「GA on」に関連した英語例文の一覧と使い方(6ページ目) - Weblio英語例文検索

The solar battery 10 consists of a transparent conductive substrate 1, a p-layer 2 made of Cu_2O and an amorphous In-Ga-Zn-O n-layer 3 formed on the substrate 1 by sputtering, and a metallic electrode 4 provided on the n-layer 3.例文帳に追加

太陽電池１０は、透明導電性基板１と、基板１上にスパッタリングによって形成された、Ｃｕ_２Ｏよりなるｐ層２及びアモルファス状態のＩｎ−Ｇａ−Ｚｎ−Ｏｎ層３と、このｎ層３上に設けられた金属電極４とからなる。 - 特許庁

A GaN single crystal 20 is grown on a crystal growth surface of a seed crystal (GaN layer 13) on the basis of the flux method in a nitrogen (N_2) atmosphere at 3.7 MPa and 870°C employing a flux mixture including Ga, Na and Li at about 870°C.例文帳に追加

フラックス法に基づいて、３．７ＭＰａ、８７０℃の窒素（Ｎ_2 ）雰囲気下において、略同温のＧａ，Ｎａ及びＬｉの混合フラックスの中で、ＧａＮ単結晶２０を種結晶（ＧａＮ層１３）の結晶成長面から成長させる。 - 特許庁

This food is obtained by printing a picture G having a picture main part GA which is obtained by processing an original picture such as photograph or the like on an edible film F using an edible ink, cutting the edible film printed with the picture G into a proper size and then pasting the film on to a food.例文帳に追加

可食フィルムＦに可食インキを用いて写真等の原画を加工して得られる画像主部ＧＡを有した画像Ｇを印刷し、この画像Ｇが印刷された可食フィルムを適宜の大きさに裁断して食品に貼着する。 - 特許庁

Then, the ECU calculates a temperature difference ΔT between an upstream end and a downstream end of a PM filter 44 based on an exhaust gas amount Ga and exhaust temperature T6, and calculates an unburnt PM amount based on the temperature difference ΔT and a floor temperature at the downstream end of the PM filter 44 (Step S14).例文帳に追加

次に、ＥＣＵは、排気ガス量Ｇａおよび排気温度Ｔ６ＰＭに基づいてＰＭフィルタ４４の上流端部と下流端部との温度差ΔＴを算出し、温度差ΔＴおよびＰＭフィルタ４４の下流端部における床温とに基づいてＰＭの燃え残り量を算出する（ステップＳ１４）。 - 特許庁

Furthermore, in the electronic document production system, an anti-alias layer LA is generated which is a layer having a binarized image GA produced on the basis of the edge image, and being superimposed on the character image layer LC in a translucent state.例文帳に追加

また、電子文書生成システムは、当該エッジ画像に基づいて生成された二値化画像ＧＡを有するレイヤであって、文字画像レイヤＬＣに半透過状態で重畳されるレイヤであるアンチエイリアスレイヤＬＡを生成する。 - 特許庁

The analog attenuator 13 applies on /off control to the switching elements Q0-Q23 depending on data GA supplied externally from the control section 15 and attenuates the analog signal SLA with a voltage division ratio of the load resistors R0-R23, r0-r23 and output an attenuated analog signal SLB.例文帳に追加

アナログアッテネータ１３では、制御部１５から外部供給されるデータＧＡによってスイッチング素子Ｑ０〜Ｑ２３をオン又オフ制御し、荷重抵抗Ｒ０〜Ｒ２３，ｒ０〜ｒ２３の分圧比によってアナログ信号ＳＬＡを減衰させ、減衰させたアナログ信号ＳＬＢを出力する。 - 特許庁

On the other hand, the output peak level determination section 43 detects Vip that is information relating to a peak level of an input signal, from a peak level detection means 16 and determines an output peak level Vop based on the Vip and the value of the entire gain Ga.例文帳に追加

一方で、出力ピークレベル決定部４３は、ピークレベル検出手段１６から入力信号のピークレベルの情報であるＶｉｐを検出し、Ｖｉｐと全体ゲインＧａの値に基づいて出力ピークレベルＶｏｐを決定する。 - 特許庁

The founder of the sect, Kukai (774-835) was born at Byobu-ga-ura Sanuki-no-kuni (讃岐国屏風浦) (current Zentsu-ji City, Kagawa Prefecture); and as a thinker, writer and talented calligrapher from among the Sanpitsu (the three great calligraphers of history), as well as a Buddhist, he had a strong influence on Japanese culture in later years. 例文帳に追加

宗祖・空海（774-835年）は、讃岐国屏風浦（現・香川県善通寺市）の出身で、仏教者であるとともに思想家、著述家、また「三筆」の1人に数えられる能書家として、後の日本文化に多大な影響を与えた人物である。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Famous ones are the Hollyhock of Aoi festival mentioned above, kokoroba (artificial flowers) of a plum blossom and Ground Pine worn on the headdress by Omi (officials serving for Shinto rites), Hollyhock and Moonflower (also Chinese bellflower) worn by sumo wrestlers at Sumai no sechie (the Imperial ceremony of Sumo wrestling), and scarlet maple and Chrysanthemum (utsuroi-giku (reverse chrysanthemum)) in "Momiji no Ga (The Autumn Excursion)" in the Tale of Genji, though this is a fiction. 例文帳に追加

有名なものには先に述べた葵祭の葵、小忌の人が冠に飾る心葉（梅）と日陰葛、相撲節会の力士が飾る葵とユウガオ（キキョウも用いる）、フィクションだが源氏物語「紅葉賀」の紅葉と菊（移菊）などがある。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The phrase 'shiraha no ya ga tatsu' which means to be selected among people originates from the tale which has been transmitted in various parts of Japan, that is, 'an arrow is shot as a sign on the roof of the house of which daughter becomes a victim of god or a monster,' so that it does not have a good meaning originally and shows the spiritual aspect of Yumiya. 例文帳に追加

望まれて抜擢されるという意味の「白羽の矢が立つ」とは、元は「神や物の怪の生け贄となる娘の選択の明示として、その娘の家の屋根に矢が立つ（刺さる）」という、日本各地で伝承される話から来ており、本来は良い意味ではなく、心霊現象としての弓矢を現してる。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The relation between the winter solstice and yuzu is not necessarily clear, but the practice of yuzuyu appeared after the birth of sento and according to one theory, it is related with the play on words linking "湯治, toji" (hot spring cure) and "冬至, toji" (winter solstice) and the idea that if the body is healthy, it is "yuzu-ga-kiku" (malleable, adaptable). 例文帳に追加

冬至と柚子との関連はかならずしも明らかでないが柚子湯の習慣は銭湯の登場以後のことであり、一説に湯治（とうじ）と冬至（とうじ）との語呂合わせで、身体息災であれば融通（ゆうずう）がきくとのこじつけであるという。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

On the other hand, it seems that the mass media and entertainers say '"u chimasho (not "uchima hyo," the beginning part is made long) or "shi memasho" don, don, "mohitotsu se ei" don, don, "iwo te sando" dodon ga don,' but these should be treated as something that are different from the danjiri teuchi. 例文帳に追加

一方で、マスコミや芸人は、「『打ーちましょう（『打ちまーひょ』とせず、最初を伸ばす）または『締ーめましょ』ドンドン、『も一つせぇい』ドンドン、『祝ぉて三度』ドドンがドン」としているようだが、こちらは地車の手打ちとは別物として扱うべきであろう。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

He left Nikkatsu after making "Watashi ga suteta onna" (The Girl I Abandoned), an attempt at experimental direction based on Shusaku ENDO's novel, and he directed "Seishun no mon" (The Gate of Youth) as Shinobu OTAKE'S debut, "Seishun no mon: Jiritsu hen" (The Gate of Youth Part 2) and TV drama "Kiga kaikyo" (Straits of Hunger). 例文帳に追加

遠藤周作の原作をもとに実験的演出を試みた『わたしが・棄てた・女』を撮ったのち日活を離れ、大竹しのぶのデビュー作となった『青春の門』、『青春の門・自立篇』、テレビドラマ『飢餓海峡』などを演出する。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Typical examples of these include Tsutsuji-ga-saki Castle (Yamanashi Prefecture) of the Takeda clan in the Kai Province and Ichijodani Asakura Clan Ruins (Fukui Prefecture) in the Echizen Province; Ichijodani Castle had a residence and their castle town within the valley and defend themselves making the castle on the peak of the mountain as their base when enemies attacked them. 例文帳に追加

典型例は、甲斐国武田氏の躑躅ヶ崎館（山梨県）や越前国朝倉氏の一乗谷朝倉氏遺跡（福井県）などがあり、一乗谷城は谷間に城下町と居館としての館を築き、有事に際しては山頂に築かれた城郭を拠点として防衛にあたった。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

In this semiconductor element, a compound semiconductor layer containing nitride based compound semiconductor composed of at least one element selected out of at least Al, Ga and In, and nitrogen element is formed as a window layer on a semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板上に、少なくともＡｌ，Ｇａ及びＩｎから選択される１以上の元素と窒素元素とからなる窒化物系化合物半導体を含有する化合物半導体層を窓層として形成したことを特徴とする半導体素子である。 - 特許庁

To provide a method of forming a III-V compound semiconductor layer capable of reducing a hydrogen concentration in a III-V compound semiconductor crystal containing Ga (group III) and arsenic and nitrogen (group V) and reducing pile-up on a regrowth interface as well.例文帳に追加

本発明によれば、Ｇａ（III族）とヒ素、窒素（Ｖ族）とを含むIII−Ｖ化合物半導体結晶中の水素濃度を低減可能であり、再成長界面におけるパイルアップも低減可能な、III−Ｖ化合物半導体層を形成する方法が提供される。 - 特許庁

The iron-containing reactant gas G_FeComp, a nitrogen element-containing first substance gas G_N from a nitrogen source 17 and a gallium element-containing second substance gas G_Ga are supplied to a reaction tube 21 to form iron-added gallium nitride 23 on the substrate 1.例文帳に追加

この生成と共に、鉄含有反応物Ｇ_ＦｅＣｏｍｐ、窒素ソース１７からの窒素元素を含む第１の物質のガスＧ_Ｎおよびガリウム元素を含む第２の物質のガスＧ_Ｇａを反応管２１に供給して、鉄が添加された窒化ガリウム２３を基板１上に形成する。 - 特許庁

The manufacturing method includes an embedding step to form a buried layer 14 by achieving the growth of semiconductor crystal containing In or Ga as a group III element while supplying oxygen in a step region M1 present on the (100) surface of group III-V compound semiconductor crystal.例文帳に追加

ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体結晶の（１００）面上に存在する段差領域Ｍ１を、酸素を供給しながらＩＩＩ族元素としてＩｎ又はＧａを含む半導体結晶を成長させて埋込層１４を形成する埋込工程を含む。 - 特許庁

A semiconductor laser having the end face window structure is manufactured on a portion of the n-type GaN substrate 11 that is not covered with the insulating film mask 16 by growing a GaN based semiconductor layer 25 containing an active layer 19 comprising the nitride based III-V compound semiconductor containing In and Ga.例文帳に追加

この絶縁膜マスク１６で覆われていない部分のｎ型ＧａＮ基板１１上に、ＩｎおよびＧａを含む窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる活性層１９を含むＧａＮ系半導体層２５を成長させることにより、端面窓構造を有する半導体レーザを製造する。 - 特許庁

In the method comprising a step wherein a semiconductor layer composed of a group III nitride compound semiconductor containing Ga as a group III element is formed on a substrate 11 by sputtering, when the semiconductor layer is formed, the sputtering is performed while supplying nitrogen and argon into a chamber which is used for the sputtering.例文帳に追加

基板１１上に、ＩＩＩ族元素としてＧａを含むＩＩＩ族窒化物化合物半導体からなる半導体層をスパッタ法によって成膜する工程を含む方法であり、前記半導体層を成膜する際、スパッタに用いるチャンバ内に、窒素及びアルゴンを供給してスパッタする。 - 特許庁

An optical semiconductor device includes: a Ge layer 2; a first GaAs layer 3 which is formed on the Ge layer 2 and in which an As site of GaAs is partially substituted with Ga; and an active layer 4, containing GaAs, formed above the first GaAs layer 3.例文帳に追加

光半導体素子を、Ｇｅ層２と、Ｇｅ層２上に形成され、ＧａＡｓのＡｓサイトの一部がＧａで置換されている第１ＧａＡｓ層３と、第１ＧａＡｓ層３の上方に形成されたＧａＡｓを含む活性層４とを備えるものとする。 - 特許庁

On the n-type GaN substrate 11 in which the groove 16 is formed, a GaN-based semiconductor layer 25 which includes an active layer 19 formed of a nitride-based III-V group compound semiconductor including In and Ga is grown to manufacturer a GaN-based semiconductor laser having the end surface window structure.例文帳に追加

この溝１６が形成されたｎ型ＧａＮ基板１１上に、ＩｎおよびＧａを含む窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる活性層１９を含むＧａＮ系半導体層２５を成長させることにより、端面窓構造を有するＧａＮ系半導体レーザを製造する。 - 特許庁

A signal processing unit 38 applies, on each of the acoustic signal SIN_L and the acoustic signal SIN_R, the processing coefficient sequence GA when it is determined that the localization component exist, and applies the processing coefficient sequence GB when it is determined that no localization component exists.例文帳に追加

信号処理部３８は、音響信号ＳIN_Lおよび音響信号ＳIN_Rの各々に対し、定位成分が存在すると判定された場合に処理係数列ＧAを作用させ、定位成分が存在しないと判定された場合に処理係数列ＧBを作用させる。 - 特許庁

The device for avoiding collision of a vehicle decides the hasty degree about driving of the vehicle based on a travel state of the vehicle when the vehicle temporarily stops, and estimates an acceleration (Ga) when the vehicle starts to move after the temporary stop according to the decided hasty degree.例文帳に追加

車両が一時停止したときの該車両の走行状態に基づいて、該車両の運転についての急ぎ度合いを判定し、該判定された急ぎ度合いに応じて、該一時停止した後に車両が発進するときの加速度（Ｇａ）を推定する。 - 特許庁

Further, by adding Ga, the effect of improving the elongation properties in the solder joint is imparted together and thus, the material is made usable for the power module or the like to be used for the on-vehicle device in which durability of the soldered part is thought as important from a use environment accompanied with a severe temperature change.例文帳に追加

また、更にＧａを加えることにより、はんだ接合部の伸び性向上効果を併せて有することで過酷な温度変化を伴う使用環境からはんだ付け部の耐久性が重視される車載用のパワーデバイスに用いられるパワーモジュール等に使用が可能となる。 - 特許庁

Alternatively, a metal foil to form the negative electrode current collector 21 is prepared separately from the first laminate, and a second laminate 2 is fabricated by forming an adhesive layer 40 composed of an element selected from Si, Al, Ga, Ge, In, Sn, Tl, and Pb on one face side of that metal foil by a vapor-phase method.例文帳に追加

一方、第一積層体１とは別個に、負極集電体２１となる金属箔を用意し、その金属箔の一面側に、Ｓｉ，Ａｌ，Ｇａ，Ｇｅ，Ｉｎ，Ｓｎ，ＴｌおよびＰｂから選択される元素からなる接着層４０を気相法により形成して第二積層体２を作製する。 - 特許庁

A second ridge-shaped upper clad layer 6 and a contact layer 7 are formed by an etching using a mask 8 consisting of an SiO2 film and following the formation, optical confinement layers 10 which are N-type Aly2 Ga(1-y2)As layers are selectively formed on both sides of a ridge part 12 utilizing the mask 8 by an MOCVD method.例文帳に追加

ＳｉＯ_2よりなるマスク８を用いたエッチングにより、リッジ形状の上部第２クラッド層６およびコンタクト層７を形成し、続いてＭＯＣＶＤ法により、マスク８を利用して、ｎ型Ａｌ_y2Ｇａ_(1-y2)Ａｓである光閉じ込め層１０を、リッジ部１２の両側に選択的に形成する。 - 特許庁

In the transferring step, the molten glass lump GA on the reception surface 211 is transferred to the molding surface 311 while keeping a state being in contact with the molding surface 311 by rotating the reception mold 20 or the reception mold 20 and the molding mold 30 while the reception mold 20 and the molding mold 30 are approaching each other.例文帳に追加

移送工程では、受け型２０及び成形型３０を互いに近接しつつ、受け型２０、又は受け型２０及び成形型３０を回転することで、受け面２１１上の溶融ガラス塊ＧＡを、成形面３１１に接触する状態を維持しつつ成形面３１１へと移す。 - 特許庁

An address marker AD for allocating order numbers and a 1st spot marker SP1 are arranged in the front of an intersection part K along guide lines GA, GB,... for guiding a traveling route and a 2nd spot marker SP2 is arranged on a position passing the intersection part K.例文帳に追加

走行経路を案内するガイドラインＧＡ、ＧＢ、・・にそって交差部Ｋの手前に順位番号を与えるアドレスマーカＡＤと第１のスポットマーカＳＰ１が配置され、交差部を通過した位置には第２のスポットマーカＳＰ２が配置される。 - 特許庁

When the failure of an operating angle sensor is determined (S100: Yes), an estimated operating angle INCAMe which is the estimate of an operating angle is obtained based on an intake air quantity GA, intake pressure PM and valve timing INVT (S120).例文帳に追加

作用角センサに故障が生じている旨判定された場合には（Ｓ１００：ＹＥＳ）、吸入空気量ＧＡ、吸気圧ＰＭ、及びバルブタイミングＩＮＶＴに基づいて作用角の推定値である推定作用角ＩＮＣＡＭｅを求める（Ｓ１２０）。 - 特許庁

The purification filter comprises a whisker formed on a raw material substrate made of an alloy or a ceramic containing Mn, Al, Cr, In, Ag, Ga, Sn, Cu, Sc, Ge, Ti, Si, and the like.例文帳に追加

原料基体上にウィスカーを形成して成る浄化フィルターであって、 上記原料基体が、Ｍｎ、Ａｌ、Ｃｒ、Ｉｎ、Ａｇ、Ｇａ、Ｓｎ、Ｃｕ、Ｓｃ、Ｇｅ、Ｔｉ及びＳｉなどを含む合金やセラミックスより成る原料基体上にウィスカーを形成して成る浄化フィルターである。 - 特許庁

The initial nucleus is grown by introducing an NH3 gas together with an N2 gas which is a carrier gas through a reaction gas introduction pipe 5 and by introducing a GaCl gas through a reaction gas introduction pipe 8 having a raw material carrying chamber 7 on which a metal Ga 6 is placed together with an N2 gas which is a carrier gas and an H2 gas.例文帳に追加

初期核は、反応ガス導入管５によりＮＨ3ガスをキャリアガスであるＮ2ガスと共に導入し、金属Ｇａ６が載置された原料載置室７を有する反応ガス導入管８によりＧａＣｌガスをキャリアガスであるＮ2ガスとＨ2ガスと共に導入して、成長させる。 - 特許庁

The method of growing Al_xGa_1-xN (0≤x≤1) crystal includes: preparing a foundation substrate 10; and bringing a solution 7 prepared by dissolving 5 nitrogen in a Ga-molten liquid 3 containing Al into contact with the foundation substrate 10 to grow at least one layer of Al_xGa_1-xN crystal 20 on the foundation substrate 10.例文帳に追加

本Ａｌ_xＧａ_1-xＮ結晶の成長方法は、下地基板１０を準備する工程と、Ａｌを含有したＧａ融液３への窒素の溶解５がされた溶液７を下地基板１０に接触させて、下地基板１０上に少なくとも１層のＡｌ_xＧａ_1-xＮ結晶２０を成長させる工程と、を備える。 - 特許庁

When forming the InGaN layer on the p-AlGaN layer, supply of trimethyl aluminum (TMA) is stopped and trimethyl indium (TMI) is supplied while keeping the growth temperature of the p-AlGaN layer thus increasing the supply amount of Ga source gas and forming an InGaN layer having a thickness of 1-2 molecular layers.例文帳に追加

ｐ−ＡｌＧａＮ層上にＩｎＧａＮ層を形成する際、ｐ−ＡｌＧａＮ層の成長温度を保持したまま、ＴＭＡの供給を停止してＴＭＩを供給し、Ｇａ源ガスの供給量を増やし、厚さ１〜２分子層のＩｎＧａＮ層を形成する。 - 特許庁

By forming an In_1-xGa_xAs polycrystalline thin film whose Ga composition x satisfies 0<x<0.5 on a glass substrate or a plastic substrate by a molecular beam deposition method, an n type III-V compound semiconductor polycrystalline thin film having the band gap larger than InAs and the sufficient electric conductivity is obtained.例文帳に追加

Ｇａ組成ｘが０＜ｘ＜０．５を満たすＩｎ_1-xＧａ_xＡｓ多結晶薄膜を、分子線蒸着法によってガラス基板又はプラスチック基板上に形成することで、バンドギャップがＩｎＡｓより大きく、十分な電気伝導性を持ったｎ型のＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体多結晶薄膜を得る。 - 特許庁

The smallest fuel injection ratio Kmin of the first fuel injection valve, at which the injection temperature of the first fuel injection valve is lower than a set temperature that prevents the accumulation of deposit, is determined based on an intake air quantity Ga and engine temperature Tw.例文帳に追加

第一燃料噴射弁の噴孔温度がデポジットの堆積を防止可能な設定温度以下となる第一燃料噴射弁の最小燃料噴射割合Ｋｍｉｎを、吸入空気量Ｇａと機関温度Ｔｗとに基づき決定する。 - 特許庁

On such a portion of the n-type GaN substrate 11, which is not covered with the insulating film mask 16, a GaN-based semiconductor layer 25 containing an active layer 19 made of a nitride-based group III-V compound semiconductor containing In and Ga is grown.例文帳に追加

この絶縁膜マスク１６で覆われていない部分のｎ型ＧａＮ基板１１上に、ＩｎおよびＧａを含む窒化物系ＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体からなる活性層１９を含むＧａＮ系半導体層２５を成長させる。 - 特許庁

This semiconductor device is provided with a semiconductor layer including N and Ga, a conductive layer ohmic-connected to the semiconductor layer, a metal distributed region existing on an interface between the semiconductor layer and the conductive layer with metal distributed, and a metal intrusion region wherein the atoms of the metal exist by entering the semiconductor layer.例文帳に追加

ＮおよびＧａを含む半導体層と、半導体層にオーミック接続される導電層と、半導体層と導電層との界面に金属が分布して存在する金属分布領域と、半導体層に金属の原子が侵入して存在する金属侵入領域と、を備える半導体装置を提供する。 - 特許庁

A catalyst for aromatizing the lower hydrocarbon comprises at least one of rhenium and compounds thereof and, if desired, at least one of zinc, Ga, Co and iron and compounds thereof as catalytic materials and is obtained by depositing the catalytic materials on porous metallosilicate having pores of 4.5-6.5 Å diameter.例文帳に追加

レニウムそれらの化合物の１種以上と、所望により、亜鉛、Ｇａ、Ｃｏ、鉄またはそれらの化合物の１種以上を触媒材料として含み、該触媒材料を４．５〜６．５Å径の細孔を有する多孔質メタロシリケートに担持する。 - 特許庁

An IGZO layer is formed on a substrate by vapor-depositing ions including In, Ga, and Zn from a first target, and the compositional ratio of In of the IGZO layer is turned to be 45 to 80 atomic% by vapor-depositing the ions including In from a second target.例文帳に追加

第１ターゲットからＩｎ、Ｇａ及びＺｎを含むイオンが蒸着されて基板上にＩＧＺＯ層が形成されるようにして、第２ターゲットからＩｎを含むイオンが蒸着されて前記ＩＧＺＯ層のＩｎの組成比が４５ないし８０ａｔ％になるようにする。 - 特許庁

Based on the amount (passage air intake amount GA) of air passing through the upstream side of a connection portion of the fresh air guide passage in the air intake passage, a throttle opening TA, and an air intake pressure PM, an estimated PCV flow rate MP is calculated (S102 and S103).例文帳に追加

吸気通路における新気導入通路の接続部分より上流側部分を通過する空気の量（通路吸気量ＧＡ）とスロットル開度ＴＡと吸気圧力ＰＭとに基づいて推定ＰＣＶ流量ＭＰを算出する（Ｓ１０２，Ｓ１０３）。 - 特許庁

On a projection plane P substantially perpendicular to the central axial line of the cylinder, axial lines Ha-Hh of injection holes of the main fuel injection valve 10 extend outward in the radial direction from the main fuel injection valve 10 and intersect an inner wall surface 5a of a concave groove so as to form main fuel collision points Ga-Gh.例文帳に追加

シリンダ中心軸線にほぼ垂直な投影面Ｐ上において、主燃料噴射弁１０の噴孔軸線Ｈａ−Ｈｈは主燃料噴射弁１０から半径方向外向きに放射状に延び、凹溝内壁面５ａと交差してそれぞれ主燃料衝突点Ｇａ−Ｇｈを形成する。 - 特許庁

An arc-shaped metal piece 15 provided with a notch Ga is welded to the welded part periphery of a power supply terminal 8 on an upper end plate 1 of a sealed vessel 4, while an arc-shaped metal piece 15a provided with a notch Gb is welded to the welded part periphery of a discharge pipe 10 as a refrigerant connection pipe.例文帳に追加

密閉容器４の上部鏡板１の電源ターミナル８の溶接部外周に切り欠き部Ｇａのある円弧状金属体１５を溶接し、また冷媒接続管である吐出管１０の溶接部外周に切り欠き部Ｇｂのある円弧状金属体１５ａを溶接する。 - 特許庁

The ultraviolet photodetector has the ultraviolet photoreceiving element provided with the photo-semiconductor layer containing at least one or more kind(s) of element(s) selected from the group comprising Al, Ga and In, and nitrogen, and the electrode, on the substrate, and the photodetector is provided with a light transmitting member for making light incident into the photo-semiconductor layer.例文帳に追加

また、基板上に、少なくとも、Ａｌ、Ｇａ及びＩｎから選ばれる１種以上の元素と、窒素とを含む光半導体層、並びに電極を設けてなる紫外線受光素子を有し、前記光半導体層に光を入射する光伝送部材を備えてなる紫外線受光器である。 - 特許庁

Even if the tip of this tooth 14 runs against near the point Ga on the tooth tip face 27 of another tooth 24 of the gear 21 when the rack is sliding, a locked condition will never be generated because the tooth tip faces do not bear each other, and meshing will accordingly be generated easily in the event of such collision.例文帳に追加

ラック１の摺動時にその歯１４の歯先が、歯車２１の歯２４の歯先面２７のうちの点Ｇａ近傍に衝突しても、互いの歯先面が担がないのでロック状態とならず、したがってこのような衝突時にはその分噛合いやすい。 - 特許庁