「FIRST PROCESS」に関連した英語例文の一覧と使い方(100ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a printing solder inspection apparatus capable of grouping a plurality of soldered parts, reversibly recognizing the relation between allowable values and process indices on shape values of the group, and reflecting this in the following first inspection when the allowable values have altered.例文帳に追加

複数はんだ箇所をグループ化し、そのグループにおける形状値を軸に許容値と工程指数との関係を可逆的に認識可能にし、許容値の変更があったときは次の１枚目の検査から反映することができる印刷はんだ検査装置を提供することである。 - 特許庁

This structure enables laser irradiation to be laid on a processing curve by taking out the radius of the outwardly bulged curve from the memorization means and performing coordinate compensation for a phenomenon that the curve processed as the first process runs an inner circle due to delayed follow-up.例文帳に追加

そして、この構成により、まず、第１の方法として加工する曲線が上記追従遅れにより内回りする現象に対し、外側に膨らませる曲線の半径を前記記憶手段から取り出して座標補正を行って、加工する曲線にレーザ照射を重ね合わせることができる。 - 特許庁

In a first layer forming process (1) for epitaxially growing silicon on a single crystal silicon substrate 1, silicon is grown epitaxially while adding oxygen to such an extent as the single crystallinity of silicon is not collapsed by growing silicon epitaxially on the single crystal silicon substrate 1 in oxygen atmosphere.例文帳に追加

単結晶シリコン基板１上にシリコンをエピタキシャル成長させる第１層形成工程 において、単結晶シリコン基板１上に酸素雰囲気中でシリコンをエピタキシャル成長させることにより、シリコンの単結晶性を崩さない程度の酸素を含有させつつシリコンをエピタキシャル成長させる。 - 特許庁

At the time, the memory connected to the output in the previous process is connected to the first input of the processor, the memories are successively switched and connected to the second to (n-2)th input, and the memory connected to the (n-1)th input is switched and connected to the output of the processor.例文帳に追加

そのとき、１プロセス前に出力と接続していたメモリをプロセッサの第１番目の入力に接続し、順次メモリを第２〜（ｎ−２）番目の入力に順次切替接続して、第（ｎ−１）番目の入力に接続していたメモリをプロセッサの出力に切替接続するようにした。 - 特許庁

Therefore, when the first molding body 100 is placed in a resin molding die 400 for the resin molding process, it is unnecessary to insert a portion in which rubber burrs BR are formed into a predetermined position (sealing portion by coming into tight contact with the side surfaces 53a) of the resin molding die 400.例文帳に追加

よって、第１成形体１００を樹脂成形金型４００に設置して樹脂成形工程を行う際には、ゴムバリＢＲが形成された部分を樹脂成形金型４００の所定部位（側面５３ａに密着してシールする部位）に挿入する必要がない。 - 特許庁

Additionally, it is possible to eliminate a drilling process with a drill by chamfering the outer peripheral surface of the second valve body 20 by cutting, etc., before press fitting it in the first valve body 10, and it is possible to reduce manufacturing cost as formation of the high pressure fuel passage 42 is facilitated.例文帳に追加

また、第１弁ボディ１０に圧入する前に第２弁ボディ２０の外周面を切削などにより面取りすることにより、ドリルによる穴開け工程を省略することができ、高圧燃料通路４２の形成が容易であるため、製造コストを低減することができる。 - 特許庁

In the process of switching gas flow pattern, the inside of a single cell is controlled so as not to be connected in a short-circuit, and further, because both of the first and the second supply bifurcated pipes, 411, 412 are controlled so as not to be closed simultaneously, there is not shortage of oxidation gas in the single cell.例文帳に追加

このように、ガス流れパターンを切り替える過程で、単セル内を短絡的に繋ぐことのないように制御すると共に、第１及び第２供給分岐管４１１，４１２のすべてが同時に閉じることの内容制御するため、単セル内で酸化ガスが不足することはない。 - 特許庁

In the second process B, after raising the temperature of the substrate up to the film-forming temperature, the starting gas is supplied to the substrate to perform film-forming treatment (205) by a thermal CVD method, and the RPO treatment is performed for forming (206) the second film layer of a given thickness on the first film layer.例文帳に追加

第２薄膜層形成工程Ｂは、基板温度を成膜温度まで昇温後、熱ＣＶＤ法により基板上に原料ガスを供給して成膜処理した後（２０５）、ＲＰＯ処理して第１薄膜層上に第２の薄膜層を所定膜厚だけ形成する（２０６）。 - 特許庁

When the condition is maintained in such electrical state, even if the characteristics of the first and second transistors M1, M2 are varied by being affected by dispersion of an operation temperature and a manufacturing process, the connection point potential V3 when the potential level to be decided is near the set potential is not varied but is maintained at a constant value.例文帳に追加

かかる電気状態に維持されると、動作温度や製造プロセスのばらつきの影響を受けて第１及び第２のトランジスタの特性が変動しても、被判定電位レベルが設定電位近傍にある時の接続点電位は、変動しないで一定値に維持される。 - 特許庁

In the process of forming a thin film having a different lattice constant on the substrate 1, the semiconductor containing Sb is first formed and a buffer layer to vary the lattice constant is formed as an overlay, which facilitates formation of a thin film having no crystal defect using the buffer layer that is thinner than a conventional layer.例文帳に追加

基板１上に格子定数の異なる薄膜を形成する際に、まずＳｂを含む半導体を形成し、その上層に格子定数を変化させるためのバッファ層を形成することで、従来に比べ薄いバッファ層で結晶欠陥のない薄膜形成が可能となる。 - 特許庁

The process for producing a substrate for solar cell comprises (i) a step for forming an insulation layer 12 of first insulating material on a metal plate 11 by sol-gel method, and (ii) a step for forming an insulation portion 14 of second insulating material on the surface of the metal plate 11 at a part facing the pinhole portion of the insulation layer 12.例文帳に追加

（ｉ）金属板１１上に、ゾル・ゲル法で第１の絶縁材料からなる絶縁層１２を形成する工程と、（ii）絶縁層１２のピンホール部分に面する金属板１１の表面に、第２の絶縁材料からなる絶縁部１４を形成する工程とを含む。 - 特許庁

In the first process, as the laminate, an object in which the precursor layer is formed on the metal foil with embossments formed in the winding direction in both end parts in a direction of crossing the winding direction is used, and the laminate is wound to make regions in which the embossments are formed lie on top of one another.例文帳に追加

第１工程においては、積層体として、巻き取り方向と交差する方向の両端部にこの巻き取り方向に沿ってエンボスが形成された金属箔上に前駆体層が形成されたものを用い、この積層体をエンボスが形成された領域が重なるように巻き取る。 - 特許庁

In a process for folding an airbag 32 obtained by sewing a first base cloth 36 opposed to an occupant and a second base cloth 37 on the other side at a sewn part 38 on an outer periphery, a base of the airbag 32 to be fixed to a retainer 22 is connected with the outer periphery by a breakable connection member 39.例文帳に追加

乗員に対向する第１基布３６と、その反対側の第２基布３７とを外周の縫製部３８で縫製したエアバッグ３２を折り畳む過程で、リテーナ２２に固定されるエアバッグ３２の基部と外周とを破断可能な連結部材３９で連結する。 - 特許庁

An upper end of a process cup 40 enclosing a periphery of the spin base 21 is placed lower than a holding surface 21a of the spin base 21 and a cleaning liquid is supplied from a discharge head 31 to the holding surface 21a while the spin base 21 is being rotated at a speed ranging from 250 rpm to 350 rpm (a first rotation number).例文帳に追加

スピンベース２１を２５０ｒｐｍ〜３５０ｒｐｍ（第１の回転数）にて回転させつつ、スピンベース２１の周囲を取り囲む処理カップ４０の上端をスピンベース２１の保持面２１ａよりも低くして吐出ヘッド３１から保持面２１ａに洗浄液を供給する。 - 特許庁

In the first time of a filtration process, the slurry having a relatively large average particle size is spread out on the surface of an electrode substrate 11 and suction filtration is conducted, and in and after the second time, the slurry having a relatively small average particle size is spread out on the surface of the electrode substrate 11 and suction filtration is conducted.例文帳に追加

濾過工程の初回に相対的に平均粒度の大きいスラリーを電極基材１１の表面上に展開して吸引濾過し、２回目以降に相対的に平均粒度が小さいスラリーを電極基材１１の表面上に展開して吸引濾過する。 - 特許庁

To provide a simple and low-cost inspecting method of a poor medium in which the thickness of a recording layer separated from a predetermined extent in the manufacturing process of the optical recording medium having at least first dielectric layer, the recording layer, a second dielectric layer, and a reflective layer at this order or inverse order.例文帳に追加

少なくとも第一誘電体層、記録層、第二誘電体層、反射層をこの順又は逆順に有する光記録媒体の製造過程において、記録層の膜厚が所定の範囲から外れた不良媒体の、シンプルかつ低コストな検査方法の提供。 - 特許庁

To provide an element arranging method capable of efficiently transferring elements arranged on a first board to a second board through a simpler process and an image display device manufacturing method capable of manufacturing an image display device equipped with superior light emitting regions at a lower cost.例文帳に追加

第一基板上の素子を、工程を簡便にして、効率良く第二基板上に配列できる素子の配列方法、及び生産コストを低減して良好な発光領域を有する画像表示装置を製造できる画像表示装置の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

A vacuum deposition device is equipped with a wafer support substrate, a lamp heater, and a first and a second evaporation source that are all installed in the same vacuum device, and three processes of forming the barrier metal layer of the Schottky barrier diode, carrying out an annealing process, and forming a surface electrode are continuously carried out in the same vacuum device.例文帳に追加

同一真空装置内にウェハ支持基板、ランプヒーター、第１および第２の蒸発源を設置した真空蒸着装置を用い、ショットキーバリアダイオードのバリアメタル層形成、アニール処理、表面電極形成の３工程を同一真空装置内で連続して行う。 - 特許庁

This invention relates to the wireless apparatus (wireless mouse 5A) comprising: a mouse-side CPU 11 that performs the generation process of a pointing signal; a transmit-receive circuit 12 that transmits the pointing signal as a radio signal; a battery 13; and a mouse-side connector 14 to which a first connector 52 of a cable 7 is connected.例文帳に追加

ポインティング信号の生成処理を行なうマウス側ＣＰＵ１１と、ポインティング信号を無線信号として送信する送信回路１２と、充電池１３と、ケーブル７の第１のコネクタ５２が接続されるマウス側コネクタ１４とを具備するワイヤレス機器（ワイヤレスマウス５Ａ）に関する。 - 特許庁

A digital broadcast receiver 1 is configured to receive digital broadcast, to process data contained in the relevant broadcast and to display the data as a program video image, comprises: a tuner unit 11 including a first tuner and a second tuner; a display unit 13; an input unit 20; and a control unit 16.例文帳に追加

デジタル放送受信装置１は、デジタル放送を受信して当該放送に含まれるデータを処理し番組映像として表示するものであり、第１のチューナ及び第２のチューナを有するチューナ部１１、表示部１３、入力部２０、制御部１６とを備える。 - 特許庁

This process for production consists in previously forming the diameters of the microcapsules 21, 22, 23 to a uniform diameter to the extent that the microcapsules exactly pass nozzles 31, 32, 33, injecting the microcapsules by colors to each of three kinds of the nozzles 31, 32, 33 and shooting the microcapsules by one piece each from the nozzles onto the divided electrodes of the first electrodes by an ink jet system.例文帳に追加

マイクロカプセル２１，２２，２３の径を、ノズル３１，３２，３３を丁度通過する程度に揃えておき、マイクロカプセルを色ごとに３種類のノズル３１，３２，３３に各々に注入し、インクジェット方式により１個ずつノズルから第１の電極１２の分割電極上に撃ち出す。 - 特許庁

In a first process, a capacitor 24 and connection conductors 28a to 28c are accommodated in a molding tool for molding a terminal main body 33, and a PBT as an insulating material is injected from an injection port, thereby molding collectively the capacitor 24 and the connection conductors 28a to 28c into a unified body.例文帳に追加

第１の工程では、端子台主部３３を成形するための成形型に、コンデンサ２４及び接続導体２８ａ乃至２８ｃを収容し、注入口から絶縁材料たるＰＢＴを注入することにより、コンデンサ２４及び接続導体２８ａ乃至２８ｃの一体成形を行う。 - 特許庁

In an injection process, the molten resin is injected in a cavity 32, which is formed to the gap between a first mold 20 and a second mold 21 arranged so that the molding surfaces of both molds 20 and 21 are opposed to each other, from a gate 26 in a state that the insert member (breezer 3) is arranged in the cavity 32.例文帳に追加

射出工程では、型面同士が対向して配置された第１成形型２０と第２成形型２１との間隙に形成されたキャビティ３２内にインサート部材（ブリーザ３）を配置させた状態でゲート２６からキャビティ３２内に溶融樹脂を射出する。 - 特許庁

In the process of a heat pressurization press, the pressurization to the conductive bumps 8 is started with a pressure under which the bumps 8 can pass through adhesive layers 10 after the adhesive layers 10 are maintained at a first pressing temperature at which the layers 10 are softened to such a degree that the bumps can pass through the layers 10 for a prescribed period.例文帳に追加

加熱加圧プレスの工程において、導電性バンプ８が貫通可能な程度に接着剤層１０が軟化する第１のプレス温度で所定時間保持した後に、導電性バンプ８が接着剤層１０を貫通可能な圧力による加圧を開始する。 - 特許庁

Mutual heat interference by two heaters is offset by a correction process of approximating it using combination of transfer functions only with primary delay, a first compensator PID_1(s), a second compensator PID_2(s) are connected as control systems independent of each other to design the control systems.例文帳に追加

２本の加熱ヒータによる相互の熱干渉を一次遅れのみの伝達関数の組み合わせを用いて近似する補正プロセスによって相殺するとともに、それぞれ独立した制御系として第１補償器ＰＩＤ_１（ｓ）、第２補償器ＰＩＤ_２（ｓ）を接続して制御系の設計を行なう。 - 特許庁

For reception, the 2nd frame synchronizing signal indicating that a signal need not be received and the 1st frame synchronizing signal indicating that a signal should be received are expected at the same time by a frame synchronous detecting means 9 and a receiving process is carried out according to a frame synchronizing signal which is detected first.例文帳に追加

受信する時は、受信処理不要な信号であることを示す第二のフレーム同期信号と、受信すべき信号であることを示す第一のフレーム同期信号とをフレーム同期検出手段９で同時に待ち受け、先に検出したフレーム同期信号に基づいて受信処理を行う。 - 特許庁

When the process unit 20 is mounted to the body casing 2, the abutment portion 69 comes into contact with a developer cartridge 6 (see the developer cartridge 6M) in a second attitude, thereby changing the attitude of the developer cartridge 6 into the first attitude (see each developer cartridge 6 other than the developer cartridge 6M).例文帳に追加

当接部６９は、本体ケーシング２にプロセスユニット２０が装着されるときに、第２姿勢にある現像カートリッジ６（現像カートリッジ６Ｍを参照）に当接することによってこの現像カートリッジ６の姿勢を第１姿勢（現像カートリッジ６Ｍ以外の現像カートリッジ６を参照）に変える。 - 特許庁

To obtain a composition for a reducing cosmetic, containing at least one reducing agent and at least one photo-oxidizing agent and capable of being used for a first process of a method for permanently reshaping hair, and to provide a method for permanently reshaping a keratin fiber, especially the hair, using the composition.例文帳に追加

少なくとも一つの還元剤と少なくとも一つの光酸化剤を含有する、毛髪を永続的に再成形する方法の第１工程のため還元化粧品用組成物、及びその組成物を使用して、ケラチン繊維、特に毛髪を永続的に再成形するための方法を提供する。 - 特許庁

At a correction unit of this endoscope apparatus, a scale factor correcting process is applied to a reference image 14 so that an inter-mark distance being a distance between a first mark 12 and a second mark 13 in the reference image 14 shown in Figure (a) becomes equal to an inter-mark distance in a comparison image 15.例文帳に追加

内視鏡装置の補正部において、まず図（ａ）に示す参照画像１４における第１マーク１２と第２マーク１３間の距離であるマーク間距離が、比較画像１５におけるマーク間距離と等しくなるように参照画像１４に倍率補正処理を施す。 - 特許庁

Then the moving contact 38a is in contact with the first fixed contact 38b to allow the noise reduction section 32 to process the Bayer data N times and thereafter the moving contact 38a is in contact with the second fixed contact 38c to transmit the Bayer data to the pixel interpolation section 33 of the post-stage.例文帳に追加

そして、可動接点３８ａを第１固定接点３８ｂに接触させることにより、ベイヤーデータをＮ回ノイズ低減部３２で処理し、しかる後に、可動接点３８ａを第１固定接点３８ｂに接触させることにより、ベイヤーデータを後段の画素補間部３３に送出する。 - 特許庁

To provide a valve timing adjusting device excellent in operational reliability in restriction and release of the relative rotation of a first rotation element and a second rotation element without causing manufacturing cost increase or lowering of assembling accuracy due to the addition of a new component and an assembling process for the component.例文帳に追加

新たな部品およびこの部品の組付け工程の追加による製造コストの上昇および組付け精度の低下を招くことなく、第１回転体と第２回転体との相対回動の規制およびその解除の動作信頼性に優れたバルブタイミング調整装置を提供する。 - 特許庁

In the first condition, a deposition gas including silicon or germanium is diluted with hydrogen of the flow rate set to 50 times or more and 1000 times or less with respect to the flow rate of the deposition gas, and the pressure in a process chamber is set to more than 1333 Pa and less than or equal to 13332 Pa.例文帳に追加

第１の条件は、シリコンまたはゲルマニウムを含む堆積性気体の流量に対する水素の流量を５０倍以上１０００倍以下にして堆積性気体を希釈し、且つ処理室内の圧力を１３３３Ｐａより大きく１３３３２Ｐａ以下とする条件である。 - 特許庁

In this manufacturing method of a semiconductor device, another silicon oxide film 14 is formed on a second transistor 12, and a silicon oxide film 18 of a predetermined thickness is formed on the second transistor 12 in a prior stage of a process of forming a stress imparting layer 16 covering a first transistors 11, the second transistor 12 and a gate structure 13.例文帳に追加

第一のトランジスタ１１、第二のトランジスタ１２、ゲート構造１３を被覆する応力付与層１６を設ける工程の前段で、第二のトランジスタ１２上に他のシリコン酸化膜１４を形成し第二のトランジスタ１２上に所定の厚みのシリコン酸化膜１８を形成する。 - 特許庁

In addition, the heating/curing process heats the conveying tape 3 while driving the tape 3 under such a setup that the cure guide 6 of a first stage which is closest to the tape inlet 15 side, in the conveying order, of the cure guides 6, 7 provided in plural number, has a larger diameter than the cure guide 7 of a second stage.例文帳に追加

そして、加熱硬化工程では、複数設けられたキュアガイド６，７の中で搬送順から見て最もテープ入口１５側となる１段目のキュアガイド６の径を、２段目のキュアガイド７の径より大きくした構成によって搬送テープ３を駆動しつつ加熱している。 - 特許庁

In the process of uniting the pieces 38 and 40 in one body after laying a conductor 10 along the notch 68, the projection 72 presses the conductor 10 to bend the front end of the conductor 10 downward at the position of a bent step 66 provided to the flange 54 of the first piece 38.例文帳に追加

切り欠き６８に沿わせて導線１０を配置し、二つの分割片３８，４０を合体させる過程において、曲げ突起７２が導線１０を押し、第１分割片のつば５４に設けられた曲げ段差６６の位置にて、導線先端が下方に向くよう曲げる。 - 特許庁

To provide a nonwoven fabric for thermoforming that comprises the first thermoplastic staple fiber having a high melting point and the second thermoplastic staple fiber having a low melting point and can at least fusion-bond in the thermoforming and can achieve free thermoforming process scarcely causing shrinkage during the thermoforming.例文帳に追加

高融点の第一熱可塑性短繊維と、少なくとも熱成型に際して溶融接着（接合）作用を奏する低融点の第二熱可塑性短繊維とで形成される成型用不織布において、熱成型の際、収縮がほとんど発生せず、自由な熱成型加工を可能とすること。 - 特許庁

In a first process, by irradiating electron beam to the surface of a group III-V compound semiconductor substrate 1 in vacuum, a natural oxide film 2 on the surface of the substrate 1 is replaced with group III oxide 3 which is chemically stable, forming a reformed mask part 3 periodically.例文帳に追加

第１工程では、真空中でIII−Ｖ族化合物半導体基板１の表面に電子ビームを照射することにより、当該基板１の表面の自然酸化膜２を化学的に安定なIII族酸化物３に置換させ、改質マスク部３を周期的に形成する。 - 特許庁

(2) The manufacturing method of the separator for the fuel cell having a first process in which the conductive minute particles are adhered to or made to be thrusted into the resin 2 by a shot blast at a part of the surface of the separator where the contact resistance is required to be low.例文帳に追加

（２） 燃料電池用セパレータの製造方法であって、セパレータの表面のうち接触抵抗が低いことを要求される部分にショットブラストにより導電性微粒子１を表面の樹脂２に付着またはめり込ませる第１の工程を有する燃料電池用セパレータの製造方法。 - 特許庁

After a chemically amplified resist film is formed on a substrate to perform a first pre-baking process, drawing is performed with charged particle beams without exposing to the atmosphere or in a state that all the amine compound absorbed into the chemically amplified resist film is substantially desorbed.例文帳に追加

基板上に化学増幅型レジスト膜を形成し、第１のプリベーク処理を行った後、大気露出させることなく、或いは化学増幅型レジスト膜に吸着されたアミン系化合物を実質的に全て脱着した状態で、荷電粒子ビームにより描画を行う。 - 特許庁

A processing execution part 30 executes the processing described in the processing description information acquired by the processing description information acquisition part 28 with the process content according to a comparison result between the processing description information and at least one piece of processing description information different from the first processing description information.例文帳に追加

処理実行部３０が、処理記述情報取得部２８により取得された処理記述情報に記述されている処理を、その処理記述情報と、その処理記述情報とは異なる少なくとも１つの処理記述情報と、の比較結果に応じた処理内容で実行する。 - 特許庁

The method also includes a step of generating a second error generating sequence synchronized with and identical to the first error generating sequence and a step of correcting the errors in the data blocks using an operation which is an arithmetic inverse of a process used in inducing errors.例文帳に追加

方法は、第１の誤り生成系列と同期させられた、第１の誤り生成系列と同一の第２の誤り生成系列を生成するステップと、誤りを引き起こす際に使用されたプロセスの逆算術である演算を使用して、データブロック内の誤りを訂正するステップも含む。 - 特許庁

A solid state imaging element is manufactured in a process having a step of introducing a second conductivity type impurity into a region having a less area than the second conductivity type semiconductor region 13 in the first conductivity type semiconductor region 12 beneath the second conductivity type semiconductor region 13.例文帳に追加

また、第２導電型半導体領域１３下の第１導電型半導体領域１２内の第２導電型半導体領域１３より小さい面積の領域に第２導電型の不純物を導入する工程を有して固体撮像素子１を製造する。 - 特許庁

In the process for attenuating the displacement of the wind-turbine tower 104, its frequency of vibrations is controlled by connecting either the first beam 222 or the water tank 352 with the plurarity of surfaces 226, 228, 230 inside the wind-turbine.例文帳に追加

風力タービンタワー（１０４）の変位を減衰させる方法において、第１ビーム（２２２）および水タンク（３５２）の一方を風力タービンタワー内部の複数の表面（２２６、２２８、２３０）に結合することによって風力タービンタワーの振動周波数を制御することを含む方法。 - 特許庁

To provide a monolithic semiconductor laser having a structure for preventing decrease in yield by commonalizing the ridge formation process and in which both semiconductor laser elements for first and second wavelengths have a window structure in order to ensure high output operation.例文帳に追加

本発明は、リッジ形成プロセスの共通化を図り、歩留まり低下を防ぐ構造、また、第１波長用の半導体レーザ素子および第２波長用の半導体レーザ素子ともに高出力動作を可能とすべく、両素子とも窓構造を有するモノリシック型半導体レーザを提供することにある。 - 特許庁

In a transfer process, the adhesion between the first electrode and an organic film layer is enhanced, transfer even with laser beams having low energy is made possible, transfer efficiency is enhanced and moreover the light emitting efficiency and the life are enhanced.例文帳に追加

また、転写工程の際に、第１の電極と有機膜層との密着度を向上させて、低いエネルギーを持つレーザービームでも転写が可能であり、転写効率を向上させるだけではなく、有機エレクトロルミネッセンス素子の発光効率及び寿命を向上させるといった効果がある。 - 特許庁