「ISOLATION」に関連した英語例文の一覧と使い方(45ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a base isolation device with which stable damping performance can be obtained.例文帳に追加

安定した減衰性能を得ることができる免震装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

The clinic 1 is provided with an isolation room 7 isolated from a waiting room 3 for the general out-patients.例文帳に追加

医院１に、一般外来患者用の待合室３から隔離された隔離室７を設ける。 - 特許庁

I am not sure if the nobel peace prize has ever been given to someone in a situation of such extreme isolation before.例文帳に追加

厳しく隔離された者に対して ノーベル平和賞が与えられるという 例外なことが - 映画・海外ドラマ英語字幕翻訳辞書

To provide a method of manufacturing a semiconductor device that easily removes an overlap portion of films on an isolation oxide film without increasing the size of the isolation oxide film.例文帳に追加

本発明は、分離酸化膜の寸法を拡大することなく、分離酸化膜上での膜の重なり部分の除去が容易にできる半導体装置の製造方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

In the first direction, the width of the element isolation insulating film between (m-1)th and m-th active areas is wider than the width of the element isolation insulating film between m-th and (m+1)th active areas.例文帳に追加

第１方向において、ｍ−１番目とｍ番目のアクティブエリアの間の素子分離絶縁膜の幅は、ｍ番目とｍ＋１番目のアクティブエリアの間の素子分離絶縁膜の幅よりも広い。 - 特許庁

Accordingly, the method of manufacturing the semiconductor optical integrated device 1 reduces variations in the geometrical dimensions of the element isolation part 32, resulting in variation reduction in the element isolation resistance among individual elements.例文帳に追加

したがって、この半導体光集積素子１の製造方法では、素子分離部３２の形状寸法のばらつきの発生を抑制され、個体間での素子分離抵抗のばらつきが抑えられる。 - 特許庁

After a first gate electrode material film 16a is deposited on a silicon substrate 11 through a gate insulating film 15, a mask material is used to work an element isolation groove 13 for embedding an element isolation insulating film 14.例文帳に追加

シリコン基板１１にゲート絶縁膜１５を介して第１のゲート電極材料膜１６ａを堆積した後、マスク材を用いて素子分離用溝１３を加工し、素子分離絶縁膜１４を埋め込む。 - 特許庁

To provide a method for forming an element isolation film for preventing a liner insulation film or the like from remaining on the sidewall of a conductive film for a floating gate in an etching process for performing the adjustment of effective field height of the element isolation film.例文帳に追加

素子分離膜の有効高調整を行うためのエッチング工程時、フローティングゲート用導電膜の側壁にライナ絶縁膜などを残留させない素子分離膜形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide an elevator device for an intermediate base isolation building with no flexible strut unit required for supporting a guide rail connected between low/high floor part buildings, in the intermediate base isolation building.例文帳に追加

中間免震建屋において、低層部建屋と高層部建屋間に連結されるガイドレール支持用の可撓支柱体を必要としない中間免震建屋用エレベーター装置を提供すること。 - 特許庁

An interfacial surface between the impurity layer 103 and the silicide layer 106B is lower than the upper surface of the element isolation region 102, and the silicide layer 106B covers an upper part corner of the element isolation region 102.例文帳に追加

不純物層１０３とシリサイド層１０６Ｂとの界面は、素子分離領域１０２の上面よりも低く、シリサイド層１０６Ｂは素子分離領域１０２の上部コーナーを覆っている。 - 特許庁

Since the perfect isolation region 4 penetrates the SOI layer 3 to reach a buried oxide film 2, the n^+ diffusion region 11 is electrically isolated completely from the outside by the perfect isolation region 4.例文帳に追加

完全分離領域４はＳＯＩ層３を貫通して埋め込み酸化膜２に到達するため、Ｎ^+拡散領域１１が完全分離領域４によって外部から電気的に完全に絶縁される。 - 特許庁

To achieve the control over the pressure or temperature of a reactor even in the occurrence of a reactor isolation event by making the amount of heat removed by a reactor isolation cooling system adjustable.例文帳に追加

本発明は、原子炉隔離時冷却設備の除熱量を調整可能とすることにより、原子炉隔離事象発生時にも原子炉の圧力または温度を制御することを目的とする。 - 特許庁

To provide an installation structure of a base plate assembly 10 for a base isolation device which comprises a sufficient strength, can be accurately and easily constructed, and joins the base isolation device 12 to a concrete structure 14.例文帳に追加

充分な耐力を有し精度良く容易に施工できる、免震装置１２をコンクリート構造物１４に接合するための免震装置用ベースプレートアセンブリ１０の設置構造を提供すること。 - 特許庁

To provide a laminated rubber base isolation device which is installed in a small space, shortens a work period, reduces the cost, and improves quality even in base isolation support of a large-scale structure.例文帳に追加

大規模構造物を免震支持する場合であっても、設置面積を少なく抑えることができ、工期短縮及びコスト削減でき、かつ、品質が高められる積層ゴム免震装置を提供する。 - 特許庁

To provide a solid-state imaging apparatus that achieves sensitivity improvement and dark current reduction in an element isolation part by enhancing element isolation on a light irradiation surface side and reducing color mixing, and to provide a method of manufacturing the same.例文帳に追加

光照射面側の素子分離を強化して、混色を低減させ、感度向上、素子分離部の暗電流低減できる固体撮像装置、及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a vibration-isolation device for a precision machinery having high horizontal and vertical vibration-isolation performance, and capable of obtaining high damping effect and miniaturizing the shape in the height direction.例文帳に追加

本発明は水平方向と垂直方向の防振性能に優れ、高いダンピング効果が得られると共に高さ方向の形状がコンパクトに出来る精密機械用防振装置を提供することを目的とする。 - 特許庁

To prevent voids from being generated in a trench isolation film which isolates elements from each other and to micronize the trench isolation film so as to enhance a semiconductor device in degree of integration.例文帳に追加

素子間を絶縁分離するためのトレンチ分離膜におけるボイドの発生を防止するとともに、トレンチ分離膜の微細化を図って高集積化が可能な半導体装置とその製造方法を提供する。 - 特許庁

To realize a base isolation device capable of securing the safety even to unexpected strong earthquake motion while providing high base isolation effect (response acceleration reducing effect) in earthquake motion within the scope of design.例文帳に追加

設計対象とする地震動には高い免震効果（応答加速度低減効果）を提供しながら、且つ想定以上の強い地震動に対しても安全性を確保できる免震装置を実現する。 - 特許庁

At the time of coating and hardening, the air in the coating zone 2 and the drying zone 4 is sent to the isolation zone 3 and discharged from the isolation zone 3 to the outside of the device to prevent the generation of the dew condensation in each zone.例文帳に追加

塗布，固化時には、塗布ゾーン２と乾燥ゾーン４内の空気を隔離ゾーン３内に送風し、隔離ゾーン３から装置外に排気することで各ゾーン内での結露の発生を防止する。 - 特許庁

To effectively isolate vibration and support an operator's cab by a vibration isolation mount having a small and compact configuration and support an extremely heavy load securely without damaging the vibration isolation mount when this load acts thereon.例文帳に追加

小型でコンパクトな構成の防振マウントによって、運転室を有効に防振支持させ、かつ極端に大きな荷重が作用した時に、防振マウントを損傷することなくこの荷重を確実に受承させる。 - 特許庁

To provide a vibration damping device suitable for being used for a base isolation support device and capable of surely performing vibration damping and a base isolation support device provided with this vibration damping device.例文帳に追加

免震支承装置に用いて好適であって、しかも、振動減衰を確実に行い得る振動減衰装置及びこの振動減衰装置を具備した免震支承装置を提供すること。 - 特許庁

The metal particles 30 are two-dimensionally arrayed between the first electrode 20 and the isolation layer 40 and are separated at a distance of 2-15 nm from the photoelectric conversion layer 50 by the isolation layer.例文帳に追加

金属ナノ粒子３０は、第１の電極２０と隔離層４０との間に２次元配列されており、隔離層４０によって光電変換層５０から２ｎｍ〜１５ｎｍだけ隔てられている。 - 特許庁

The thickness of the protective layer 42 on at least part of the region without the isolation layer 44 is 0 or smaller than that of the protective layer 42 in the region with the isolation layer 44.例文帳に追加

絶縁層４４が存在していない領域の少なくとも一部における保護層４２の厚みは、０であるか、絶縁層４４が存在している領域における保護層４２の厚みよりも小さい。 - 特許庁

To provide a rubber bearing mounting fixture which is for use in base isolation of an existing column, allows correct application of load to a base isolation member during execution of work in the field, and contributes to execution of earthquake-resisting repair work that brings about sufficient strength.例文帳に追加

既設柱の免震化を行うに際し、現場での施工時に免震部材に対して荷重を正確に載荷でき、また強度的にも安心感のある耐震改修工事を可能とする。 - 特許庁

To provide a method for fabricating a semiconductor device in which isolation can be effected easily and surely by retarding formation of a void even if a trench becoming an isolation region is filled with an insulator.例文帳に追加

素子分離領域となる溝に絶縁物を充填してもボイドが形成されにくくすることで、容易且つ確実に素子分離を行うことを可能とした半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

By the vibration isolation member 17, the vibration of the pool P under service conditions can be damped, and therefore, the propagation of the vibration transmitted to bearing member 15, a slab S and the like can be prevented, to thereby exhibit a vibration isolation effect to a lower-story and rooms adjacent thereto.例文帳に追加

防振材１７によりプールＰの利用時の振動を減衰することができ、支持部材１５やスラブＳ等に伝わる振動を抑制して階下や隣室に対する防振効果を得る。 - 特許庁

Related to a method for manufacturing a flash memory, a low-voltage transistor part constituting a peripheral circuit goes through many etching processes, so an isolation oxide film 101a in that region is eroded for degraded isolation characteristics.例文帳に追加

フラッシュメモリの製造方法では、周辺回路を構成する低電圧トランジスタ部がエッチング工程を多く経るため、その領域の分離酸化膜１０１ａが浸食され、分離特性が悪くなっていた。 - 特許庁

To provide a base isolation fireproof construction in which only a relatively small clearance is required between a base isolation means and fireproof coating material, and in which residual deformation is not generated in the fireproof coating material after an earthquake.例文帳に追加

免震手段と耐火被覆材との間のクリアランスが比較的小さくて済み、地震後に耐火被覆材に残留変形が生じない免震装置としての免震耐火構造を提供する。 - 特許庁

When an isolation valve contained in a gas meter is in closed state, sticking of the valve rubber to the meter body is prevented by opening and closing the isolation valve for a certain period (1 second in the figure) at a certain timing.例文帳に追加

ガスメータ内蔵の遮断弁が閉止状態のときは、遮断弁を一定のタイミングで一定期間（図では1秒間）開閉させることにより、弁ゴムのメータ本体への貼り付きを防止する。 - 特許庁

To provide a manufacturing method for a semiconductor device which improves the flatness of the upper surface of an element isolation film and that of a conductive film when the conductive film is buried in the element isolation film.例文帳に追加

素子分離膜に導電膜を埋め込む際に、素子分離膜の上面及び導電膜の上面の平坦性を向上させることができる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a crane 1 with a base isolation device 4 having an uniform base isolation characteristic in the traverse direction x and the travel direction y, and also in the oblique direction of synthesizing the traverse direction and the travel direction.例文帳に追加

横行方向ｘ及び走行方向ｙ、更には横行方向と走行方向を合成した斜め方向に、均一な免震特性を有する免震装置４を備えたクレーン１を提供する。 - 特許庁

Printer drivers 100A and 100B, which are installed from a printer server, set a spool processing setting condition in response to an operation input by a user, and store Isolation setting information in a setting storage part 105.例文帳に追加

プリンタドライバ１００Ａ，１００Ｂはプリンタサーバからインストールされ、ユーザからの操作入力に応じて、スプール処理に関する設定条件を設定して、Isolation設定情報を設定保存部１０５に記憶させる。 - 特許庁

To achieve element isolation more securely while suppressing an increase in plane size of a semiconductor device when an element isolation region is shallower than a part of a low-concentration diffusion region nearby a gate electrode.例文帳に追加

素子分離領域が低濃度拡散領域におけるゲート電極近傍の部分より浅い場合に半導体装置の平面寸法の大型化を抑制しつつ素子分離をより確実に行う。 - 特許庁

The semiconductor substrate includes isolation regions, and the removing step includes a step of forming recesses in the isolation regions, and a step of removing at least a portion of the embedded sacrifice layer via these recesses.例文帳に追加

半導体基板は、分離領域を含み、そして除去するステップは、分離領域に凹部を形成するステップ及びこれらの凹部を介して埋め込み犠牲層の少なくとも一部分を除去するステップを含む。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a semiconductor device that suppresses generation of a crystal defect in a semiconductor substrate and forms an element isolation structure sufficiently exhibiting element isolation performance.例文帳に追加

半導体基板に結晶欠陥が発生することを抑制することができ、素子分離性能を十分に発揮する素子分離構造を形成できる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The present invention relates to the element isolation film manufacturing method of the semiconductor device; in particular, after removing a liner oxide film of a peripheral circuit region and oxidizing a liner oxynitride film, an element isolation film is formed.例文帳に追加

本発明は半導体素子の素子分離膜製造方法に関するもので、特に周辺回路領域のライナー酸化膜を除去してライナー窒化膜を酸化させたあと素子分離膜を形成した。 - 特許庁

An N- type semiconductor layer 10 that a partial isolation body 41 is formed on its surface and a P- type semiconductor layer 20 that a partial isolation body 42 is formed on its surface are formed on an insulator 9.例文帳に追加

部分分離体４１がその表面に形成されたＮ^-型半導体層１０と、部分分離体４２がその表面に形成されたＰ^-型半導体層２０とが、絶縁体９上に形成される。 - 特許庁

To provide a seismic isolation rubber laminate having high damping characteristics as seismic isolation supports, small temperature dependence of elasticity characteristics and excellent processability of a rubber composition providing a rubber layer.例文帳に追加

免震支承用として高減衰特性を有すると共に、弾性特性の温度依存性が少なく、なお且つゴム層を与えるゴム組成物の加工性に優れる免震ゴム積層体を提供する。 - 特許庁

In this case, the isolation region 301 is formed by using materials whose permeability is different from that of a pair of regions interposing the isolation region 301 between the first inductor 201 and the second inductor 202.例文帳に追加

ここでは、第１インダクタ２０１と第２インダクタ２０２との間にて、このアイソレーション領域３０１を挟む一対の領域とは、異なる透磁率の材料を用いて、アイソレーション領域３０１を形成する。 - 特許庁

An isolation process including separation of crystals or the whole process including the isolation process can be at most shortened and simplified, thus highly pure reduced coenzyme Q_10 can be obtained in a high yield.例文帳に追加

また、結晶分離を含む単離プロセス、あるいは、その単離プロセスを含む全プロセスが最短化、且つ、簡便化でき、高純度の還元型補酵素Ｑ_１０を高収率で得ることができる。 - 特許庁

To provide an electrostatic ink jet head capable of preventing deformation of an isolation wall between ink pressurizing chambers in an ink ejection operation even when the thickness of the isolation wall is reduced in order to achieve the high density.例文帳に追加

高密度化によりインク圧力室間の隔離壁を薄くしても、インク吐出動作における当該隔離壁の変形を防止できる静電式インクジェットヘッドの駆動方法を提案すること。 - 特許庁

In a capacitor forming region 1B, an active region 7b is formed between element isolation regions 6 and a capacitor 20 is formed on the element isolation region 6 and the active region 7b.例文帳に追加

キャパシタ形成領域１Ｂにおいて、素子分離領域６の間に活性領域７ｂが設けられており、素子分離領域６および活性領域７ｂ上にキャパシタ２０が形成される。 - 特許庁

A first isolation layer 140, a sacrifice layer 160 and a second isolation layer 180 are successively provided on the surface, and the shallow trench tank provides a semiconductor substrate formed in the semiconductor board 100.例文帳に追加

表面上に順に第１遮断層１４０、犠牲層１６０及び第２遮断層１８０が備わり、浅溝槽が半導体基板１００中に形成されている半導体基板を供する。 - 特許庁

On a layer lower than the layer where the first element isolation region 12 exists, a second element isolation region 11 of an STI structure is formed, which separates adjoining MOS transistor channel regions.例文帳に追加

そして該第一の素子分離領域１２が存在する層より下の層に、隣接するMOSトランジスタのチャネル領域どうしを分離するSTI構造の第二の素子分離領域１１が形成されている。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a semiconductor device by which the top edge of the opening of an isolation trench can be preferably rounded after forming the isolation trench thereon, while maintaining the quality of the semiconductor substrate.例文帳に追加

半導体基板の品質を維持しつつ、これに形成した素子分離溝を形成した後、その開口上端部を好適に丸めることのできる半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁