「FIRST PROCESS」に関連した英語例文の一覧と使い方(97ページ目) - Weblio英語例文検索

The method for purifying α-methylstyrene comprises the distillation of crude α-methylstyrene recovered from a cumene-method phenol production process at least by the first distillation column and the second distillation column to obtain purified α-methylstyrene under the condition satisfying the following requirements (1) to (3).例文帳に追加

クメン法フェノール製造プロセスで回収される粗α−メチルスチレンから少なくとも第１蒸留塔及び第２蒸留塔での蒸留を経て精製α−メチルスチレンを得るα−メチルスチレンの精製方法であって、以下の１）〜３）を充たす精製方法。 - 特許庁

The process for fabricating the nonvolatile memory includes forming the isolation structures protrudent over the substrate in the substrate, forming the tunneling layer over the substrate, and then forming the floating gates as conductive spacers on the sidewalls of the first isolation structures protrudent over the substrate.例文帳に追加

また、不揮発性メモリの製造プロセスは、基板上に突き出た分離構造が基板に形成され、トンネル層が基板上に形成され、その後、浮遊ゲートが基板上に突き出た第１分離構造の側壁上に導電性スペーサーとして形成されることを含む。 - 特許庁

The dispersion of the temperature characteristic caused by the dispersion of the manufacturing process can be negated by subtracting the output voltages of the first reference voltage circuit 20 and the second reference voltage circuit 22 having the temperature coefficients of opposite polarities.例文帳に追加

このように、互いに逆極性の温度係数を持つ第１基準電圧回路２０の出力電圧と第２基準電圧回路２２の出力電圧を減算することにより、製造プロセスのばらつきによる温度特性のばらつきを打ち消すことができる。 - 特許庁

When confirming that an execution device for a first service (process I) has been automatically set in accordance with the set workflow, a device-in-charge determining part 23 of a server 2 asks a discovery 3 about the device that best matches the requirements of a set parameter.例文帳に追加

サーバ２の担当デバイス決定部２３は、設定されたワークフローに基づいて１番目のサービス（処理Ｉ）における実行デバイスが「自動」で設定されていることを確認すると、設定されたパラメータの条件に最も適合するデバイスをディスカバリ３に問い合わせる。 - 特許庁

Thus, insertion of a process for melting the first and second electrodes 15, 16 by interrupting the regular operation can be avoided, and fluctuated brightness of a projected image caused by rapid increase of an arc length accompanying the melting can be prevented during a practical use of the projector.例文帳に追加

よって、定常動作を中断して第１及び第２電極１５、１６を溶融する工程を挿入することを回避でき、プロジェクタの実質的な使用中に、溶融に伴うアーク長の急激な増大に起因する投射像の明るさの変動を防止できる。 - 特許庁

In the first process, U3O8 powder is annealed for more than 1 hour at the temperature of 1000 to 1500°C in non-reducing gas atmosphere to produce U3O8 polycrystal agglomerate and the U3O8 polycrystal agglomerate is finely separated to produce U3O8 monocrystal.例文帳に追加

第１の工程では、Ｕ_３Ｏ_８粉末を非還元性気体雰囲気で１０００〜１５００℃の温度で１時間以上焼なまししＵ_３Ｏ_８多結晶凝集体を製造して、前記Ｕ_３Ｏ_８多結晶凝集体を細かく分離しＵ_３Ｏ_８単結晶を製造する。 - 特許庁

In the first turn over unit 23, when the substrate W is turned over from the rear surface to the front surface, a downflow from a filter fan unit 52 is started, and heating devices 50 respectively disposed above and below a turn over mechanism perform a heating process with respect to the substrate W.例文帳に追加

この第１反転ユニット２３では、基板Ｗを裏面から表面へ反転させている際にフィルターファンユニット５２からのダウンフローが開始されるとともに、反転機構の上下に配置された加熱装置５０が基板Ｗへの加熱処理を行う。 - 特許庁

The document of the first sheet is read after reading the document of the second sheet and the image is transferred on the intermediate transfer belt 21 by performing the image forming process with delay by the delayed time, according to differential between paper feeding interval of transfer paper and the document feed interval of the ADF 111.例文帳に追加

２枚目の原稿を読み取ってから１枚目の原稿を読み取り、転写紙の給紙間隔とＡＤＦ１１１の原稿給紙間隔との差に応じた遅延時間だけ遅延して画像形成処理して中間転写ベルト２１に転写する。 - 特許庁

An electronic apparatus 1 in accordance with an embodiment includes: BIOS-ROM 13 storing a BIOS program 100 and option ROMs 301-30n; CPU 10; and a first watchdog timer 20 and second watchdog timers 31-3n for resetting the boot process.例文帳に追加

一実施形態における電子機器１は、ＢＩＯＳプログラム１００及びオプションＲＯＭ３０１〜３０ｎが記憶されたＢＩＯＳ−ＲＯＭ１３、ＣＰＵ１０、起動処理をリセットする第１ウォッチドッグタイマ２０及び第２ウォッチドッグタイマ３１〜３ｎを備えている。 - 特許庁

An upper stage part second tank 5 is constituted for permanently circulating gravity energy via a process reaching a fourth section 4 from a first section 1 built inside its upper stage part sealed pressure tank 2, by arranging a water storage tank 6 of the same environment as the natural world.例文帳に追加

重力エネルギーは、上段部第２タンク５は、自然界同環境の貯水タンク６を設け、その上段部密封圧力タンク２内部に内蔵する第１セクション１から第４セクション４に至る行程を経て、永続循環を行なう構成になっている。 - 特許庁

The process for preparing 5-fluorooxyindole comprises (A) a first step of cyclizing 2-(5-fluoro-2-nitrophenyl)malonic acid diester under reducing conditions to form a 5-fluorooxyindole-3-carboxylic acid ester and then (B) a second step of decarboxylating the 5-fluorooxyindole-3-carboxylic acid ester.例文帳に追加

（Ａ）2-(5-フルオロ-2-ニトロフェニル)マロン酸ジエステルを還元条件下で環化させて、5-フルオロオキシインドール-3-カルボン酸エステルを生成させる第一工程、（Ｂ）次いで、5-フルオロオキシインドール-3-カルボン酸エステルを脱炭酸させる第二工程、を含んでなる、5-フルオキシインドールの製造法。 - 特許庁

Guidance of the next process is displayed on an output device 4 via a second level information display means 23 by collating the acquired progress status with the pattern information which is registered in a progress management storage part 32 by a first level information display judging means 22.例文帳に追加

第１レベル情報表示判断手段２２は、取得した進捗ステータスと進捗管理記憶部３２に登録されているパターン情報とを照合し、第２レベル情報表示手段２３を介して出力装置４に次工程のガイダンスを表示させる。 - 特許庁

The commutator manufacturing method comprises a punching/ removing process for punching and removing a board material 12 having a plurality of protrusions 9 formed side by side in parallel, long in the direction of the side by side formation, by moving a first punch 14 in a direction reverse to that of protrusion of the protrusions 9.例文帳に追加

整流子の製造方法は、平行に複数並設された凸部９を有する板材１２を、凸部９の凸設方向と逆方向に第１のパンチ１４を移動させることで並設方向に長く打ち抜き除去する打ち抜き除去工程を含む。 - 特許庁

The manufacturing method of the power storage device includes a process of heating and pressurizing an electrode group 6, obtained either by laminating or laminating, as well as, winding around a first electrode sheet, a second electrode sheet and a separator, with the use of a pressurizing hot-forming unit 7 equipped with a heater part 9.例文帳に追加

第１の電極シートと第２の電極シートとセパレータとを、積層して、または積層・巻回して得られる電極群６を、ヒーター部９を備えた加圧加熱成型器７を使用して、加熱下に加圧する工程を含む蓄電デバイスの製造方法。 - 特許庁

In the first process, a sample 1, solution in which sample is dissolved is treated as it is to change contained selenium to hydrogen selenide, then the quantity of Se(IV) is measured by inductively coupled plasma emission spectroscopy (hydrogenated ICP emission method), and the Se(IV) concentration is determined.例文帳に追加

第１工程：試料を溶かした溶液である試料１を、そのまま処理して含有セレンをセレン化水素に変化させた後、誘導結合プラズマ発光分光分析によりＳｅ(IV)量を測定して(以下、水素化ＩＣＰ発光法)、Ｓｅ(IV)濃度を求める。 - 特許庁

Synchronous means (50, 50') enable the first switch (10) to be separated before the contact points of the second switch (20) are separated when interruption is in process, and enable the contact points themselves of the second switch to be separated before the third contact points (32, 34) are completely separated.例文帳に追加

同期手段（５０，５０’）は、遮断が行われている間に、第１スイッチ（１０）が、第２スイッチ（２０）の接点が分離する前に分離し、第２スイッチの接点それ自体が、第３の接点（３２、３４）が完全に分離する前に分離することを可能としている。 - 特許庁

In a process of inserting the first leg section 20 into the hole 51, the end side-leg portion 32 is in slidable contact with the peripheral surface of the shaft 50 and twisted in a direction separating from the virtual plane P while the base end-side leg portion 31 is opened and deformed with the turning-back portion 40 as a fulcrum.例文帳に追加

第１脚部２０の孔５１への挿入過程では、基端側脚部３１が折り返し部４０を支点として開き変形しつつ先端側脚部３２がシャフト５０の外周面を摺接して仮想平面Ｐから離れる向きにねじれる。 - 特許庁

In the method, KAM values which indicate the differences in in-crystal orientations in the crystal grains, crystal grain boundaries, etc. of a test material which has consumed its material life time to prepare a master curve which represents the relation between the measured KAM values; the degree of consumption of material lifetimes in a first process.例文帳に追加

本方法によれば、第１工程として材料寿命を消費した試験材料の結晶粒内，結晶粒界等の結晶方位差を示すＫＡＭ値を測定し、これと材料寿命の消費度との関係を表すマスターカーブを作成する。 - 特許庁

In such a way, a gate insulating film and a semiconductor layer are continuously formed in a low-temperature deposition process and a heat treatment subsequent to the formation of the gate insulating film and the semiconductor layer is substituted for the first heating treatment at the time of the above crystal growth to contrive a reduction in defects in the interface between the gate insulating film and the semiconductor layer.例文帳に追加

こうして、ゲート絶縁膜と半導体層とを低温デポ工程で連続的に形成し、ゲート絶縁膜/半導体層形成後の熱処理を上記結晶成長時の第１の加熱処理で代行させ、界面欠陥の低減を図る。 - 特許庁

First of all, when seeing how much of "Ripple Effect" caused by deals of intermediate goods among industries in "Whole Process" in Figure 2-3-2-8 remains domestically, we can see that it declines boldly in 15 years, and there is a tendency that there is a similarity in cross direction.例文帳に追加

まず、第2-3-2-8 図の「生産工程」における産業間の中間財のやり取りで生じている「波及効果」のうち、どれだけが国内に残るのかをみてみると、15 年間で大きく減少していること、横方向に色が似通っている傾向があることが分かる。 - 経済産業省

This is the process he adopted:—The fat or tallow is first boiled with quick-lime, and made into a soap, and then the soap is decomposed by sulphuric acid, which takes away the lime, and leaves the fat re-arranged as stearic acid, whilst a quantity of glycerin is produced at the same time. 例文帳に追加

ゲイ・リュサックが使ったのは、こういうプロセスです 。まず、油や動物の脂肪を石灰で煮て、せっけんにします。それからそのせっけんを、硫酸で分解すると、石灰分がぬけて、脂肪がステアリン酸に組み替えられて残ると同時に、グリセリンもたくさんできます。 - Michael Faraday『ロウソクの科学』

In the method of manufacturing the organic electroluminescent element provided with a first electrode formed on a substrate, an organic emission medium layer including an organic light-emitting layer made of at least low-molecule light-emitting materials formed on the first electrode, and a second electrode formed in opposition to the first electrode, the organic light-emitting layer is formed in a wet process, which is carried out as the substrate is heated.例文帳に追加

基板上に形成された第一電極と、前記第一電極上に形成された少なくとも低分子発光材料からなる有機発光層を含む有機発光媒体層と、前記第一電極に対向するように形成された第二電極と、を具備した有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法であって、前記有機発光層はウェットプロセスで形成され、前記ウェットプロセスは前記基板を加熱しながら行うことを特徴とする有機エレクトロルミネッセンス素子の製造方法としたもの。 - 特許庁

In a thermoelectric conversion module manufacturing method including less cutting processes, a mother unit 22 is first formed by laminating an adhesive (first material) 40 which melts or dissolves without giving any influence to the bonding with electrodes attached in the succeeding process and plate glass (second material) 42 which does not melt under the melding condition of the adhesive 40 upon another between a plurality of rod-like semiconductors 20 and 21.例文帳に追加

切断工程の少ない熱電変換モジュールの製造方法は、先ず、複数の棒状半導体２０および２１の間に、後の工程で取付ける電極１２との接合に影響を与えず融解または溶解する接着剤（第１の素材）４０と、この接着剤４０が溶ける条件では溶けない板ガラス（第２の素材）４２を積層し母ユニット２２を形成する。 - 特許庁

The method of producing the dispersion composition includes the steps of dispersing a mixed liquid containing titanium black; a first dispersant and a solvent; and further, adding a second dispersant to the mixed liquid obtained by the dispersion process and dispersing the liquid, wherein a dispersant having an acid value of 50 mgKOH/g or more is used for at least a part of the overall dispersant which includes the first dispersant and the second dispersant.例文帳に追加

チタンブラック、第一の分散剤、及び溶剤を含む混合液に対して分散処理を行なう工程と、分散処理して得られた混合液に更に第二の分散剤を添加して分散処理を行なう工程とを含み、前記第一及び第二の分散剤を含む分散剤の全体の少なくとも一部に、酸価が５０ｍｇＫＯＨ／ｇ以上の分散剤を用いる。 - 特許庁

A cartridge mounting member 41 is moved from the first position to the second position by mounting member holding means 40a and 40b to mount the process cartridge B from the crossing direction of the electrophotographic photoreceptor 7 with a nip with the transferring roller 4, and the member 41 is moved from the second position to the first position by the means 40a and 40b.例文帳に追加

カートリッジ装着部材４１を装着部材保持手段４０ａ、４０ｂにより第一の位置から第二の位置へ移動させて、電子写真感光体７が転写ローラ４とのニップに交差する方向からプロセスカートリッジＢを装着し、カートリッジ装着部材４１を装着部材保持手段４０ａ、４０ｂにより第二の位置から第一の位置へ移動させる。 - 特許庁

The polymerization process by spraying a first liquid and a second liquid at least one of which contains a polymerizable monomer and a polymerization initiator into a gas phase, and mixing them to effect polymerization in the form of droplets comprises adding a substance having a surface activating action to at least one of the above first liquid and second liquid to control the particle diameter of a polymer to be produced.例文帳に追加

少なくとも一方に重合性モノマーと重合開始剤を含む第１液および第２液を気相中に噴霧、混合し、液滴状で重合させる重合方法であって、前記第１液または第２液の少なくとも一方に界面活性作用を有する物質を添加することにより、製造される重合体の粒子径を制御することを特徴とする重合方法。 - 特許庁

The process for fabricating a semiconductor device comprises a step for forming a wiring structure of a conductive material being buried in a first insulator, a step for exposing the wiring structure by removing the first insulator, and a step for forming a second insulator to bury the wiring structure.例文帳に追加

第１の絶縁層に埋設される、導電材料よりなる配線構造を形成する配線構造形成工程と、前記第１の絶縁層を除去して前記配線構造を露出させる絶縁層除去工程と、 前記配線構造を埋めるように第２の絶縁層を形成する絶縁層埋設工程と、を有することを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 特許庁

When the image forming device receives first information indicating that a toner cartridge is replaced or the toner cartridge reaches the replacement timing, the image forming device decides, in accordance with second information indicating fixation process conditions in imaging, on the type of a replacement toner cartridge for the toner cartridge for which the first information is transmitted, and outputs a request for the delivery of the replacement toner cartridge of the decided type.例文帳に追加

トナーカートリッジが交換されたことまたは交換タイミングであることを示す第１の情報を取得したときに、作像時の定着プロセス条件を示す第２の情報に応じて前記第１の情報が発せられたトナーカートリッジに対する交換用トナーカートリッジの種類を決定し、決定された種類の交換用トナーカートリッジの配送要求を出力する。 - 特許庁

A process for fabricating a sensor 10 is disclosed that bonds a first device wafer to an etched second device wafer to create a suspended structure, the flexure of which is determined by an embedded sensing element 310 that is in electrical communication with an outer surface of the sensor 10 through an interconnect 400 embedded in a device layer 110 of the first device wafer.例文帳に追加

第１のデバイスウエハーをエッチングされた第２のデバイスウエハーに接合して架設された構造を作る、センサー１０を製作するための方法が、開示され、その構造のたわみは、第１のデバイスウエハーのデバイス層１１０に埋め込まれた相互接続部４００を通じてセンサー１０の外面と電気的に連通する埋め込まれた感知素子３１０によって決定される。 - 特許庁

The profit or the income made through actual exploitation of an invention patented in Romania by the owner or by his licensees, as the case maybe, exploitation which may include manufacturing of the product or carrying out the process, as the case may be, shall be exempt from tax during the first 5 years from the first exploitation, counted from the date on which exploitation begins and included in the patent term of validity.例文帳に追加

ルーマニアにおいて特許を受けた発明の，その所有者又は，該当する場合は，その実施権者による現実の実施(当該実施は，その物の製造又は，該当する場合は，その方法の実施を含むことができる)の結果得られた利益又は収益は，最初の実施日から起算され，かつ，特許の有効期間に含まれる最初の5 年間は，課税を免除される。 - 特許庁

Then, a first single crystal semiconductor substrate is bonded to a second single crystal semiconductor substrate, and a stacked-layer substrate formed from the first single crystal semiconductor substrate and the second single crystal semiconductor substrate bonded to each other is used as a bond substrate in a process of manufacturing an SOI substrate.例文帳に追加

ＳＯＩ基板の製造プロセスにおいて、ボンド基板として用いる半導体基板を所定の回数繰り返し利用した後、第１の単結晶半導体基板を第２の単結晶半導体基板と貼り合わせ、互いに貼り合わされた第１の単結晶半導体基板と第２の単結晶半導体基板からなる積層基板をＳＯＩ基板の製造プロセスにおけるボンド基板として使用する。 - 特許庁

To provide a treatment method in which when valence electrons in a first compound semiconductor are controlled by irradiating particles containing an impurity element and by activation annealing treatment, a defect remaining/generated inside an injection layer is compensated/generation- suppressed by adding a process in which a second compound semiconductor layer is laminated on a first compound semiconductor layer irradiated with the particles.例文帳に追加

不純物原子を含んだ粒子照射及び活性化アニール処理によって第１の化合物半導体の価電子制御を行なう際、注入層内に残留／生成される欠陥を前記粒子照射された第１の化合物半導体層上に第２の化合物半導体層を積層する工程を付加することで補償／生成抑制する処理方法を提供する。 - 特許庁

The method for producing a two layer film includes: a stage where the nickel-containing first metallic film 12 is formed on a high molecule film in an atmosphere comprising any one gas selected from the group consisting of ammonia, nitrogen monoxide and nitrogen dioxide by a vacuum deposition process or the like; and a stage where the second metallic film essentially composed of copper is formed on the first metallic film.例文帳に追加

高分子フィルム上にアンモニア、一酸化窒素、および二酸化窒素よりなる群のうちのいずれか１つのガスを含む雰囲気下での真空蒸着法等によりニッケルを含む第１の金属膜１２を形成する工程と、第１の金属膜上に銅を主成分とする第２の金属膜を形成する工程とを備える２層フィルムの製造方法。 - 特許庁

To avoid undesirable adhesion of underfill resin to a part except for a prescribed part even if thickness of a first semiconductor chip is 150μm or thinner and to improve efficiency and reliability of a process in a semiconductor device in which second and subsequent semiconductor chips are sequentially mounted on a first semiconductor chip which is bump-connected to a circuit board.例文帳に追加

回路基板にバンプ接続される第１の半導体チップ上に第２ないしそれ以降の半導体チップを順次積載して成る半導体装置に関し、第１の半導体チップの厚さが１５０μｍ ないしそれ以下の範囲においても、所定の部位以外に対するアンダーフィル樹脂の好ましくない付着を回避可能とし、工程の能率ならびに信頼性を向上することを目的とする。 - 特許庁

The processing apparatus for processing documents described in structured tag language includes a first storage means for storing tags that exist between delimiters within the documents, and a process means for reading character strings that make up the tags stored in the first storage means, without confirming whether or not the character strings are correct.例文帳に追加

構造化タグ言語により記述された文書に対する処理を行う処理装置において、前記文書内でデリミター間に存在するタグが記憶される第１の記憶手段と、前記第１の記憶手段に記憶された前記タグに対し前記タグを構成する文字列が正しいか否かを確認することなく読み出す処理手段と、を備えることを特徴としている。 - 特許庁

In a signal processing part 40, a restoration process F for generating second image data G2, equivalent to the first image data output from the imaging device 20, when the resolution of the imaging lens 10 is high, is performed on the first image data G1 output from the imaging device 20 by using the restoration coefficient K stored in the coefficient storage part 30.例文帳に追加

信号処理部４０において、撮像素子２０から出力される第１の画像データＧ１に対し、撮像レンズ１０の解像力が高いときに撮像素子２０から出力される第１の画像データと同等の第２の画像データＧ２を生成するような復元処理Ｆを、係数記憶部３０に記憶せしめられる復元係数Ｋを用いて実施する。 - 特許庁

In a process for manufacturing the capacitor, the dielectric layer 23 and a first solid electrolyte layer 24 made of a chemical polymer film are formed at the side of the first electrode 21, a second solid electrolyte layer 32 made of an electrolytic polymer film is formed at the side of the second electrode 31, and then the solid electrolyte layers are joined each other via a conductive adhesive material 60.例文帳に追加

その製造工程では、第１の電極２１側において誘電体層２３、および化学重合膜からなる第１の固体電解質層２４を形成する一方、第２の電極３１側において電解重合膜からなる第２の固体電解質層３２を形成した後、固体電解質層同士を導電性接着材６０を介して接合する。 - 特許庁

The method comprises: receiving a first representation of a base primitive; providing a set of instructions associated with vertex position determination; executing the retrieved set of instructions on the first representation of the base primitive using bounded arithmetic for providing a second representation of the base primitive; and subjecting the second representation of the base primitive to a culling process.例文帳に追加

本方法は：基本プリミティブの第一の表現を受領し；バーテックス位置決定に関連付けられた命令の組を提供し；前記基本プリミティブの前記第一の表現に対して、有界算術を使って前記の取得された命令の組を実行して、前記基本プリミティブの第二の表現を提供し；前記基本プリミティブの前記第二の表現を選別プロセスにかけることを含む。 - 特許庁

A signal processing part 40 performs a restoration process for generating second image data, equivalent to first image data output from the imaging device 20, when the resolution of the imaging lens 10 is high on the first image data output from the imaging device 20 which has imaged the optical image of an object projected onto the light-receiving surface 21 through the imaging lens 10.例文帳に追加

信号処理部４０が、撮像レンズ１０を通して受光面２１上に投影された被写体の光学像を撮像した撮像素子２０から出力される第１の画像データに対し、撮像レンズ１０の解像力が高いときに撮像素子２０から出力される第１の画像データと同等の第２の画像データを生成するような復元処理を施す。 - 特許庁

In the manufacturing method of the seamless belt including a process for forming a resin film by coating the inner or outer surface of a first mold with a synthetic resin dissolved in an organic solvent, releasing the film obtained by evaporating a part of the organic solvent from the first mold and inserting a second mold 1 in the film to cure the film, unevenness is provided to the inner surface of the second mold 1.例文帳に追加

【解決手段】有機溶剤に溶解させた合成樹脂を第１金型内面または外面に塗布して樹脂皮膜を形成し、有機溶剤の一部を蒸発させて得られたフィルムを第１金型から離型し、前記フィルムに第２金型１を挿して硬化する工程を含むシームレスベルトの製造方法において、第２金型１の内表面に凹凸を有すること特徴とする。 - 特許庁

Each of parlor devices 31-39 includes a first program storage means 3B for storing the specification change program, a second program storage means 3C for storing an execution program for actuating the parlor device, and a specification change means 3A for executing a specification change process for rewriting the execution program by the specification change program stored in the first program storage means 3B.例文帳に追加

場内装置３１〜３９は、仕様変更プログラムを記憶する第１のプログラム記憶手段３Ｂと、場内装置を動作させるための実行プログラムを記憶する記憶する第２のプログラム記憶手段３Ｃと、第１のプログラム記憶手段３Ｂが記憶する仕様変更プログラムにより実行プログラムを書き換える仕様変更処理を実施する仕様変更処理手段３Ａと、を備えている。 - 特許庁

Operation information consisting of: a final adjustment value of a series of adjustments that a first user made so that output quality of an input information signal reaches predetermined quality; and history information associated with a process of variation in adjustment value to the final adjustment value, is stored in a storage medium while the operation information is made to correspond to preference information of the first user in the series of adjustments.例文帳に追加

入力された情報信号を、該情報信号による出力の質が所定の質となるように第１のユーザが行った一連の調整における最終調整値、および該最終調整値に至る調整値の変化の過程に係る履歴情報からなる操作情報を、前記一連の調整における第１のユーザの趣向情報と対応づけて記憶媒体に記憶する。 - 特許庁

The process for producing the slurry comprises a step (1) of obtaining storage slurry containing a first pulverized powder which is a pulverized raw material powder formed by pulverizing a raw material mixture containing the raw material powder using grinding media and a step (2) of obtaining slurry containing a second pulverized powder derived from the first pulverized powder by wet jet-milling a necessary amount out of the storage slurry.例文帳に追加

破砕媒体を使用し、原料粉末を含む原料混合物を破砕処理して原料粉末が破砕された第一の破砕粉末を含む貯蔵スラリーを得る工程（１）と、貯蔵スラリーのうちの必要分を湿式ジェットミル処理して、第一の破砕粉末に由来する第二の破砕粉末を含むスラリーを得る工程（２）と、を有するスラリーの製造方法。 - 特許庁

The vulcanization process comprises a first stage of adhering the bladder B to the internal void 9a of the tread part by supplying high-pressure fluid inside the bladder B to carry out vulcanization and a second stage of directly separating the bladder B from the internal void 9a of the tread part by carrying out vacuuming of the bladder B after the first stage to accelerate foaming of the foam material 10G.例文帳に追加

加硫工程は、ブラダーＢの内部に高圧流体を供給することにより、該ブラダーＢをトレッド部の内腔面９ａに密着させて加硫を行う第１の段階と、第１の段階の後、ブラダーＢを真空引きすることにより、トレッド部の内腔面９ａから直ちにブラダーＢを離間させて発泡材料１０Ｇの発泡を促進させる第２の段階とを含むことを特徴とする。 - 特許庁

It includes a process of forming the wax model W by dividing it into a first model piece 11 divided at a dividing plane passing the undercut part and at least one second model piece 12 forming the wax model W by being integrated with the first model piece 11, and forming the wax model W by integrating each model piece 11 and 12.例文帳に追加

前記ワックスモデルＷを、前記アンダーカット部を通る分割面で分割した第１のモデル片１１と、この第１のモデル片１１と一体化されることにより該ワックスモデルＷを形成する少なくとも一つの第２のモデル片１２とに分割して成形するとともに、各モデル片１１、１２を一体化することにより前記ワックスモデルＷを形成する工程を含む。 - 特許庁