「GA on」に関連した英語例文の一覧と使い方(3ページ目) - Weblio英語例文検索

A substrate 31 includes a ground area GA and a non-ground area NGA, and the antenna matching circuit 30 is constituted on the substrate 31.例文帳に追加

基板３１にはグランド領域ＧＡ及び非グランド領域ＮＧＡを設けていて、この基板３１上にアンテナ整合回路３０を構成している。 - 特許庁

The p-type Al(Ga)InAs electron barrier layer 22 is present on the whole surface between the ridge 28 and the first p-type InP clad layer 20.例文帳に追加

リッジ２８と第１のｐ型ＩｎＰクラッド層２０との間の全面にｐ型Ａｌ（Ｇａ）ＩｎＡｓ電子障壁層２２が存在する。 - 特許庁

A main injection portion 30 for injecting main shield gas Ga is coaxially and rotatably installed on the laser irradiating tube 14.例文帳に追加

レーザ照射管１４には、主シールドガスＧａを噴射する主噴射部３０が同軸状かつ回転自在に装着されている。 - 特許庁

A convergence judgment part 3 judges the convergence of optimization on the basis of the evolution individual group PGN of the GA engine of the highest order.例文帳に追加

収束判定部３は、最上位のＧＡエンジン１の進化個体群ＰＧNに基づいて、最適化の収束判定を行う。 - 特許庁

A plurality of virtual spheres Ga, Gb, Gc, ... having on the surfaces the latest data Dn out of the computed coordinate point data D1-Dn, are found.例文帳に追加

演算された座標点データＤ１〜Ｄｎのうちの最新のデータＤｎをその表面に有する複数の仮想球Ｇａ，Ｇｂ，Ｇｃ，・・・を求める。 - 特許庁

A base film of a III-V semiconductor containing Ga and N and flatter than the substrate surface is disposed on the substrate surface.例文帳に追加

この表面に、Ｇａ及びＮを含むＩＩＩ−Ｖ族半導体からなり、基板表面よりも平坦な下地膜が配置されている。 - 特許庁

An antenna element 21 is disposed at an intermediate position between a ground region GA and a non-ground region NGA on a substrate 50.例文帳に追加

アンテナ素子２１は基板５０のグランド領域ＧＡと非グランド領域ＮＧＡとの中間位置に配置されている。 - 特許庁

Finally, an intake temperature T3 after cooling is calculated on the basis of the intake temperature T2 after supercharging, the heat radiation amount Qi, and the intake amount Ga.例文帳に追加

最後に、過給後吸気温Ｔ２、放熱量Ｑｉ及び吸気量Ｇａから冷却後吸気温Ｔ３を算出する。 - 特許庁

This CMP method is applied usefully in order to emphasize the crystal defect on the Ga side of the Al_xGa_yIn_zN wafer.例文帳に追加

このＣＭＰ方法はＡｌ_xＧａ_yＩｎ_zＮウェーハのＧａ側における結晶欠陥を強調するために有用に適用される。 - 特許庁

Then, stray light components δR, δG, δB for each of colors are obtained on the basis of the mean values Ra, Ga, Ba.例文帳に追加

そして、平均値Ｒａ、Ｇａ及びＢａに基づいて、各色に対する迷光成分δＲ、δＧ及びδＢを求める。 - 特許庁

Thus, it is possible to make the composition ratio of Ga and N on the surface of the GaN system semiconductor layer close to a stoichiometric composition ratio.例文帳に追加

本発明によれば、ＧａＮ系半導体層の表面のＧａとＮの組成比を化学量論的組成比に近づけることができる。 - 特許庁

An image processing part 230 makes the regional alignment of the tomograms Ga and Gb based on the pieces of regional information 213a and 213b.例文帳に追加

画像処理部２３０は、この位置情報２１３ａ、２１３ｂとに基づいて、断層画像Ｇａ、Ｇｂの位置合わせを行う。 - 特許庁

Fuel injection time TAU is calculated based on engine rotation speed NE and intake air quantity Ga.例文帳に追加

エンジン回転速度ＮＥ及び吸入空気量Ｇａに基づき燃料噴射時間ＴＡＵを算出する。 - 特許庁

It is presumed that the composition ratio x causes the difference in optimum growth temperature, depending on the difference in surface diffusion distance between Al and Ga.例文帳に追加

組成比ｘによって最適な成長温度が相違するのは、ＡｌとＧａとの表面拡散距離の相違によるものと推定される。 - 特許庁

The Ga or the In irradiated to the plate 12 is bound with an oxygen on the surface of the plate 12 and evaporates.例文帳に追加

電磁鋼板１２に照射されたＧａ又はＩｎは電磁鋼板１２の表面の酸素と結合して、気化する。 - 特許庁

An alloy layer 9 of Ga-Au alloy and In-Au alloy having high electric conductivity and high heat conductivity is formed by forming a Ga-In alloy layer 7 on one of conductors 1, 2, and an Au plating layer 8 on the other, and reacting them by pressure welding.例文帳に追加

導電体１、２の一方にＧａ−Ｉｎ合金層７を設けると共に、他方にＡｕメッキ８を設け、これらを圧接して反応させることで、高い電気伝導性と熱伝導性を有するＧａ−Ａｕ合金とＩｎ−Ａｕ合金の合金層９を形成する。 - 特許庁

In the wafer 10, intervals d1-d3 of the modified region R in respective groups of modified regions Ga-Gc differ, an interval d1 in the group of modified regions Ga on the lowest layer is maximized, and an interval d3 in the group of modified regions Gc on the highest layer is minimized (d1>d2>d3).例文帳に追加

ウェハ１０では、各改質領域群Ｇａ〜Ｇｃにおける改質領域Ｒの間隔ｄ１〜ｄ３が異なり、最下層の改質領域群Ｇａの間隔ｄ１が最も大きくなり、最上層の改質領域群Ｇｃの間隔ｄ３が最も小さくなるように設定されている（ｄ１＞ｄ２＞ｄ３）。 - 特許庁

This controller performs air-fuel ratio control (sub feedback control) aiming at a theoretical air-fuel ratio based on the output Voxs of the oxygen concentration sensor since the entry of air due to leakage in the oxygen concentration sensor on the downstream side of the catalyst cannot occur in a high load (Ga>A) (SUB=1).例文帳に追加

この装置は、高負荷時（Ga＞A）では、触媒下流の酸素濃度センサ内部での漏れによる空気進入が発生し得ないから同酸素濃度センサ出力Voxsに基づく理論空燃比を目標とする空燃比制御（サブフィードバック制御）を行う（SUB=1）。 - 特許庁

The single crystal substrate for growing a thin film of In_1-(x+y)Ga_xAl_yN being based on indium nitride (InN) consists of a single crystal represented by chemical formula of REBGeO_5 (where RE represents a rare earth element) that belongs to a trigonal system having a stillwellite structure, and has a substrate face in a crystallographic orientation {0001}.例文帳に追加

窒化インジウム（InN）を基とするIn_1-(x+y)Ga_xAl_yN薄膜を成長させる単結晶基板は、stillwellite型構造を持つ三方晶系に属する化学式REBGeO_5（REは希土類元素）で標記される単結晶からなり、結晶学的方位{0001}を基板面とする。 - 特許庁

A group III nitride ground layer 2 and a group III nitride layer 3 containing at least Ga are sequentially laminated on a prescribed base material 1, and a group III nitride intermediate layer formed at 600-950°C and containing Ga is included in the group III nitride layer 3 to produce an epitaxial substrate 10.例文帳に追加

所定の基材１上において、III族窒化物下地層２と、少なくともＧａを含むIII族窒化物層３とを順次に積層し、III族窒化物層３中に６００℃〜９５０℃で形成されるとともにＧａを含むIII族窒化物中間層を介在させてエピタキシャル基板１０を作製する。 - 特許庁

The assist grain Ga is calculated by Ga=1-GRv×GRi based on an electric current reduction gain GRi and a vehicle speed gain GRv, and the electric current reduction gain GRi is set as follows by an electric current reduction gain calculating part 127.例文帳に追加

アシストゲインＧａは、電流低減ゲインＧＲｉと車速ゲインＧＲｖに基づきＧａ＝１−ＧＲｖ×ＧＲｉにより算出され、電流低減ゲインＧＲｉは電流低減ゲイン演算部１２７により次のように設定される。 - 特許庁

To provide polishing slurry which can form a crystal surface of small surface roughness on a Ga_xIn_1-xAs_yP_1-y crystal (0≤x≤1, 0≤y≤1) efficiently at a high polishing rate, and to provide a surface treatment method of a Ga_xIn_1-xAs_yP_1-y crystal employing such polishing slurry.例文帳に追加

高い研磨速度で効率的にＧａ_xＩｎ_1-xＡｓ_yＰ_1-y結晶（０≦ｘ≦１、０≦ｙ≦１）に表面粗さの小さい結晶表面を形成することができるポリシングスラリー、かかるポリシングスラリーを用いたＧａ_xＩｎ_1-xＡｓ_yＰ_1-y結晶の表面処理方法などを提供する。 - 特許庁

A magnitude (Ga) of impact applied to a lens holder is monitored always on the basis of an output of an impact sensor, when it is judged that Ga exceeds Gth (YES at S1), a focus servo is released (S2), and such force as receding from a disk is applied to the lens holder (S3).例文帳に追加

常時、衝撃センサの出力に基づいて、レンズホルダに与えられた衝撃の大きさ（Ｇａ）がモニタされ、ＧａがＧｔｈを越えたと判断されると（Ｓ１でＹＥＳ）、フォーカスサーボが解除され（Ｓ２）、レンズホルダに対してディスクから遠ざかるような力が与えられる（Ｓ３）。 - 特許庁

A search means 13 searches the stereoscopic processing parameter of the specific original image Ga from the project file Fp on the basis of comparison results, after comparing the image characteristic value Ng calculated by the calculation means 12 about the specific original image Ga with each image characteristic value Nf stored in the storage device 21.例文帳に追加

検索手段１３は、算定手段１２が特定の原画像Ｇａについて算定した画像特性値Ｎgと記憶装置２１に記憶された各画像特性値Ｎfとを対比し、この対比の結果に基づいて特定の原画像Ｇａの立体化パラメータをプロジェクトファイルＦpから検索する。 - 特許庁

A semiconductor laminate structure 24 having a dummy layer 14, a p type Al(Ga)InAs lower light lockup layer 16, AlGaInAs multiple quantum well active layer 18 and an n type Al(Ga)InAs upper light lockup layer 20 is formed on a p type InP substrate 10.例文帳に追加

ｐ型ＩｎＰ基板１０上に、ダミー層１４、ｐ型Ａｌ（Ｇａ）ＩｎＡｓ下光閉込層１６、ＡｌＧａＩｎＡｓ多重量子井戸活性層１８、ｎ型Ａｌ（Ｇａ）ＩｎＡｓ上光閉込層２０を有する半導体積層構造２４を形成する。 - 特許庁

A group III nitride ground layer 2 and a group III nitride layer 3 containing at least Ga are successively laminated on a prescribed base material 1, and a group III nitride intermediate layer formed at 600-950°C and containing Ga is included in the group III nitride layer 3 to produce an epitaxial substrate 10.例文帳に追加

所定の基材１上において、ＩＩＩ族窒化物下地層２と、少なくともＧａを含むＩＩＩ族窒化物層３とを順次に積層し、ＩＩＩ族窒化物層３中に６００℃〜９５０℃で形成されるとともにＧａを含むＩＩＩ族窒化物中間層を介在させてエピタキシャル基板１０を作製する。 - 特許庁

The absorption layer comprises Cu, In, Ga and Se elements as constitutional ingredients thereof and such elements are formed by coating or printing an ink that contains Cu_2Se nanoparticles and (In,Ga)_2Se_3 nanoparticles on the rear electrode, and then heating them.例文帳に追加

前記光吸収層は、構成成分としてＣｕ、Ｉｎ、Ｇａ及びＳｅ元素を含有し、これらの元素は、少なくともＣｕ_２Ｓｅナノ粒子及び（Ｉｎ、Ｇａ）_２Ｓｅ_３ナノ粒子を含有するインクを前記背面電極上に塗布又は印刷した後、これを熱処理して形成することを特徴とする。 - 特許庁

In the process for growing a nitride thin film on a substrate, a Ga face 2 growing on +c face and an N face 3 growing on -c face are formed on a c face sapphire (Al_2O_3) substrate 1.例文帳に追加

基板上への窒化物薄膜の成長方法において、ｃ面サファイア（Ａｌ_２ Ｏ_３ ）基板１上に＋ｃ面で成長するＧａ面２と、ｃ面サファイア（Ａｌ_２ Ｏ_３ ）基板上に−ｃ面で成長するＮ面３とを形成する。 - 特許庁

A three-dimensional image processing part reads the plural pieces of grouped objects Ga-Gc for which objects for displaying a single pattern are grouped from a character storage part and successively arranges the grouped objects Ga-Gc on the outside of a display area set in a world coordinate system, that is a position not projected on a projection plane TM.例文帳に追加

３次元画像処理部は、単一の図柄を表示するためのオブジェクトをグループ化した複数個のグループ化オブジェクトＧａ〜Ｇｃをキャラクタ記憶部から読み出し、それらグループ化オブジェクトＧａ〜Ｇｃをワールド座標系に設定された表示領域外すなわち投影平面ＴＭに投影されない位置に順次配置する。 - 特許庁

In Miyagi Prefecture, two brands of 'Shiramatsu ga Monaka Honpo Ltd.' and 'Kotobuki Sanshokumonaka Honpo.,ltd' headquartered in Sendai City are famous specialties, and both (especially the former) focus on advertising such as commercial films on local televisions and outdoor advertisement. 例文帳に追加

宮城県では、仙台市に本店のある「白松がモナカ」「寿の三色最中」の2ブランドが名物で、両者とも（特に前者は）当該地域のテレビCMだけでなく屋外広告なども盛んに行っているほど広告に力を入れている。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Along the Choshi Dentetsu Co., ltd, a statue with a pheasant on its head which stands for 'Binbo-wo-tori (bird)' (remove poverty) at Kasagami-Kurohae Station and a statue with a dog on its head which stands for 'Binbo-ga-inu (dog)' (there is no poverty) at Inubo Station were place around the same time as the one with the monkey. 例文帳に追加

また銚子電気鉄道には、笠上黒生駅に「貧乏を取り（鳥）」として頭にキジが乗った像が、犬吠駅に「貧乏が居ぬ（犬）」として頭に犬が乗った像が、猿と時同じくして設置された。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

This semiconductor comprises (Al, Ga, In) N compound semiconductor layer grown on a substrate, and an electrode formed of at least one metal selected from a group comprising Pt, Pd and Au, or an alloy of them on the semiconductor layer.例文帳に追加

基板上に成長された（Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ）Ｎ系化合物半導体層と、半導体層上にPt、Pd及びAuを含む群から選ばれた少なくとも一つの金属、あるいは、それらの合金で形成された電極とを含む。 - 特許庁

To form a uniform metal oxide thin film by a liquid phase precipitation method even on the surface of a semiconductor substrate including Ga having unevenness and a resist pattern on the surface thereof.例文帳に追加

表面に凹凸やレジストパターンのあるＧａを含む半導体基材であっても、その表面に、液相析出法で均一な金属酸化物薄膜を形成できるようにする。 - 特許庁

A display driving circuit 35 applies either on-voltage or off-voltage on the liquid crystal device 324 in each of a plurality of sub-fields SF in each field F, according to a grayscale data GA.例文帳に追加

表示駆動回路３５は、オン電圧およびオフ電圧の何れかを各フィールドＦ内の複数のサブフィールドＳFの各々にて階調データＧAに応じて液晶素子３２４に印加する。 - 特許庁

A protective wall 52 of Al is formed on the ϕ_I wiring 32 and the bonding pad of this wiring while another protective wall 54 of Al is formed on a V_GA wiring 26 and the bonding pad of this wiring.例文帳に追加

φ_Ｉ 配線３２およびこの配線のボンディングパッド上にＡｌの保護壁５２を、Ｖ_ＧＡ配線２６およびこの配線のボンディングパッド上にＡｌの保護壁５４を形成した。 - 特許庁

On the other hand, on a semiconductor substrate 10 side of the guard ring area GA (the rear side of the memory chip 1A), a groove 5A for preventing rear-side chipping is provided.例文帳に追加

一方、ガードリングエリアＧＡの半導体基板１０側（メモリチップ１Ａの裏面側）には、裏面側のチッピングを防止するための溝５Ａが設けられている。 - 特許庁

In the method of manufacturing the thin film transistor, a gate electrode, a gate insulating film, and an active layer are formed on a substrate, and a Ga oxide film serving as a first protection layer is formed on the active layer.例文帳に追加

薄膜トランジスタの製造方法は、基板上にゲート電極、ゲート絶縁膜および活性層し、活性層上に第１の保護層となるＧａ酸化物膜を形成する。 - 特許庁

On an n-GaAs substrate 2, an n-semiconductor distribution Bragg reflector 3 is formed and on it, an n-Ga_xIn_1-xP_yAs_1-y layer 11 with a thickness λ/4 is laminated.例文帳に追加

ｎ−ＧａＡｓ基板２上に、ｎ−半導体分布ブラッグ反射鏡３を形成し、その上にλ／４の厚さのｎ−Ｇａ_ｘＩｎ_１−ｘＰ_ｙＡｓ_１−ｙ層１１を積層した。 - 特許庁

Then a ventilating amount Va for cooling an intercooler 15 is calculated on the basis of a vehicle speed Vv, and a heat radiation coefficient Ki of the intercooler 15 is determined on the basis of the ventilating amount Va and the intake amount Ga.例文帳に追加

次に、車速Ｖｖからインタークーラー１５を冷却する通風風量Ｖａを算出し、通風風量Ｖａ及び吸気量Ｇａからインタークーラー１５の放熱係数Ｋｉを求める。 - 特許庁

A press member 40 is movably provided upstream of a paper feeding roller 57 for feeding documents Ga, Gb put on a document putting-on table, while the document Gb is pressed onto the paper feeding roller 57 by moving the press member 40.例文帳に追加

原稿載置台に載置された原稿Ｇａ，Ｇｂを給送する給紙ローラ５７の上流側に押し付け部材４０を移動可能に設け、この押し付け部材４０を移動させることにより原稿Ｇｂを給紙ローラ５７に押し付ける。 - 特許庁

On the occasion of conducting etching to form a recess 107 to a GaAs substrate 101, a Ga oxide film 108 including a large amount of hydroxyl group is formed on the surface of the recess 107.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板１０１にリセス１０７を形成するためのエッチングを行う際に、このリセス１０７の表面に、水酸基を多く含むＧａ酸化膜１０８が形成される。 - 特許庁

An Au film 2 is deposited on an MgO (100) substrate 1, and a Ga converging ion beam 50 nm in beam diameter is applied to the section, where a junction is desired to be formed, to form an irradiated region 3 on the surface of the substrate, and then the Au film 2 is removed.例文帳に追加

ＭgＯ(１００)基板１上にＡu薄膜２を蒸着し、接合を形成したい位置にビーム径５０nｍのＧa収束イオンビームを照射して基板表面に照射領域３を形成し、Ａu薄膜２を除去する。 - 特許庁

The transparent conductive film has an Al_2O_3 thin film formed on an organic polymer film base material, on top of which, a GZO thin film as ZnO doped with Ga is formed.例文帳に追加

有機高分子フィルム基材上に、Ａｌ_２０_３薄膜が形成されており、その上にＧａをドープしたＺｎＯであるＧＺＯ薄膜が形成されていることを特徴とする透明導電フィルム。 - 特許庁

An n-semiconductor distribution Bragg reflection mirror 3 is formed on an n-GaAs substrate 2, and an n-Ga_xIn_1-xP_yAs_1-y layer 11 with thickness of λ/4 is deposited on it.例文帳に追加

ｎ−ＧａＡｓ基板２上に、ｎ−半導体分布ブラッグ反射鏡３を形成し、その上にλ／４の厚さのｎ−Ｇａ_ｘＩｎ_１−ｘＰ_ｙＡｓ_１−ｙ層１１を積層した。 - 特許庁

In the substrate (17), glass (1) where an Mo conductive film (2) is formed on the top is used, and an In layer (3) and a Cu-Ga layer (4) are alternately repeated on the glass (1) to form the precursor thin film (5).例文帳に追加

基板（１７）は表面にＭｏ導電膜（２）を形成したガラス（１）を用い、その上にＩｎ層（３）とＣｕ−Ｇａ層（４）とが交互に繰り返して前駆体薄膜（５）を形成している。 - 特許庁