「GA on」に関連した英語例文の一覧と使い方(4ページ目) - Weblio英語例文検索

The method for growing a GaN crystal (5) comprises dissolving high pressure nitrogen-containing gas (4) in a Ga solvent (3) to grow the crystal in a region on the surface of a substrate (2) in contact with the Ga solvent, wherein the GaN crystal is grown in an environment where the pressure of the nitrogen-containing gas varies within a range from 0.1 to 20%.例文帳に追加

高圧の窒素含有ガス（４）をＧａ溶媒（３）に溶解させ、基板（２）表面上でＧａ溶媒が接する領域にＧａＮ結晶（５）を成長させる方法において、窒素含有ガスの圧力が０．１〜２０％の範囲内で変動する環境下でＧａＮ結晶を成長させることを特徴としている。 - 特許庁

A three-dimensional image processing part reads out, from a character storing part, a plurality grouped objects Ga to Gc into which objects for displaying individual patterns are grouped, and arranges the grouped objects Ga to Gc in sequence outside a display area set in a world coordinate system or positions without projection on a projection plane TM.例文帳に追加

３次元画像処理部は、単一の図柄を表示するためのオブジェクトをグループ化した複数個のグループ化オブジェクトＧａ〜Ｇｃをキャラクタ記憶部から読み出し、それらグループ化オブジェクトＧａ〜Ｇｃをワールド座標系に設定された表示領域外すなわち投影平面ＴＭに投影されない位置に順次配置する。 - 特許庁

Gallium nitride is grown by the molecular beam epitaxial method by supplying nitrogen atoms N and gallium atoms Ga under a gallium atom oversupply condition under which the supply ratio of nitrogen atoms N and gallium atoms Ga is set at 1:2 or above at a ratio at which gallium clusters are not formed as a factor to hinder their growth or below onto a gallium nitride (0001) surface preformed on a substrate.例文帳に追加

基板上に予形成された窒化ガリウム（０００１）表面上に、ガリウム金属クラスタが成長阻害要因として生成されない比率以下で、窒素原子Ｎとガリウム原子Ｇａとの供給比を１：２以上としたガリウム原子供給過多状態において窒素原子Ｎとガリウム原子Ｇａとを供給することにより、分子線エピタキシャル法で窒化ガリウムを成長させる。 - 特許庁

The method for discriminating the variety of the rice comprises amplifying one or more kinds of the microsatelite markers containing a repeating sequence of AT, TA, AG, GA, TC, CT, (TA+GA), ATT, AAT, TTA or ACAT present on a rice chromosome by using a DNA extracted from a rice seed as a template by a PCR, and detecting the amplification product by electrophoresis.例文帳に追加

イネ種子から抽出したＤＮＡを鋳型とし、イネ染色体上に存在するＡＴ、ＴＡ、ＡＧ、ＧＡ、ＴＣ、ＣＴ、(ＴＡ＋ＧＡ)、ＡＴＴ、ＡＡＴ、ＴＴＡ、又はＡＣＡＴの繰り返し配列を含むマイクロサテライトマーカーの１種又は複数種をＰＣＲにより増幅し、増幅産物を電気泳動により検出することを特徴とする、イネ品種を識別する方法。 - 特許庁

Some sects follow the practice that define the chuin period as the period of 35 days after the death because when the chuin period of 49 days is over three months, it reminds about the phrase 'shiju ku ga mitsuki' (literally, "forty-nine days over three months," always suffer hardship), a pun based on the pronunciation of Japanese. 例文帳に追加

他宗では、中陰（ちゅういん）が三ヶ月に跨る場合は、「四十九（日）が三月＝始終苦が身に付く」との意味から、三十五日までとする風習に従う場合もある。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Therefore, it had a wide influence to various cultures such as Confucianism Philosophy including Neo-Confucianism and Yomei-gaku (neo-Confucianism based on teaching of Wang Yangming), literature including Chinese poetry, Sansui-ga (Chinese-style landscape painting) of ink-wash painting and arts including garden making beyond the framework of a religious community. 例文帳に追加

よって、教団の枠組みを超え、朱子学・陽明学といった儒教哲学や、漢詩などの文学、水墨画による山水画や庭園造立などの美術などの、様々な文化的な事象に広範な影響を与えた。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

His famous haiku include 'Furu ike ya/kawazu tobikomu/mizu no oto' (Ah! The ancient pond, as a frog takes the plunge, sound of the water) (An autograph tanzaku (long, narrow card on which Japanese poems are written vertically) exists in Kakimori Bunko (a museum - library for the Kakimori Collection)), 'Ara umi ya/Sado ni yokotau/ama no gawa' (Turbulent sea, above Sado, stretches the Milky Way), 'Natsu-kusa ya/tsuwamono-domo ga/yume no ato' (Mounds of summer grass - the place where noble soldiers one time dreamed a dream). 例文帳に追加

「古池や蛙飛込む水の音」（柿衞文庫に直筆の短冊が現存する）、「荒海や佐渡に横たふ天の河」、「夏草や兵（つはもの）どもが夢のあと」などが有名である。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Shui shu (abridged form of Shui wakashu) in general has a plain and graceful style, and includes many poems for formal occasions such as ga no uta (poems for congratulations), byobu uta (poems matching with a painting on the byobu, folding screen), and poems for uta awase (poetry competition), and especially includes excellent ones of love, eight of which were selected for Ogura Hyakunin Isshu (the Ogura One Hundred Poets, One Poem Each). 例文帳に追加

『拾遺集』は総じて平明優美な歌風で、賀歌・屏風歌・歌合など晴れの歌が多いが、殊に恋歌はすぐれ、小倉百人一首に8首も採られている。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The first line was 'Toki wa Ima Ame ga Shita-shiru Satsuki kana' (It is May, a rainy season) composed by Mitsuhide AKECHI; the second 'Minakami masaru Niwa no Natsuyama' (river flow flashes in the garden on summer mountain) composed by Itokuin Gyoyu; and the third 'Hana otsuru Ike no nagare wo Sekitomete' (falling flowers keep back the flow of the pond) composed by Joha SATOMURA. 例文帳に追加

発句は光秀の「ときは今あめが下しる五月かな」、脇は威徳院行祐の「水上まさる庭の夏山」、第三は里村紹巴の「花落つる池の流をせきとめて」。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

In addition, according to research after the late 20th century, it is wrong to think that all paintings in Muromachi Period in Japan were Suiboku-ga, and the traditional Yamatoe painting on folding screen were also painted actively during this period. 例文帳に追加

なお、室町時代の日本画壇が水墨画一色であったと考えるのは誤りで、この時代には伝統的な大和絵の屏風も盛んに描かれていたことが、20世紀後半以降の研究で明らかになっている。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The Ami family (Noami, Geiami, and Soami) of 'Doboshu' (a kind of advisor on arts, as good consultant of things imported from China), who served the Ashikaga Shogun Family, also left the works of Suiboku-ga. 例文帳に追加

足利将軍家に仕えた「同朋衆」（唐物の目利きなど、芸術顧問的な仕事をしていた）の阿弥派一族（能阿弥、芸阿弥、相阿弥）も水墨の作品を残している。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The lyrics of the accompanying song are like this: 'Seven herbs, shepherd's purse, birds from China, towards the land of Japan, towards the place where they do not cross to, now together, Batakusa Batakusa ('Nanakusa nazuna toudo no tori ga, nihon no tochi ni, wataranusaki ni, awasete, Batakusa Batakusa)'; the song varies, depending on the area. 例文帳に追加

歌の歌詞は「七草なずな　唐土の鳥が、日本の土地に、渡らぬ先に、合わせて、バタクサバタクサ」など地方により多少の違いがある。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

Nanboku (then called Hyozo KATSU) wrote it, based on the original Yomihon (a kind of novel) of "Ehon Gappo ga Tsuji," with villains called Daigakunosuke SAEDA and Tateba no Taheiji as main characters, who commit all crimes. 例文帳に追加

南北（当時は勝俵蔵）は読本『絵本合邦辻』を原作として、左枝大学之助と立場の太平次という極悪人を主人公に据え、悪事の限りを尽くさせている。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

On the following day, he held a renga poetry session at the shrine and it is said that the first poem that he recited, 'Toki wa ima/Ame ga shitashiru/Satsukikana' (literally, "Now is the time/Rain is falling/This is May"), concealed within its words his intention to attack. 例文帳に追加

翌日、同神社で連歌の会を催したが、その冒頭に詠んだ歌「時は今あめが下しる五月哉」は光秀の決意を秘めたものとされる。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

In the NHK's period drama "Shinsen-gumi!" described from the Shogunate viewpoint and in the Television Tokyo's new year wide period drama "Ryoma ga Yuku (2004, TV drama)," Ryoma's assassination is depicted based on this theory. 例文帳に追加

幕藩側に立って書かれた大河ドラマ『新選組!』やテレビ東京新春ワイド時代劇『竜馬がゆく(2004年テレビドラマ)』ではこの説に則って龍馬の暗殺を描いている。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

On June 6, when he was staying at Yamakawa port after the transport, Saigo had to be renamed Kichinosuke OSHIMA and also was exiled to Tokuno-shima island, and Shinpachi MURATA was exiled to Kikai-jima island (it is not Kikai-ga-shima island, namely Satsuma Io-jima island). 例文帳に追加

護送され山川港で待命中の6月6日、西郷は大島吉之助に改名させられ、徳之島へ遠島、村田新八は喜界島（鬼界ヶ島即ち薩摩硫黄島ではない。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The epitaph on Jakuchu's tombstone notes that after Jakuchu learned the Kano school methods, he left to study Sogen-ga (Chinese Song and Yuan painting, with vividly painted flowers and birds), with a desire to reproduce them. 例文帳に追加

前記の墓碑銘によると、若冲は狩野派の画法に通じた後その画法を捨て、宋元画（濃彩の花鳥画）に学び、模写に励んだとしている。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

In the Genroku era, Yuzensai, who was then a painter of brilliant and colorful Kacho-ga and portraits, hit on while studying dyestuff the idea of hand-written dyeing that employs the technique of painting and completed the original model of Yuzen-zome (one of the dyeing process). 例文帳に追加

元禄時代、華やかで色鮮やかな花鳥画や人物画を描く扇絵師であった友禅斎は、染料の研究中絵を書く要領で手書き染色をする事を考案し、友禅染の原型を完成させた。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

According to Heike-kindachi Soshi (a book on Taira clan nobles), his name was shown among participants with his 4 elder brothers at the 50th birthday celebration of the Cloistered Emperor Goshirakawa, 'Angen no ga (Celebration of Angen Year)' in March (lunar calendar) 1176. 例文帳に追加

平家公達草紙によると、安元2年（1176年）3月の後白河法皇50歳の祝賀の催し「安元の賀」に兄達四人と共に彼の名前が見られる。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

He was born in Arakawago, Kajisho, Senami County (瀬波郡加治庄荒川郷), Echigo Province in the Hokuriku-do region, on the opposite shore of the east coast of Sado ga shima Island (Sado Province) associated with Nichiren, the founder of the Hokke sect. 例文帳に追加

宗門の高祖（宗祖）日蓮有縁の地佐渡ヶ島（佐渡国）の東岸、北陸道の越後国瀬波郡加治庄荒川郷（現在の新潟県胎内市）にて生誕。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

This scheduling method is for solving a nurse scheduling problem by performing operations on a computer using a cooperative genetic algorithm (cooperative GA).例文帳に追加

共存型遺伝的アルゴリズム（共存型ＧＡ）を用いてコンピュータで演算することによりナーススケジューリング問題を解決するスケジューリング方法である。 - 特許庁

The small inflow Ga is a flow rate for keeping a plate temperature Tp of the refrigerant heater 50 within a prescribed temperature range based on a cooling water inflow temperature Twin.例文帳に追加

微小流入量Ｇａは、冷媒加熱器５０のプレート温度Ｔｐを冷却水流入温度Ｔｗｉｎを基準として所定の温度範囲内に維持するための流量とする。 - 特許庁

The width of the scanning electrode 17 is set up so as to cover the upper part of the plural of upper data electrodes 14 arranged on the lower layer data electrodes 12 of each groups GA, GB, and GC.例文帳に追加

走査電極１７の幅は各グループＧＡ，ＧＢ，ＧＣの下層データ電極１２上に配置された複数の上層データ電極１４の上方を覆うように設定される。 - 特許庁

Thereafter, the Schottky electrode 111 is formed on the Ga oxide film 109 and the resist pattern 106 and a metal layer 110 are removed and a protection film 113 is then formed.例文帳に追加

その後、Ｇａ酸化膜１０９上にショットキー電極１１１を形成し、レジストパターン１０６や金属層１１０を取り除いた後、保護膜１１３を形成する。 - 特許庁

The method for producing a graphite film includes bringing a surface of a carbon source into contact with Ga vapor to form a graphite film on the surface of the carbon source.例文帳に追加

炭素源の表面をＧａ蒸気に接触させることにより、前記炭素源の表面にグラファイト膜を形成する、グラファイト膜の製造方法に関する。 - 特許庁

In photographing at night, a non-lighted image Ga picked up with flashlight off and a lighted image Gb picked up with flashlight on, which have the same composition, are consecutively acquired by a digital camera.例文帳に追加

夜間撮影において、同一の構図でフラッシュを発光させない非発光画像Ｇａと、フラッシュを発光させる発光画像Ｇｂとをデジタルカメラで連続して取得する。 - 特許庁

Such a wafer is subjected to CMP (chemical mechanical polishing) on the Ga side, by using CMP slurry which contains polishing particles, e.g. silica or alumina, and an acid or a base.例文帳に追加

このようなウェーハは、例えばシリカまたはアルミナなどの研磨粒子と酸または塩基とを含む化学的機械研磨（ＣＭＰ）スラリーを用いて、そのＧａ側にてＣＭＰに付される。 - 特許庁

The n-type semiconductor layer group comprising a second group III nitride including at least Ga is formed on the p-type semiconductor layer group after the activated processing of the p-type semiconductor layer group.例文帳に追加

次いで、前記ｐ型半導体層群を活性化処理した後、前記ｐ型半導体層群上において、少なくともＧａを含む第２のＩＩＩ族窒化物からなるｎ型半導体層群を形成する。 - 特許庁

A Ga-containing compound semiconductor layer as a light emitting layer is formed on the main surface of compound semiconductor monocrystal substrate 4 by vapor phase epitaxy and the light emitting element is fabricated.例文帳に追加

化合物半導体単結晶基板４の主表面上に、発光層部をなすＧａ含有化合物半導体層を気相成長により形成し、発光素子を製造する。 - 特許庁

Two or more profile lines differed in length are set in a prediction subject area GA where the ground is predicted to be unstable, electrodes 1 are set on both sides thereof, and the ground potential difference is measured between the electrodes 1 and 1, respectively.例文帳に追加

地盤が不安定になると予想される予測対象領域Ｇ_Ａに、互いに長さの異なる複数の測線を設定してその両端に電極１を設置し、各電極１，１間で地電位差を測定する。 - 特許庁

Next, a raw material solution 8 comprising Ga as a raw material metal and Na as a flux and nitrogen as a raw material gas are brought into contact with each other on the nitrided sapphire substrate 7 to grow a GaN crystal thereon.例文帳に追加

次に、窒化処理されたサファイア基板７の上において、原料金属であるＧａと、フラックスであるＮａからなる原料液８と原料ガスである窒素とを接触させて、ＧａＮ結晶を成長させる。 - 特許庁

The laminated electrode structure of Au/Mo/Pd/Pd-Ga is formed on the p-type group-III nitride semiconductor contact layer by laminating metal layers in the sequence of Pd and Mo, then executing the heat treatment, and thereafter sequentially laminating Mo and Au.例文帳に追加

ｐ型のＩＩＩ族窒化物半導体コンタクト層上に、Ｐｄ、Ｍｏの順に金属層を積層し、熱処理を施し、その後にＭｏ、Ａｕを順次積層して、Ａｕ／Ｍｏ／Ｐｄ／Ｐｄ−Ｇａ積層電極構造を形成する。 - 特許庁

The method for manufacturing the nitride semiconductor element comprises the step of forming a semiconductor layer containing at least one or more of elements selected from the group consisting of Al, Ga and In on the surface of a substrate by using a mask.例文帳に追加

基板表面に、少なくともＡｌ、Ｇａ、Ｉｎの内の１以上の元素及び窒素を含む半導体層を、マスクを用いて形成することを特徴とする窒化物半導体素子の製造方法である。 - 特許庁

Since the droplets 14 exist on the layer 12, the percentage composition of Ga and Al in the undoped AlGaN layer 16 fluctuates and spatial fluctuations occur in band gaps.例文帳に追加

ドロップレット１４の存在により、アンドープＡｌＧａＮ層１６中のＧａとＡｌの組成比が変動し、バンドギャップに空間的ゆらぎが生じる。 - 特許庁

Material gas containing Al, Ga, As is supplied to an n-GaAs substrate 11 by using an organic metal vapor phase epitaxy device, thus forming a light reflection layer 21 on the n-GaAs substrate 11.例文帳に追加

有機金属気相成長装置を用いて、ＡｌとＧａとＡｓとを含む材料ガスをｎ−ＧａＡｓ基板１１に供給することにより、光反射層２１をｎ−ＧａＡｓ基板１１上に形成する。 - 特許庁

The traffic signal control apparatus calculates a relative offset restriction condition based on a green-time difference Δ between green-time seconds Ga corresponding to a standard adjacent intersection and green-time seconds Gb corresponding to its own intersection.例文帳に追加

本発明に係る交通信号制御装置は、基準隣接交差点に対応する青時間秒数Ｇａと、自己の交差点に対応する青時間秒数Ｇｂの青時間差Δに基づいて相対オフセット制約条件を算出する。 - 特許庁

A semiconductor thin film crystal is grown on the semiconductor substrate 3 by laser abrading the ZnO sintered compact mixed with a donor impurity Ga in a form of Ga_2O_3, and non doped ZnO single crystal by excimer laser light 8.例文帳に追加

ドナー不純物であるＧａをＧａ_２Ｏ_３の形で添加したＺｎＯ焼結体と、ノンドープＺｎＯ単結晶とをエキシマレーザ光８でレーザアブレーションして、半導体基板３上に半導体薄膜結晶を成長させる。 - 特許庁

An epitaxial layer 2 is grown on the surface of a GaAs substrate 1 by bringing a Ga molten liquid in which Si is doped as an impurity into contact with the surface of the GaAs substrate 1.例文帳に追加

ＧａＡｓ基板１の表面に、不純物としてＳｉが添加されたＧａ融液を接触させることにより、ＧａＡｓ基板１の表面上にエピタキシャル層２を成長させる。 - 特許庁

The diffusion layer 7 made of III-V compound semiconductor containing Ga indispensably as a group III element is formed on the layer 24 by a hydride vapor phase growing process.例文帳に追加

また、発光層部２４の上に、ＩＩＩ族元素としてＧａを必須とするＩＩＩ−Ｖ族化合物半導体よりなる電流拡散層７をハイドライド気相成長法により形成する。 - 特許庁

In the process shown in (i), the three-dimensional microfabrication structure is fabricated on which a dent is formed by performing etching and by detaching Ga preferably from the exposed portion of the GaAs substrate 1.例文帳に追加

（ｉ）に示す工程では、エッチング処理を行って、ＧａＡｓ基板１の露出部分からＧａを優先的に剥離させることで窪み等が形成された三次元微細構造を作製する。 - 特許庁

Here, the alloy layer 26 is formed so that film formation is performed on a first electrode layer 14 by spattering using only a Cu-In-Ga target (a CIG target) 24.例文帳に追加

ここで、該合金層２６は、Ｃｕ−Ｉｎ−Ｇａ合金ターゲット（ＣＩＧターゲット）２４のみを用いるスパッタリングによって第１電極層１４上に成膜が行われることで設けられる。 - 特許庁

An n-type semiconductor layer group comprising the group III nitride with the Ga content of 50 atomic % or higher to all the group III elements is formed on the light emitting layer.例文帳に追加

次いで、前記発光層上に全III族元素に対するＧａ含有量が５０原子％以上であるIII族窒化物からなるｎ型半導体層群を形成する。 - 特許庁

To form a shielding film even on the halftone defect of a photomask implanted with Ga so that the repair of the halftone defect with high accuracy without peeling the shielding film by cleaning and heat is made possible.例文帳に追加

Ｇａの注入されたフォトマスクのハーフトーン欠陥上にも遮蔽膜が形成でき、洗浄や熱により遮蔽膜が剥れることのない、高精度なハーフトーン欠陥の修正を可能にする。 - 特許庁

A transmission line 2' as a phase circuit is formed at a predetermined position of a grounded electrode-forming section GA in a packaging substrate 6, and a chip antenna 1' is mounted on a grounded electrode non-forming section NGA.例文帳に追加

実装基板６の接地電極形成部ＧＡの所定箇所に位相回路としての伝送線路２′を形成し、接地電極非形成部ＮＧＡにチップアンテナ１′を実装する。 - 特許庁

Then, a ZnO single crystal film 130 is formed, and a treatment for preventing initial nitriding of the surface of the ZnO film 130 (e) is subsequently performed to impart Ga polarity to GaN 140 which grows a single crystal film on the ZnO film 130 (f).例文帳に追加

その後、ＺｎＯ膜１３０の表面の初期窒化を防ぐ処理する（ｅ）ことで、その上に単結晶膜を成長させるＧａＮ１４０の結晶極性をＧａ極性とする（ｆ）。 - 特許庁