「Channel-Forming」に関連した英語例文の一覧と使い方(26ページ目) - Weblio英語例文検索

The roll brushes 56, 57 for washing the main surface of the substrate 51 by turning them while being abutted against the main surface of the substrate 51 are constituted by winding a channel brush 2, formed by bundling a plurality of brush hairs around the outer peripheral surface of a column type roll member 31 forming the core of the roll brushes 56, 57, spirally with a gap between neighboring channel brushes 2.例文帳に追加

基板５１の主面に当接させて回転させることにより基板５１の主面を洗浄するロールブラシ５６，５７を、複数のブラシ毛を束ねて形成されたチャンネルブラシ２を、ロールブラシ５６，５７の芯を形成する円柱状のロール部材３１に、このロール部材３１の外周面に螺旋状に、隣接するチャンネルブラシ２間に隙間を設けて巻き付けて構成した。 - 特許庁

The manufacturing method 800 of an analysis module, having an accessible conductive contact pad includes a process 810 of forming an insulated substrate having an upper face, a micro-channel in the upper face, and the conductive contact pad arranged on the upper face.例文帳に追加

アクセス可能な導電性接触パッドを備えた分析モジュールの製造方法８００は、上面、上面内のマイクロチャネル、および上面に配置された導電性接触パッドを備えた絶縁基板を形成する過程８１０を含んでいる。 - 特許庁

Preferably, a clearance D as an air heat insulating layer, is formed between a tip portion of a drainage flow channel forming member 60B for guiding the drainage neutralized by the neutralizer 6 to the drainage discharge opening 30 and an inner peripheral face of the drainage discharge opening 30.例文帳に追加

好ましくは、中和器６によって中和されたドレインをドレイン排出口３０に導くドレイン流路形成部材６０Ｂの先端部と、ドレイン排出口３０の内周面との間には、空気断熱層としての隙間Ｃが形成されている。 - 特許庁

To propose a novel cell structure in which all the operations of writing, erasing and reading of data can be conducted, even without operating a transistor for forming a channel and therefore characteristics are hardly lowered even by microminiaturization with advantage in reduction of a cell area.例文帳に追加

チャネルを形成するトランジスタ動作をさせなくてもデータの書き込み，消去および読み出しの全ての動作が可能で、そのためセル面積縮小に有利で、しかも微細化しても特性が低下しにくい新規なセル構造を提案する。 - 特許庁

To provide a semiconductor device capable of improving characteristics in a transistor with a strain silicon layer as a channel region by forming the high-quality strain silicon layer, where a crystalline defect is reduced on a silicon germanium layer, and to provide a method for manufacturing the semiconductor device.例文帳に追加

シリコンゲルマニウム層の上に結晶欠陥を低減した高品質の歪みシリコン層を形成することにより、歪みシリコン層をチャネル領域とするトランジスタの特性を改善できる半導体装置及び半導体装置製造方法を提供する。 - 特許庁

A bonding region α between a support member 7 and the flow channel forming member and a projection region β of the sensor substrate 5 onto a facing surface 17 do not include an overlapping region with respect to an axis a (namely, a region La and a region Ma do not overlap with each other).例文帳に追加

支持部材７と流路形成部材との間の接着領域αと、センサ基板５の対向面１７への投影領域βとは、軸ａに関して重複する範囲を有さない（つまり、範囲Ｌａと範囲Ｍａとは重複しない）。 - 特許庁

This fluid cooling device 1 is formed into a laminated structure composed by stacking a heat transfer plate 122 provided with a fin part 122C, and passage plates 123 for forming micro-channel parts 126 between the fin parts 122C, and is provided with a filter plate 113 on the upstream side thereof.例文帳に追加

流体冷却装置１は、フィン部１２２Ｃを備えた伝熱板１２２と、フィン部１２２Ｃ間にマイクロチャネル部１２６を形成する流路板１２３とが積層された積層構造に構成され、上流側にフィルタ板１１３が設けられている。 - 特許庁

To extract X-ray beams selectively which are diffracted with various surface indexes, by forming two or more kinds of reflecting surface pairs on a common single crystal block, and by switching the reflection surface pair only by rotating a channel-cut monochromator.例文帳に追加

共通の単結晶ブロックに少なくとも２種類の反射面ペアを形成して、チャンネルカットモノクロメータを回転させるだけで反射面ペアを切り換えて、いろいろな面指数で回折させたＸ線ビームを選択的に取り出すことができるようにする。 - 特許庁

To provide a clip device for an endoscope exerting excellent clipping performance by forming the whole length of clipping arms into a length beyond the conventional common-sense length and being smoothly inserted/extracted with respect to the interior of a treatment instrument insertion channel of the endoscope.例文帳に追加

クリッピングアーム全体の長さを従来の常識をこえた長さに形成して卓越したクリッピング能を発揮することができ、しかも内視鏡の処置具挿通チャンネル内にスムーズに挿脱させることができる内視鏡用クリップ装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a TFT which is capable of operating at a high speed by a method wherein a crystalline semiconductor film where crystal grains are controlled in size and position is formed and used in a TFT channel forming region.例文帳に追加

結晶粒の位置とその大きさを制御した結晶質半導体膜を作製し、さらにその結晶質半導体膜をＴＦＴのチャネル形成領域に用いることにより高速動作が可能なＴＦＴを実現することを目的とする。 - 特許庁

A part of an impurity region which is formed in a semiconductor 4 where channels are formed and located on the side of a source region 8 is covered with a thick insulating film 10, and a gate insulating film 11 is formed on a channel forming region to form a level difference.例文帳に追加

チャネルが形成される半導体４に形成した不純物領域のうち、少なくともソース領域８の側を厚い絶縁膜１０で覆い、チャネル形成領域の上にゲート絶縁膜１１を形成し、これにより段差を形成する。 - 特許庁

In order to prevent spreading of aluminum atoms to a channel forming region, a first conductive layer which consists of Ti or Mo is prepared, on which a second conductive layer which consists of an aluminum alone (pure aluminum) with low electric resistance value is prepared.例文帳に追加

本発明は、アルミニウム原子のチャネル形成領域への拡散を防止するために、ＴｉまたはＭｏからなる第１導電層を設け、その上に電気抵抗値の低いアルミニウム単体（純アルミニウム）からなる第２導電層を設ける。 - 特許庁

Since an SNR can be acquired at the road side machine 14-1 because the SNR is transmitted to the road side machine 14-1 using a VHF channel 31-1, beam forming transmission can be performed according to the property of the transmission path 56.例文帳に追加

ＶＨＦチャネル３１−１を利用して、上記ＳＮＲを路側機１４−１側へ送信することにより、路側機１４−１側で当該ＳＮＲを得ることができるため、伝送路５６の特性に応じたビームフォーミング伝送を行うことができる。 - 特許庁

As separation and backflow in the air current forming the reduced flow channel hardly occur, the air flow, allowing the cigarette smoke generated at a smoking area side to flow back to a non-smoking area side, is hardly generated when the smoking area is set on the lee.例文帳に追加

縮小流路を形成する気流は、剥離や逆流が起こりにくいため、喫煙席を風下に設定すれば、喫煙席側で発生した煙草の煙を禁煙席側に逆流させるような空気の流れはほとんど発生しない。 - 特許庁

To provide a glass run which prevents the occurrence of hitting noise when running on a rough road while attaining weight reduction by forming at least a part of glass run body which shows roughly a channel shape in cross section with a comparatively hard thermoplastic resin.例文帳に追加

断面略コ字状を呈するグラスラン本体のうち少なくとも一部を比較的硬質な熱可塑性樹脂をもって形成することで軽量化を図りつつも、悪路走行時等における打音の発生を防止したグラスランを提供する。 - 特許庁

These concrete panels 1 and 20 formed longer in lateral direction are used for a concrete panel structural body 10 as a water-conveyance structure, for example, for forming a water channel, and vertically installed between columns 2 and 2 positioned at specified intervals.例文帳に追加

コンクリート製パネル１、２０は、例えば、水路を形成するための、導水構造体としてのコンクリート製パネル構造体１０に用いられ、間隔を置いて設けられた支柱２、２の間に、立設して装着される、横長に形成されたパネルである。 - 特許庁

In the channel forming region 102, a plurality of charge moving regions 102A-102C are formed of which threshold voltages of the first control electrodes 108 each for injecting charge from the drain region 103 to the charge accumulation section 106 are different from each other.例文帳に追加

そして、チャネル形成領域１０２に、ドレイン領域１０３から電荷蓄積部１０６に電荷を注入するための第１制御電極１０８のしきい値電圧が互いに異なる、複数の電荷移動領域１０２Ａ〜１０２Ｃが形成される。 - 特許庁

At the time of forming a thin film on the substrate 7, the thickness of the formed thin film is made uniform by sufficiently diffusing the treating gas onto the substrate 7 by slowly supplying the gas to the reaction chamber 6 without accumulating the gas in the gas reservoir 10 provided halfway the feed channel 51.例文帳に追加

薄膜を成膜するとき、処理用ガスを供給炉５１の途中のガス溜め部１０に溜めることなく反応室６に徐々に供給して、基板７上に十分拡散するようにし、成膜される膜の厚さを均一にする。 - 特許庁

When the channeling blade forming part 24 of the first channeling tool 21 is advanced into an inserting hole of an iron rod formed on a column and a beam while it is rotated, the spiral channel is formed on the inner peripheral face of the inserting hole by the spiral channeling blade 26.例文帳に追加

柱や梁に形成した鉄筋の挿入孔に第１溝切り具２１の溝切り刃形成部２４を回転しながら進入していくと、挿入孔の内周面に螺旋状の溝切り刃２６によって螺旋溝が形成される。 - 特許庁

In the semiconductor device, a second drain region 3 is formed with a low concentration having a deep diffusion length to a first drain region 5 and, at the same time, a punch through preventing area 2 of a low concentration having a diffusion length shallower than that of the second drain region 3 is provided in a channel forming region.例文帳に追加

第２ドレイン領域３を第１ドレイン領域５に対して深い拡散長の低濃度で形成するとともに、チャネル形成領域にドレイン領域３より浅い拡散長の低濃度のパンチスルー防止領域２を設けた。 - 特許庁

These schemes may also include a partial-CSI transmission scheme that transmits a single data stream on each transmit antenna selected for use and a "beam-forming" transmission scheme that allocates all transmit power to a single transmission channel having the best performance.例文帳に追加

単一のデータ流を、選択されて使用される各送信アンテナで送信する部分的ＣＳＩ送信方式と、および最高の性能を有する単一の伝送チャンネルに全ての送信パワーを割当てる“ビーム形成”送信方式とを含んでいてもよい。 - 特許庁

By forming the pn junction or the pin junction of a diode, or the channel of a transistor in these thin lines, crystalline thin film semiconductor devices with identical characteristics can be manufactured nearly as same as those in the case where a single crystal is used.例文帳に追加

この細線部にダイオードのｐ−ｎ接合やｐ−ｉ−ｎ接合、またはトランジスタのチャネルを形成することにより、単結晶を用いた場合の特性に近く、かつ、特性が揃った結晶性薄膜半導体装置を作製することができる。 - 特許庁

In a method for manufacturing a semiconductor device including a thin film transistor including an oxide semiconductor layer as a channel formation region, the oxide semiconductor layer is heated under a nitrogen atmosphere to lower its resistance, thereby forming a low-resistance oxide semiconductor layer.例文帳に追加

チャネル形成領域として酸化物半導体層を用いる薄膜トランジスタを有する半導体装置の作製方法において、酸化物半導体層を窒素雰囲気下で加熱して低抵抗化し、低抵抗な酸化物半導体層を形成する。 - 特許庁

The region of impurity elements (one or a plurality of kinds of elements selected from carbon, nitrogen and oxygen) locally added to the channel forming region, functions as a buffer region relaxing the stress of the silicon substrate subjected to the low oxygen treatment.例文帳に追加

チャネル形成領域に局部的に添加された不純物元素（炭素、窒素、酸素から選ばれた一種または複数種類の元素）の領域は、低酸素処理を施したシリコン基板の応力を緩和する緩衝領域として機能する。 - 特許庁

To obtain a fabrication method of semiconductor device in which the impurity concentration is optimized in an extension region between a channel forming region and each source-drain region and the impurity concentration profile can be controlled with high accuracy.例文帳に追加

チャネル形成領域と各ソース／ドレイン領域との間に位置するエクステンション領域における不純物濃度の最適化を図り、且つ、不純物濃度プロファイルの高精度制御を達成し得る半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a thin-film transistor which can prevent adherence of a splash droplet on a channel section between source and drain electrodes in forming the electrodes by applying droplets of an electrode raw material, and to provide a liquid-crystal display device including the same.例文帳に追加

電極材料の液滴の滴下にてソース電極およびドレイン電極を形成する場合に、両電極間のチャネル部に液滴の飛沫が付着する事態を防止することができる薄膜トランジスタおよび液晶表示装置を提供する。 - 特許庁

A thin film transistor has two lightly doped regions 215 and 216 at least and a source/drain which is adjacent to a channel forming region 202 and the source/drain regions 213 and 214 contain catalyst elements which crystallize amorphous silicon.例文帳に追加

チャネル形成領域２０２に隣接して、少なくとも２つの低濃度不純物領域２１５，２１６と、ソース／ドレインを有する薄膜トランジスタにおいて、ソース／ドレイン領域２１３，２１４にはアモルファスシリコンを結晶化させる触媒元素が含有されている。 - 特許庁

This aperture is formed longer in the direction parallel to the propagating direction of carrier moving within the channel region of the nMOS transistor Tr for an electric connecting region (contact plug forming region) to the source/drain region 5.例文帳に追加

この開口部は、ソース／ドレイン領域５に対する電気的な接続領域（コンタクトプラグの形成領域）に対してｎＭＯＳトランジスタＴｒのチャネル領域内を移動するキャリアの伝播方向に平行な方向に対して長く形成されている。 - 特許庁

After forming a gate electrode 3 and a gate insulation film 5 covering it on a substrate 1, a channel layer 7 composed of a polycrystalline semiconductor thin film is formed by a reactive heat CVD method utilizing the reaction energy of a plurality of different gases.例文帳に追加

基板１上にゲート電極３とこれを覆うゲート絶縁膜５を形成した後、複数の異なるガスの反応エネルギーを利用する反応性熱ＣＶＤ法によって、多結晶性の半導体薄膜からなるチャネル層７を成膜する。 - 特許庁

To manufacture a crystalline semiconductor film, where the position and size of crystal grain are controlled, and to realize a first TFT by using the crystalline semiconductor film as a TFT channel forming region.例文帳に追加

結晶粒の位置とその大きさを制御した結晶質半導体膜を作製し、さらにその結晶質半導体膜をＴＦＴのチャネル形成領域に用いることにより高速動作が可能なＴＦＴを実現することを目的とする。 - 特許庁

An AlGaN barrier layer 2 is formed on a GaN channel layer 1, a source electrode 3 and a drain electrode 4 are formed thereon, and a gate electrode 5 forming Schottky junction with the barrier layer 2 is formed in a position between these two electrodes.例文帳に追加

ＧａＮチャネル層１上にＡｌＧａＮバリア層２が形成され、この上にソース電極３、ドレイン電極４が形成され、この２つの電極に挟まれた位置に、バリア層２とショットキー接合を形成するゲート電極５が形成されている。 - 特許庁

The method for selecting a resin or rubber material forming an ink channel of an inkjet recording device includes the steps of dipping the resin or rubber material in water of 60°C in a closed vessel for two weeks and obtaining the quantity of a fatty acid derivative eluted.例文帳に追加

インクジェット記録装置のインク流路を構成する樹脂又はゴム材料の選定方法は、樹脂又はゴム材料を密閉容器内で６０℃の水中に２週間浸漬し、溶出する脂肪酸誘導体の量を求めることを含む。 - 特許庁

According to the ink jet head manufacturing method, an upper surface of a channel wafer 200 forming a substrate 20 is cut away by dicing to form grooves 201 as ink chambers 26 therein at predetermined intervals, and thereafter the adhesive is applied to the upper surface by means of an adhesive applying device 60 having the ink jet head 2.例文帳に追加

基板２０を構成するチャンネルウエハ２００の上面に、インク室２６となる溝部２０１をダイシングにより一定間隔で形成した後、インクジェットヘッド２を備えた接着剤塗布装置６０によって接着剤を塗布する。 - 特許庁

The conductive part 13 has a root opening part 17^* formed in the root of the same, a root part reinforcing part 18, and a weight part 19 constituted of a weight body part 19a and a flow channel forming part 19b extending from the weight body part 19a to a root side.例文帳に追加

導通部１３は、その付け根に形成された付け根開口部１７^*と、付け根補強部１８と、錘部本体１９ａと錘部本体１９ａから付け根側に延伸する流路形成部１９ｂとで構成される錘部１９とを有する。 - 特許庁

The inkjet recording head has also a close contact layer 4 provided in the surface of the silicon substrate 1, and for holding one part of the flow channel forming member 3, and a delivery energy generating element 2 arranged opposed to each delivery port 7, and for delivering ink from the delivery port 7.例文帳に追加

また、シリコン基板１の表面に設けられ、流路形成部材３の一部を保持している密着層４と、各吐出口７に対向して配置され、インクを吐出口７から吐出させる吐出エネルギー発生素子２と、を有している。 - 特許庁

To provide a treatment instrument for an endoscope exerting an excellent treatment function by forming a distal treatment member into a length beyond the conventional common-sense length and being smoothly inserted/extracted with respect to the interior of a treatment instrument insertion channel of the endoscope.例文帳に追加

先端処置部材の長さを従来の常識をこえた長さに形成して卓越した処置機能を発揮させることができ、しかも内視鏡の処置具挿通チャンネル内にスムーズに挿脱させることができる内視鏡用処置具を提供すること。 - 特許庁

A case 10 made of an opaque material has an open top, an insertion and fixing hole 101a for an optical fiber on right hand side face and channel forming holes 101b and 101c on the back side face and the left side face (2.A).例文帳に追加

不透明材料から成る筐体１０は上面が開口であり右側側面に光ファイバ挿入及び固定用の孔部１０１ａを、奥側側面と左側側面にチャネル形成用の孔部１０１ｂ、１０１ｃを有する（２．Ａ）。 - 特許庁

To manufacture a crystalline thin film semiconductor device having good characteristics by improving the p-n junction, p-i-n junction or crystallinity of a semiconductor film in a channel forming region and minimizing an impurity concentration having an adverse effect on the characteristics.例文帳に追加

ｐ−ｎ接合やｐ−ｉ−ｎ接合またはチャネル形成領域の半導体膜の結晶性を良好にし、特性に悪影響を及ぼす不純物濃度を極力低減して、良好な特性の結晶性薄膜半導体装置を作製する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device that improves the contact resistance characteristics of a gate by increasing the area of an active region contacting the gate and increases the channel width in a process of forming a vertical transistor, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

垂直型トランジスタを形成する過程において、ゲートと接触する活性領域の面積を増加させてゲートの接触抵抗特性を改善し、チャネル幅を増加させる半導体メモリ素子及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an analog/digital conversion controller that can be scheduled to apply analog/digital conversion to a signal of an input channel of a multiplexer with priority that receives an analog signal with high accuracy and to provide an analog/digital conversion control method and an image forming device.例文帳に追加

高い精度が必要なアナログ信号が入力されるマルチプレクサの入力チャンネルの信号を優先的にＡ／Ｄ変換するようにスケジューリング可能な、Ａ／Ｄ変換制御装置，Ａ／Ｄ変換制御方法，画像形成装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device by which a thin film transistor using nearly single-crystal grains of a semiconductor material in its channel forming region and having an excellent S value which is the electric characteristic of an under-threshold region.例文帳に追加

半導体材料の略単結晶粒をチャネル形成領域に用いた薄膜トランジスタにおいて、閾値下領域の電気特性であるＳ値の優良な薄膜トランジスタを得ることを可能とする半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To realize an inverter, a ratio circuit, and a latch circuit where an increase of a load capacity can be restrained and a speedup and low power consumption can be realized by forming the inverter using a MOS transistor, to which short-channels are connected in multiple stages, suppressing a short- channel effect.例文帳に追加

逆短チャネル効果を奏する短チャネルを多段接続したＭＯＳトランジスタを用いてインバータを形成し、負荷容量の増加を抑制でき、高速化及び低消費電力化を実現できるインバータ、レシオ回路及びラッチ回路を実現する。 - 特許庁

After forming such a trench (groove) 5 as to reach a drift layer 2 on a silicon-carbide substrate comprising a substrate 1, the drift layer 2, a first gate layer 3, and a source layer 4, an n-type channel layer 6 is formed on the surface of the inner wall of the trench 5.例文帳に追加

基板１およびドリフト層２、そして第１のゲート層３、並びにソース層４からなる炭化珪素基板に、ドリフト層２に達するようなトレンチ（溝）５を形成した後、このトレンチ５の内壁面にＮ型のチャネル層６を形成する。 - 特許庁

An electrode 8 of a horizontal CCD31 is composed of electrically isolated electrode elements 8A and 8B, so that for separate transfers performed, different drive signals are applied respectively thereto, forming a potential gradient under the electrode near a channel center portion.例文帳に追加

水平ＣＣＤ３１の電極８を電気的に分離された電極要素８Ａ、８Ｂで構成し、振り分け転送の際にはそれぞれに異なる駆動信号を印加することによって、チャネル中央部付近の電極下に電位勾配を形成する。 - 特許庁

When the manager responds by an emergency call terminal 21, a voice link forming section 14c forms a voice communication channel between the user terminal 20 and the emergency call terminal 21 so that voice communication can be started.例文帳に追加

そして、管理者により緊急呼出端末２１での応答がなされることで、音声リンク形成部１４ｃによりユーザ端末２０と緊急呼出端末２１との間に音声通信チャネルを形成し、音声通話が開始されるようにしている。 - 特許庁