「ISOLATION」に関連した英語例文の一覧と使い方(119ページ目) - Weblio英語例文検索

The optical semiconductor device 300 has a face-emission semiconductor laser element 320 and a photodiode 324 integrated and formed around the laser element through an element isolation region 322 on an n-GaAs substrate 301.例文帳に追加

本光半導体装置３００は、ｎ−ＧａＡｓ基板３０１上に、面発光半導体レーザ素子３２０と、素子分離領域３２２を介してレーザ素子の周りに集積して設けられたフォトダイオード３２４とを備える。 - 特許庁

This damper material for the base isolation device has a sea-island structure having a sea phase formed of hard plastic A, and an island phase formed of plastic B dispersed in the sea phase and having lower hardness than the hard plastic A.例文帳に追加

硬質プラスチックスＡよりなる海相と、この海相内に分散する、該硬質プラスチックスＡよりも低硬度のプラスチックスＢよりなる島相とを有する海島構造を持つ免震装置用ダンパー材料。 - 特許庁

A conductor 132 is formed inside the element area isolation insulating wall 124, and is grounded through a zener diode 131 formed of an n-type area 130 and the p-type base layer 102.例文帳に追加

素子領域分離用絶縁壁１２４の壁厚の内側に導体１３２が形成されており、導体１３２はｎ型領域１３０とｐ型基層１０２で形成されるツェナーダイオード１３１を介して接地される。 - 特許庁

A gate stack is formed on a semiconductor substrate 100 where an element isolation film 102 is formed, and an insulating film used for the formation of a gate spacer 110' is formed over the entire surface of the semiconductor substrate, where the gate stack has been formed.例文帳に追加

素子分離膜１０２の形成された半導体基板１００にゲートスタックを形成し、ゲートスタックの形成された半導体基板の全面にゲートスペーサ１１０’形成のための絶縁膜を形成する。 - 特許庁

The fixing clamp 5 is constituted of a pair of slide pieces 9 and 10 which are biased resiliently in the isolation direction and slidably arranged while holding the longitudinal ends of the arm 3, respectively, by means of engagement claws 12.例文帳に追加

固定具５はそれぞれ係合爪１２によってアーム部３の長手方向端縁を掴んでスライド可能に構成されている隔離方向に弾性付勢された一対の摺動片９、１０で構成されている。 - 特許庁

In the interlayer insulating film 32, an opening 33 for embedded wiring is etched for forming, while the opening 33 for embedded wiring is laid from the upper part of the diffusion layer 24 to the upper part of the element isolation insulating film 13, and a tungsten film 43 is embedded.例文帳に追加

層間絶縁膜３２に、埋め込み配線用の開口３３を拡散層２４上から素子分離絶縁膜１３上にまたがるようにエッチングにより形成し、タングステン膜４３の埋め込みを行う。 - 特許庁

To secure loss of gain and isolation of 1st and 2nd frequency bands for 1st and 2nd switching amplifiers and an orthogonal modulator by standardizing the 1st and 2nd frequency bands and also sharing a base band signal input terminal.例文帳に追加

第１，第２の切換増幅器、直交変調器にて、第１，第２の周波数帯を共通化とベースバンド信号入力端子の共有化により利得の損失や第１，第２の周波数帯のアイソレーションを確保する。 - 特許庁

To provide an output current-control device having a plurality of channels (current amplifiers) that are not affected by a beat signal, and an accurate vibration-isolation device and a projection aligner using the output current-control device.例文帳に追加

ビート信号の影響を受けない複数のチャネル（電流増幅器）を持つ出力電流制御装置、およびこの出力電流制御装置を使用した高精度な除振装置、露光装置を提供すること。 - 特許庁

To obtain both the trigger function for a usual load and excellent base isolation performance for seismic vibration compatibly by establishing a simple, low-cost improved structure to the contacting surfaces on the superstructure side and foundation side.例文帳に追加

上部構造体側と基礎側の接触面に形状的な簡単かつ低コストな構造改良により、日常的荷重に対するトリガー機能と地震動に対する優れた免震性能との両立を図れるようにする。 - 特許庁

The distances α1, α2 from the centers of first and second ridges 110A, 110B in the width direction to the side surfaces of the isolation trench 103 on the first and second ridge 110A, 110B sides are set to exceed 5 μm.例文帳に追加

第１，第２リッジ部１１０Ａ，１１０Ｂの幅方向の中心から、分離溝１０３の第１，第２リッジ部１１０Ａ，１１０Ｂ側の側面までの距離α１，α２は、５μｍを越えるように設定されている。 - 特許庁

Trenches of a block isolation region 22 are formed to reach a semiinsulating buffer layer 12 arranged lower than the active layer 14 thus forming unit blocks isolated electrically while having a plurality of LEDs, respectively.例文帳に追加

そして、活性層１４より下層に配置された半絶縁性のバッファ層１２まで達するブロック分離領域２２の溝を形成して、個々に複数のＬＥＤを有して電気的に分離した単位ブロックを形成する。 - 特許庁

In a base isolation support body, flanges 5 are provided on the upper and lower surfaces of a laminated body 3 formed by alternatively laminating and bonding rigid hard plates 2 and Visco-elastic soft plates 1 in the vertical direction.例文帳に追加

剛性を有する硬質板２と、粘弾性を有する軟質板１とが鉛直方向に複数交互に積層接着されてなる積層体３の上下面にフランジ５が設けられている免震支承体である。 - 特許庁

CPP is added to a food in a state to inhibit the enzymatic activity against CPP by various methods such as the physical isolation of CPP from enzyme, the depression of pH of the CPP-containing material or the drying of the food.例文帳に追加

物理的にＣＰＰと酵素とを隔離する、ＣＰＰ含有物のｐＨを下げる、あるいは食品を乾燥するなどの各種の方法でＣＰＰに対する酵素活性を阻害した状態でＣＰＰを添加する。 - 特許庁

The isolator 1 comprises a chamber 3 having a workpiece input port 21 and a workpiece discharge port 29, an isolation bag body 5 composed of soft polyvinyl chloride resin (PVC), and an exhauster 7.例文帳に追加

本発明に係るアイソレーター１は、ワーク投入口２１とワーク排出口２９とを備えたチャンバー３と、軟質塩化ビニール樹脂（ＰＶＣ）で構成された作業用隔絶袋体５と、排気装置７とを備えている。 - 特許庁

Abnormal operation where a current flows through a switching element at a time before ending the off interval thereof is eliminated in case of middle load by setting the coupling coefficient k of a power isolation transformer PIT at about k=0.7 or less.例文帳に追加

絶縁コンバータトランスＰＩＴの結合係数ｋ＝０．７程度以下として、中間負荷時において、スイッチング素子のオフ期間が終了する以前のタイミングでスイッチング素子に電流が流れる異常動作を解消する。 - 特許庁

To provide an armrest device capable of alleviating abnormal noise when an armrest is brough into a horizontal using state, that is when a free side hook is lifted by a re-locking cam part, without the need of a special vibration isolation cover.例文帳に追加

アームレストを水平の使用状態にした時、即ち、再ロックカム部によって自由側フックが持ち上げられた際の異音が特別の防振カバーを必要とせずに緩和できるアームレスト装置を提供する。 - 特許庁

Then the n-type matrix 1 is diced from the rear surface thereof in the vertical direction so as to reach the bottom surface 7b of the separation groove 7, and further in the horizontal direction along the isolation groove 7, for dividing an LED array into individual chips.例文帳に追加

次に、ｎ型基材１の裏面から垂直方向に分離溝７の底面７ｂに達するように、かつ分離溝７に沿った水平方向に、ｎ型基材１をダイシングし、ＬＥＤアレイを個々のチップに分離する。 - 特許庁

An entire width H inclusive of the sleeper 11 and the side surface vibration isolation pad 14 is larger than an edge-to-edge distance w at the top of the cover box 12, assuming that the pad 14 is in a correct position and is in a non-compressed state.例文帳に追加

枕木１１と側面用防振パッド１４を含めた全幅Ｈは、側面用防振パッド１４が正位置において非圧縮状態にあるとき、被覆箱１２の上端縁間距離Ｗよりも大きい。 - 特許庁

To provide a semiconductor device of a structure, wherein even though a step is generated in element isolation regions, a short circuit between contact plugs can be prevented from being generated and the full reliability of the device can be ensured without making wiring expose, and a manufacturing method of the device.例文帳に追加

素子分離領域に段差が発生しても、コンタクトプラグの短絡を防止でき、かつ、配線が露出することがなく十分な信頼性を確保できる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The region isolating section 13 gives the result of region discrimination, that is, a region isolation signal to a black generation/under color elimination section 7, a spatial filter section 8 and a medium tone generating section 9, in which optimum post-processing is applied to the image data by each pixel.例文帳に追加

領域判別結果は領域分離信号として黒生成／下色除去部７、空間フィルタ部８および中間調生成部９に引渡され、画素毎に最適な後処理が施される。 - 特許庁

To solve a problem that since the driving voltage of an avalanche photodiode (APD) is as high as 100-300V, reliable isolation is required for fabricating a single chip CMOS FET and the element structure is complicated significantly.例文帳に追加

ＡＰＤの駆動電圧は１００Ｖ〜３００Ｖ程度の高電圧であるため、ＣＭＯＳ ＦＥＴと１チップ化するためには、素子分離をしっかり行わなければならず、素子構造が非常に複雑になる。 - 特許庁

In the Edo period, the studies of Europe (western medicine, chemistry, physics) mean the western learning (蘭学, Rangaku), because in the period of national isolation, Netherlands was the only trading partner for Japan with the exception of Qing (current People's Republic of China). 例文帳に追加

江戸時代はヨーロッパの学問（西洋医学、化学、物理学等）と言えば蘭学であるが、これは鎖国時代に清（中華人民共和国）を除けば海外と交易していた相手はオランダのみであったためである。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

To provide a carrier in use for ion exchange chromatography widely used for the isolation of proteins, vaccines, nucleic acids, polysaccharides, and the like, and for affinity chromatography which utilizes the absorption specific to phosphates.例文帳に追加

タンパク質、ワクチン、核酸、多糖類などの分離に広く用いられているイオン交換クロマトグラフィー及び、リン酸エステルに特異的な吸着を利用するアフィニティークロマトグラフィーの担体及びその製造方法の提供。 - 特許庁

With these treaties, Japan was made to open five ports, grant consular jurisdiction, recognize one-sided most-favored-nation treatment, and abandon tariff autonomy (later with Britain, Russia, Holland, and France), and forced out of its 200 and several decades old national isolation of the bakufu (Japanese feudal government headed by a shogun). 例文帳に追加

これにより5港の開港と領事裁判権、片務的最恵国待遇、関税自主権喪失などを認めさせ(後に英、露、蘭、仏とも)幕府の二百数十年続いた鎖国を終わらせた。 - Wikipedia日英京都関連文書対訳コーパス

The isolation method of purified palladium hexafluoroacetylacetonate comprises crystallizing crude palladium hexafluoroacetylacetonate from at least one solvent selected from among cyclohexane and 7-10C hydrocarbon solvents to isolate it.例文帳に追加

粗パラジウムヘキサフルオロアセチルアセトナートを、シクロヘキサン、および、炭素数７〜１０の炭化水素系溶媒から選ばれた少なくとも１種類の溶媒から晶析し、単離する精製パラジウムヘキサフルオロアセチルアセトナートの単離方法である。 - 特許庁

Therefore, only a high voltage generating transformer is needed for obtaining two types of secondary side DC output voltages, which are the high DC voltage and low DC voltage and conversion isolation transformer can be eliminated.例文帳に追加

これによって直流高電圧と直流低電圧という２種類の二次側直流出力電圧を得るのにあたり、高圧発生トランスだけを設ければよく、絶縁コンバータトランスについては削除が可能になる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device which can eliminate fault by surface unevenness of an embedded polycrystalline silicon layer when element isolation is performed by embedding polycrystalline silicon in the trench of a substrate.例文帳に追加

基板の溝に多結晶シリコンを埋め込むことにより素子分離を行う際に、埋め込まれた多結晶シリコン層の表面凹凸による不具合を解消することができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The (111) plane of the substrate including any point on the interface between the second epitaxial crystal layer and the substrate is surrounded by the element isolation insulating film in a region deeper than the second epitaxial crystal layer.例文帳に追加

前記第２のエピタキシャル結晶層と前記基板との界面上の任意の点を含む前記基板の（１１１）面は、前記第２のエピタキシャル結晶層よりも深い領域で前記素子分離絶縁膜に囲まれる。 - 特許庁

The first semiconductor substrate 100 is bonded to a second semiconductor substrate 200 as a handle wafer across an oxide film, and until the time when a trench isolation is exposed, the first semiconductor substrate 100 is flat-etched.例文帳に追加

酸化膜を間に置いて第１半導体基板１００とハンドルウェーハである第２半導体基板２００がボンディングし、トレンチ隔離が露出される時まで第１半導体基板１００が平坦化エッチングされる。 - 特許庁

Subsidiary polysilicon gates 16 are formed on a p-type silicon semiconductor substrate 10, so as to cross over control gates 15 and extend on element isolation regions 13.例文帳に追加

ｐ型シリコンからなる半導体基板１０上には、素子分離領域１３上に延びるように且つコントロールゲート１５と交差してこれを跨ぐように形成されたポリシリコンからなる補助ゲート１６が形成されている。 - 特許庁

An element isolation insulating film 2 partitioning an active area is formed on a semiconductor substrate 1, and a gate electrode 5 is formed on the semiconductor substrate 1 in an active area by means of a gate insulating film 4.例文帳に追加

半導体基板１には、活性領域を区画する素子分離絶縁膜２が形成されており、活性領域における半導体基板１上にゲート絶縁膜４を介してゲート電極５が形成されている。 - 特許庁

More specifically, limitation of photolithographic technology is solved to enhance the switching rate and frequency response of an FET by decreasing the isolation distance between the drain electrode and the source electrode thereby decreasing the channel width.例文帳に追加

詳しくは、ドレイン電極とソース電極を分離する距離を減らしそしてチャネルの幅を減らしてＦＥＴの切り換え速度と周波数応答を向上させるような光リソグラフ技術の限界を解決することである。 - 特許庁

To provide a method of forming a device isolation film in a semiconductor device in which a performance of a device is improved by making a constant ion concentration distribution of a region where ions for controlling a threshold voltage are implanted.例文帳に追加

しきい値電圧調節のためのイオンが注入された領域のイオン濃度分布を一定にして素子の性能を向上させることを可能にする半導体素子の素子分離膜製造方法を提供する。 - 特許庁

Thus, multiple steps of RF coaxial switches are connected to match the required isolation and ON/OFF is controlled to contain the IF pulse so that the required specification can be satisfied in a simple configuration.例文帳に追加

このように、必要なアイソレーションに合致するようにＲＦ同軸スイッチを多段接続し、ＩＦパルスを含むようにオン／オフ制御することで、要求される仕様を簡単な構成で満足させることができる。 - 特許庁

Further, an isolation layer 4 formed of a porous cellulose film and a synthetic resin film is provided on the upper side of the electromotive layer 3, and further an anode electrode layer 5 made of a conductive metal is provided on it.例文帳に追加

さらに起電層３の上部には多孔質セルロース膜、合成樹脂膜で形成される隔絶層４が備えられ、さらにその上部には導電性金属からなる負極電極層５が備えられる。 - 特許庁

The gate electrode 4 is formed on the gate insulation film 3, and gate ground wiring 4a extended from the gate electrode 4 to the opening 2b for the electric discharge via the element isolation film 2 is formed.例文帳に追加

そしてゲート絶縁膜３上にゲート電極４を形成するとともに、該ゲート電極４から素子分離膜２上を経由して放電用開口部２ｂまで延伸するゲート接地配線４ａを形成する。 - 特許庁

To obtain a pyrazolo[3,2-c]-1,2,4-triazole compound which is highly safe in a material, has reduced restriction of facilities in production, simple aftertreatment and isolation after reaction completion and excellent production suitability.例文帳に追加

本発明は、素材の安全性が高く、製造における設備制約が少なく、反応終了後の後処理や単離も簡便で、製造適性に優れたピラゾロ［３，２−ｃ］−１，２，４−トリアゾール化合物を提供する。 - 特許庁

To provide a method for forming the element isolation film of a semiconductor element, in which the upper and lower corners of a trench can be roundly formed without performing an etching process using polymer.例文帳に追加

本発明は、ポリマーを用いたエッチング工程を行わなくても、トレンチの上部及び下部コーナー部分を丸く形成することが可能な半導体素子の素子分離膜形成方法を提供することを目的としている。 - 特許庁

Therefore, the current from the emitter area 15 flows to the opposite collector area 14 through the interface between the emitter area 15 and the base area 13, but hardly flows to the isolation area 18 and the current hardly leaks.例文帳に追加

従って、エミッタ領域１５から流れる電流は、エミッタ領域１５とベース領域１３との界面を通って対向するコレクタ領域１４に流れ、アイソレーション領域１８へはあまり流れず、漏れ電流が小さい。 - 特許庁

The element isolation region is formed by selective addition of an impurity element of at least one or more kinds of oxygen, nitrogen, and carbon to electrically isolate elements from each other in one continuous semiconductor layer.例文帳に追加

素子分離領域は、連続した半導体層において、素子間を電気的に分離するために、選択的に酸素、窒素、及び炭素のうち少なくとも一種以上の不純物元素を添加して形成する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device which can reduce the number of times of exposure processing in an element isolation process applying CMP and subsequent process of poly-Si deposition.例文帳に追加

ＣＭＰを適用した素子分離工程ならびにその後のｐｏｌｙ−Ｓｉデポジションまでの工程における露光工程の回数を低減することを可能とする半導体装置の製造方法を実現することにある。 - 特許庁

To obtain a process for fabricating a solid state imaging device in which defects occurring in an isolation region can be reduced sharply and a photodiode can be formed while self-aligned with a gate electrode.例文帳に追加

素子分離領域に発生する欠陥を大幅に低減することが可能となり、かつ、ゲート電極に対してセルフアラインでフォトダイオードを形成することができる、固体撮像装置の製造方法を実現する。 - 特許庁

The flat-plate type MIMO array antenna includes: a substrate; a plurality of antenna elements disposed on the substrate; and at least one isolation element interposed between a plurality of antenna elements on the substrate and grounded to a predetermined ground part.例文帳に追加

平板型MIMOアレーアンテナは、基板と、基板上に位置した複数のアンテナ素子と、基板上において複数のアンテナ素子の間に位置し、所定の接地部に接地される少なくとも１つのアイソレーション素子とを含む。 - 特許庁

First conductivity type impurity ions are then implanted using the first mask again and a first well is formed to overlay a part of the first well isolation region 104 in the semiconductor substrate 100.例文帳に追加

第１マスクが再び用いられ、第１導電型の不純物イオンが注入され、半導体基板１００内の第１ウェル隔離領域１０４の一部上にオーバーレイされるように第１ウェルが形成される。 - 特許庁

By supplying a steam turbine 13 with steam in the reactor pressure vessel 2 through a pipe 21, the steam turbine is driven and a water injection pump 11 of the reactor isolation cooling system is driven with the steam turbine 13.例文帳に追加

原子炉圧力容器２内の蒸気を配管２１を通じて蒸気タービン１３に供給してその蒸気タービン１３を駆動し、その蒸気タービン１３で原子炉隔離時冷却系の注水ポンプ１１を駆動する。 - 特許庁