「GA on」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

In a first step, a vapor deposition method with a polycrystalline sintered body having an IGZO-based composition as a target is used to form, on a substrate 12, a thin film 10A comprising an amorphous oxide semiconductor containing at least one element in a group comprising In, Ga, and Zn.例文帳に追加

第１工程として、基板１２上に、ＩＧＺＯ系の組成を有する多結晶焼結体をターゲットとした気相成膜法を用いて、ＩｎとＧａとＺｎからなる群のうち少なくとも１つの元素を含有する非晶質酸化物半導体からなる薄膜１０Ａを成膜する。 - 特許庁

An optimal water operation planning part 12 simultaneously calculates an optimal planned value for smoothing the operation load of a water pump based on water demand data or plant data and plant characteristic data from an input part 11 by using a branch and bound method(BBM) and a genetic algorithm(GA).例文帳に追加

最適水運用計画部１２は、入力部１１からの水需要データやプラントデータ、プラント特性データに基づき、送水ポンプの運転負荷を平滑化するような最適計画値を分枝限定法（ＢＢＭ）及び遺伝的アルゴリズム（ＧＡ）を用いて同時に演算する。 - 特許庁

This method for manufacturing the semiconductor device contains the steps of forming a silicon nitride film (26) having a refractive index of 1.85 or less on a compound semiconductor layer (20) containing Ga by a plasma CVD method, and selectively processing the compound semiconductor layer by using the silicon nitride film as a mask.例文帳に追加

本発明は、Ｇａを含む化合物半導体層（２０）上にプラズマＣＶＤ法により屈折率が１．８５以下の窒化シリコン膜（２６）を形成する工程と、窒化シリコン膜をマスクに用いて化合物半導体層を選択処理する工程と、を有する半導体装置の製造方法である。 - 特許庁

A catalytic noble metal is directly supported on the surface of a ceramic body in which the second component comprising a compound or a complex compound of W, Co, Ti, Fe, Ga, Nb, or the like having a d- or f-orbit as an electron orbit is dispersed in the first component such as cordierite constituting substrate ceramics.例文帳に追加

基材セラミックを構成するコーディエライト等の第一成分に、電子軌道にｄまたはｆ軌道を有するＷ、Ｃｏ、Ｔｉ、Ｆｅ、Ｇａ、Ｎｂ等の元素の化合物または複合化合物からなる第二成分を分散させたセラミック体の表面に、触媒貴金属を直接担持する。 - 特許庁

The manufacturing method, based on the MOCVD method of the substrate, comprises a step of supplying the gasses containing P and Ga for the next growth of GaAs layer or InGaAs layer, after suspending growth of the InGaP layer.例文帳に追加

前記記載の基板のＭＯＣＶＤ法による製造方法において、ＩｎＧａＰ層の成長を停止して次にＧａＡｓ層またはＩｎＧａＡｓ層を成長するにあたり、Ｐ含有ガスとＧａ含有ガスを両方流す工程を行う製造方法。 - 特許庁

The filling auxilary member 14 for changing the flow of a rubbery elastic material Ga toward a molding plate 11 is attached to the side surface 13 on the molding side of a die body 12a through a clamping member 15 such as a bolt or the like.例文帳に追加

この発明の実施形態では、図１及び図３に示すうよに、ダイス本体１２ａの成形側側面１３に、成形プレート１１に向かってゴム状弾性材料Ｇａの流れを変えるための充填補助部材１４がボルト等の締結部材１５を介して着脱可能に取付けてある。 - 特許庁

In a semiconductor device including an Al_xGa_yIn_1-x-yN layer and an (Al, Ga, In)N quantum dot located on the Al_xGa_yIn_1-x-yN layer, the ratio of indium in the Al_xGa_yIn_1-x-yN layer is not zero (1-x-y≠0).例文帳に追加

Ａｌ_ｘＧａ_ｙＩｎ_１−ｘ−ｙＮ層と、Ａｌ_ｘＧａ_ｙＩｎ_１−ｘ−ｙＮ層の上に配置された（Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎ）Ｎ量子ドットと、を備えた半導体デバイスにおいて、Ａｌ_ｘＧａ_ｙＩｎ_１−ｘ−ｙＮ層におけるインジウム比率がゼロではない（１−ｘ−ｙ≠０）。 - 特許庁

A p-type GaAs contact layer 9 of 20 μm or more is grown by the temperature difference liquid phase epitaxial growth (LPE) method at a Ga solution temperature stationarily higher than the substrate vicinity temperature on a semiconductor multilayer film, having an active layer 5 sandwiched between a pair of clad layers 4, 6.例文帳に追加

一対のクラッド層４、６で活性層５を挟んだ半導体多層膜上に、基板温度を一定温度とし、かつ、Ｇａ溶液の温度を基板近傍温度よりも定常的に高くした温度差ＬＰＥ法により厚さ２０μｍ以上のｐ型ＧａＡｓコンタクト層９を成長させる。 - 特許庁

If we let you go with nothing, a curse will be placed on our family and our clan. The one who has come as a killer does not consider it as a sanmon gate (temple gate), but handles it as ana-mon (hole gate) which is a nohozu mon (sloppy gate). If midomo (I) become the Nio-mon (Nio Gate, a gate to prevent devils), it is all right. Once I refuse it, my life will be a Torano-mon gate (Tiger Gate). Mon ga mogaite-mo mon kanawanu (No matter how hard I may struggle, I cannot attain my desire). Shall I give my head or take me up? Give an answer. Come on, come on....Nan-mon (South Gate), Nan-mon.' 例文帳に追加

「うぬその儘に帰りなば、一家一門たたりが行く、討手に参った某を、山門とも思わずに、穴門すったるのほうず門、身共が仁王門になればよし、いやじゃなんぞともんすが最後、おのが命を寅の門、もんもがいても、もん叶わぬ、首を渡すか腕廻すか、返答はサア、サア、・・・・南門、南門。」 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

A heterojunction bipolar transistor has: a base layer 103 formed on a collector layer 102 and consisting of a compound semiconductor configured by Ga, As, and Sb; a spacer layer 104 contacting with and formed on the base layer 103; and an emitter layer 105 contacting with and formed on the spacer layer 104 and consisting of a compound semiconductor configured by In and P.例文帳に追加

コレクタ層１０２の上に形成されてＧａ，Ａｓ，およびＳｂから構成された化合物半導体からなるベース層１０３と、ベース層１０３の上に接して形成されたスペーサ層１０４と、スペーサ層１０４の上に接して形成されてＩｎおよびＰから構成された化合物半導体からなるエミッタ層１０５とを備える。 - 特許庁

A heterojunction bipolar transistor comprises: a first collector layer 102 formed above a substrate 101 composed of InP; a second collector layer 103 formed on the first collector layer 102; a base layer 104 formed on the second collector layer 103 and composed of a compound semiconductor containing Ga, As, and Sb; and an emitter layer 105 formed on the base layer 104 and composed of a compound semiconductor containing In and P.例文帳に追加

ＩｎＰからなる基板１０１の上に形成された第１コレクタ層１０２と、この上に形成された第２コレクタ層１０３と、この上に形成されてＧａ，Ａｓ，およびＳｂから構成された化合物半導体からなるベース層１０４と、この上に形成されてＩｎおよびＰから構成された化合物半導体からなるエミッタ層１０５とを少なくとも備える。 - 特許庁

The memory element includes a first and second impurity areas in which one substance among Sb, Ga, or Bi is contained as a dopant and are formed on a semiconductor substrate, respectively, a dielectric film which is formed adjacent to each of the first and second regions on the semiconductor substrate and contains an charge storage layer and a high dielectric layer, and a gate electrode layer formed on the dielectric film.例文帳に追加

半導体基板にＳｂ、ＧａまたはＢｉのうち何れか一つの物質をドーパントとして含んでそれぞれ形成された第１及び第２不純物領域と、半導体基板上に第１及び前記第２不純物領域とそれぞれ接して形成され、電荷保存層及び高誘電体層を含む絶縁膜と、絶縁膜上に形成されたゲート電極層と、を含む半導体メモリ素子。 - 特許庁

In the memorial record he created about and in memory of his mentor, Yuzo KAWASHIMA, entitled "Sayonara dake ga jinsei da: Eiga kantoku Kawashima Yuzo no shogai" (Life is only a chorus of goodbyes: the life of director Yuzo KAWASHIMA), he chronicled Kawashima's life using a documentary style; in it, he recounted how Kawashima kept working right on to the end, filming on location without breathing a single word to anyone that he was suffering from Lou Gehrig's disease. 例文帳に追加

彼の師匠川島雄三についての追悼録、『サヨナラだけが人生だ映画監督川島雄三の生涯』では、川島の生涯を実証的に取り上げ、川島が筋萎縮性側索硬化症に侵されながらそれを一切他言せず、最後まで映画製作の現場に立っていたことを取り上げた。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The diamond field effect transistor has a P-type nitride layer containing at least one of Al, Ga, B and In on P-type diamond, and also includes: a source electrode and a drain electrode coming in electric ohmic contact with a heterojunction between the P-type diamond and P-type nitride layer; and a gate electrode on the P-type nitride layer between the source electrode and the drain electrode.例文帳に追加

Ｐ型ダイヤモンド上に、少なくともＡｌ、Ｇａ、Ｂ、Ｉｎの１つを含むＰ型窒化物層を有し、Ｐ型ダイヤモンドとＰ型窒化物層との間のヘテロ接合に電気的にオーミック接触するソース電極およびドレイン電極と、ソース電極とドレイン電極との間のＰ型窒化物層上にゲート電極を有することを特徴とする。 - 特許庁

Then a layer M which contains a metal element M (at least one selected from the group consisting of Al, Ga, In, Sn, Pb, Bi, Zn and Ag) is deposited on a surface of the sintered magnet body, and an RH layer containing a heavy rare-earth element RH (at least one selected from the group consisting of Dy, Ho and Tb) is deposited on the layer M.例文帳に追加

次に、焼結磁石体の表面に金属元素Ｍ（ＭはＡｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｓｎ、Ｐｂ、Ｂｉ、Ｚｎ、およびＡｇからなる群から選択された少なくとも１種）を含有するＭ層を堆積した後、重希土類元素ＲＨ（Ｄｙ、Ｈｏ、およびＴｂからなる群から選択された少なくとも１種）を含有するＲＨ層をＭ層上に堆積する。 - 特許庁

The light-emitting device 1 includes: a substrate 3; the light-emitting part 5, which is formed by laminating a plurality of semiconductor layers on the substrate 3, wherein a contact layer 15 comprising a Ga-containing phosphide semiconductor is provided on an uppermost layer of the light-emitting part; and the electrode 7, which is connected to the upper surface of the contact layer 15.例文帳に追加

本発明に係る発光装置１は、基板３と、基板３の上に複数の半導体層を積層して形成されており、Ｇａを含む燐化物半導体からなるコンタクト層１５が最上層に設けられている発光部５と、コンタクト層１５の上面に接続されている電極７と、を備えている。 - 特許庁

The element can be manufactured by aligning the Er atoms to the position among the lattices of the GaAs crystal through the epitaxial growth with simultaneous control of the evaporation velocity of the molecular beam source and expitaxial growth temperature on the GaAs substrate 2 of the (001) alignment or on the epitaxial growth layer of the (001) alignment using the Ga atoms, As atoms and Er atoms as the molecular beam sources.例文帳に追加

Ｇａ原子、Ａｓ原子及びＥｒ原子を分子線源とし、（００１）面方位ＧａＡｓ基板２上、または（００１）面方位エピタキシャル成長層上に、分子線源の蒸発速度と、エピタキシャル成長温度とを同時に制御してエピタキシャル成長し、Ｅｒ原子をＧａＡｓ結晶の格子間位置に配位させることにより製作できる。 - 特許庁

For reducing vibrations of the building 20 occurring by vibrations transferred through the ground G, the granular organic foam 1 is prepared, the granular organic foam 1 is paved on the excavated bottom G1 of an excavated groove GA excavated for constructing a continuous footing 21 to form an organic foam layer 10, and the continuous footing 21 can be constructed on the organic foam layer 10.例文帳に追加

地盤Ｇを介して伝播する振動によって生じる建造物２０の振動を低減させるため、粒子状の有機系発泡体１を用意し、布基礎２１を構築するために掘削した掘削溝ＧＡの掘削底Ｇ１に粒子状の有機系発泡体１を敷き詰めて有機系発泡体層１０を形成し、有機系発泡体層１０上に布基礎２１を構築するようにした。 - 特許庁

The hot water reservoir facility in the rock for reserving hot water in a tunnel-formed reservoir 1 provided in the rock G and discharging the hot water from the reservoir 1 to use for generation of electrical energy is formed with slits 2 of a predetermined depth for releasing the thermal stress at predetermined intervals in an axial direction of the reservoir 1 on a rock Ga on a surface of the reservoir 1.例文帳に追加

岩盤Ｇ内に設けたトンネル状の貯槽１に熱水を貯蔵し、その貯槽１から熱水を払い出して発電等に利用する岩盤内熱水貯蔵施設であって、貯槽１の表層部の岩盤Ｇａに熱応力を解放するための所定深さのスリット２を貯槽１の軸方向に所定間隔おきに形成する。 - 特許庁

As New Year's movies to be released on the New Year's Eve, the company distributed "Seishun no Hika"(Elegy of Adolescence) directed by Bansho KANAMORI to the Narukofuji-kan theater and also went as far as to distribute a double feature of "Gion Jowa Tsubomi no Mama"(Love story in Gion, a budding woman) also directed by Kanamori and "Otoko ga Tsuma wo Erabutoki" (When a man choose his wife) directed by Shusei GOTO to the 'Asakusa Opera-kan Theater' which had been built after reconstruction of Asakusa area. 例文帳に追加

年末12月31日公開の正月映画として、金森万象監督の『青春の悲歌』を「成子不二館」に、おなじく金森監督の『祇園情話蕾のまゝ』と後藤秋声監督の『男が妻を選ぶ時』の2本立て番組を復興後の浅草に建った「浅草オペラ館」にきっちり供給した。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

In a p-type GaN semiconductor thin-film electrode for ohmic contact including a first electrode layer and a second electrode layer laminated in order on a p-type GaN semiconductor layer, the first electrode layer may include a Ni, Cu or Co-based alloy or solid solution which can form p-type thermoelectric oxide, or Ni oxide in which at least any one component selected from Al, Ga and In is doped.例文帳に追加

ｐ型ＧａＮ半導体層上に順次に積層された第１電極層および第２電極層を含むｐ型ＧａＮ半導体のオーム接触用薄膜電極の、前記第１電極層は、ｐ型熱電酸化物を形成できるＮｉ、ＣｕもしくはＣｏ系の合金または固溶体を含むか、またはＡｌ、ＧａおよびＩｎのうち選択された少なくとも何れか一つの成分がドーピングされたＮｉ酸化物を含みうる。 - 特許庁

A target current setting part to set a target value of a current fed to a motor decides fundamental assist amperage Ia for obtaining a proper steering assist force on the basis of a steering torque sensing value and a vehicle speed sensing value and calculates a current target value It by multiplying the fundamental assist amperage Ia by an assist gain Ga.例文帳に追加

モータに流すべき電流の目標値を設定する目標電流設定部は、操舵トルク検出値と車速検出値とに基づき適切な操舵補助力を得るための基本アシスト電流値Ｉａを決定し、基本アシスト電流値ＩａにアシストゲインＧａを乗じることにより電流目標値Ｉｔを算出する。 - 特許庁

The ECU 1A is provided with an injection condition determination means determining fuel injection quantity of each divided injection and an interval between each divided injection based on engine speed NE and intake air quantity Ga which are operation conditions of the engine 50 in dividing and injecting fuel injection quantity necessary for a target air-fuel ratio.例文帳に追加

また目標空燃比に対して必要な燃料噴射量を分割して噴射するにあたっては、ＥＣＵ１Ａは具体的にはエンジン５０の運転状態である吸入空気量Ｇａと回転数ＮＥとに基づき、各分割噴射の燃料噴射量と、各分割噴射間のインターバルとを決定する噴射条件決定手段をさらに備える。 - 特許庁

In the gallium nitride semiconductor crystal 2, the growth surface becomes a nonpolar surface instead of an N (nitrogen) polar surface and a Ga polar surface, thus reducing the magnitude of an electric field due to the spontaneous polarization and the piezo polarization generated on the interface of p-side GaN/AlGaN and hence avoiding carrier depletion.例文帳に追加

これらの窒化ガリウム半導体結晶２は、その成長表面がＮ（窒素）極性面やＧａ極性面ではなく、無極性面となるので、ｐ側のＧａＮ／ＡｌＧａＮの界面で発生する自発分極やピエゾ分極による電界の大きさを小さくすることができ、キャリア空乏化を回避することができる。 - 特許庁

Even if the output of an inverter circuit 1 varies and voltage fluctuation value occurs, variation in voltages generated at a secondary side coil connected in parallel is suppressed for improved uniformity in parallel outputs on the secondary side, since primary side coils 42 and 43 (242 and 243) of two transformers GA and GB are connected in series, thanks to the DC/DC converter.例文帳に追加

このＤＣ／ＤＣコンバータによれば、インバータ回路１の出力がばらつき、その電圧値に変動等があった場合においても、２つのトランスＧＡ、ＧＢが備える１次側のコイル４２，４３（２４２，２４３）が互いに直列に接続されているため、並列接続された２次側コイルで発生する電圧ばらつきを抑制することができ、２次側の並列出力の均一性を向上させることができる。 - 特許庁

A plurality of electro-optic elements E are disposed on a display panel 10, according to intersections of a plurality of scanning lines 12 and a plurality of data lines 14; the electro-optic elements E including a plurality of first image display elements E1 displaying a first image GA and a plurality of second image display elements E2 displaying a second image GB.例文帳に追加

表示パネル１０には、複数の走査線１２と複数のデータ線１４との各交差に対応して配置される複数の電気光学素子Ｅが配置され、複数の電気光学素子Ｅは第１画像ＧＡを表示する複数の第１画像表示用素子Ｅ１と、第２画像ＧＢを表示する第２画像表示用素子Ｅ２とからなる。 - 特許庁

The pneumatic tire is lined with an inner liner layer 8 for preventing air permeation and has main grooves 9 extending in a circumferential direction of the tire on the outer circumference of a tread 1, wherein the thickness Gt of inner liner layers 8t in regions corresponding to the main grooves 9 is greater than the thickness Ga of the inner liner layer 8 not in that regions.例文帳に追加

タイヤの内側に空気透過防止用のインナーライナー層８を内貼りし、トレッド１の外周にタイヤ周方向に延長する主溝９を配置した空気入りタイヤにおいて、主溝９に対応する領域のインナーライナー層８ｔの厚さＧｔを、この領域以外のインナーライナー層８の厚さＧａよりも大きくしたことを特徴とする。 - 特許庁

During the work processing, in a condition that at least more than two work clamping devices continue to clamp the work, a processed work Ga is clamped by other clamping device at one end of the carriage base and carried out to a product transfer device 73 installed on the lower part of one end of the carriage base by being extended in the Y-axis direction without interrupting the work processing.例文帳に追加

このワーク加工中に、少なくとも２個以上のワーククランプ装置によるワーククランプを続行している状態でキャリッジベースの一端側の他のワーククランプ装置により加工済みワークＧａをクランプし、ワーク加工を中断することなく加工済みワークをキャリッジベースの一端側の下方にＹ軸方向に延伸して設けた製品搬送装置７３へ搬出する。 - 特許庁

A vapor concentration correcting coefficient FGPG at fuel injection time TAU is calculated on the basis of changes in an air/fuel ratio if gas in the air chamber 46 is purged toward an intake passage 50 of an internal combustion engine, with keeping an engine speed NE and intake air amount Ga of the internal combustion engine 20 at a constant value.例文帳に追加

内燃機関２０の機関回転数ＮＥおよび吸入空気量Ｇａを共に一定値に維持した状態で、空気室４６内のガスを内燃機関の吸気通路５０に向けてパージした場合の空燃比の変化に基づいて、燃料噴射時間ＴＡＵにおけるベーパ濃度補正係数ＦＧＰＧを算出する。 - 特許庁

A phosphor layer of this plasma display panel is formed by attaching at least one of metal oxide fine particles containing at least one of Al, Zn, In, Ga, Ge, and Bi and diamond fine particles as modifying material for improving luminance on a surface of a phosphor particle or by mixing with the phosphor particle in a matrix of the phosphor layer.例文帳に追加

Ａｌ，Ｚｎ，Ｉｎ，Ｇａ，ＧｅおよびＢｉの少なくとも一種を含む金属酸化物微粒子、およびダイヤモンド微粒子から選ばれる少なくとも一つを輝度改善修飾材料として蛍光体粒子の表面に付着させるか、もしくは蛍光体層のマトリックス中に蛍光体粒子と共に混在させて、プラズマディスプレイパネルの蛍光体層を構成する。 - 特許庁

This control device calculates the rotating speed of the turbo charger on the basis of the output signal Ga of an air flowmeter 53, the output signal Tt of an atmospheric temperature sensor 55, the inlet pressure of a compressor impeller 42, and the output pressure of the compressor impeller 42, and executes an engine control according to the rotating speed.例文帳に追加

この制御装置は、エアフローメータ５３の出力信号Ｇａ、大気温センサ５５の出力信号Ｔｔ、コンプレッサインペラ４２の入口圧力、及びコンプレッサインペラ４２の出口圧力に基づいてターボチャージャの回転速度を算出し、同回転速度に応じた機関制御を実行する。 - 特許庁

A target electric current setting part 12 for setting a target value of the electric current to be supplied to a motor determines a basic assist electric current value Ia based on a steering torque detection value T and a vehicle speed detection value V, and multiplies the basic assist electric current value Ia by an assist gain Ga so as to calculate an electric current target value It.例文帳に追加

モータに流すべき電流の目標値を設定する目標電流設定部１２は、操舵トルク検出値Ｔと車速検出値Ｖに基づき基本アシスト電流値Ｉａを決定し、基本アシスト電流値ＩａにアシストゲインＧａを乗じることにより電流目標値Ｉｔを算出する。 - 特許庁

The thin film transistor and the indication element equipped therewith are provided on the transparent substrate 20 with a transparent semiconductor layer 26 including more than one element selected from Al, Ga, In, nitrogen and hydrogen, a transparent source electrode 28 as well as a transparent drain electrode 30 which are constituted so that at least one part of each electrode is contacted with the transparent semiconductor layer 26, and a transparent gate electrode 22.例文帳に追加

透明基板２０上に、Ａｌ，Ｇａ，Ｉｎから選択される一つ以上の元素とチッ素と水素を含む透明半導体層２６と、前記透明半導体層２６に少なくとも一部を接触してなる透明ソース電極２８及び透明ドレイン電極３０と、透明ゲート電極２２と、を有することを特徴とする薄膜トランジスタ、及びそれを備えた表示素子である。 - 特許庁

On the layer 11, an undoped lower GaAs spacer layer 4, a multi-quantum well active layer composed of three active layers (quantum well active layer) 12 as Ga_xIn_1-xAs quantum well layers and GaAs barrier layers (20 nm) 13, and an undoped upper GaAs spacer layer 4 are laminated to form a resonator which has a thickness λ of one oscillation wavelength λin a medium.例文帳に追加

そしてその上にアンドープ下部ＧａＡｓスペーサ層４と、３層のＧａ_ｘＩｎ_１−ｘＡｓ量子井戸層である活性層（量子井戸活性層）１２とＧａＡｓバリア層（２０ｎｍ）１３からなる多重量子井戸活性層と、アンドープ上部ＧａＡｓスペーサ層４とが積層されて、媒質内における発振波長λの１波長分の厚さ（λの厚さ）の共振器を形成している。 - 特許庁

The compound semiconductor substrate is manufactured by forming a CaN compound semiconductor layer 3 on a Zr_XTi_1-XB_2 single-crystal substrate 1 by epitaxial growth via an interposed reactive layer 2, containing at least one of B, Zr, and Ti from the Zr_XTi_1-XB_2 single-crystal substrate 1 and at least one of Ga and N from the CaN compound semiconductor layer 3.例文帳に追加

化合物半導体基板は、Ｚｒ_ｘＴｉ_１−ｘＢ_２単結晶基板１上に、ＧａＮ系化合物半導体層３を、間にＺｒ_ｘＴｉ_１−ｘＢ_２単結晶基板１からのＢ，Ｚｒ，Ｔｉの少なくとも１種と、ＧａＮ化合物半導体層３からのＧａ及びＮの少なくとも１種とを含む反応層２を介在させてエピタキシャル成長させた。 - 特許庁

In the method of growing group III-V compound semiconductor, a second group III-V compound semiconductor containing nitrogen and arsenic (group V component) is grown on a semiconductor region comprising a first group III-V compound semiconductor containing arsenic and phosphorous (group V component), using a first material gas (N source), a second material gas (As source), and a third material gas (Ga source, and In source).例文帳に追加

III−Ｖ化合物半導体を成長する方法では、第１の原料ガス（Ｎソース）、第２の原料ガス（Ａｓソース）および第３の原料ガス（Ｇａソース、Ｉｎソース）を用いて、ヒ素およびリン（Ｖ族構成元素）を含む第１のIII−Ｖ化合物半導体からなる半導体領域上に、窒素およびヒ素（Ｖ族構成元素）を含む第２のIII−Ｖ化合物半導体を成長する。 - 特許庁

p-GaN11 is grown in condition that the surface potential (relative to the electron) at a growth surface 13 drops and the energy band is bent largely, so as to make p-GaN11 which has ionized Ga voids 14 in the vicinity of the growth surface 13, and a metal is accumulated on the growth face 13 to constitute a low-resistance ohmic electrode.例文帳に追加

成長表面１３における（電子に対する）表面電位が下がり、エネルギーバンドが大きく曲がっている状態でｐ-ＧａＮ１１を成長させ、成長表面１３の近傍にイオン化したＧａ空孔１４を有するｐ-ＧａＮ１１とし、成長表面１３に金属を堆積して低抵抗なオーミック電極を構成する。 - 特許庁

The method of manufacturing gallium nitride system semiconductor comprises the steps of preparing a gallium oxide substrate (S1); modifying the front surface of a gallium oxide substrate into nitride, and forming a surface nitride layer having Ga-N engagement by physical and chemical pretreatment to the front surface of a gallium oxide substrate (S2); and forming a gallium nitride system semiconductor layer on the surface nitride layer (S4).例文帳に追加

本発明に伴う窒化ガリウム系半導体の製造方法は、ガリウム酸化物基板を準備する段階と;上記ガリウム酸化物基板表面に対する物理的化学的前処理により上記ガリウム酸化物基板表面を窒化物に改質させＧａ-Ｎ結合を有する表面窒化物層を形成する段階と;上記表面窒化物層上に窒化ガリウム系半導体層を形成する段階を含む。 - 特許庁

Dopants, for example an n-type dopant like Ga which is an element of group III and p-type dopant like N which is an element of group V, are doped on a ZnO crystal layer, wherein the n-type dopant is more than the p-type dopant and the n-type dopant is dorped at the impurity concentration of 1×1018 cm-3 or higher.例文帳に追加

ＺｎＯ結晶層にドーパントとして、たとえばＧａのようなIII族元素などのｎ型ドーパントと、たとえばＮのようなＶ族元素などのｐ型ドーパントとがドーピングされ、そのｎ型ドーパントがｐ型ドーパントより多く、かつ、ｎ型ドーパントが１×１０^18ｃｍ^-3以上の不純物濃度にドーピングされている。 - 特許庁

An organic resin coated steel comprises a chemical conversion layer and an organic resin layer successively laminated on a steel, wherein the chemical conversion layer contains one or more compositions selected from a group consisting of hydroxides or oxyhydroxide of Al, Ga, In and Tl, and the deposition of the metal elements is 0.01-10 g/m^2 in total.例文帳に追加

鋼材に、化成処理層、有機樹脂層を順次積層して成る有機樹脂被覆鋼材において、化成処理層が、Ａｌ、Ｇａ、Ｉｎ、Ｔｌの水酸化物あるいはオキシ水酸化物から成る群から１つ以上選ばれた組成物を含み、その金属元素の付着量が合計で０．０１〜１０ｇ／ｍ^2であることを特徴とする被覆鋼材である。 - 特許庁

To provide a method capable of manufacturing a high-quality gallium nitride semiconductor substrate while suppressing crystal degradation caused by the reaction of Ga and Si and suppressing occurrence of cracking caused by the difference in thermal expansion coefficients of GaN and Si in the process of forming a thick film gallium nitride semiconductor layer on a Si(111) face by using a vapor phase growth method.例文帳に追加

Ｓｉ（１１１）面上に気相成長法を利用して、厚膜の窒化ガリウム系半導体層を形成する際、ＧａとＳｉに因る反応に起因する結晶劣化、ＧａＮとＳｉの熱膨張係数差に起因するクラッキング発生を抑制し、良質な窒化ガリウム系半導体基板の作製を可能とする作製方法の提供。 - 特許庁

The transparent electrode base material 10 at least equipped with a transparent base material 11 and a transparent conductive layer 12 arranged on one of its face is provided with at least one intermediate layer 13 consisting of indium oxide containing a transition element and/or Ga between the transparent base material 11 and the transparent conductive layer 12.例文帳に追加

透明基材１１及びこの一面に配した透明導電層１２を少なくとも備えた透明電極基材１０であって、前記透明基材１１と前記透明導電層１２との間には、遷移元素及び／又はＧａを含む酸化インジウムからなる少なくとも１層の中間層１３を有することを特徴とする透明電極基材を提供する。 - 特許庁

This invention provides: the cathode catalyst for a fuel cell which contains one kind of metal selected from the group consisting of In and Ga, and Ru-Ch supported on the metal, and is characterized in that Ch is one kind of element selected from the group consisting of S, Se and Te; the membrane-electrode assembly for a fuel cell; and the fuel cell system each including the cathode catalyst.例文帳に追加

本発明によれば、Ｉｎ及びＧａからなる群より選択される一種の金属と、金属に担持されるＲｕ−Ｃｈと、を含み、Ｃｈは、Ｓ、Ｓｅ、及びＴｅからなる群より選択される一種の元素であることを特徴とする燃料電池用カソード触媒と、このカソード触媒を含む燃料電池用膜電極接合体、及び燃料電池システムが提供される。 - 特許庁

In an optimization system calculating the optimum solution suited to evaluation conditions for which a plurality of conditions are combined by using the genetic algorithm, a GA engine 1 outputting the candidates of the solution suited to individually set evaluation conditions as evolution individual groups PGn (n=1 to N) on the basis of the genetic algorithm is provided in a plurality of stages from a low order to a high order.例文帳に追加

複数の条件が組み合わさった評価条件に適合した最適解を遺伝的アルゴリズムを用いて算出する最適化システムにおいて、遺伝的アルゴリズムに基づいて、個別に設定された評価条件に適合した解の候補を進化個体群ＰＧn（n＝1〜N）として出力するＧＡエンジン１が、下位から上位に亘って複数段設けられている。 - 特許庁

A switching circuit SW switches a refresh address signal RA or an external address signal EA based on the refresh request signal RQ and outputs it, and a common address signal line GAL outputs the external address signal EA or the refresh address signal RA outputted from the switching circuit SW as a common address signal GA.例文帳に追加

切替え回路ＳＷは、リフレッシュリクエスト信号ＲＱに基づいて、リフレッシュアドレス信号ＲＡと外部アドレス信号ＥＡとを切替えて出力し、共通アドレス信号線ＧＡＬは、切替え回路ＳＷから出力される外部アドレス信号ＥＡあるいはリフレッシュアドレス信号ＲＡを、共通アドレス信号ＧＡとして出力する。 - 特許庁