the ink pool, and the like formed thereon beforehand is not bonded with the fluid channel forming plate 14, it is possible to prevent wrinkles from being formed on the dumper member 12 and no deviation in the bonding is caused.例文帳に追加

このような製造方法では、ノズル、インクプールなどを予め形成したダンパ部材と流路形成プレートを接合しないので、ダンパ部材１２にシワが発生するのを防止できると共に、接合ずれも発生しない。 - 特許庁

To provide an industrial water-cleaning method capable of being advantageously utilized in industrial water cleaning work (especially, the corrosionproof work of a metal part forming a water flow channel), and provide a corrosionproof method for an industrial water circulating system.例文帳に追加

工業用水の水の浄化作業（特に、水の流通路を形成する金属部分の防食作業）に有利に利用できる工業用水の浄化方法、そして工業用水循環系の防食方法を提供する。 - 特許庁

A guide member 22 forming a channel 21 for feeding the air warmed with heat generated from these parts to the recording part (a) through natural convection is provided and an air inlet 23 is made in the bottom of the housing 1.例文帳に追加

そして、これらの発熱する部品からの熱で温められた空気を自然対流で記録を行う部分ａに流すための流路２１を形成するガイド部材２２を設けるとともに、筺体１の底部に吸気口２３を形成した。 - 特許庁

To provide a by-pass side-ditch attaining improvement in versatility, short-term construction and construction cost reduction by constituting an outer sidewall and an inner sidewall separately to face each other, and forming a bottom part (or a cover part) separately to constitute a water channel.例文帳に追加

外側壁と内側壁とを別々に構成して対峙させ、底部（又は蓋部）は別途形成して水路を構成することにより、汎用性向上、短期施工及び施工コスト低減を図ることができる迂回側溝を提供する。 - 特許庁

A relay storage device equipped with an HDD storing image data is connected to a channel of the image-forming system to store the image data and each copying machine forms an image, on the basis of the stored image data.例文帳に追加

画像形成システムの回線に画像データを記憶するＨＤＤを装備した中継記憶装置を接続して、画像データを保存し、保存されている画像データに基づいて各複写機が画像形成を行うことを可能にする。 - 特許庁

At least one between these two nozzle main bodies is provided with a housing 14 forming a flow channel in the inside and a plug member 17 to be joined by a screw to an end part opening formed in the housing at a position on the opposite to the jetting port.例文帳に追加

これら２つのノズル本体のうち少なくとも一方が、内部に流路を形成するハウジング１４と、噴口と反対側の位置でハウジングに形成される端部開口にネジ結合されるプラグ部材１７とを備えている。 - 特許庁

A second gate 20, whose potential is fixed in order to control the potential of the silicon layer 12 by capacity coupling, is provided, in addition to a first gate 13 for forming a channel arranged between a source 15 and a drain 14.例文帳に追加

ＭＩＳトランジスタのソース１５、ドレイン１４間に配置されたチャネル形成のための第１のゲート１３とは別に、シリコン層１２の電位を容量結合により制御するための電位固定された第２のゲート２０が設けられる。 - 特許庁

Inserting a desired insert(attachment) into the channel 210 facing each other enables the holding a mother board, controlling breathing of the enclosure, and forming the portion of the base to fit a cooling fan etc.例文帳に追加

この対向し合う溝２１０の部分に所望の挿入装置（アタッチメント）を挿入することにより、マザーボードを保持したり、エンクロージャの通気を制御したり、冷却ファン等を取り付けるためのベース部分を形成したりすることが可能となる。 - 特許庁

A transmission policy, based on the dynamically varying channel state information is selected, in which the transmission policy includes selected nodes forming an optimal route, a transmission mode for each selected node, and transmission power for each selected node.例文帳に追加

動的変動チャネル状態情報に基づいて送信ポリシーが選択され、当該送信ポリシーは、最適経路を形成する選択されたノード、選択された各ノードの送信モード、及び選択された各ノードの送信電力を含む。 - 特許庁

A pipe body 2a for forming heating medium channel is installed in the sewer pipe 1 with its clamped between the inner surface of the sewer pipe 1 and a coating material 4 fitted to its inner surface or with its embedded in the coating material 4.例文帳に追加

熱媒流路形成用の管状体２ａを下水管１の内面とその内面に対して付設した被覆材４との間に挟んだ状態又はその被覆材４に埋め込んだ状態で下水管１に付設する。 - 特許庁

To provide the structure of a hat channel type member by which occurrence of defective dimensional accuracy in formed parts after press forming and being released from a die is reduced as far as possible and, as necessary, which has sufficient crushing strength in a longitudinal direction.例文帳に追加

プレス成形離型後の成形品における寸法精度不良の発生を極力低減することができ、必要によって長手方向に対する圧壊強度も十分備えたハットチャンネル型部材の構造を提供する。 - 特許庁

When forming an even-number times recording mark of 6T or longer, each intermediate pulse light except the head pulse and the last pulse among the n/2 time pulse light is emitted with the phase synchronized with the channel clock.例文帳に追加

６Ｔ以上の長さであって偶数倍の記録マークを形成する場合には、ｎ/２回のパルス光のうちの先頭パルス光及び最後尾パルス光を除く各中間パルス光を、チャネルクロックに位相を同期させて照射する。 - 特許庁

Whether or not correction values C1, M1, and Y1 corrected by an error spreading method for each channel are larger than a threshold is judged by each threshold processing part 31c, 31m, and 31y in a pseudo halftone processing part of a picture forming device.例文帳に追加

画像形成装置の疑似中間調処理部において、各チャンネル毎の誤差拡散法で補正された補正値Ｃ１・Ｍ１・Ｙ１は、各閾値処理部３１ｃ・３１ｍ・３１ｙにて閾値より大きいか否かが判定される。 - 特許庁