「ISOLATION」に関連した英語例文の一覧と使い方(117ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a sliding bearing and a base isolation device having this sliding bearing, capable of restraining damaging of a sliding surface and a sliding member, by reducing foreign matters on the sliding surface, when the sliding member slides on the sliding surface.例文帳に追加

すべり面上をすべり部材が滑るときに、すべり面上の異物を少なくして、すべり面とすべり部材の傷つきを抑制できるすべり支承と、このすべり支承を備えた免震装置を得る。 - 特許庁

To provide a support structure and a support construction method of a structure capable of exerting high seismic isolation performance and preventing subsidence and inclination of the structure by preventing liquefaction of the ground.例文帳に追加

高い免震性能を発揮することができるとともに、地盤の液状化を防止することにより、構造物の沈下や傾斜を防止することができる構造物の支持構造および支持工法を提供する。 - 特許庁

To provide a coil filter that is suitably surface-mounted on an electronic circuit board by automatic mounting, takes a mutual arrangement of components into less consideration, has superior high-frequency characteristics, and actualizes wide-band isolation.例文帳に追加

自動実装による電子回路基板への表面実装搭載に適し、部品相互間の配置を考慮する必要の少ない、高周波特性の優れた広帯域のアイソレーションを実現するコイルフィルタを提供する。 - 特許庁

To provide an assembling method of sectional boards for allowing quick assembling and application to various buildings, wall plates, floor plates, roofs, containers and the like, and achieving sound, temperature, electricity, moisture, and water isolation effects in the buildings.例文帳に追加

迅速に組み立てられ、各種建築、壁板、床板、屋根、コンテナ等に応用でき、その建築物に音、温度、電気、湿気、水分を隔離する効果を達することができる、組立式ボードの組み立て方法の提供。 - 特許庁

The charge storage film includes a charge film formed on the active region and having predetermined charge trap characteristics, and an altered charge film formed on the element isolation insulating film and having charge trap characteristics inferior to those of the charge film.例文帳に追加

電荷蓄積膜は、活性領域上に形成され所定の電荷トラップ特性を有するチャージ膜と、素子分離絶縁膜上に形成されチャージ膜よりも電荷トラップ特性の劣る変質チャージ膜とを備える。 - 特許庁

To provide an air conditioning system for a computer room capable of preventing breakage of equipment storage racks and a shielding body due to earthquake and the like even when the equipment storage racks are disposed on a seismic isolation base.例文帳に追加

機器収容用ラックが免震台の上に設置された場合であっても、地震等によって機器収容用ラック及び遮蔽体の破損を防止することが可能な電算機室用空調システムを提供する - 特許庁

The first gate electrode 230 comprises a silicide layer 235 on at least part of a region located on an element isolation film 50, and no silicide layer is in a region sandwiched by the first diffusion layer 226.例文帳に追加

そして第１ゲート電極２３０は、素子分離膜５０上に位置する領域の少なくとも一部にシリサイド層２３５を有しており、かつ第１拡散層２２６に挟まれた領域にはシリサイド層を有していない。 - 特許庁

To improve transfer efficiency of charges from a photoelectric conversion portion to a charge-voltage conversion portion and to reduce noise generated by a dark current due to an interface state of an element isolation portion below a transfer electrode.例文帳に追加

光電変換部から電荷電圧変換部への電荷の転送効率を向上するとともに、転送電極の下における素子分離部の界面準位に起因した暗電流によるノイズを低減する。 - 特許庁

To provide a new cell composition, without having disadvantages of conventional sheet type cell compositions to be replaceable for the sheet type cell compositions, which is simply producible, and easily applicable to isolation, transportation, grafting, and storage.例文帳に追加

シート状細胞組成物に代わる、従来のシート状細胞組成物の不利な点を有さず、簡便に製造可能であり、単離、移送、移植、保存も容易に可能である新規な細胞組成物を提供する。 - 特許庁

The semiconductor device 100 includes the trench gate 118 formed in a trench formed between a drain region 106 and a source region 108 and penetrating an element isolation region 104 to reach a substrate 102.例文帳に追加

半導体装置１００は、ドレイン領域１０６およびソース領域１０８の間に形成され、素子分離領域１０４を貫通して基板１０２にまで達するトレンチ内に形成されたトレンチゲート１１８を含む。 - 特許庁

To provide a method of constructing a base isolation structure, facilitating construction without adopting a press-in construction method for high fluidity concrete in constructing a lower rising foundation and an upper foundation, and shortening the term of construction.例文帳に追加

下部立上り基礎や上部基礎の構築の際に高流動性コンクリートの圧入工法を用いることなく容易に施工でき、工期短縮を図ることができる免震構造の構築方法を提供する。 - 特許庁

To obtain a heat sink, i.e., a fixing component (a heat sink as an attachment) being coupled thermally with a plurality of components while sustaining vibration control (vibration isolation) between the heat sink and the plurality of components.例文帳に追加

放熱装置を複数のコンポーネントに熱的に接続し、同時に、放熱装置と複数のコンポーネントとの間の防振（振動遮断）を維持する取付部品（アタッチメントとしての放熱装置）である放熱装置を提供する。 - 特許庁

To provide etching method capable of carrying out the etching which is uniform and can be easily controlled even in various semiconductor devices, such as semiconductor device of a multilayer structure or multi-element semiconductor and to provide an element isolation method.例文帳に追加

多層構造の半導体素子や多元系の半導体素子など多様な半導体素子においても均一かつ制御が容易なエッチングを行うことが可能なエッチング方法および素子分離方法を提供する。 - 特許庁

Virus-containing suspended particles within a particle diameter range capable of stably floating are supplied in an evaluation chamber 1 isolated from an outer space by an isolation wall, and the number of floating viruses in the evaluation chamber 1 are measured and evaluated.例文帳に追加

隔離壁により外部空間と隔離された評価室１内に、安定浮遊可能な粒子径範囲のウイルス含有浮遊粒子を供給し、評価室１内の浮遊ウイルスの数を計測して評価する。 - 特許庁

The gate electrode 9a of an MISFET (Q_1) is formed on the substrate 1 of an active region L, whose circumference is specified by an element isolation groove 2, and extending from one end to the other across the active region L.例文帳に追加

ＭＩＳＦＥＴ（Ｑ_１）のゲート電極９ａは、素子分離溝２によって周囲を規定されたアクティブ領域Ｌの基板１上に形成され、アクティブ領域Ｌを横切ってその一端から他端に延在している。 - 特許庁

To solve the problems such as reduction of a welding amount, reduction of the number of parts, simplification of assembling, securing of production precision, reduction of a manufacturing cost and miniaturization of a product being common problems in various base isolation sliding support.例文帳に追加

各種免震滑り支承に共通の課題である、溶接量の削減、部品数の削減、組立ての簡略化、製品精度を確保、製造コストの削減、製品の小型化等の問題点を解決する。 - 特許庁

Thus, this pull-up transistor array can output a signal of high voltage and high current, an element isolation region is not required between the double diffusion transistors, and therefore an element can be integrated highly.例文帳に追加

これによって、このプルアップトランジスタアレイは高電圧及び高電流の信号を出力することができ、二重拡散トランジスタの間に素子分離領域が要求されないので、素子を高集積化することができる。 - 特許庁

Thus, the chip size of the semiconductor integrated circuit can be reduced and the characteristics of isolation between the upper layer element (capacitor or inductor) and the lower layer element (active element or passive element) can be improved without increasing parasitic capacitance.例文帳に追加

これにより、半導体集積回路のチップサイズを縮小でき、かつ寄生容量を増加させることなく、上層素子（コンデンサ、インダクタ）と下層素子（能動素子、受動素子）との間のアイソレーション特性を向上できる。 - 特許庁

Also, since a reproduced signal caused when the light spot crosses the isolation pit region I_p can be distinguished from other reproduced signals, a signal waveform of the reproduced signal caused by a plurality of light spots can be comprehended clearly.例文帳に追加

また、孤立ピット領域Ｉ_ｐを光スポットが通過するときに発生する再生信号は、他の再生信号から区別し得るので、複数の光スポットに由来する再生信号の信号波形が明確に把握できる。 - 特許庁

Then, the photoresist layer is removed, and a field oxidizing process is advanced, so that a field oxide film can be formed at the lower side of the field oxide mask layer on the surface of the exposed semiconductor substrate and the isolation region.例文帳に追加

そして、フォトレジスト層を除去し、フィールド酸化工程を進行することにより、露出された半導体基板の表面と分離領域上において、フィールド酸化マスク層の下側にフィールド酸化膜が形成される。 - 特許庁

This photosensitive film is exposed using a reticle and then is developed to form a mask film 51 having a mask opening 51b including part on the opening 2b, and the periphery thereof is formed on the element isolation film 2.例文帳に追加

この感光膜を、レチクルを用いて露光し、その後現像することにより、素子分離膜２上に、開口部２ｂ上及びその周囲を内側に含むマスク開口部５１ｂを有するマスク膜５１を形成する。 - 特許庁

To form a continuous isolation wall structure enclosing a plurality of sub-regions to prevent imbalanced liquid crystal distribution caused by gravity in a cell structure of a liquid crystal display (LCD) device divided into the plurality of sub-regions.例文帳に追加

複数のサブ領域に分けられた液晶ディスプレイデバイスのセル構造体において、各サブ領域を囲む連続した隔壁構造体を形成し、重力に起因する不均衡な液晶分布を防ぐこと。 - 特許庁

The output from the composite terminal is given to a directional coupler 8-6, which extracts part of the output as a feedback signal, and a feedback composite device 1-1 composed the feedback signal with the output signal from the isolation terminal.例文帳に追加

合成端子からの出力は方向性結合器８−６に入力され、その一部をフィードバック信号として取り出し、帰還合成器１−１によりアイソレーション端子からの出力信号と合成する。 - 特許庁

To suppress the reverse narrow channel effect so that the variation of the element isolation width may not directly cause the variation of the p-type region depth.例文帳に追加

素子分離幅のばらつきが、そのままｐ型不純物領域深さのばらつきを生じさせることがないように、逆狭チャネル効果を抑制することが可能な半導体集積回路装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To avoid forming crystal defects originating from the corners of trenches and ensure a stable operation property of a semiconductor device having an isolating oxide film formed by the trench isolation method.例文帳に追加

本発明はトレンチ分離の手法で形成される分離酸化膜を備える半導体装置に関し、トレンチ溝の角部を起点とする結晶欠陥の発生を防止し、かつ、安定な動作特性を確保することを目的とする。 - 特許庁

Thus, the base isolation device 1 can be manufactured at lower cost without the need for vulcanizing adhesion between the rubber plate 6 and the steel plate 7 and the use of large-scale manufacturing facilities including a molding device.例文帳に追加

これにより、ゴム板６と鋼板７とを加硫接着する必要がなくなり、金型装置等の大規模な製造設備を用いなくても免震装置１を製造することができ、製造コストを低減することができる。 - 特許庁

The switch (53-58) formed of 2 transistors (T1, T2) is feedback controlled by a feedback control signal V tune at a pre-defined frequency thus guaranteeing the selective isolation at this frequency.例文帳に追加

２つのトランジスタ（Ｔ１，Ｔ２）によって形成されたスイッチ（５３〜５８）は、所定周波数でフィードバック制御信号Ｖｔｕｎｅによってフィードバック制御されて、この周波数での選択的アイソレーションを保証する。 - 特許庁

The method of manufacturing a flash memory having conductor lines (24) crossing a trench isolation structure (70) comprises forming nitride side walls (125) for protecting a laminate during an SAS etching process.例文帳に追加

溝隔離構造（７０）を横断する導電線（２４）を有するフラッシュ・メモリ装置を製造する方法であって、この方法は、ＳＡＳ食刻プロセス中に積層を保護するために窒化物側壁（１２５）を形成することを含む。 - 特許庁

A speed variation in a crankshaft 2 is absorbed by the torsional deformation of isolation rubber 38, to thereby restrain the transmission of the speed variation in the crankshaft 2 to a belt in engine low rotation such as idling rotation.例文帳に追加

アイソレーションゴム３８の捩り変形によりクランクシャフト２の速度変動が吸収され、アイドリング回転時などのエンジン低回転時におけるクランクシャフト２の速度変動がベルトに伝達されるのが抑制される。 - 特許庁

The building structure equipped with the clean room includes base isolation devices for bearing a floor slab constituting the clean room on a foundation, and air shielding means for shielding a space between the floor slab and the foundation from ambient air.例文帳に追加

クリーンルームを備えた建物の構造は、前記クリーンルームを構成する床版を基礎上に支持する免震装置と、前記床版と前記基礎との間の空間を外気から遮断する空気遮断手段とを含む。 - 特許庁

To provide a method of insulating and isolating a transparent electrode layer with a good processability without forming a wall in an isolation groove and damaging a glass, and to improve output characteristics of an integrated thin film photoelectric converting apparatus.例文帳に追加

分離溝に壁を形成せずガラスにダメージを与えることなく、良好な加工性で透明電極層を絶縁分離する方法を提供し、集積型薄膜光電変換装置の出力特性を改善する。 - 特許庁

Abnormal operation where a current flows through a switching element at a timing before ending off interval of the switching element under middle load is eliminated by setting a sparse coupling factor of a power isolation transformer PIT.例文帳に追加

絶縁コンバータトランスＰＩＴの結合係数を疎結合として、中間負荷時において、スイッチング素子のオフ期間が終了する以前のタイミングでスイッチング素子に電流が流れる異常動作を解消する。 - 特許庁

Provided is an efficient sample preparation device to be used in isolation (immunoassay), purification and concentration of protein, peptide, nucleic acid (for example, DNA and RNA) and other biomaterial (for example, cell) samples.例文帳に追加

タンパク質、ペプチド、核酸（例えば、ＤＮＡおよびＲＮＡ）、および他の生体材料（例えば、細胞）の試料を単離（イムノアッセイ）、精製、および濃縮する際に用いるための効率的な試料調製装置である。 - 特許庁

The element isolation structure 40 comprises a silicon oxide nitride film (SiON film) 10 formed on a surface of the substrate 1 through an interface oxide film 20 and a ground insulating film 30 formed on the silicon oxide nitride film 10.例文帳に追加

その素子分離構造４０は、界面酸化膜２０を介して基板１の表面上に形成されたシリコン酸窒化膜（ＳｉＯＮ膜）１０と、シリコン酸窒化膜１０上に形成された埋設絶縁膜３０とを有する。 - 特許庁

The plurality of the photoelectric conversion cells 10, and a plurality of the photoelectric conversion cells 10 and the periphery part 100R of the photovoltaic apparatus 100 are separated by the isolation grooves G1-G3 formed by laser patterning.例文帳に追加

分離溝Ｇ１〜Ｇ３は、レーザパターニングにより形成され、複数の光電変換セル１０間および複数の光電変換セル１０と光起電力装置１００の外周部１００Ｒとの間を分離している。 - 特許庁

Isolation diodes D32a and D32b configured by the p-type regions 3a and 3b and the n-type semiconductor substrate 2 are designed so that the breakdown voltage may become higher than the sum of the forward drop voltages of all the LEDs.例文帳に追加

また、Ｐ型領域３ａ，３ｂとＮ型半導体基板２とで構成される分離ダイオードＤ３２ａ，Ｄ３２ｂは、その降伏電圧が、全ＬＥＤの順方向降下電圧の和よりも高くなるように設計する。 - 特許庁

To improve read out characteristic of pixels and inhibit dark current by optimization of a pattern of an element isolation region and an angle of impurity injection, and by controlling an ion implantation amount depending on an implantation position.例文帳に追加

素子分離領域のパターンと不純物注入の角度を最適化し、イオン注入量を注入場所に応じて制御することにより、画素の読み出し特性を改善しかつ暗電流を抑制する。 - 特許庁

The non-toxic region may be a pharmacologically inert substance and is a region such as a layer, a coating, or a shell that provides an isolation barrier between the toxic or potent interior and exterior contact.例文帳に追加

この非毒性領域は、薬理学的に不活性な物質であり得、そして毒性または有効性を有する内部と外部接触との間に隔離バリアを提供する、層、コーティングまたはシェルのような領域であり得る。 - 特許庁

The comparator CP compares the input voltage from the isolation amplifier InsOP with the reference voltage E3, and if the input voltage is higher than the reference voltage E3, instructions for inverter stoppage are provided to an inverter control circuit for a dummy load.例文帳に追加

コンパレータＣＰは、絶縁アンプＩｎｓＯＰからの入力電圧を基準電圧Ｅ3と比較し、該入力電圧が基準電圧Ｅ3より高い場合は、擬似負荷用のインバータの制御回路にインバータ停止の指示をする。 - 特許庁

This semiconductor device comprises a silicon substrate 1, an element isolation insulating film 2, a gate structure formed selectively on a main plane of the silicon substrate 1, and a sidewall 6 formed on a side plane of the gate structure.例文帳に追加

半導体装置は、シリコン基板１と、素子分離絶縁膜２と、シリコン基板１の主面上に選択的に形成されたゲート構造と、ゲート構造の側面上に形成されたサイドウォール６とを備えている。 - 特許庁

To form a coating film having proper uniform thickness as the interlayer isolation of a semiconductor device and to obtain the film excellent in preservable stability and having excellent specific dielectric, mechanical strength and hygroscopic resistance.例文帳に追加

半導体素子などにおける層間絶縁として、適当な均一な厚さを有する塗膜が形成可能で保存安定性に優れ、しかも塗膜の比誘電率、機械的強度および耐吸湿性などに優れた膜を得る。 - 特許庁

To provide a small-sized high frequency module with excellent characteristics that can enhance isolation characteristics between terminals of a semiconductor integrated circuit element without revising the structure of the semiconductor integrated circuit element.例文帳に追加

半導体集積回路素子の構造を変更することなく、半導体集積回路素子の端子間のアイソレーション特性を改善でき、良好な特性を有する小型の高周波モジュールを提供することを目的とする。 - 特許庁

The peripheral part of a base isolation device of at least one of the upper and lower flanges is coated with a fire resistant board to form a plane a little higher than the top end of a bolt or a nut fixing the flange.例文帳に追加

上側又は下側のフランジの少なくとも一方を、免震装置の周辺部について耐火ボードで被覆し、前記フランジを固定するボルト又はナットの天端よりも若干高いレベルの平面を形成する。 - 特許庁

This image forming device is, allowed to detect the presence or absence of the current flowing to isolation charging devices 7 and 8 by an ammeter 14, and to stop the transfer current flowing in the transfer charging device 6 by controlling means 15, when the current is not flowing.例文帳に追加

分離帯電器７、８に流れる電流の有無を電流計１４で検知し、その電流が流れていないときには、制御手段１５によって、転写帯電器６に流れる転写電流を止める。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device of which the height of upper face of an element isolation insulating film between memory cell transistors is controlled so that the upper face is positioned within the thickness range of a charge storage film in an MONOS type semiconductor memory device.例文帳に追加

ＭＯＮＯＳ型の半導体記憶装置で、メモリセルトランジスタ間の素子分離絶縁膜の上面の高さが、電荷蓄積膜の厚さの範囲に位置するように制御された半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁