「FIRST PROCESS」に関連した英語例文の一覧と使い方(95ページ目) - Weblio英語例文検索

In a grinding process, it is so ground that upper side sites 21a on the tail end faces of the plane tile 2 and the end faces of the first small projections 22a are placed on the plane making a fixed angle with a main plate surface 20 of the plane tile 2 in advance.例文帳に追加

次いで、研削工程において、平板瓦２の前記尻部端面の上辺部位２１ａと、前記各第１小凸部２２ａの端面とがその平板瓦２の主板面２０に対して予め定めた角度をなす平面上に位置するように研削する。 - 特許庁

The three dimensional processing section 30 carries out the three dimensional process to the menus M1, M2 which are arranged in the first and the second images G1, G2 to provide a parallax Db which is greater than the parallax Dmax which has the greatest three dimensional effect in the reference region.例文帳に追加

３次元処理部３０は、基準領域内において最も立体感が大きい画素の視差Ｄｍａｘよりも大きい視差Ｄｂを有するように、第１および第２の画像Ｇ１，Ｇ２に配置するメニューＭ１，Ｍ２に３次元処理を行う。 - 特許庁

Considering the detected positional information on the alignment mark(s), the main controller 20 determines a target position of movement of the substrate at the time of exposing a plurality of specific zones except for the first one on the substrate by a process including statistical calculation.例文帳に追加

また、主制御装置２０は、検出されたアライメントマークの位置情報を考慮して、基板上の最初の区画領域を除く特定の複数の区画領域を露光する際の基板の移動目標位置を統計演算を含む処理により決定する。 - 特許庁

To provide a technology which enables an even coat with a thin film that is an upper film on a continuously travelling web having a layer which consists of a coating liquid applied in a first coating process without bubbles entering both ends after coating in a method that multilayer coats the coating liquid.例文帳に追加

塗工液を多層塗布する方法において、第１の塗布工程で塗工液が塗布された層が設けられた連続して走行するウェブに、塗工後に気泡が両端部より進入することなく上層である薄膜を均一塗布する技術を提供する。 - 特許庁

The above SC network has three or more SC units for adding, subtracting, multiplying or integrating the above input signals, a first and a second SC units of which process the above input signals e_pos and e_neg to input the processed results in a third SC unit.例文帳に追加

前記ＳＣネットワークが、前記入力信号を加算、減算、乗算、あるいは積分をする３つ以上のＳＣユニットを有し、第１と第２のＳＣユニットが前記入力信号ｅ_ｐｏｓ、ｅ_ｎｅｇを処理し、その結果を第３のＳＣユニットに入力する。 - 特許庁

The wafer identification information is acquired by detecting the displacement amount in the reference layer when the correction amount is determined through wafer alignment treatment in the exposure process for forming the patterns of the first hierarchy and the subsequent on the wafer, and by being based on the detected result.例文帳に追加

ウエハ識別情報は、ウエハ上に形成される第一階層以降のパターンを形成する露光工程において、前記ウエハの位置合わせ処理で補正量を求める際に、基準層でのずらし量を検出し、検出結果に基づいて取得する。 - 特許庁

The first and second flow passage blocks 6, 7 are mutually connected to communicate the purge gas input flow passage 19 with the purge valve output flow passage 24 and communicate the process gas output flow passage 11 with a common output flow passage 26 to constitute the flow passage block structure 5.例文帳に追加

第１流路ブロック６と第２流路ブロック７は、パージガス入力流路１９とパージ弁出力流路２４、及び、プロセスガス出力流路１１と共通出力流路２６とを相互に連通させるように連結し、流路ブロック構造５とする。 - 特許庁

For correcting the request shaft torque requested by the drive shaft of the internal-combustion engine, a correcting process 14 for the ignition timing efficiency is executed to determine the torque efficiency η for the ignition delay angle Retard from a fundamental curvature formula which uses as parameter the ignition timing as the first parameter.例文帳に追加

内燃機関の駆動軸で要求される要求軸トルクを補正するため、点火時期効率補正処理１４では、第１のパラメータとしての点火時期をパラメータとする基本曲率式によって点火遅角量Ｒetard に対するトルク効率ηが求められる。 - 特許庁

Thereafter, a heating/cooling process is performed on the bonded body 26 to give it a temperature change, causing interfacial separation to occur between an adhesion layer 16 on the Si substrate 14 side and a first electrode film 9 on the ceramic substrate 2 side, to separate the Si substrate 14 from the capacitor 11.例文帳に追加

その後、接合体２６に加熱・冷却処理を施して温度変化を付与し、Ｓｉ基板１４側の密着層１６とセラミック基板２側の第１の電極膜９と間で界面剥離を生じさせ、Ｓｉ基板１４をキャパシタ部１１から分離する。 - 特許庁

(1) A first process of reacting methacrolein with a 1-10C carboxylic acid anhydride in the presence of ≥1 kind of catalyst selected from a group consisting of a triflate compound and a halogenated compound of an element of 11-13th Group of the periodic table, tin and a lanthanoid element, and a boron halide.例文帳に追加

（１）元素周期表11〜13属元素、スズ及びランタノイド元素のトリフラート化合物及びハロゲン化合物、ハロゲン化ホウ素からなる群から選ばれる１種以上の触媒の存在下、メタクロレインと炭素数1〜10のカルボン酸無水物を反応させる第１工程。 - 特許庁

An automatic key setting part 104 estimates a common attribute between both pieces of transaction data 202 of a task executed first and a task executed later and outputs the attribute as a process key by every combination (group) of two continuously executed tasks among a plurality of tasks.例文帳に追加

キー自動設定部１０４は、複数のタスクのうち連続で実施される２つのタスクの組み合わせ（グループ）ごとに、先に実施されるタスクと後に実施されるタスクとの両方のトランザクションデータ２０２間で共通する属性を推定してプロセスキーとして出力する。 - 特許庁

This process kit for electrostatic chuck having a shield is provided with a collar 246, a first conductive material arranged on a surface of the collar 246, a cover 248 which encloses an outside end of the collar 246, and a second conductive material arranged on a surface of the cover 248.例文帳に追加

シールドを備える静電チャック用のプロセスキットは、カラー２４６と、カラー２４６の表面に配設された第１の導電材料と、カラー２４６の外側端部を取り囲むカバー２４８と、カバー２４８の表面に配設された第２の導電材料と、を備える。 - 特許庁

When a bet button is operated in the process of a setting mode, after erasing game information stored in a first storage area and game information stored in a second storage area of an RAM, setting of a pay-out rate selected at this point of time is altered.例文帳に追加

設定モード中にベットボタンが操作され場合は、ＲＡＭの第１記憶領域に記憶された遊技情報と第２記憶領域に記憶された遊技情報とを消去した後、この時点で選択されている設定へペイアウト率の設定を変更する。 - 特許庁

The airport lighting controller 1 achieves a process for distributing functions between a first lighting controller 1a, which includes the acceptance means 8 and the determining means 12, and a second lighting controller 1b which includes the output control means 17.例文帳に追加

飛行場灯火制御装置１では、受付手段８と決定手段１２と設定手段１３とを具備する第１灯火制御装置１ａと、出力制御手段１７を具備する第２灯火制御装置１ｂとの間で機能分散処理が実現される。 - 特許庁

By a structure where the first external electrode 24 and the second external electrode 32 are formed almost in parallel at the same main surface side of the dielectric layer 18 via an insulating layer 28, the capacitance density can be increased, the manufacturing process can be simplified, and ESL (equivalent series inductance) can be reduced.例文帳に追加

第１の外部電極２４と第２の外部電極３２が、誘電体層１８の同一主面側に絶縁層２８を介して略平行に形成される構成のため、容量密度の向上，製造プロセスの簡略化，ＥＳＬの低減が可能となる。 - 特許庁

In outputting a put-out signal in the process of performing a long winning game or in a reduced time game state, a main CPU adds a value of the number equal to the number of prize balls for winning taking the opportunity of outputting the put-out signal to a first put-out information counter.例文帳に追加

メインＣＰＵは、長当たり遊技の実行中および時短遊技状態であるときに払出信号を出力する際に、当該払出信号を出力する契機となった入賞に対する賞球数と同数の値を第１払出情報カウンタに加算する。 - 特許庁

In this case, in case of one system display, the resolution conversion is not performed in the first and second resolution conversion units 17 and 18 and image quality of a video content to which the resolution conversion is performed by using the third resolution conversion unit 23 is enhanced by an image quality enhancing process unit 24.例文帳に追加

この場合、１系統表示の場合には第１及び第２の解像度変換部１７及び１８での解像度変換は行わず、第３解像度変換部２３を用いて解像度変換した映像コンテンツを高画質化処理部２４で高画質化する。 - 特許庁

In the first heat treatment process (42), a horizontal rotary kiln is used whose supply port 42A side end is an increased diameter portion 42X increasing the diameter toward the transfer direction and whose discharge port 42B side end is a reduced diameter portion 42Y reducing the diameter toward the transfer direction.例文帳に追加

また、第１の熱処理（４２）には、供給口４２Ａ側端部が搬送方向に向かうに従って拡径する拡径部４２Ｘとされ、かつ排出口４２Ｂ側端部が搬送方向に向かうに従って縮径する縮径部４２Ｙとされた横型回転キルン炉を用いる。 - 特許庁

In a first process, a shape-changeable area and a shape-unchangeable area are set in an initial shape, and the outer shape of a machine structure is obtained by deleting the shape-changeable area from the initial shape (SP1 to SP3).例文帳に追加

第１工程において、初期形状のうち、形状の変更が不可能な領域と形状の変更が可能な領域と設定し、形状の変更が可能な領域を初期形状から削減した機械構造物の外形形状を求める（ＳＰ１〜ＳＰ３）。 - 特許庁

To provide a radiation-sensitive composition used for patterning due to double exposure, suitably used for a liquid immersion exposure process, such as water, without requiring separate formation of an upper layer film, and which os suitably used for forming a first resist layer.例文帳に追加

二重露光によるパターンニングに用いられ、上層膜を別途形成する必要がなく、水等の液浸露光プロセスにも好適に用いられることが可能であり、第一のレジスト層を形成するために好適に用いられる感放射線性組成物を提供すること。 - 特許庁

In the method for regenerating the metal bath contaminated with a solid solution, particularly a tin bath 17 in a hot-dip coating process, a partial stream of the tin bath 17 is removed from a coating tank 15 and is first of all heated above its liquid temperature in a heating unit 24.例文帳に追加

固溶体により汚染された金属溶融物、特に錫溶融物(17)を溶融めっき工程で再生するための方法において、錫溶融物(17)の部分流が被覆槽(15)から取り出され、そしてまず加熱ユニット(24)でその液体温度以上に加熱される。 - 特許庁

The second terminal device obtains externally a second cooperative processing data, being data corresponding to the service data received and further data for cooperating with the first terminal device and implements a process based on the second cooperative processing data.例文帳に追加

第２端末装置は、受信したサービスデータに対応するデータであって、第１端末装置と互いに連携して動作するためのデータであって、第２端末装置に応じた第２連携処理データを外部から取得し、第２連携処理データに基づいた処理を実行する。 - 特許庁

To provide a liquid crystal display which recures the acquisition of a continuity between a first substrate which has a pixel electrode and a second substrate which has a counter electrode even in the liquid crystal display of a thin frame design without adding another process.例文帳に追加

液晶ディスプレイにおいて、狭額縁化したときでも画素電極が形成された第１の基板と対向電極が形成された第２の電極との間の導通が確実に得られる液晶ディスプレイを新たな工程を増やすことなく容易に提供する。 - 特許庁

A first advantage in providing the backlight assembly and the liquid crystal display module using the same, is that process cost is reduced by improving productivity and workability by composing the light emitting diodes in units and simplifying exchange of a failing diode.例文帳に追加

本発明は、バックライトアセンブリ及びこれを利用した液晶表示装置モジュールを提供するにおいて、第１の長所は、発光ダイオードをユニット単位に構成して、不良ダイオードの交替を簡単にして、生産性及に作業性を向上させて工程費用を節減する。 - 特許庁

Then, an element arrangement process is performed where voltage is applied to the first electrode 251 and the second electrode 252 to arrange two or more light emitting elements 260 by electrostatic induction to a predetermined position determined based on an electric field which is generated by applying the voltage.例文帳に追加

その後、第１電極２５１と第２電極２５２とに電圧を印加して、二以上の発光素子２６０を、電圧の印加によって生成される電場に基づいて決定される予め定められた位置に、静電誘導により配列する素子配列工程を行う。 - 特許庁

In the second adsorbent 52, the adsorption quantity per a unit weight of a gas having a larger residual rate in the re-generating process in the first and the second gases is smaller than the adsorption quantity per a unit weight of the other gas having a smaller residual rate.例文帳に追加

第２の吸着剤５２は、吸着された第１及び第２の気体のうち再生処理での残留割合が大きい気体の単位重量当たり吸着量が、該残留割合が小さいほうの気体の単位重量当たり吸着量よりも小さい。 - 特許庁

The method includes a process to blend the lipophilic compound in a first container as a solution or an amorphous, preferably as a lyophilized powder with an aqueous suspension of the lipid particles included in a second container.例文帳に追加

この方法は、第１のコンテナ中の、溶液中またはアモルファスとして、好ましくは、凍結乾燥された粉末として、親油性組成物を、第２のコンテナ中に含まれた脂質粒子の水性懸濁物と混合して、分子会合体を形成する工程を包含する。 - 特許庁

When manufacturing a shoe 31, a shoe raw material 31' having a spherical joint part 31A' and a disc part 31B' is first formed by casting, and a hydrostatic pocket 33 is formed on a flat face side of the disc part 31B' in a hydrostatic pocket formation process.例文帳に追加

シュー３１を製造するときには、まず、鋳造等によって球面継手部３１Ａ′とディスク部３１Ｂ′とを有するシュー素材３１′を形成すると共に、静圧ポケット形成工程によってディスク部３１Ｂ′の平坦面側には静圧ポケット３３を形成する。 - 特許庁

In order to simplify the manufacturing process, connecting pads 2, a ground layer 6 thereon via an insulating film, first to third rewinding 7, 8, and 9 thereon via a protecting film, and posts S_0, S_1, G, and D thereon are arranged on only the upper surface side of a silicon substrate 1.例文帳に追加

シリコン基板１の上面側のみに、製造工程を簡略化するために、接続パッド２、その上に絶縁膜を介してグラウンド層６、その上に保護膜を介して第１〜第３の再配線７、８、９、その上にポストＳ_０、Ｓ_１、Ｇ、Ｄを設ける。 - 特許庁

A clamping part 15 is provided to the side of a driven roller 12B of the belt unit 10 and a first rib wall 15F being a contact part which can come into contact with a cartridge casing 3D prior to a photoreceptive drum 3A is provided to the clamping part 15, when the process cartridge 3K is attached to an apparatus body.例文帳に追加

ベルトユニット１０のうち従動ローラ１２Ｂ側に把持部１５を設け、把持部１５にプロセスカートリッジ３Ｋが装置本体に装着されるときに、感光ドラム３Ａより先にカートリッジケーシング３Ｄに接触し得る当接部をなる第１リブ壁１５Ｆを設ける。 - 特許庁

As to a manufacturing method of the reproducing head, after the protecting layer is formed on a film for element which is formed to the MR element 5, a 1st film for electrode which is formed to the first layer 7a, is continuously formed without including such a process that the protecting layer is exposed to the air in the course of this method.例文帳に追加

再生ヘッドの製造方法では、ＭＲ素子５となる素子用膜の上に保護層を形成した後、保護層が大気に暴露される工程を途中に含むことなく連続的に、第１層７ａとなる第１の電極用膜を形成する。 - 特許庁

At first, the through hole 5 is formed by being cut down to about a half of its depth in the thickness direction from one side and, thereafter, being cut by being cut in the same way from the opposite side to penetrate a plate body by reversing the plate body 1 in a process to form the through hole 5 by the drill 7.例文帳に追加

貫通孔５をドリル７で切削する工程において、まず片側から厚さ方向に約半分の深さまで切削し、その後プレート体１を反転させ、反対側からも同様に切削して孔を貫通させて、貫通孔５を形成する。 - 特許庁

This assembling method of an exhaust gas reflux valve 1 as the gas flow rate control valve includes a process for press-fitting a second valve 27 into a valve shaft 29 in which a first valve 25 is press-fitted and fixed, while measuring a distance L2 to be equal to a distance L1.例文帳に追加

ガス流量制御弁としての排気ガス還流弁１の組立方法においては、第１バルブ２５が圧入固定されたバルブシャフト２９に第２バルブ２７を距離Ｌ１とが等しくなるように距離Ｌ２を測定しながら圧入する工程を含める。 - 特許庁

The second connection mechanism 91 is made to contact and separate from the third connection mechanism 93 in a process of moving between the first and second positions, and the third connection mechanism 93 travels following movement of the second connection mechanism 91 while abutting on the second connection mechanism 91.例文帳に追加

第２連繋機構９１は、第１位置および第２位置の間を移動する過程で第３連繋機構９３と接離し、第３連繋機構９３は、第２連繋機構９１と接触した状態で第２連繋機構９１の移動に伴って移動する。 - 特許庁

In a cell-phone 1, when migrating speed of the cell-phone 1 determined from a first KF (Kalman filter) positioning process is detected to be less than a predetermined threshold speed, the migrating speed of the cell-phone 1 is hold just before the detection concerned.例文帳に追加

携帯型電話機１において、第１のＫＦ（カルマンフィルタ）測位処理により求めた携帯型電話機１の移動速度が所定の閾値速度未満であることを検出した場合に、当該検出直前の携帯型電話機１の移動速度を保持する。 - 特許庁

Thus, by adopting a manufacturing method in which components other than the first gate electrode 6a of the driving transistor 6 and the second gate electrode 5a of the switching transistor 5 are formed in a common manufacturing process, the driving transistor 6 can be fabricated separately from the switching transistor 5.例文帳に追加

こうして、駆動トランジスタ６の第１ゲート電極６ａと、スイッチトランジスタ５の第２ゲート電極５ａを形成する以外の工程を共通の製造工程とする製造方法によって、駆動トランジスタ６とスイッチトランジスタ５を作り分けることを可能にした。 - 特許庁

In this terminal fitting, at the process of crimping, a first caulking piece 11 and a second caulking piece 12 are crimped to a state of propping each other and then both caulking pieces 11, 12 are crimped to a wire as the erected ends 11A, 12A are deformed by bending inwardly to reduce the length.例文帳に追加

圧着の過程では、第１カシメ片１１と第２カシメ片１２が突っ張り状態となった後、両カシメ片１１，１２がその立ち上がり端１１Ａ，１２Ａを内側へ傾けるように曲がり変形することで縮径変形し、電線Ｗにカシメ付けられる。 - 特許庁

A list of programs for an image reconstruction process that matches a combination of operable DSP boards is first referred (S301), any combination of operable DSP boards is retrieved (S302, S303), and the program which corresponds to the combination found is selected for loading (S305).例文帳に追加

まず稼動可能なＤＳＰボードの組み合わせに応じた画像再構成処理のプログラムのリストを参照し（Ｓ３０１）、稼動可能なＤＳＰボードの組み合わせを検索し（Ｓ３０２、Ｓ３０３）、見つかった組み合わせに対応するプログラムを選択し、ロードする（Ｓ３０５）。 - 特許庁

In a first process, an upper part of a constructed ready-made bank body 2 is excavated up to a predetermined level L1, or a construction-expected bank body 2 is put in a state of interrupting construction in the height of the predetermined level L1 by leaving an upper part on the basis of a design plan.例文帳に追加

第１の工程で、築造された既成の堤体２の上部を所定のレベルＬ１まで掘削するか、あるいは、設計プランに基づいて築造される予定の堤体２を上部を残し所定のレベルＬ１の高さで築造を中断した状態とする。 - 特許庁

When there is warning information (S145: YES), "upper and lower display switching process" replacing the display content of a first display unit 31 with a second display unit 35 is executed (S150) in order to preferentially display the warning information on the second display unit 35.例文帳に追加

警告情報がある場合には（Ｓ１４５：ＹＥＳ）、その警告情報を優先的に第ニ表示器３５へ表示するために、第一表示器３１の表示内容と第ニ表示器３５の表示内容とを入れ替える「上下表示切り替え処理」を実行する（Ｓ１５０）。 - 特許庁

Prescribed information is acquired based on the entrance into a first starting hole 1420 or a second starting hole 1421, and a prescribed determination process is executed based on the acquired prescribed information.例文帳に追加

第一始動口１４２０または第二始動口１４２１への入賞に基づいて所定の情報が取得され、当該取得された所定の情報に基づいて所定の判定処理が行われるとともに、取得された所定の情報が抽選情報として記憶される。 - 特許庁

Then, the face image list display process part 301 displays, on a face thumbnail display area, the respective face images belonging to one of the first face image group and the second face image group in such a manner that the respective face images belonging to the one group are distinguished from the respective face images belonging to the other group.例文帳に追加

そして、顔画像一覧表示処理部３０１は、第１の顔画像グループおよび第２の顔画像グループのいずれか一方のグループに属する各顔画像を、他方のグループに属する各顔画像と区別して顔サムネイル表示エリア上に表示する。 - 特許庁

In the optical-write display element manufactured by successively laminating a first electrode, EC layer, photoconductive layer and second electrode, the photoconductive layer is formed from a photoconductor in which the carrier generated in a photoelectric conversion process is multiplied by a current amplifying mechanism.例文帳に追加

第一電極、ＥＣ層、光導電層、第二電極を順次積層してなる光書込み表示素子において、光導電層を、光電変換過程で生成されたキャリアを電流増幅機構によって増倍させる光導電体によって形成した。 - 特許庁

The semiconductor device manufacturing method of the embodiment further comprises a process of bonding a second substrate 2 with the insulation film 8 of the first substrate 1 such that crystal orientation of the photodiode layer 4 agrees with crystal orientation of the second substrate 2.例文帳に追加

実施形態の半導体装置の製造方法は、前記フォトダイオード層４の結晶方位と第２の基板２の結晶方位とが一致するように、前記第１の基板１の前記絶縁膜８に前記第２の基板２を接合する工程をさらに備える。 - 特許庁

The prescan process calculates values of a readout gradient compensation pulse 324, a phase-encoding gradient compensation pulse and a slice-select gradient compensation pulse to reduce the first order phase shifts along the readout, phase-encoding and slice-elect gradient axes.例文帳に追加

このプレスキャン処理はまた、読み出し勾配補償パルス３２４、位相エンコード勾配補償パルス及びスライス選択勾配補償パルスの値を算出して、読み出し勾配軸、位相エンコード勾配軸及びスライス選択勾配軸に沿った１次の位相シフトを減少させる。 - 特許庁