「FIRST PROCESS」に関連した英語例文の一覧と使い方(103ページ目) - Weblio英語例文検索

The manufacturing method for the inkjet recording medium includes; a step in which a first liquid containing vapor phase process silica, a water-soluble resin and a crosslinking agent is applied on a supporting body; and a step in which a second liquid containing an amphoteric surfactant having an alkyl group originated from coconut oil is imparted on the supporting body.例文帳に追加

気相法シリカと水溶性樹脂と架橋剤とを含む第１液を支持体上に塗布する工程と、ヤシ油に由来するアルキル基を有する両性界面活性剤を含む第２液を支持体上に付与する工程と、を有するインクジェット記録媒体の製造方法。 - 特許庁

To provide an image formation system in which, first, a working hour can be shortened, and second, when an image formation device having different performance is connected also, an appropriate image formation process is executed, and third, an operation, etc., are effective for an operator, etc., who utilizes a tandem output.例文帳に追加

第一に作業時間短縮が可能であり、第二に異なる性能を有する画像形成装置が接続される場合にあっても適切な画像形成処理が実行され、第三に、タンデム出力を利用する者等にとって、その操作等が効率的なものとなる画像形成システムを提供する。 - 特許庁

A sound image due to the auxiliary signal is positioned previously, and change in the positional sensing of the sound image felt by a listener can be reduced, even if the monitoring position is deviated, by conducting delaying process to the first and second main signals and then limiting bandwidth of the auxiliary signal to a lower band.例文帳に追加

第１および第２の主信号に対し遅延処理をし、補助信号の帯域を低帯域に制限することで、補助信号による音像が先に定位し、聴取位置がずれても聴取者が感じる音像の定位感の変化を少なくすることができる。 - 特許庁

Accordingly, the layer similar to the SiC film formed on the surface of the SiN film 8 can be removed in the etching process of the second BPSG film 9 as the upper layer and the SiN film 8 and the first BPSG film 7 as the lower layer thereof can be etched without any residue.例文帳に追加

これにより、上層の第２のＢＰＳＧ膜９のエッチング工程でＳｉＮ膜８の表面部に形成されたＳｉＣ膜類似層を除去することが可能になり、ＳｉＮ膜８およびその下層の第１のＢＰＳＧ膜７を残渣なくエッチングすることが可能になった。 - 特許庁

First to third recording units 11-13, comprising a recording part 2 for recording an image on a recording paper 4 and a supplying part 3 for supplying the recording paper 4 to the recording part 2, process image data for a plurality of recording papers by dividing the same by parallel drive for recording.例文帳に追加

記録紙４に対して画像の記録を行う記録部２と、記録部２に記録紙４を供給する供給部３とからなる第１〜第３記録ユニット１１〜１３は、並行に駆動して記録を行うことで複数の記録紙に亘る画像データを分担して処理する。 - 特許庁

The control unit 310 executes a predetermined process when a motion in a specific direction at an angular velocity determined by a first threshold value or above is detected and then a motion at an angular velocity determined by a second threshold value or above in a direction different from the specific direction is detected.例文帳に追加

当該制御部３１０は、第一の閾値で定められる角速度以上の特定の方向への動きが検出されてから、第二の閾値で定められる角速度以上の、前記特定の方向とは異なる方向への動きが検出された場合に、所定の処理を行う。 - 特許庁

In the process, it is preferable to use a material obtained by mixing a first alloy forming a main phase of the magnetostrictive element and a second alloy forming a grain boundary phase of the magnetostrictive element as the raw powder, and to use a material obtained by occluding hydrogen in at least the second alloy and finely grinding it.例文帳に追加

このとき、原料粉末としては、磁歪素子の主相を形成する第一の合金と、磁歪素子の粒界相を形成する第二の合金を混合して得たものを用い、少なくとも第二の合金に水素を吸蔵させて微粉砕したものを用いるのが好ましい。 - 特許庁

In the wiring process, the connecting end 52 and the first and second terminal groups GR1 and GR2 are connected together by heat pressing and the third terminal group GR3 is connected via a flat cable 60 made of an FPC (Flexible Printed Circuit) or FFC (Flexible Flat Cable) to the connecting terminals CD1 to CDj of a circuit board 40.例文帳に追加

配線工程において、熱圧着によって接続端部５２と第１，第２端子群ＧＲ１，ＧＲ２とを一括接続すると共に、第３端子群ＧＲ３と回路基板４０の接続端子ＣＤ１〜ＣＤｊとの間をＦＰＣ又はＦＦＣから成るフラットケーブル６０で接続する。 - 特許庁

A new area secure command process part 31 called by the new area secure command 21 secures a collective secure area 51 which is an integral multiples of the area of the structure for a first area securing request and cuts out an area for the structure from the area and allocates it.例文帳に追加

新領域確保命令２１によって呼び出される新領域確保命令処理部３１は，最初の領域確保要求に対して構造体の領域の整数倍以上の一括確保領域５１を確保し，そこから構造体の領域を切り出して割り当てる。 - 特許庁

In the molding process, by temperature-controlling a part for molding the contact end part 11a locally among the molding molds 21-23 for molding the first molding member 11, the resin crystallinity of the contact end part 11a is lowered as compared with other parts to increase the laser beam transmittance.例文帳に追加

上記成形工程で、第１成形部材１１を成形する成形型２１〜２３のうち当接端部１１ａを成形する部分を局所的に温度制御することにより、当接端部１１ａの樹脂結晶化度を他の部分より低くしてレーザ光透過率を増大させる。 - 特許庁

In a first polishing process P5 of this polishing method for a glass substrate for an information recording medium, a combination of a load (pressure) to be applied to a main surface of the glass substrate by a polish pad, the number of relational rotation of the main surface and the polish pad, and a mean granular diameter of the abrasive grains is fixed.例文帳に追加

情報記録媒体用ガラス基板の研磨方法は、第１の研磨工程Ｐ５はポリッシュ用パッドによってガラス基板の主表面にかかる荷重（圧力）、主表面とポリッシュ用パッドとの相対回転数、及び砥粒の平均粒径の組合せは一定である。 - 特許庁

A seal material 52a is cured by selectively irradiating an uncured seal material 52a with infrared rays L1, and a first large substrate 210 including a TFT array substrate 10 and a second large substrate 220 including a counter substrate 20 are stuck to each other by the cured seal material 52 (forth process).例文帳に追加

未硬化のシール材５２ａに選択的に赤外線Ｌ１を照射することによってシール材５２ａを硬化させ、硬化したシール材５２によってＴＦＴアレイ基板１０を含む第１大型基板２１０と、対向基板２０を含む第２大型基板２２０を相互に接着する（第４工程）。 - 特許庁

The semiconductor device comprises an equipment authentication part for authenticating second electronic equipment using authentication information obtained from the second electronic equipment different from the first electronic equipment having the semiconductor device, a first storage part for storing authentication process information including the authentication result by the equipment authentication part, and an authentication analysis part for analyzing the authentication result by the equipment authentication part.例文帳に追加

半導体装置は、当該半導体装置を有する第１の電子機器とは別の第２の電子機器から得られた認証情報を用いて、第２の電子機器を認証する機器認証部と、機器認証部による認証結果を含む認証経過情報を記憶する第１の記憶部と、前記認証経過情報を参照して、前記機器認証部による認証結果を分析する認証分析部と、を備える。 - 特許庁

In the method for manufacturing the optical film wherein a hard coat layer or the hard coat layer and a functional layer are provided on a transparent plastic film base material having at least one first knurling part in a film winding direction, a second knurling part is laminated on the first knurling part after a process for applying the hard coat layer or the hard coat layer and the functional layer.例文帳に追加

フィルム巻き取り方向に少なくとも１本の第１ナーリング部を有する透明プラスチックフィルム基材上にハードコート層またはハードコート層及び機能性層を有する光学フィルムの製造方法において、該ハードコート層またはハードコート層及び機能性層を塗布する工程の後に、該第１ナーリング部上に第２ナーリング部を積層して設けることを特徴とする光学フィルムの製造方法。 - 特許庁

The process for producing a semiconductor device comprises a step for resin sealing a semiconductor chip 30 by potting while supporting the opposite sides of at least one semiconductor chip 30 on a tape-like substrate 10 mounting a plurality of semiconductor chips 30 by means of a first supporting member 42 and a second supporting member 44 arranged at a position shifted from the first supporting member 42 in the longitudinal direction of the substrate 10.例文帳に追加

半導体装置の製造方法は、複数の半導体チップ３０が搭載されてなるテープ状の基板１０の少なくとも１つの半導体チップ３０の両側を、第１の支持部材４２と第１の支持部材４２から基板１０の長さ方向にずれた位置に配置されてなる第２の支持部材４４とによって支持した状態で、半導体チップ３０を樹脂封止するためにポッティングすることを含む。 - 特許庁

In a vehicular lighting assembly 10 provided with a lens 40 integrally formed of plastic molded parts 41, 42 and 43 colored in two or more colors, the lens is molded with an injection molding process and the molecular weight of the plastic constituting the first plastic molded parts 41 and 43 which are first molded is larger than the molecular weight of the plastic constituting a plastic molded part 42 which is subsequently molded.例文帳に追加

２色以上のプラスチック成形部分４１、４２、４３が一体に形成されて成るレンズ４０を備えた車輌用灯具１０において、上記レンズは射出成形工程によって形成され、先に射出される第１のプラスチック成形部分４１、４３を構成するプラスチックの分子量に比して、後から射出されるプラスチック成形部分４２を構成するプラスチックの分子量を小さくした。 - 特許庁

To provide a method for automatically recognizing serial memory size capable of dealing with even serial memories based on SPI (serial peripheral interface) where no response bit is imparted to output data, by imparting a fixed bit string for preliminary writing to perform a preliminary writing process, performing first and second reading processes, and determining memory size based on the order of the first and second data read.例文帳に追加

本発明はシリアルメモリサイズ自動認識方法において、事前書き込み用定型ビット列を与えて事前書き込み処理を行い、第１、第２の読み出し処理を行い、前記第１、第２の読み出したデータの組順に基づきメモリサイズを判定するようにしたので、出力データに応答ビットが付与されないＳＰＩ準拠のシリアルメモリにも対応可能なシリアルメモリサイズ自動認識方法を提供するのに著効を奏す。 - 特許庁

An image forming apparatus includes an acquisition part for allowing a display part to display a screen for selecting a second program capable of dynamically interrupting a first program held by the image forming apparatus with a process and acquiring the second program selected on the screen from an external storage part and a validating part for applying the acquired second program to the first program.例文帳に追加

画像形成装置であって、当該画像形成装置が有する第一のプグラムに対して動的に処理を割り込ませることが可能な第二のプログラムを選択させる画面を表示手段に表示させ、該画面において選択された前記第二のプログラムを外部記憶手段より取得する取得手段と、取得された前記第二のプログラムを前記第一のプログラムに適用する有効化手段とを有する。 - 特許庁

The process for fabricating a ridge type semiconductor laser comprises a step for forming a structure of a plurality of semiconductor layers including an active layer on a substrate, a step for forming a first electrode having a width narrower than that of the multilayer structure on the surface thereof, and a step for forming a ridge structure by etching the multilayer structure using the first electrode as a mask.例文帳に追加

本発明による製造方法は、基板上に活性層を含む複数の半導体層を積層して積層構造を形成する積層構造形成ステップと、その積層構造の表面において、積層構造よりも狭い幅を有する第１の電極を形成する第１電極形成ステップと、第１の電極をマスクとして積層構造をエッチングし、リッジ構造を形成するリッジ構造形成ステップとを含む。 - 特許庁

The sandwich immunoassay includes processes of (a) forming a complex of an antigen and a first antibody by contacting the antigen with the first antibody that recognizes the antigen and is labeled by a detectable labeling substance; and (b) immobilizing the complex formed in the process (a) to a solid phase by a second antibody that recognizes the antigen and can be coupled to the solid phase.例文帳に追加

（ａ）抗原と、前記抗原を認識し検出可能な標識物質で標識された第１抗体とを接触させて、抗原−第１抗体からなる複合体を形成する工程と、（ｂ）前記抗原を認識し固相に結合可能な第２抗体を用いて、前記工程（ａ）で形成した複合体を固相に固定化する工程とを含むことを特徴とするサンドイッチイムノアッセイ法により、上記の課題を解決する。 - 特許庁

For example, it is considered more efficient to perform examination on requirements under Patent Law section 37 by first selecting the invention described in a "product" claim as the specified invention if there is one among two or more claims, and by first selecting the invention described in a "process" claim as the specified invention if there is no "product" claim. 例文帳に追加

例えば、二以上の請求項のうち、いわゆる「生産物」についての請求項がある場合には、まず生産物についての請求項に記載された発明を便宜的に特定発明として、生産物についての請求項がない場合には、まず方法についての請求項に記載された発明を便宜的に特定発明として、第37条各号の要件について審査を進めることが効率的である。 - 特許庁

The process features the steps of, when the headlights are in a first lighting mode, detecting the backscatter of the headlight beam onto a phenomenon of visibility disturbance; increasing the lighting range of the headlight beam from the headlights in relation to a maximum authorized range in accordance with the detected backscatter; and switching the headlights to a second lighting mode when the backscatter reaches a first determined threshold.例文帳に追加

この方法は、ヘッドライトが、第１の照明モードにあるときに、視界を妨げる事象に起因する、ヘッドライトからの光ビームの後方散乱を検出するステップと、検出された後方散乱に応じて、ヘッドライトからの光ビームの照明範囲を、最大公認範囲に比して増加させるステップと、後方散乱が、定められた第１の閾値に達すると、ヘッドライトを、第２の照明モードに切り替えるステップとを含んでいる。 - 特許庁

The thin film formation device 1 for forming a plurality of thin films in a substrate 10 in the same chamber 2 by an antenna type plasma CVD method (chemical vapor deposition) has a residue removal means for removing residue which affects property of a second thin film formed next to a first thin film of a plurality of thin films and is caused in a first thin film formation process.例文帳に追加

アンテナ式プラズマＣＶＤ法（化学的気相成長法）により基板１０に複数の薄膜を同一チャンバ２内で形成する薄膜形成装置１であって、複数の薄膜のうち第１薄膜の次に形成する第２薄膜の特性に影響を与え、かつ、第１薄膜形成過程に起因した残留物質をチャンバ２内から除去する残留物質除去手段を備えることを特徴とする。 - 特許庁

The production process of the thin-film superconductive wire material 10A comprises the steps of forming an intermediate layer 2 on a metal tape substrate 1, forming a first superconductive layer 3 having an RE123 composition as a diffusion-preventing layer on the intermediate layer 2 and forming a second superconductive layer 4 having an RE123 composition so as to come into contact with the first superconductive layer 3.例文帳に追加

本発明の薄膜超電導線材１０Ａの製造方法は、金属テープ基板１上に中間層２を形成する工程と、その中間層２上にＲＥ１２３系の組成を有する第１の超電導層３を拡散防止層として形成する工程と、第１の超電導層３に接するように、ＲＥ１２３系の組成を有する第２の超電導層４を形成する工程とを備えている。 - 特許庁

A turbulent boundary layer of the fluid is generated in a process transiting from a first spiral part A1 to a second spiral part A2 after the spiral flow forming the suitable spraying shape has produced at a first spiral part A1, that reliably generates the spiral flow and the turbulent boundary layer forming the spraying shape necessary and suitable for spraying into right and left lungs of a small animal.例文帳に追加

更に、第１の旋回部Ａ１で適切な噴射形状を形成する旋回流を形成した後、第１の旋回部Ａ１から第２の旋回部Ａ２に移行する過程で液体に乱流境界層を発生させることができるので、小動物の左右の肺内への噴霧に必要な適切な噴射形状を形成する旋回流と乱流境界層とを確実に発生させることができる。 - 特許庁

A process in which copper metallic layers are formed by depositing copper metals to recessed sections 4 formed in broad widths towards the opening direction to insulating layers 3 formed to the surface of the conductive base material 2 under a first current density and the copper metal is deposited on a copper surface in a black or a brown under a second current density larger than the first current density is conducted in one copper-sulfate plating bath.例文帳に追加

導電性基材２の表面に形成された絶縁層３に開口方向に向かって幅広に形成された凹部４に第１電流密度の下に銅金属を析出させて銅金属層を形成し、第１の電流密度よりも大きい第２の電流密度の下に銅表面に黒色乃至茶褐色になるように銅金属を析出させる工程を、一つの硫酸銅めっき浴中にて行う。 - 特許庁

To provide an exposure method for forming a first columnar spacer and a second columnar spacer thinner than the first columnar spacer, the method for forming the second columnar spacer with excellent uniformity of film thickness and line width without changing an aperture ratio of a photomask or subjecting a photomask to a process of reducing the transmittance for light, and to provide an exposure device and a method for manufacturing a liquid crystal display device.例文帳に追加

第１の柱状スペーサーと、この第１の柱状スペーサーよりも厚さの薄い第２の柱状スペーサーを形成するための露光方法であって、フォトマスクの開口率を変更したり、光透過率の低減処理を施すことなく、膜厚及び線幅の均一性に優れた第２の柱状スペーサーを形成することを可能とする露光方法、露光装置、及び液晶表示装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

This manufacturing process of the laminated stator comprises forming a first dielectric block 11 in a die, printing an inner electrode 4 and a connection electrode 7 on the first dielectric block 11 surface, laminating a second dielectric block 13 on the printed surface to form a molding 14, baking the molding 14 and dividing the molding 14 at the middle of the connection electrode 7 to form a laminate 6.例文帳に追加

積層ステータ１を形成するにあたって、先ず第１の誘電体ブロック１１を金型成形し、この第１の誘電体ブロック１１表面に内部電極４及び接続電極７を印刷し、この印刷面上に第２の誘電体ブロック１３を積層して成形体１４を形成し、この成形体１４を焼成した後に接続電極７の中程で分割して積層体６を形成した。 - 特許庁

The cutting tool includes: a substantially cylindrical body including a first end configured to engage with a workpiece and a second opposite end configured to be mounted to a machine tool; a groove formed in the first end of the substantially cylindrical body and disposed in a substantially lateral direction relative to the longitudinal axis line; and a nib that is disposed in and coupled to the groove by a brazing process.例文帳に追加

切削工具は、ワークピースに係合するように構成された第１の端部と、工作機械に取り付けられるように構成された第２の反対側端部とを有するほぼ円筒状の本体、ほぼ円筒状の本体の第１の端部に形成された溝であって、長手方向軸線に対してほぼ横方向に配置される溝、及びろう付け工程によって溝に配置されて結合されたニブ部を含む。 - 特許庁

N echo signals received in a time series are processed at least in two steps such as a first and second autocorrelation processes or an autocorrelation process and a cross correlation process, a fast Fourier transformation is applied to each of data thus obtained to obtain a plurality of frequency data, and a Doppler shift frequency is obtained from the difference frequency between an average of the plurality of frequency data and a frequency of an ultrasonic signal.例文帳に追加

時系列的に受信したｎ個のエコー信号に対して、自己相関処理−自己相関処理、もしくは自己相関処理−相互相関処理のように、少なくとも２段階で処理を行い、これにより得た各データに対して、高速フーリエ変換を行うことにより、複数の周波数データを求め、これらの複数の周波数データの平均値と、前記超音波信号の周波数との差周波数からドップラーシフト周波数を求める。 - 特許庁

The method for manufacturing the solar cell element having a semiconductor layer 2a of a second conductivity type formed on the semiconductor substrate of a first conductivity type includes a recognition process of recognizing the shape of the semiconductor substrate 2 to acquire information on the shape, and a removal process of determining a part where the semiconductor layer 2a is to be removed based upon the acquired information on the shape and removing a part of the semiconductor layer 2a.例文帳に追加

第１導電型を有する半導体基板２上に第２導電型を有する半導体層２ａが形成されてなる太陽電池素子の製造方法であって、半導体基板２の形状を認識し、該形状の情報を取得する認識工程と、前記情報に基づき、半導体層２ａを除去する部分を決定し、半導体層２ａの一部を除去する除去工程と、を備えたことを特徴とする。 - 特許庁

This position-detecting method comprises both a first process for acquiring protruded or recessed waveforms, by scanning two marks provided for positions at such an interval from each other that the protruded or recessed waveforms acquired by scanning alternately intersect with each other, and a second process for determining that the position at which two acquired protruded or recessed waveforms intersect with each other is an arbitrary position between the two marks.例文帳に追加

本発明の位置の検出方法は、スキャンニングにより得られる凸状又は凹状の波形が交互に交差する程度に離れた位置に設けられた２つのマークを走査するスキャンニングを行うことにより前記凸状又は凹状の波形を取得する第一の工程と、前記取得された２つの凸状又は凹状の波形が交差する点の位置を、前記２つのマークの間の任意の位置と判定する第二の工程と、を有する。 - 特許庁

The method for manufacturing the heat dissipation structure includes a first process to form a carbon nanotube deposited layer being as a main composition on the surface of the substrate and a second process to extrude the top of carbon nanotube near the surface of substrate at least to contact with the partner material from the carbon nanotube deposited layer and to orient the lengthwise direction of carbon nanotube to direct in the direction vertical to the substrate surface.例文帳に追加

本発明に係る放熱構造の製造方法は、基板表面にカーボンナノチューブを主成分とするカーボンナノチューブ堆積層を形成する第一の工程と、少なくとも相手材に接触させる基板表面近傍のカーボンナノチューブの先端をカーボンナノチューブ堆積層から突出させ、かつ、カーボンナノチューブの長さ方向が基板面に垂直な方向に向くように配向させる第二の工程と、を有することを特徴とする。 - 特許庁

A method of diffusing impurities into crystal silicon particles has process of forming silica glass containing impurities for a second conductive semiconductor on the surface of crystal silicon particles by introducing an impurity gas containing oxygen while inputting a great amount of first conductive crystal silicon particles into a diffusion pipe to make stir and process of forming a second conductive silicon layer by making impurities diffuse on the surface of the crystal silicon.例文帳に追加

結晶シリコン粒子への不純物の拡散方法は、拡散管内に多数の第１導電型の結晶シリコン粒子を入れて攪拌させながら酸素を含んだ不純物ガスを導入することによって、結晶シリコン粒子の表面に第２の導電型用の不純物を含有した珪酸ガラスを形成する工程と、結晶シリコン粒子の表面に不純物を拡散させて第２の導電型のシリコン層を形成する工程とを有する。 - 特許庁

This method for producing tetra-n-butyl ammonium phosphate is characterized by comprising the first process for reacting a tetra-n-butyl ammonium halide with an alkali metal hydroxide in an organic solvent to produce the tetra-n-butyl ammonium hydroxide and the alkali metal halide, and the second process for removing the alkali metal halide and then neutralizing the tetra-n-butyl ammonium hydroxide with phosphoric acid in an organic solvent.例文帳に追加

テトラｎブチルアンモニウムのリン酸塩の製造方法であって、テトラｎブチルアンモニウムのハロゲン化物とアルカリ金属の水酸化物とを有機溶媒中で反応させ、テトラｎブチルアンモニウムの水酸化物とアルカリ金属のハロゲン化物を生成する第１の工程と、前記アルカリ金属のハロゲン化物を除去した後、前記テトラｎブチルアンモニウムの水酸化物とリン酸とを有機溶媒中で中和反応させる第２の工程とを有することを特徴とする。 - 特許庁

This method for producing the phenolic dimer comprises a first process of flowing a solution containing at least 1 kind of di-substituted phenol selected from a dialkylphenol having 1-4C alkyl and a dialkoxyphenol having 1-4C alkoxy in an aqueous medium through a column having an enzyme-filled layer immobilizing an oxidase to perform an enzymatic reaction and a second process of adding a reducing agent.例文帳に追加

オキシダーゼを固定化した酵素充填層を有するカラム中に、炭素数１〜４のアルキル基を有するジアルキルフェノール及び炭素数１〜４のアルコキシ基を有するジアルコキシフェノールからなる群から選ばれた少なくとも一種のジ置換フェノールを水性媒質中に含有させた溶液を流し、カラム中で酵素反応を行う第一工程と、還元剤を添加する第二工程を有することを特徴とするフェノール類２量体の製造方法 - 特許庁

A method for sealing tissue electrically and surgically comprises a process (A) for applying first pulse of RF energy to this tissue and a process (B) for applying following RF energy pulse at least a time to this tissue and maintaining RF energy parameter of individual pulse of the following RF energy pulse at fixed parameter or fluctuating it in accordance with at least one feature of transient electricity generated among individual RF energy pulses.例文帳に追加

組織を電気外科的に密封するための方法は、以下：（Ａ）ＲＦエネルギーの第一パルスをこの組織に適用する工程；および（Ｂ）この組織に、少なくとも１回の引き続くＲＦエネルギーパルスを適用し、そして個々のＲＦエネルギーパルスの間に生じる一過性電気の少なくとも１つの特徴に従って、引き続くＲＦエネルギーパルスの個々のパルスのＲＦエネルギーパラメータを一定に維持するかまたは変動させる、工程、を包含する。 - 特許庁

This treatment method includes a first process for allowing the waste water containing ammonia to flow in an adsorption tank filled, with at least one kind of the adsorbent selected from the group binary compound oxide consisting of titanium and silicon, binary compound oxide consisting of titanium and zirconium, and ternary compound oxide consisting of titanium, silicon zirconium, and a second process for adsorbing ammonia in the above- mentioned waste water with the above-mentioned adsorbent.例文帳に追加

チタンおよびケイ素からなる二元系複合酸化物；チタンおよびジルコニウムからなる二元系複合酸化物；並びにチタン、ケイ素およびジルコニウムからなる三元系複合酸化物からなる群より選ばれる少なくとも１種を吸着材として充填されている吸着槽内に、アンモニアを含有する廃水を流入する第１工程、及び前記廃水中のアンモニアを、前記吸着材で吸着する第２工程を含む。 - 特許庁

The method for manufacturing the resin substrate 5 includes a process for heating a resin sheet 10x including resin containing insufficiently polymerized molecules and fibers up to a temperature lower than a polymerization starting temperature of the resin to soften the resin and a process for applying first pressure to the resin sheet 10x in which the resin is softened and discharging bubbles generated between the fibers to the outside of the resin sheet 10x.例文帳に追加

本発明の一実施形態にかかる樹脂基板５の製造方法は、不完全重合の分子を含む樹脂と繊維とを有する樹脂シート１０ｘを、前記樹脂の重合開始温度未満に加熱し、前記樹脂を軟化させる工程と、前記樹脂が軟化した樹脂シート１０ｘに第１圧力を印加し、前記繊維間の気泡を前記樹脂シート１０ｘ外に放出させる工程と、を備えたことを特徴とする。 - 特許庁

By enabling the irradiation of different type ion beams generated by first and second ion sources 11, 12, a process irradiating a silicon wafer 10 with a polyatomic molecule ion beam for removing a surface oxide film and a process irradiating the silicon wafer 10 with an ion beam of the implanted ions for implanting ions are continuously carried out to the silicon wafer 10 attached to a platen in a chamber 18 without breaking a vacuum atmosphere during them.例文帳に追加

第１および第２のイオン源１１・１２で生成される、異なる種類のイオンビームの照射を可能とすることで、多原子分子のイオンビームをシリコンウェーハ１０に照射して表面の酸化膜を除去する工程と、注入イオンのイオンビームをシリコンウェーハ１０に照射してイオンを注入する工程とを、チャンバ１８内のプラテンに装着されたシリコンウェーハ１０に対し、その間の真空雰囲気を破ること無く連続して行う。 - 特許庁

The Financial Services Agency (FSA) has been strengthening surveillance of this bank's process of system integration by conducting targeted inspections. What do you think of the fact that the system glitch occurred on the first day of operation, and what action will the FSA take? Also, as the process of integration continues step by step, how will the FSA deal with it? 例文帳に追加

金融庁はこれまで同行のシステム統合作業について、ターゲット検査を行うなど監視を強めてきたわけですけれども、稼動初日のシステム障害についてどのように受け止めていらっしゃるのかということと、それから今後どのような対応を行っていくのかという点と、併せて、これから統合作業が段階的に続いていくわけですけれども、その作業について金融庁としてどう対応していくのかということをお聞きしたいと思います。 - 金融庁

This PSA process, particularly a VSA process, is used in the separation of gas such as air containing at least one first compound such as nitrogen to be adsorbed preferentially on at least one adsorbent and at least one second compound such as oxygen not to be adsorbed preferentially on the adsorbent compared with the first compound.例文帳に追加

本発明は、少なくとも１つの吸着剤に優先的に吸着される少なくとも１つの第１の化合物たとえば窒素と、少なくとも前記吸着剤に前記第１の化合物ほどには優先的に吸着されない少なくとも１つの第２の化合物たとえば酸素とを含むガスたとえば空気の流れを分離するＰＳＡ、特にＶＳＡプロセスであって、前記吸着剤は、Ｓｉ／Ａｌ比が５以下でＸまたはＡタイプのゼオライトから選択されるゼオライトの粒子を少なくとも備え、前記ゼオライトの速度係数（ａ__k）および固有強度（α）が、ａ_k＞０．５ｓ^-1、および０．１０＜α＜２であることを特徴とするプロセスに関する。 - 特許庁

When a terminal-status detecting means detects a prescribed terminal status (a step S403; Yes)at a state in which communication over a first radio communication system being enabled by a first radio communication means (a step S401), a second radio communication means starts a process of obtaining a second radio communication system (a step S406) to shift communication via second radio communication system in an enabled status (a step S408).例文帳に追加

第一の無線通信手段による第一の無線通信システムを介した通信が可能な状態（ステップＳ４０１）において、端末状態検出手段によって所定の端末状態が検出されたときに（ステップＳ４０３；Ｙｅｓ）、第二の無線通信手段により第二の無線通信システムの捕捉処理を開始して（ステップＳ４０６）、第二の無線通信を介した通信を可能な状態（ステップＳ４０８）に移行させる。 - 特許庁

The process for fabricating a ferroelectric capacitor consisting of a first electrode 20, a ferroelectric film 30, and a second electrode 40 comprises a step for performing heat treatment after the second electrode 40 is formed at least on the ferroelectric film 30, and a step for performing polarization of the ferroelectric film 30 by applying a specified voltage at least between the first electrode 20 and the second electrode 40.例文帳に追加

第１電極２０、強誘電体膜３０、及び第２電極４０からなる強誘電体キャパシタの製造方法であって、少なくとも強誘電体膜３０の上に第２電極４０を形成した後に熱処理を行うこと、熱処理の後に、少なくとも第１電極２０と第２電極４０との間に所与の電圧を印加することにより強誘電体膜３０に対して分極処理を行うこと、を含む。 - 特許庁

In the COC type semiconductor mounted body, each of a first and a second electrode pads 1, 9 of a first semiconductor chip 2 and a second semiconductor chip 10 is disposed after being redesigned for re-wiring in the chip region to constitute each contact pad, and electrode formation at the semiconductor mounting process level is enabled corresponding to the electrode arrangement and number to improve the degree of freedom of the electrode formation.例文帳に追加

ＣＯＣ型の半導体実装体は、第１の半導体チップ２、第２の半導体チップ１０の第１，第２の電極パッド１，９は各々チップ領域内において再配線で引き回されて配置され、各コンタクトパッドを構成したものであり、個々の半導体チップの電極配置、数に対応させて半導体実装工程レベルで電極形成が可能になり、電極形成の自由度を向上させることができるものである。 - 特許庁