「Channel-Forming」に関連した英語例文の一覧と使い方(27ページ目) - Weblio英語例文検索

To realize a TFT, which is capable of operating at a high speed by a method, wherein a crystalline semiconductor film whose crystal grains are controlled in size and position is formed, and the crystalline semiconductor film is used in a channel-forming region of the TFT.例文帳に追加

結晶粒の位置とその大きさを制御した結晶質半導体膜を作製し、さらにその結晶質半導体膜をＴＦＴのチャネル形成領域に用いることにより高速動作が可能なＴＦＴを実現することを目的とする。 - 特許庁

To ensure reliability by preventing lift of a channel forming member by application, for example, to a thermal inkjet printer, in terms of a manufacturing method for a liquid ejection head, the liquid ejection head, and a liquid ejector.例文帳に追加

本発明は、液体吐出ヘッドの製造方法、液体吐出ヘッド及び液体吐出装置に関し、例えばサーマル方式によるインクジェットプリンタに適用して、流路形成部材の浮き上がりを防止して信頼性を確保することができるようにする。 - 特許庁

The section perpendicular to the circumferential direction of this gasket 20 is in a channel shape with the inside forming an open end, and each tip part thereof is furnished with an inner overhang 20a overhanging inward and an outer overhang 20b overhanging outward.例文帳に追加

ガスケット２０は、周方向に垂直な断面が、内側が開放端となるほぼコの字形をしており、両先端部分には、内側へ張り出した内側張出部２０ａと外側へ張り出した外側張出部２０ｂとが形成されている。 - 特許庁

To suppress the effects of pressure fluctuation and ensure performance by forming the arc diameter of the inner circumferential surface of a side-cut portion of a side-cut fan as an arc diameter different from an initial arc diameter which forms an original inner circumferential arc surface of an air channel.例文帳に追加

本発明は、サイドカットファンでの、サイドカット部内周面の円弧径を、当初の風洞内周円弧面を形成する初期円弧径とは異なる円弧径として形成されることによる、圧力変動の影響の抑制と性能確保を目的とする。 - 特許庁

A polycrystalline silicon TFT of bottom gate type is thermally treated at 500 to 700°C through a furnace annealing method, in a state in which at least an insulating film is formed on a channel forming region, and furthermore the insulating film is not removed.例文帳に追加

ボトムゲート型の多結晶シリコンＴＦＴで、少なくともチャネル形成領域の上に絶縁膜がある状態で、ファーネスアニール法を用いて５００℃〜７００℃で熱処理を行い、さらにその絶縁膜を除去しないことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a method for forming a polycrystalline semiconductor thin film which can enhance carrier mobility while suppressing a variation in characteristic when it is employed in a channel region of a thin film transistor, and to provide a polycrystalline semiconductor thin film, a semiconductor device and a display.例文帳に追加

薄膜トランジスタのチャネル領域に用いた場合にそのキャリア移動度を高め、且つ、特性ばらつきを小さくする多結晶半導体薄膜の製造方法、多結晶半導体薄膜、半導体装置及び表示装置を提供する。 - 特許庁

In the process of cleaning the endoscope, a coating layer 60 forming an inner wall surface S_0 of the endoscopic conduit (forceps channel 57 etc.) is molten with hot water (peeling liquid), and the coating layer 60 is removed from a base portion 58 surrounding the conduit.例文帳に追加

内視鏡を清浄するプロセスにおいて、内視鏡の管路（鉗子チャネル５７等）の内壁面Ｓ_０を形成するコーティング層６０が温水（剥離液）により溶かされ、当該管路を取り囲むベース部５８からコーティング層６０が除去される。 - 特許庁

A spindle 100 has a spiral channel 2 formed on the outer face of the spindle 100 and provided with a width and depth sufficient to receive a wire-like rib material (not shown) that is used for forming ribs on the inner surface of boiler tubes.例文帳に追加

スピンドル１００が、スピンドル１００の外面に形成した螺旋形のチャンネル２にして、ボイラー管内面上のリブを形成するために使用するワイヤ状のリブ材（図示せず）を収受するに充分な幅及び深さのチャンネル２を有する。 - 特許庁

In this method, a resin pool aiming at supplying the amount of shrinked resin portion in resin curing process and a supply channel providing resin from the resin pool have been formed on a die, in addition to a molded forming part of the shape to be transferred.例文帳に追加

型には転写される形状の成型品形成部分の他に、樹脂の硬化過程で収縮分の樹脂を供給することを目的とした樹脂溜まり部と、樹脂溜まり部から樹脂を供給する供給溝を形成しておく。 - 特許庁

To make steep dopant distribution in a channel region by avoiding point defects without using any processes for removing thick gate sidewalls after forming deep source/drain regions by a manufacturing method in a minute field effect transistor whose gate length is equal to or less than 0.1 micron.例文帳に追加

ゲート長０．１ミクロン以下の微細な電界効果型トランジスタの製造方法で、深いソース／ドレイン領域形成後に厚いゲート側壁を取り除く工程を用いることなく、点欠陥を抑制し、チャンネル領域の不純物分布を急峻化する。 - 特許庁

By forming a potential barrier forming p-type layer 24 in a region in a p-well other than a region below a gate of a first MOS transistor 22, when charges are stored, the charges overflowing from a photo diode 21 can be made to flow into a channel 31 even if the first transfer MOS transistor 22 is turned off without fail as much as possible.例文帳に追加

第１のＭＯＳトランジスタ２２のゲートの下方の領域を除くＰウェル内の領域にポテンシャル障壁形成用Ｐ型層２４を形成することにより、電荷を蓄積する際に、第１の転送ＭＯＳトランジスタ２２を可及的に確実にオフしても、フォトダイオード２１から溢れた電荷を経路３１に流入させることができるようにする。 - 特許庁

By forming a potential barrier forming p-type layer 24 in a region in a p-well other than a region below a gate of a first MOS transistor 22, when charges are stored, the charges overflowing from a photo diode 21 can be made to flow into a channel 31 even when the first transfer MOS transistor 22 is turned off without fail as much as possible.例文帳に追加

第１のＭＯＳトランジスタ２２のゲートの下方の領域を除くＰウェル内の領域にポテンシャル障壁形成用Ｐ型層２４を形成することにより、電荷を蓄積する際に、第１の転送ＭＯＳトランジスタ２２を可及的に確実にオフしても、フォトダイオード２１から溢れた電荷を経路３１に流入させることができるようにする。 - 特許庁

A waveguide forming section 10, constituted by successively forming light input waveguides 12, a first slab waveguide 13, a slab waveguide 14 provided with plural channel waveguides 14a varying in their each other's lengths from each other by a set quantity, a second slab waveguide 15 and a plurality of light output waveguides 16 disposed juxtaposedly is formed on a substrate 11.例文帳に追加

光入力導波路１２と、第１のスラブ導波路１３と、互いの長さが設定量異なる複数のチャンネル導波路１４ａを並設してなるアレイ導波路１４と、第２のスラブ導波路１５と、複数の並設した光出力導波路１６とを順に接続してなる導波路形成部１０を基板１１上に形成する。 - 特許庁

In the resin relief printing plate for forming the thin film used for transferring a coating liquid applied on projected parts 2 for printing onto a body to be printed and printing, channel parts 4 for holding the coating liquid are formed among adjoining micro-projections 3 by distributing and forming a number of the micro-projections 3 on the whole face of the projected parts 2 for printing.例文帳に追加

印刷用凸部２に塗布された塗工液を被印刷体に転写し印刷するために用いる薄膜形成用樹脂凸版１であって、上記印刷用凸部２全面に多数の微小突起３が分布形成されていることによって、隣り合う微小突起３間に、上記塗工液を保持するための溝部４が形成されている。 - 特許庁

To provide a method of more reliably forming a semiconductor material layer, an electrode, and a wiring pattern, especially the pattern of source and drain electrodes requiring precise patterning in a thin-film transistor, and to provide a method of forming a semiconductor channel having high mobility precisely with improved reproducibility together with the electrode pattern.例文帳に追加

薄膜トランジスタにおいて、より確実に半導体材料層また電極や配線パターン、特に、高精度なパターニングが要求されるソース、ドレイン電極のパターンを形成する方法を提供することにあり、更に電極パターンと共に移動度が高い半導体チャネルを高精度、再現性よく形成する方法を提供することにある。 - 特許庁

The seal member 43 and the passage forming member 31 are laser-welded together by being irradiated with laser beams which recess-projection engage the annular channel 53 and the annular projection 54, plane-join the plane part 51 and the joining plane 55, and has a cross section of approximately the same shape as a joining interface on the irradiated plane 56 of the passage forming member 31.例文帳に追加

シール部材４３と流路形成部材３１とを、環状溝５３と環状突条５４とを凹凸嵌合させるとともに平面部５１と接合平面５５とを平面接合させ、流路形成部材３１の照射平面５６に接合界面と略同一形状の断面を有するレーザ光線を照射して、レーザ溶着する。 - 特許庁

A silicon oxide film 40 included in a gate insulating film 50 of a thin film transistor, a silicon film 60 to become a channel layer 61 and a silicon oxide film 70 serving as an etching stopper layer 71 when forming source/drain layers 81a, 81b, are successively formed without exposing these films to the atmosphere.例文帳に追加

薄膜トランジスタのゲート絶縁膜５０に含まれる酸化シリコン膜４０、チャネル層６１となるシリコン膜６０、ソース／ドレイン層８１ａ、８１ｂを形成するときのエッチングストッパ層７１となる酸化シリコン膜７０を、大気に晒すことなく連続して成膜する。 - 特許庁

The oil-water separator 10 equipped with oil-water separation compartments 11 formed with flat water discharge canals 19 along wall surfaces by attaching passage forming members 20 having channel shaped sections to partition walls 12 and utilizing their wall surfaces as portions of passages is provided.例文帳に追加

断面がコ字型になった流路形成部材２０を仕切り壁１２に取り付けて、壁面を流路の一部として利用して、壁面に沿った平たい排水路１９を形成した油水分離区画１１を備えた油水分離槽１０を提供する。 - 特許庁

As the channel forming member of the liquid ejecting head, a hardened object of a resin composition including a cationically polymerizable resin, a photo-cationic polymerization initiator, a hydrolysate of a hydrolytic organic silane compound, and inorganic fine particles of a mean diameter of 50 nm or smaller is used.例文帳に追加

液体吐出ヘッドの流路形成部材として、カチオン重合可能な樹脂と、光カチオン重合開始剤と、加水分解性有機シラン化合物の加水分解物と、平均粒経が５０ｎｍ以下の無機微粒子と、を含む樹脂組成物の硬化物を用いる。 - 特許庁

This inkjet head 100 is manufactured by forming a plurality of groove parts 2, which are subjected to a shear mode type displacement by the application of a voltage, in a piezoelectric substrate 1, and covering the grooves 2 with a cover plate 5 to form an ink channel 9 between the piezoelectric substrate and the cover plate.例文帳に追加

電圧の印加によって剪断モード型の変位をする複数の溝部２を圧電性基板１に形成し、溝部をカバープレート５で覆うことにより、圧電性基板とカバープレートとの間にインク流路９を形成するインクジェットヘッド１００の製造方法である。 - 特許庁

To provide a semiconductor device in which the channel forming region of the semiconductor device is formed on substantially single crystal grain of a large grain size with excellent alignment accuracy, an electro-optical device and an electronic device which employ the semiconductor device, and the manufacturing method of the semiconductor device.例文帳に追加

大粒径の略単結晶粒に半導体装置のチャネル形成領域がアライメント精度良く形成されている半導体装置、それを用いた電気光学装置と電子デバイス、及び半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The temperature control dampers 37 and 47 have a channel forming surface 61 that faces both of a feed route of the gas fed from the temperature control section and a blast route of the gas in the test section and continues the inner peripheral surface of the feed route in the opened state.例文帳に追加

温調ダンパ３７，４７は、開状態になると温調部から送出される気体の送出経路、並びに、試験部における気体の送風経路の双方に面し、送風経路の内周面とが連続した状態になる流路形成面６１を有する。 - 特許庁

To obtain a liquid ejection head employing a common nozzle plate in which the possibility of damage occurring in channel forming substrates being formed individually and bonded can be reduced significantly.例文帳に追加

共通のノズルプレートが用いられる液体噴射ヘッドであって、個別に形成されて接合される流路形成基板において損傷の発生可能性が顕著に低減された液体噴射ヘッド、及び、当該液体噴射ヘッドの製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The organic semiconductor element has an oxidation or reducing mechanism which is with two π electrons as a unit and has a channel-forming region, made up of the organic semiconductor film which is composed of the organic semiconductor material having a two-dimensional or a three-dimensional conductive path.例文帳に追加

有機半導体素子は、２つのπ電子を単位とした酸化若しくは還元機構を有し、２次元的若しくは３次元的な伝導経路を有する有機半導体材料から構成された有機半導体薄膜から成るチャネル形成領域を有する。 - 特許庁

In a memory transistor (M11, etc.), a gate electrode and gate insulation films, including a tunnel insulation film, are laminated on the semiconductor-channel forming region provided on the surface of a substrate to provide discretely in the form of a plane charge storing means in the gate insulation film.例文帳に追加

メモリトランジスタ（Ｍ１１等）において、基板表面に設けられた半導体のチャネル形成領域上にトンネル絶縁膜を含むゲート絶縁膜とゲート電極が積層され、ゲート絶縁膜内に平面的に離散化された電荷蓄積手段を有する。 - 特許庁

Also, the electrode element 8A is shaped in such a way that its side on a vertical CCD6 side is short and its side on an electrode 5 side in a separate transfer section is long, thereby producing a narrow channel effect and forming a desired potential gradient throughout under the electrode element 8A.例文帳に追加

また、電極要素８Ａの形状を、垂直ＣＣＤ６側の辺を短く、振り分け転送部の電極５側の辺を長く形成することによって狭チャネル効果を発生させ、電極要素８Ａ下全体に所望の電位勾配を形成する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device that is improved in TFT characteristics and having uniform characteristics by making the interface between an active layer proper, especially a region constituting a channel forming region, and a gate insulating film, and to provide a manufacturing method for the semiconductor device.例文帳に追加

活性層、特にチャネル形成領域を構成する領域とゲート絶縁膜との界面を良好なものとすることにより、ＴＦＴの特性を向上させるとともに均一な特性を有する半導体装置およびその作製方法を提供するものである。 - 特許庁

The present invention provides a method for manufacturing the probe solidifying reaction array, and the method including the steps of linearly solidifying the probe on the base of the array and forming the channel in the array so that it crosses the linear solidified probe.例文帳に追加

また、本発明は、プローブ固相化反応アレイを製造するための方法であって、前記アレイの基盤にプローブを線状に固相化することと、前記固相化された線状プローブと交するように、前記アレイに流路を形成することとを含む方法を提供する。 - 特許庁

There is consecutively provided an insulation breakdown strength insulation film 14 composed of a film for forming a channel protection film 10 between intersection parts of a sweep signal line 2 and a data signal line 3 and between polymerization parts of the data signal line 3 and an auxiliary capacity electrode 6.例文帳に追加

走査信号ライン２とデータ信号ライン３との交差部間およびデータ信号ライン３と補助容量電極６との重合部間には、チャネル保護膜１０形成用膜からなる絶縁耐圧向上用絶縁膜１４が連続して設けられている。 - 特許庁

After forming a dummy gate resist pattern 24 on a GaAs substrate 11 for which a buffer layer 12, a channel layer 13, an electron supply layer 14, a Schottky layer 15 and a cap layer 16 are laminated, an SiO2 film 26 provided with a gate-opening part 25 is formed by vapor deposition and lift-off.例文帳に追加

バッファ層１２とチャネル層１３と電子供給層１４とショットキ層１５とキャップ層１６とを積層したＧａＡｓ基板１１上にダミーゲートレジストパターン２４を形成後、蒸着、リフトオフによりゲート開口部２５を持つＳｉＯ_2膜２６を形成する。 - 特許庁

In this forming method, a pair of channel steels 2a, 2b, to which half split internal diaphragms 1a, 1b are previously fixed temporarily, are assembled in the rectangular steel pipe member 2, and then, electroslag welding 6 is carried out in all of the four sides of the internal diaphragm 1 formed of the respective half split internal diaphragms 1a, 1b.例文帳に追加

この発明の形成方法では、予め半割内ダイアフラム1a，1bを仮止めした一対の溝形鋼2a，2bを角形鋼管部材２へ仮組み後、各半割内ダイアフラム1a，1bで形作った内ダイヤフラ１ムの全周四辺にエレクトロスラグ溶接６を実施する。 - 特許庁

To shorten transit time of an electron in a high electric field region by locally forming the high electric field on the source end of a channel immediately below a gate electrode and implement excellent high speed operation of a transistor in a GaN based heterostructure field effect transistor.例文帳に追加

ＧａＮ系ヘテロ構造電界効果トランジスタにおいて、ゲート電極直下のチャネルのソース端に局所的に高電界領域を形成することで同領域における電子の走行時間を短縮し、同トランジスタの優れた高速動作を実現する。 - 特許庁

To provide a TFT having high-speed operation, by forming a crystalline semiconductor film with crystal grains at a controlled position and size and using the crystalline semiconductor film as a channel region or as an active layer in the TFT.例文帳に追加

結晶粒の位置と大きさを制御した結晶質半導体膜を作製し、さらにその結晶質半導体膜をＴＦＴのチャネル形成領域または活性層に用いることにより、高速動作の可能なＴＦＴを実現させることを目的とする。 - 特許庁

An output circuit of the second I/O circuit forms a drive signal similarly through a level conversion circuit and drives second and third N channel MOSFETs forming an output signal of a signal amplitude corresponding to the third power supply voltage.例文帳に追加

上記第２入出力回路の出力回路では、上記同様にレベル変換回路で駆動信号を形成し、上記第３電源電圧に対応した信号振幅の出力信号を形成する第２及び第３ＮチャネルＭＯＳＦＥＴを駆動する。 - 特許庁

To provide an ink cartridge that can be mounted by moving an ink supply port in parallel with a channel forming member at least when the cartridge is mounted, permits the simplification of a structure for regulating the position of electrodes and the amplification of the urging force of a lever.例文帳に追加

少なくとも装着時にはインク供給口を流路形成部材に平行に移動させて装着でき、また電極群の位置規制のための構造を簡素化でき、さらにはレバーの付勢力を増幅することができるインクカートリッジを提供することである。 - 特許庁

In addition, the method includes a process for forming a channel (90) including the cutting schedule line (100) and the process for irradiating the substrate along the cutting schedule line (100).例文帳に追加

さらに、本発明は、基板（１０）を切断予定線（１００）に沿って切断する基板の切断方法であって、切断予定線（１００）を含む溝（９０）を形成する工程と、切断予定線（１００）に沿ってレーザを照射する工程と、を含む切断方法を提供する。 - 特許庁

In a process of forming the source electrode and the drain electrode, first correction data is created by correcting exposure data based on warp of the substrate and a ratio of expansion and contraction of the substrate in a condition where a channel length of the thin film transistor is fixed by using scaling processing.例文帳に追加

ソース電極およびドレイン電極を形成する工程において、基板の歪み、または基板の伸縮率に基づいて、露光データを、スケーリング処理を用いて薄膜トランジスタのチャネル長を固定した状態で補正して第１の補正データを作成する。 - 特許庁

Based on the position, a punching position of an opening 20a is controlled by a control means 52 corresponding to the catalyst layer 12A by a cutter unit 38 for forming an opening 20a on a belt-like protection film 20C guided along a second upstream channel 26.例文帳に追加

その位置に基づいて、制御手段５２により、第２の上流経路２６に案内される帯状の保護フィルム２０Ｃに対し開口部２０ａを形成するカッターユニット３８の、触媒層１２Ａに対応する開口部２０ａの打抜き位置を制御する。 - 特許庁

To achieve speed-up of element performance by reducing junction leak in a MOS semiconductor device whose upper portion of a source-drain electrode is formed into silicide, while forming each channel surface in the optimal crystal face according to the polarity and maintaining a shallow source-drain junction position.例文帳に追加

極性によって最適な結晶面にそれぞれのチャネル面を形成し、浅いソース・ドレイン接合位置を保ちつつソース・ドレイン電極上部がシリサイド化されたＭＯＳ型半導体装置において、接合リークを低く抑えて素子動作の高速化をはかる。 - 特許庁

To provide the manufacturing method of a semiconductor device capable of obtaining the semiconductor device whose S value is excellent in an electric characteristic in a region lower than the threshold value, in the semiconductor using nearly single-crystalline grains of a semiconductor material in the channel forming region thereof.例文帳に追加

半導体材料の略単結晶粒をチャネル形成領域に用いた半導体装置において、閾値下領域の電気特性であるＳ値の優良な半導体装置を得ることを可能とする半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide an inkjet recording head which can perform image recording of a high quality for a long period of time and is high in reliability, by using a material which has a small coefficient of linear expansion and can be highly precisely patterned as a channel forming member in the liquid ejecting head.例文帳に追加

液体吐出ヘッドにおいて、流路形成部材として、線膨張係数が小さく、高精度のパターニングが可能な材料を用いることによって、長期にわたって高品位の画像記録が可能な信頼性の高いインクジェット記録ヘッドを提供する。 - 特許庁

The liquid channel to be formed in the head case is formed by resin molding using a thin, long first metallic mold extended toward a nozzle forming face from a position of a liquid supply hole and a protruding second metallic mold to which the tip portion of the first metallic mold is abutted.例文帳に追加

ヘッドケースに形成される液体流路は、液体供給口の位置からノズル形成面に向かって延びる細長の第１の金型と、第１の金型の先端が突き当てられる突起状の第２の金型とを用いた樹脂成形で形成される。 - 特許庁

In the liquid jet recording head 10, liquid flowing into a common liquid chamber 22 through a liquid inlet 32 flows along the wall face 12B of a housing 12 and the heating element forming face 18A of a heating element substrate 18 and enters an individual channel 20, as it is.例文帳に追加

液滴噴射記録ヘッド１０は、液体導入口３２から共通液室２２に流入した液体は、ハウジング１２の壁面１２Ｂ、発熱素子基板１８の発熱素子形成面１８Ａに沿って流れ、そのまま個別流路２０に流入する。 - 特許庁

A light reflective pattern 29 on a transparent substrate 2 is constituted of a channel part 27 with its section forming approximately a triangle and a plane part 28 adjacent thereto, which pattern is so formed as to have a prescribed angle of inclination θ against the axial direction of the light sources 5a, 5b.例文帳に追加

透明基板２上の光反射パターン２９を、断面形状がほぼ三角形の溝部２７と溝部に隣接する平坦部２８とから構成し、光源部５ａ、５ｂの軸方向に対して所定の傾斜角度θを有するように形成する。 - 特許庁

A plurality of outward swell parts 5 which vertically extend and whose ends both reach both upper and lower edges of the substrate 2 are formed in parallel on the 1st aluminum plate 3 between the two aluminum plates 3 and 4 forming the substrate 2 and inner parts of the outward swell parts 5 are used as a ventilation channel.例文帳に追加

基板２を形成する２枚のアルミニウム板３、４のうち第１アルミニウム板３に、上下方向に伸びかつ両端が基板２の上下両縁に至る複数の外方膨出部５を並列状に形成し、各外方膨出部５内を通風路とする。 - 特許庁