「ISOLATION」に関連した英語例文の一覧と使い方(122ページ目) - Weblio英語例文検索

A plurality of isolation regions 4 are formed in the SOI layer 2 on an SOI substrate and a gate electrode 5b is formed through a gate insulation film after desired impurities are implanted in the body part of an Si active layer region 2a.例文帳に追加

ＳＯＩ基板のＳＯＩ層２に複数個の素子分離領域４を形成し、Ｓｉ活性層領域２ａのボディ部に対して所望の不純物を注入してから、ゲート絶縁膜を介してゲート電極５ｂを形成する。 - 特許庁

To prevent variations in gate resistance caused by the fact that polysilicon of the gate cannot be extracted because of variations in height of the active region and the element isolation region in a transistor which is fabricated by gate-last process.例文帳に追加

ゲートラストプロセスで作製するトランジスタにおいて、活性領域と素子分離領域の高さばらつきのためゲートのポリシリコンを抜くことができないことにより、ゲートの抵抗にばらつきが生じるのを防ぐことを目的とする。 - 特許庁

To prevent the mutual oscillation of an elevator box on a basement side and the elevator box on a ground floor side during earthquake in the case of installing the elevator running between a basement and a ground floor in a base-isolation supported housing with the basement.例文帳に追加

免震支持された地下室付きの住宅に地下室と地上階とに跨るエレベータを設ける場合において、地下室側のエレベータボックスと地上階側のエレベータボックスが、地震の際に相互に揺れることがないようにしたものである。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a nitride semiconductor laser device, capable of obtaining an excellent far field pattern by definitely forming a terracing horizontal plane between a resonator end face and a device isolation face, using a simple method.例文帳に追加

簡便な方法により、共振器端面と素子分離面との間のテラス状の水平面を確実になくして、良好なファーフィールドパターンを得ることができる窒化物半導体レーザ素子の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a fluid-enclosed type vibration isolator of a new structure, stably obtaining an expected vibration isolating effect based upon the resonance of a fluid flowing through an orifice passage even when the vibration amplitude of vibration isolation object changes.例文帳に追加

防振対象の振動振幅が変化する場合にも、オリフィス通路を通じて流動する流体共振に基づく所期の防振効果が安定して得られる、新規な構造の流体封入式防振装置を提供する。 - 特許庁

To suppress an occurrence of a crystal defect, an interface state density or the like at a main surface side of a semiconductor substrate in a method for manufacturing an element isolation in a semiconductor memory or a semiconductor arithmetic processing unit.例文帳に追加

本発明は半導体記憶装置や半導体演算処理装置における素子分離の製造方法に関し、半導体基板の主表面側における結晶欠陥や界面準位等の発生を抑制することを目的とする。 - 特許庁

To realize a power distribution circuit and a power combiner circuit available for a millimeter wave band with an excellent isolation characteristic that need no resistor interconnected between lines.例文帳に追加

ミリ波領域で使用可能な電力分配回路および電力合成回路の構成に関し、線路間で接続する抵抗を使用せず、且つアイソレーション特性の良好な電力分配回路および電力合成回路を実現する。 - 特許庁

To provide a base isolation structure framing and construction method therefor capable of reducing a seismic force acting to a building having a large aspect ratio while preventing the overturning of the building creating a floating phenomenon due to rocking vibration during an earthquake.例文帳に追加

アスペクト比が大きく、地震時のロッキング振動に伴う浮き上がり現象を発生する建物の転倒を防止しつつ、同建物に作用する地震力を低減させる免震構造架構及びその構築工法を提供する。 - 特許庁

Based on the the direction of the actual sweep and on the the direction of the interpolation sweep from the generation part 7, the image memory 8 stores the isolation removal actual sweep data or the interpolation sweep data, while outputting the data to an indicator 9 according to raster scanning.例文帳に追加

画像メモリ８は、描画アドレス発生部７からの実スイープ方位および補間スイープ方位に基づいて、孤立除去実スイープデータまたは補間スイープデータを記憶するとともに、ラスター走査に従い表示器９に出力する。 - 特許庁

Accordingly, a silicon interface state (Qss) in the vicinity of the channel isolation region 29 on the surface of the n-type silicon substrate increases, and holes or minority carriers in the n-type silicon substrate disappear in the region.例文帳に追加

したがって、上記Ｎ型シリコン基板の表面におけるチャネル分離領域２９近傍のシリコン界面準位(Ｑss)が増大し、Ｎ型シリコン基板内の少数キャリアである正孔が上記領域において消滅する。 - 特許庁

A computer component mounting assembly 10 includes a base plate 20, a carrier 30 configured to receive a vibration-sensitive computer component, and a vibration isolation system including three isolators 40 connecting the carrier to the base plate.例文帳に追加

コンピュータ部品取付けアセンブリ１０は、基板２０と、振動に影響を受け易いコンピュータ部品を受容するように構成されたキャリア３０と、キャリアを基板に連結する３つの絶縁器４０を含む除震システムとを含む。 - 特許庁

A local interconnect 235 extends through the upper isolation layer 204 and connects the field shield to a selected doped semiconductor region of the device (e.g., a source/drain region 211, 212 of a FET or a cathode or anode of a diode).例文帳に追加

ローカル相互接続が、上側絶縁分離層を通って延在しており、デバイスの選択されたドープした半導体領域（例えば、ＦＥＴのソース／ドレイン領域またはダイオードのカソードもしくはアノード）にフィールド・シールドを接続する。 - 特許庁

Consequently, a gate oxide film 8 is formed on the side surface and the bottom surface of the trench 6 having no unevenness, and decline of the isolation voltage and the life of the gate oxide film 8 can be minimized.例文帳に追加

したがって、トレンチ６の側壁および底面上に形成されるゲート酸化膜８についても、凹凸が無い面上に形成されることになり、ゲート酸化膜８の絶縁耐圧、寿命の低下を抑制することが可能となる。 - 特許庁

The frequency characteristic of the high-frequency coupler is adjusted by a capacitor to be connected to the sub-line, and the isolation can be increased for both signals of two frequencies passing through the first and second main lines ML1 and ML2.例文帳に追加

副線路に接続されるキャパシタによって高周波カプラの周波数特性を調節し、第１、第２の主線路ＭＬ１，ＭＬ２を通過する２つの周波数の信号の双方に対してアイソレーションを高くすることができる。 - 特許庁

The semiconductor device having transistors (P1, P10 and P11) formed in an active region (22) which is isolated by a trench isolation region has a prescribed circuit comprising first and second transistors (P10, P11) which require symmetry or relativity characteristics.例文帳に追加

トレンチアイソレーション領域で分離された活性領域(22)に形成されたトランジスタ（P1,P10,P11）を有する半導体装置において、対称的または相対的特性を必要とする第１及び第２のトランジスタ（P10,P11）を含む所定の回路を有する。 - 特許庁

To control the mobility of the carriers of a semiconductor device independently of each MOS element in a semiconductor device wherein CMOS elements are separated by the STI (Shallow Trench Isolation) for example.例文帳に追加

例えばＣＭＯＳの素子間分離がＳＴＩ（Ｓｈａｌｌｏｗ Ｔｒｅｎｃｈ Ｉｓｏｌａｔｉｏｎ）によってなされる半導体装置におけるキャリアの移動度の制御を各ＭＯＳに関して独立い行うことができるようにする。 - 特許庁

When an STI element isolation structure 5 is formed, the upper part of it is formed so as to protrude more from the surface of the substrate 1 than the usual STI method, and a dummy electrode pattern 7 is formed at the formative part of a gate electrode.例文帳に追加

ＳＴＩ素子分離構造５を形成する際に、これをその上部が基板１面から通常のＳＴＩ法の場合よりも突出するように形成し、ゲート電極の形成部位にダミー電極パターン７を形成する。 - 特許庁

The high concentration regions ensure a specified isolation after removal of the nitride film, this allowing the break-preventing gold plating step to be omitted and the spacing between each pad and the wiring layer to be reduced to realize the chip shrinkage.例文帳に追加

高濃度領域により窒化膜除去しても所定のアイソレーションが確保できるので、割れ防止のための金メッキ工程を省略し、また各パッドと配線層の離間距離を縮小でき、チップシュリンクを実現する製造方法。 - 特許庁

To provide an array antenna which can suppress the disorder of excitation distribution in a predetermined spatial domain or an angle direction to the minimum, in a feed structure which omits isolation and permits the generation of multiple reflection wave.例文帳に追加

本発明は、アイソレーションを省略し多重反射波の発生を許容する給電構造において、所定の空間領域又は角度方向における励振分布の乱れを最小限に抑えることができるアレーアンテナを提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor apparatus in which insulation films are practically equally high in the element isolation region, which has multiple single crystal semiconductor layers with different film thicknesses, and which has a structure enabling easy minute wiring, and to provide its manufacturing method.例文帳に追加

素子分離領域の絶縁膜高さが実質的に一様であり、膜厚の異なる複数の単結晶半導体層を有し、微細な配線加工が容易な構造を有する半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The n+Si layer 109 is separated into the n+Si layer 109a that reaches the drain electrode 115a and the n+Si layer 109b that reaches the source electrode 115b by an isolation groove reaching the a-Si:H layer 108.例文帳に追加

ｎ＋Ｓｉ層１０９は、ａ−Ｓｉ：Ｈ層１０８まで達する分離溝によって、ドレイン電極１１５ａに導通するｎ＋Ｓｉ層１０９ａとソース電極１１５ｂに導通するｎ＋Ｓｉ層１０９ｂとに分離されている。 - 特許庁

In the power supply device, the electrolyte discharged from the upper-tier battery modules 2 are received and stored by the isolation member 6 or discharged from a predetermined position to prevent the electrolyte from short-circuiting the upper and lower battery modules 2.例文帳に追加

電源装置は、隔離部材６でもって、上段の電池モジュール２から排出される電解液を受け取って貯溜し、又は所定の位置から排出し、電解液が上下の電池モジュール２を短絡させるのを阻止している。 - 特許庁

A dielectric isolation silicon island 30 is made into a silicon island, where a lightly-doped layer 30b containing dopant of the same conductivity type as that of a layer 30a is laminated on the heavily-doped layer 30a formed in the island bottom part.例文帳に追加

誘電体分離シリコン島３０を、島底部に形成された高濃度不純物層３０ａ上に、この層３０ａと同一導電型のドーパントを含む低濃度不純物層３０ｂが積層されたシリコン島とする。 - 特許庁

Contact holes 3 and 13 are formed, in such a way that the forming positions of the holes 3 and 13 are made to deviate by the forming deviations of etching masks, and the edge sections of isolation oxide films 21 are etched, and in addition, caused over-etching.例文帳に追加

コンタクトホール３および１３は、エッチングマスクの形成ずれになどによって、コンタクトホールの形成位置がずれ、分離酸化膜２１の端縁部をエッチングするようにコンタクトホールが形成され、さらにオーバーエッチングを起こしている。 - 特許庁

A resonance voltage V2, obtained from the secondary side of an isolation converter transformer PIT for constituting the switching power supply circuit as a composite resonance type, is input directly to the primary side of a step-up transformer HVT.例文帳に追加

複合共振形としてのスイッチング電源回路を構成している絶縁コンバータトランスＰＩＴの二次側から得られる共振電圧Ｖ2を、昇圧トランスＨＶＴの一次側に対して直接入力するようにしている。 - 特許庁

On the surface of the dielectric isolation silicon island 30, only the light-doped layer 30b is exposed, and an outer end surface of the heavily-doped layer 30a is not exposed on the outer peripheral part of the dielectrically isolated silicon island 30.例文帳に追加

誘電体分離シリコン島３０の表面には、低濃度不純物層３０ｂだけが露出し、従来のように誘電体分離シリコン島３０の外周部分に高濃度不純物層３０ａの外端面が露出しない。 - 特許庁

To provide a base isolation and water cut-off structure of a vertical shaft joint part and a tunnel to prevent a ground state from being changed by an earthquake in a joint part of a segment and a pit mouth after a shield machine passes in the pit mouth of start and arrival vertical shaft of the shield tunnel.例文帳に追加

シールドトンネルの発進及び到達立坑の坑口で、シールド機械通過後のセグメントと坑口の接合部において、地震など地盤変状によるトンネルと立坑接合部の免震及び止水構造を提供する。 - 特許庁

The rigid floor set 52 of the upper layer is supported by a floor structure 2 of the indoor space 1 via base isolation supports 70 and 80, and the column horizontally displaceably penetrates through the floor structure 2, and suspends the rigid floor set 51 of the lower layer by the lower layer space 6.例文帳に追加

上層の剛性床組(52)は免震支承(70,80)を介して室内空間(1)の床構造体(2)に支持され、支柱は、床構造体(2)を水平変位可能に貫通し、下層の剛性床組(51) を下層空間(6)に懸吊する。 - 特許庁

Thus splitting and isolation can be prevented.例文帳に追加

１．５Ｄカラービットコードは、隣接するモジュール（セル）は、たかだか１個のエレメントの状態のみが異なるので、結局コードシンボル（光学シンボル）全体でＯＮ状態（色彩が付された）エレメントが常に連結していることになり、断裂や孤立状態を防止することができる。 - 特許庁

When a reaction cell 1 is set at a prescribed position relative to a thermostat oven 9, each head part of isolation walls 12, 13 on the outer circumferential side and the inner circumferential side of a reaction cell support ring 8 is advanced into circulating liquid 10 of a prescribed quantity.例文帳に追加

反応セル１が恒温槽９に対して所定の位置にセットされると、反応セル支持リング８の外周側および内周側遮断壁１２,１３の各先端部が所定量循環液１０内に進入する。 - 特許庁

Bearing walls 13 each extending in a span direction are arranged in rows in a longitudinal direction, as beams bearing an upper load, and rubber bearing bodies are arranged on both ends of each bearing wall 13 in the span direction, as base isolation devices 15.例文帳に追加

上部荷重を受ける梁としてスパン方向に連続する耐力壁１３を、桁行き方向に列状に配置し、この耐力壁１３のスパン方向の両端部に免震装置１５としてゴム支承体をそれぞれ配置する。 - 特許庁

To obtain a joint device for a base isolation building or the like capable of being automatically restored to an initial state and directly covering the joint device without impairing the joint device even if a joint section is expanded in the vertical direction and is shifted in different right and left directions.例文帳に追加

目地部が上下方向に伸縮したり、異なる左右方向にずれた場合でも損傷することなく、自動的に元の状態に戻すことができ、直接目地部を覆うことができる免震ビル等の目地装置を得る。 - 特許庁

The cover 7 for covering a space between a footing 1 and the upper structure 2 from the outside of a building is pivoted on the side of the upper structure 2, the cover 7 is forced by the side of the footing 1 when base isolation is working, and it is pivoted outward.例文帳に追加

基礎１と上部構造部２との間を建物の外から隠すカバー７が上部構造部２の側に枢着され、このカバー７が、免震時、基礎１の側によって押し動かされ、外方に回動するものとなされている。 - 特許庁

A gap is provided between lower end faces of the fireproof coating materials 32a-32d and a slide plate 22, and the fireproof coating materials 32a-32d are prevented from being in contact with the slide plate 22 and blocking the operation of the base isolation slide bearing when an earthquake occurs.例文帳に追加

耐火被覆材３２ａ〜３２ｄの下端面と滑り板２２との間に隙間を設け、地震発生時に耐火被覆材３２ａ〜３２ｄが滑り板２２に接して免震滑り支承の作動を阻害することがないようにする。 - 特許庁

The vibration isolation mechanism is in contact with the base plate 5, with an upper spring holder 25 on which a screw is cut and with the rack 4 on the setting floor, and has a lower spring holder 26 to which an oil container 28 storing a silicone oil 27 is attached.例文帳に追加

ダンパー付き除振機構は、ベースプレート５に接触し、捻子が切られている上側バネ受け２５、設置床上の架台４に接触し、シリコンオイル２７が収容されたオイル容器２８が取り付けられた下側バネ受け２６を有する。 - 特許庁

To provide trench-cutting equipment of polygonal electronic components, wherein an operation tact is short, irregularities in characteristics can be reduced and stabilized, isolation, transfer and centering to a work axis are enabled in spite of fine size, and stable holding is made possible.例文帳に追加

動作タクトが短く、特性バラツキを小さくかつ安定にでき、微小サイズでも分離、移載しかつ加工軸に対してセンタリングされ、安定して保持できる多角形電子部品の溝切装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a light emitting device capable of suppressing a leakage current between a p-type semiconductor layer and an n-type semiconductor layer, and of sufficiently keeping p-n isolation between the p-type semiconductor layer and the n-type semiconductor layer, which improves the emission intensity.例文帳に追加

ｐ型半導体層とｎ型半導体層との間のリーク電流を抑制し、ｐ型半導体層とｎ型半導体層とのｐｎ分離を十分に確保して発光強度を向上させる発光素子を提供する。 - 特許庁

A vibration isolation bush 8 which is provided on the tip end of a stay comprising a manual shift link mechanism is fixed between a pair of opposed support faces 11 and 12 which are provided in a bracket 10 fixedly provided in a transmission casing by means of a bolt 15.例文帳に追加

変速機ケースに固設されているブラケット１０に設けられている対向一対の支持面１１，１２間にマニュアルシフトリンク機構を構成するステーの先端に設けられている防振ブッシュ８がボルト１５により固定されている。 - 特許庁

Since a flash memory driver is changed and an existing disk type DBMS can be reused as a flash type DBMS, it is the isolation-DBMS method, and a frequency of a write-in operation is reduced and a life of the flash memory is extended.例文帳に追加

フラッシュメモリードライバーを変更して既存のディスク式ＤＢＭＳをフラッシュ式ＤＢＭＳとして再使用できるのでＤＢＭＳに独立的な方法であり、書き込み演算の回数を減らしてフラッシュメモリーの寿命を伸ばす。 - 特許庁

To form a high-frequency laminated electronic component which is superior in high-frequency characteristics, specially attenuation characteristics, and the isolation characteristics between filters.例文帳に追加

積層体中に、スパイラル状電極で構成されるインダクタ素子を含む高周波フィルタが少なくとも２つ以上構成され、前記インダクタの電極パターンの巻き方向を同一にしたインダクタの組合せを有したことを特徴とするものである。 - 特許庁

Lubricating oil is introduced through a clearance between the plane part 6a and the slide bearing 7, and one side of the first lubricating oil passage 2b from the crank chamber 5 to the isolation space 9a and returned through the other side to the crank chamber 5.例文帳に追加

平面部６ａと滑り軸受７の内周との隙間、及び、第１潤滑オイル通路２ｂの一方を介してクランク室５から隔離空間９ａに潤滑オイルが導入され、他方を介してクランク室５に戻される。 - 特許庁

After an element isolation region 21 is formed, an insulating film 28 such as silicon-nitride film and a silicon-oxide film 43 are formed all over the surface and the silicon-oxide film 43 is ground while using the insulating film 28 resistant to hydrofluoric acid as a stopper.例文帳に追加

素子分離領域２１を形成した後、全面にシリコン窒化膜等の耐弗酸性絶縁膜２８及びシリコン酸化膜４３を形成し、上記シリコン酸化膜４３を、耐弗酸性絶縁膜２８をストッパーに用いて研磨する。 - 特許庁

After a capacitive element and a resistance element are formed from the same polycrystal silicon on an active region and on an element isolation region, respectively, a substrate surface is polished by CMP or etch back with being planarized until reaching an intended film thickness of a resistor.例文帳に追加

容量素子をアクティブ領域上、抵抗素子を素子分離領域上に同一の多結晶シリコンで形成した後、ＣＭＰやエッチバック等で、所望の抵抗体の膜厚になるまで、基板表面を平坦化させながら削る。 - 特許庁

A power supply isolation type electronic device has: a housing; a power supply circuit part 180 having a substantially rectangular parallelepiped shape and being housed in the housing removably; and an amplifier 190 being housed in the housing and to which a power is fed from the power supply circuit part 180.例文帳に追加

筐体と、略直方体形状を有して筐体に着脱可能に収納される電源回路部１８０と、筐体に収納され、電源回路部１８０から給電される増幅部１９０とを備える。 - 特許庁

According to the anchor mounting method, a vertical hole 1a is bored in the pier 1, for embedding the anchor 11, and then the anchor 11 is inserted, followed by arranging the base plate 15 of the base isolation device over the pier, followed by matching an anchor hole 16 formed in the base plate 15 with an anchor location.例文帳に追加

橋脚１にアンカー１１を埋設する縦穴１ａを開けてアンカー１１を挿入し、橋脚の上方に免震装置のベースプレート１５を配置し、ベースプレート１５のアンカー穴１６をアンカー位置に合わせて配置する。 - 特許庁