「Channel-Forming」に関連した英語例文の一覧と使い方(31ページ目) - Weblio英語例文検索

The semiconductor device fabrication method is provided with a process for introducing indium (In) into a channel region of a silicon substrate 1 and a subsequent process for forming a gate oxide film 5 on the silicon substrate 1 by implementing heat treatment at a higher temperature (about 1,000°C) than that at which a viscous flow of the silicon oxide film occurs.例文帳に追加

この半導体装置の製造方法は、シリコン基板１のチャネル領域に、インジウム（Ｉｎ）を導入する工程と、その後、シリコン酸化膜の粘性流動が起こる温度以上の温度（約１０００℃）で熱処理することによって、シリコン基板１の主表面上にゲート酸化膜５を形成する工程とを備えている。 - 特許庁

To provide a roll-forming method and a device for it by which the production of many kinds in small quantities of materials having channel section is applied by roll sharing, obtained products are excellent in shape accuracy and dimensional accuracy and excellent products having small residual strain are manufactured even when they are products having various dimensions especially when they are thick products.例文帳に追加

溝型断面材の多種少量生産にもロール共用により対応でき、得られる製品の形状精度、寸法精度にすぐれ、種々寸法の製品、特に厚肉製品であっても残留歪みの少ないすぐれた製品を製造できる溝型断面材のロール成形方法とその装置の提供。 - 特許庁

In an SOI device, the geSiGe-SDE generates a horizontal (parallel to the plane of the gate's dielectric) pressure stress and a vertical (perpendicular to the plane of the gate's dielectric) tensile stress in a PMOSFET channel, thereby forming a structure that will make the PMOSFET performance improved.例文帳に追加

ＳＯＩデバイスにおいては、ｇｅＳｉＧｅ−ＳＤＥは、水平方向の（ゲート誘電面に対して平行な）圧縮応力と、垂直方向の（該ゲート誘電面に対して直角の）引張り応力とをＰＭＯＳＦＥＴのチャネルに生成し、これによって、ＰＭＯＳＦＥＴ性能を向上させる構造を形成する。 - 特許庁

To provide an advantageous method of reducing an on-state resistance of a transistor in a semiconductor device 36, including the transistor 38 formed on semiconductor substrates 12, 14, the transistor comprising a first terminal region 16 and a second terminal region 18, the terminal regions forming a current channel 44, when the transistor is conducting.例文帳に追加

半導体基板１２，１４上に形成されたトランジスタ３８を有し、該トランジスタは第１の端子領域１６および第２端子領域１８を有しており、該端子領域は該トランジスタが導通状態にあるとき電流路４４を形成する、半導体デバイス３６であって、トランジスタのオン抵抗を低減する有利な手法。 - 特許庁

To provide a highly reliable and high-speed semiconductor device by preventing the reduction of the source/drain current of a p-channel type transistor even in the case of forming a silicon nitride film for self-aligned contact by using the single wafer type heat CVD system of a cold wall type so as to cope with the micronization of a transistor.例文帳に追加

トランジスタの微細化に対応するためにコールドウォール型の枚葉式熱ＣＶＤ装置を用いてセルフ・アラインコンタクト用のシリコン窒化膜を成膜した場合においても、ｐチャネル型トランジスタのソース・ドレイン電流の減少を防ぎ、信頼性が高く、かつ高速な半導体装置を提供することにある。 - 特許庁

In a NAND flash memory, with respect to high-voltage driving transistors HV-P, HV-N and a low-voltage driving P-channel transistor LV-P of its peripheral circuit, after forming their gate electrodes 7, when ion-implanting impurities into them; their gate insulating films 6, 8 are so removed at the same time by a lithographic processing as to implant ions into them.例文帳に追加

ＮＡＮＤフラッシュメモリで、周辺回路の高電圧駆動トランジスタＨＶ−Ｐ、ＨＶ−Ｎと低電圧駆動ＰチャンネルトランジスタＬＶ−Ｐについて、ゲート電極７の形成後に、不純物のイオン注入時に、リソグラフィ処理で同時にゲート絶縁膜６、８を除去し、イオン注入を行う。 - 特許庁

For example, a forming pattern of a projection 50 is projected in the horizontal direction along a light-receiving pixels bound from a clock wiring 46 disposed on a channel stop 42 separating perpendicular CCD shift resistors of an imaging part of a frame transferring-type CCD image sensor, and is symmetrized in the upper-lower and right-left directions relative to a center 52 of the imaging part.例文帳に追加

例えば、フレーム転送型ＣＣＤイメージセンサの撮像部の垂直ＣＣＤシフトレジスタ間を分離するチャネルストップ４２上に配置されるクロック配線４６から受光画素境界にて水平方向に延在される突起部５０の形成パターンを撮像部の中心５２に対して上下左右対称とする。 - 特許庁

The problem can be solved by providing a second leading back layers (41, 42) at positions of equal distance to the left and right from a leading back layer (40) which is served as an electronic current carrying way and forming these electronic current carrying ways by simultaneous ion implantation using the same mask, so that all the intervals between each channel area within the element is made even.例文帳に追加

電子通電路となる打ち返し層（４０）に対して左右等距離の位置に第２の打ち返し層（４１，４２）を設け、これらの打ち返し層を同じマスクを用いた同時のイオン注入により形成することにより、素子内のチャネル領域の間隔をすべて均一にすることで解決する。 - 特許庁

This separator 18 for the fuel cell is constituted of a metal separator and provided with two metal plates 18a and 18b formed with recesses and projections and forming a gas channel, and an intermediate metal plate 18c sandwiched between the two metal plates 18a and 18b, formed with recesses and projections, and formed with cooling water channels 26a and 26b on its front and rear.例文帳に追加

金属セパレータからなり、凹凸が形成されガス流路を形成する２枚の金属板１８ａ、１８ｂと、該２枚の金属板１８ａ、１８ｂの間に挟まれ、凹凸が形成され、表裏に冷却水流路２６ａ、２６ｂが形成された中間金属板１８ｃと、を有する燃料電池用セパレータ１８。 - 特許庁

Using ion implantation N for forming the source/drain of an N channel field effect transistor, an over impurity introduction layer 10 is formed in a polysilicon gate 5 and N type impurities contained in the over impurity introduction layer 10 are diffused in the direction of an active region 7 in the polysilicon gate 5.例文帳に追加

Ｎチャネル電界効果型トランジスタのソース／ドレインを形成するためのイオン注入Ｎを用いて、多結晶シリコンゲート５にオーバー不純物導入層１０を形成し、オーバー不純物導入層１０に含まれるＮ型不純物を多結晶シリコンゲート５内でアクティブ領域７の方向に拡散させる。 - 特許庁

This tilting belt receiving part 35 is formed by forming a pair of slits 31 extending in parallel by a specified interval on the ceiling wall 20 and the front wall 21 of the upper part box body 12, connecting both slits 31 by a connecting slit 32, and depressing a space between respective slits 31 and 32 into a channel-like shape.例文帳に追加

この傾斜ベルト受け部３５は、上部箱体１２の天井壁２０及び前壁２１に所定間隔を隔てて並行するように延びる一対のスリット３１を形成し、両スリット３１を連結スリット３２により連結し、各スリット３１，３２間を溝状に陥没させることにより形成されている。 - 特許庁

To provide a liquid droplet discharging device and a head tank cartridge unit which can carry out forming of a liquid channel from a liquid tank to a liquid discharging part and removing of a protection member from a liquid droplet discharging port part in the process of a series of separation operation of a separation means of a comparatively simple constitution in the case of using.例文帳に追加

使用するに際し、比較的単純な構成の剥離手段の一連の剥離操作の過程の中で液体タンクから液体吐出部への液体の流路形成と共に保護部材の液滴吐出口部分からの除去を遂行できる液滴吐出装置ないしヘッドタンクカートリッジユニットを提供することである。 - 特許庁

A non-monocrystal semiconductor layer made of polycrystalline or micronized crystal silicon having a channel-forming layer, a source region and a drain region on an organic film is constituted.例文帳に追加

有機フィルム上にチャネル形成領域、ソース領域、およびドレイン領域を有する多結晶シリコンまたは微結晶シリコンからなる非単結晶半導体層を形成し、当該非単結晶半導体層のチャネル形成領域を除いた領域を紫外光によって結晶化を助長したソース領域およびドレイン領域を形成する。 - 特許庁

The air intake device 10 of an internal combustion engine 1 injects fuel by an injector 11 while sucking air to feed fuel/air mixture to an air intake port 5 while forming an air circulation channel 31 from a cleaned air chamber 23 of the air cleaner case 20 into the inside of a throttle body 12 having a throttle valve 19 through a funnel 30.例文帳に追加

エアクリーナケース２０の清浄空気室２３から、スロットルバルブ１９を備えたスロットルボディ１２内へファンネル３０を介して空気流通路３１を形成しながら空気を吸い込みつつインジェクタ１１にて燃料を噴霧して燃料混合気を吸気ポート５に送り込む内燃機関１の吸気装置１０である。 - 特許庁

To solve the problem that a manufacturing margin is small and when the distance between source/drain wiring is made short, yield is lowered, in the conventional manufacturing method wherein the number of manufacturing steps is reduced by forming a semiconductor layer and source/drain wiring of a channel etching type and insulating gate type transistor are formed in one photo etching step using a halftone exposure technique.例文帳に追加

ハーフトーン露光技術を用いて１回の写真食刻工程でチャネルエッチ型の絶縁ゲート型トランジスタの半導体層とソース・ドレイン配線を形成して製造工程数を削減した従来の製造方法では製造裕度（マージン）が小さくソース・ドレイン配線間の距離が短くなると歩留が低下する。 - 特許庁

Concerning the memory device having plural memory cells formed above a substrate and a driving circuit for driving the memory cells, each of memory cells has a membrane-like insulated gate type transistor, and the channel forming area of the membrane-like insulated gate type transistor has a monocrystal silicon.例文帳に追加

基板上方に形成された複数のメモリー素子と、前記メモリー素子を駆動する駆動回路とを有するメモリー装置において、前記メモリー素子は、薄膜状絶縁ゲート型トランジスタを有し、前記薄膜状絶縁ゲート型トランジスタのチャネル形成領域は、単結晶シリコンを有することを特徴とするメモリー装置である。 - 特許庁

The mold assembly for a molding machine is equipped with a fixed mold 61, a movable mold 62 for forming a cavity along with the fixed mold 61 and the sprue for the permitting the passage of the resin charged in the cavity and has the sprue bush attached to the fixed mold 61 or the movable mold 62 and a flow channel for regulating the temperature of the sprue bush.例文帳に追加

固定金型６１と、該固定金型６１との間にキャビティを形成する可動金型６２と、前記キャビティに充填（てん）される樹脂が通過するスプルーを備え、前記固定金型６１又は可動金型６２に取り付けられたスプルーブッシュと、該スプルーブッシュの温度を調節するスプルーブッシュ温調用流路とを有する。 - 特許庁

The strain generating region is formed by a method wherein a desired region on the rear side of the BOX is amorphously effected by implanting ions and, thereafter, heat treatment recrystallization is effected in a condition that the strain applied film 3 is formed to transfer a strain from the strain applied film 3 to the channel forming part.例文帳に追加

応力発生領域は、BOX裏側の所望の領域をイオン注入により非晶質化させ、しかる後に応力印加膜３を形成した状態において熱処理再結晶化を行うことにより、応力印加膜３からの応力をチャネル形成部分に転写させることで形成する。 - 特許庁

An operation method for the boiling water reactor comprising a core constituted of a plurality of fuel assemblies surrounded by a channel box and forming a plurality of parallel passages, a recirculation unit for forcing the coolant to flow upward to the core and a plurality of control rods inserted into/withdrawn out of the core is disclosed.例文帳に追加

チャンネルボックスに囲まれて複数の平行流路を形成する複数の燃料集合体を配列した炉心と、炉心に冷却材を上向きに強制的に流すための再循環装置と、炉心に挿入引抜される複数の制御棒と、を有する沸騰水型原子炉の運転方法である。 - 特許庁

A CPU 101 and 102, or SVP 106 calculate the largest use rate among the use rates of individual constituent elements forming a channel element 109 or 110 according to a PAIA table 105 stored in an MSU 103 and displays the calculated largest use rate on a display 112 or 107.例文帳に追加

ＣＰＵ１０１および１０２若しくはＳＶＰ１０６がチャネルエレメント１０９または１１０を形成する各構成要素の使用率のうちの最大の使用率をＭＳＵ１０３に記憶したＰＡＩＡテーブル１０５に基づいて算定し、算定した最大の使用率をディスプレイ１１２または１０７に表示制御する。 - 特許庁

When a fourth flow channel forming mold 26 equipped with an opening part 34 for discharging unvulcanized rubber D is arranged on the upstream side of a cap 16 through which unvulcanized rubbers A, B and C flow, an integrated composite unvulcanized tread rubber member wherein the unvulcanized rubber D is arranged to an intermediate part can be continuously extruded from the cap 16 to be molded.例文帳に追加

未加硫ゴムＡ，Ｂ，Ｃの流れる口金１６の上流側に、未加硫ゴムＤを排出する開口部３４を備えた第四の流路形成金型２６を配置すると、未加硫ゴムＤを中間部分に配置した一体複合未加硫トレッドゴム部材を口金１６より連続して押し出し成型することができる。 - 特許庁

In a multiple tank type fryer, by forming a path in which waste oil flows of a rod 22, the path of waste oil is always secured in the early stage of oil draining in a nearly right angled connection 21 of an oil channel guiding waste oil from an oil tank 1 to an oil tank 15.例文帳に追加

連結された多槽型のフライヤー装置において、油槽１からの排油を排油貯留タンク１５へ導く排油通路の略直角状となる接続部２１に排油当初において棒状のロッド２２で排油が流れる道筋を形成することにより排油の流路が常時確保されるようにする。 - 特許庁

In a MOSFET having a first drain region 12, a second drain region 13 having a higher impurity concentration than that of the region 12, a channel forming region 14, and a source region 15 on a substrate region 11, an embedded region 31 is formed between the substrate region 11 and first drain region 12.例文帳に追加

サブストレート領域１１の上に第１のドレイン領域１２とこれよりも不純物濃度の高い第２のドレイン領域１３とチャネル形成領域１４とソース領域１５とを有するＭＯＳＦＥＴにおいて、サブストレート領域１１と第１のドレイン領域１２との間に埋め込み領域３１を形成する。 - 特許庁

A low voltage driven n-channel transistor LV-N-LVt of a low threshold value type is formed directly on a p-type silicon substrate 1 without forming a well, and a process is reduced by integrating the ion injection process for the threshold value adjustment with the ion injection process for the threshold value adjustment of other transistor.例文帳に追加

低閾値型の低電圧駆動ＮチャンネルトランジスタＬＶ−Ｎ−ＬＶｔをウェルを形成せず、直接Ｐ型のシリコン基板１に形成するようにし、閾値調整のためのイオン注入工程を他のトランジスタの閾値調整のためのイオン注入工程と統合させることで工程の短縮を図る。 - 特許庁

To provide a semiconductor device and a method for manufacturing the same, capable of giving a reduction in size of the device by enabling designing of a sheet resistance value freely irrespective of a channel density of a hetero device in the case of monolithically forming the hetero type device and a resistance element and realizing desired high sheet resistance.例文帳に追加

ヘテロ系デバイス及び抵抗素子をモノリシックに形成する際、ヘテロ系デバイスのチャネル濃度とは無関係に自由にそのシート抵抗値を設計することを可能にし、所望の高シート抵抗を実現して、装置の小型化に寄与することができる半導体装置及びその製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

A semiconductor film with large crystalline size is obtained by the method for fabricating the thin film transistor comprising applying layer beam to an island like noncrystalline semiconductor film on a insulation film, scanning the region irradiated with the laser beam to crystallize the island like noncrystalline semiconductor film, and forming an active layer including a source region, a drain region and a channel forming region.例文帳に追加

絶縁表面上の島状の非晶質半導体膜にレーザー光を照射し、該レーザー光を照射した領域を走査して前記島状の非晶質半導体膜を結晶化させ、該結晶化させた島状の半導体膜を用いてソース領域、ドレイン領域及びチャネル形成領域を含む活性層を形成する薄膜トランジスタの作製方法であって、前記レーザー光は固体レーザーから連続発振されたレーザー光であることを特徴とする。 - 特許庁

A waveguide forming part 10, wherein optical input waveguides 12, a first slab waveguide 13, an array waveguide 14 in which a plurality of channel waveguides 14a having mutually different wavelength setting quantities are juxtaposed, a second slab waveguide 15 and a plurality of juxtaposed optical output waveguides 16 are connected in order, is formed on a substrate 11.例文帳に追加

光入力導波路１２と、第１のスラブ導波路１３と、互いの長さが設定量異なる複数のチャンネル導波路１４ａを並設してなるアレイ導波路１４と、第２のスラブ導波路１５と、複数の並設した光出力導波路１６とを順に接続してなる導波路形成部１０を基板１１上に形成する。 - 特許庁

The fuel battery includes a membrane-electrode complex having an electrolyte membrane and an electrode, a sealed portion 16 which is formed integrally on the outer periphery of the membrane-electrode complex, a gas separator 30 which clamps the sealed portion 16 from its both sides, and a gas channel forming portion 14 disposed between the membrane-electrode complex and the gas separator 30.例文帳に追加

燃料電池は、電解質膜と電極とを備える膜−電極複合体と、膜−電極複合体の外周部で一体形成されるシール部１６と、シール部１６を両側から挟持するガスセパレータ３０と、膜−電極複合体とガスセパレータ３０との間に配置される多孔質体から成るガス流路形成部１４と、を備える。 - 特許庁

The MOS type gates Mgx1 and MOS type storing gates Mccd of all pixels are turned on at once, and charges stored in the photodiodes PD of the pixels are transferred to a substrate region (an N type layer 23 forming an embedded channel) directly below the storing gates Mccd through corresponding MOS type gates Mgx1 in all pixels and stored and held in the substrate region ((C)).例文帳に追加

全画素のＭｇｘ１及びＭｃｃｄがそれぞれ一斉にオンとされ、全画素のフォトダイオードＰＤに蓄積されていた電荷が全画素で対応するゲートＭｇｘ１を通して、ＭＯＳ型蓄積用ゲートＭｃｃｄの直下の基板領域（埋め込みチャネルを形成するＮ^−層２３）に転送されて蓄積、保持される（（Ｃ））。 - 特許庁

In the front type projector having a thin film transistor including a semiconductor layer having a channel forming region, a source region and a drain region and an island-shaped gate electrode, first wiring to which the gate electrode is connected and second wiring to which the source region or the drain region is connected are orthogonal to each other and the second wiring is disposed so as to be parallel to and superposed on the capacity wiring.例文帳に追加

チャネル形成領域、ソース領域、及びドレイン領域を有する半導体層と、島状のゲート電極とを備えた薄膜トランジスタを有し、ゲート電極が接続する第１配線と、ソース領域又はドレイン領域が接続する第２配線とは直交し、第２配線や容量配線と平行かつ重なるように配置されている。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a microchip capable of performing the surface hydrophylizing treatment of a flow channel forming part without producing roughness or cracks on the surface of a substrate comprising polydimethylsiloxane using ultraviolet rays with a specific wavelength and capable of certainly laminating two substrates to certainly manufacture an object having expected capacity.例文帳に追加

特定波長の紫外線を利用して、ポリジメチルシロキサンよりなる基板の表面に、荒れやクラックを発生させることなく、流路形成部分の表面の親水化処理を行うことができると共に２枚の基板を確実に貼り合わせることができ、従って、所期の性能を有するものを確実に製造することのできるマイクロチップの製造方法を提供すること。 - 特許庁

A separate plate 17 is disposed in a separate body 15 forming a gas nozzle 20 to form two fuel gas flow channels 13, 14 of different areas , and valves 11, 12 as two flow channel opening and closing means capable of opening and closing the fuel gas flow channels 13, 14 are disposed on a branch of two fuel gas flow channels.例文帳に追加

ガスノズル２０を形成するセパレートボディ１５内に、面積の異なる２つの燃料ガス流路１３、１４が形成されるようにセパレートプレート１７を取付け、該２つの燃料ガス流路の分岐部に、それぞれの燃料ガス流路１３、１４をそれぞれ開閉することが可能な２つの流路開閉手段である弁１１、１２を設ける。 - 特許庁

The optical input waveguide 12, a first slab waveguide 13, an array- waveguide 14 comprising channel waveguides 14a which are different in length and arranged in parallel each other, a second slab waveguide 15, and an optical output waveguides 16, which are arranged in parallel, are connected in order to form a waveguide-forming part 10 on a substrate 11.例文帳に追加

光入力導波路１２と、第１のスラブ導波路１３と、互いに異なる長さの複数の並設したチャネル導波路１４ａからなるアレイ導波路１４と、第２のスラブ導波路１５と、複数の並設した光出力導波路１６とを順に接続してなる導波路形成部１０を基板１１上に形成する。 - 特許庁

The manufacturing method of a TFT has a process for forming semiconductor films 3a, 3b on a substrate 1 and has a process for implanting conductive impurities into the semiconductor films, by exposing the substrate to a plasma atmosphere 30 containing the conductive impurities for the semiconductor films in the state wherein at least a channel region of the semiconductor films is exposed to the plasma atmosphere.例文帳に追加

本ＴＦＴの製造方法は、基板１上に半導体膜３ａ，３ｂを形成する工程と、半導体膜の少なくともチャネル領域が露出した状態で、当該半導体膜に対する導電性不純物を含むプラズマ雰囲気３０中に基板を暴露して、導電性不純物を半導体膜に注入する工程を備える。 - 特許庁

A base station, in addition to specifying a particular address (or channel) referred to as a data link connection identifier(DLCI) on PHV, provides a gateway MSC with a packet address to be used as an address for a voice packet that is received by a roaming mobile unit from the gateway MSC (though a serving MSC), thereby forming a full duplex packet link.例文帳に追加

ＰＨＶ上でデータリンク接続識別子（ＤＬＣＩ）と称される特定アドレス（またはチャネル）を指定し、基地局はまた、ローミング移動ユニットについてゲートウェイＭＳＣから（サービス提供ＭＳＣを介して）受信される音声パケットのためのアドレスとして用いるために、ゲートウェイＭＳＣに基地局パケットアドレスを与え、それによって全二重パケットリンクを形成する。 - 特許庁

To provide a method by which a semiconductor device can be manufactured by using a laser-beam crystallization method which can prevent the remarkable fall of the mobility of a TFT due to grain boundaries formed in the channel forming region of the TFT, the decrease of an on-current, and the increase of an off-current, and to provide a semiconductor device manufactured by the method.例文帳に追加

ＴＦＴのチャネル形成領域に形成された粒界によりＴＦＴの移動度が著しく低下したり、オン電流が低減したり、オフ電流が増加したりするのを防ぐことができるレーザー結晶化法を用いた半導体装置の作製方法及び該作製方法を用いて形成された半導体装置の提供を課題とする - 特許庁

To provide a fuel battery, capable of effectively restraining an edge that protrudes from an end face of a porous body forming a gas-flow channel layer from piercing a gas diffusion layer (diffusion layer base material), constituting at least the power generation region of an electrode body, while maintaining a given compression force at stacking, even if a compression force is intensively made to act from the edge.例文帳に追加

スタッキング時の所与の圧縮力を維持しながら、ガス流路層を形成する多孔体の端面から突出するエッジから集中的に圧縮力が作用した場合でも、少なくとも電極体の発電領域を構成するガス拡散層（拡散層基材）に該エッジが突き刺さることを効果的に抑止することのできる燃料電池を提供する。 - 特許庁

The electroforming shell 1 has a molded layer 11 the surface of which becomes the molding surface 10, a temperature adjusting part 16 constituted by forming the medium flow channel 2 between first and second heat conductive layers 12 and 13 mutually comprising the same material and the reinforcing layers 14 formed on the side opposite to the molded layer 11 so as to hold the temperature adjusting part 16.例文帳に追加

電鋳シェル１は、表面が成形面１０となる成形層１１と、互いに同材料からなる第一熱伝導層１２と第二熱伝導層１３との間に媒体流路２を形成してなる温度調整部１６と、温度調整部１６を挟んで成形層１１と反対側に形成された補強層１４とを有する。 - 特許庁

Recess parts 12 elongating in the longitudinal direction of the pressure generating chambers are formed at a position corresponding to the pressure generating chambers in the nozzle plate of an ink-jet recording head 100 comprising a nozzle plate 10 with a plurality of nozzle openings 11 formed, and a channel forming substrate 30 with a plurality of pressure generating chambers 31 each communicating with the nozzle openings, or the like formed.例文帳に追加

複数のノズル開口１１が形成されたノズルプレート１０と、ノズル開口にそれぞれ連通した複数の圧力発生室３１等が形成された流路形成基板３０とを備えたインクジェット式記録ヘッド１００のノズルプレートにおける圧力発生室に対応する位置に、圧力発生室の長手方向に延びる凹部１２を形成する。 - 特許庁

To prevent increase of pressure loss in a cooling medium inlet pipe 20 in a cooler 17 comprising a case main body 22 forming a cooling medium flow channel and provided with cooling fins 23 inside thereof, and the cooling medium inlet pipe 20 and a cooling medium outlet pipe 21 respectively connected with the case main body 22.例文帳に追加

冷却媒体流路を形成する冷却フィン２３がその内部に設けられるケース本体２２と、ケース本体２２に接続される冷却媒体入口配管２０及び冷却媒体出口配管２１と、を備える冷却器１７において、冷却媒体入口配管２０における圧力損失が増大することを防止することを目的とする。 - 特許庁

The technology for the semiconductor element manufacturing method includes a process of forming the epitaxial layer on the upper portion of the element separating structure of the recess gate area, designing the semiconductor element of the SOI tunnel structure, thereby, reducing the ion implantation concentration in the channel area and improving characteristics of refresh of the element, tWR and LTRAS.例文帳に追加

本発明は半導体素子の製造方法に関し、特にリセスゲート領域の素子分離構造上部にエピタキシャル層を形成し、ＳＯＩチャンネル構造の半導体素子を設計することによりチャンネル領域にイオン注入濃度を低減させ、素子のリフレッシュ、ｔＷＲ及びＬＴＲＡＳ特性を改良することができる技術である。 - 特許庁

To provide a process for fabricating a semiconductor device using a laser crystallization process for preventing formation of a grain boundary in the channel forming region of a TFT, significant lowering in mobility of the TFT due to the grain boundary, reduction of on current, or increase of off current, and to provide a semiconductor device fabricated by that method.例文帳に追加

ＴＦＴのチャネル形成領域に粒界が形成されるのを防ぎ、粒界によってＴＦＴの移動度が著しく低下したり、オン電流が低減したり、オフ電流が増加したりするのを防ぐことができるレーザー結晶化法を用いた、半導体装置の作製方法及び該作製方法を用いて作製された半導体装置の提供を課題とする。 - 特許庁

To provide a DRAM with a memory cell portion and a peripheral circuit portion both installed together, which can integrates on the same substrate a first insulated gate type transistor, capable of forming a minute contact hole with self-alignment to a gate electrode and a second insulated gate type transistor, capable of fully reducing the parasitic resistance, while suppressing short-channel effect.例文帳に追加

本発明は、メモリセル部とその周辺回路部とを混載させてなるＤＲＡＭにおいて、ゲート電極に対して自己整合的に微細なコンタクトホールの開孔が可能な第１の絶縁ゲート型トランジスタと、短チャネル効果を抑制しつつ、寄生抵抗を十分に緩和することが可能な第２の絶縁ゲート型トランジスタとを同一基板上に集積できるようにする。 - 特許庁

A waveguide forming region 10 which is composed of the successive connection of an optical input waveguide 2, a first slab waveguide 3, an array waveguide 4 composed of a plurality of channel waveguides 4a of which the relative lengths are different from each other by prescribed values, a second slab waveguide 5 and a plurality of optical output waveguides 6 is formed on a substrate 1.例文帳に追加

光入力導波路２と、第１のスラブ導波路３と、互いの長さが設定量異なる複数のチャンネル導波路４ａを並設してなるアレイ導波路４と、第２のスラブ導波路５と、複数の並設した光出力導波路６とを順に接続してなる導波路形成領域１０を基板１上に形成する。 - 特許庁

The heat exchanger comprises a plurality heating pipes 5 interconnected with a water channel for heating and arranged in parallel while forming a plurality of stages in vertical direction, and identical fins 4 arranged in a plurality of parallel arrays wherein a guide plate 7 inclining to guide combustion gas along the heating pipes 5 is formed to stand from the fins while describing a circle concentric to the heating pipes 5.例文帳に追加

暖房用水路に連通する暖房パイプ５を並列に複数個、上下方向に複数個有し、かつ平行に複数列同一フィン４中に備えたものにおいて、暖房パイプ５と同心円を描く形状で、暖房パイプ５に沿うように案内する傾斜した案内板７をフィンから立ち上げて形成している。 - 特許庁