「Isolation」に関連した英語例文の一覧と使い方(63ページ目) - Weblio英語例文検索

The isolation structure includes a dopant region containing a first conductive-type material selectively formed along sidewalls 105a, 105b of the isolation structure where the surface pinning layer is adapted so as to electrically connected to a substrate 150 located beneath.例文帳に追加

分離構造体は、表面ピニング層を下にある基板１５０に電気的に結合するように適合されている、分離構造体の側壁１０５ａ，１０５ｂに沿って選択的に形成された、第１の導電型の材料を含んだドーパント領域を含む。 - 特許庁

Minimal manipulation refers to manipulation of cells in ways that do not affect their inherent biological properties, such as tissue isolation, tissue sectioning, isolation of human stem cells or differentiated cells, treatment with antibiotics, washing, sterilization by gamma rays or other means, freezing, and thawing.例文帳に追加

最小限の操作とは、組織の分離、組織の細切、ヒト幹細胞又はヒト分化細胞の分離・単離、抗生物質による処理、洗浄、ガンマ線等による滅菌、冷凍又は解凍等の当該細胞の本来の性質を改変しない操作をいう。 - 厚生労働省

A second conductive layer 18 is made to extend from upper part of this first conductive layer 13 into the element isolation region 16, and the surface of this second conductive layer 18 has the same plane as the surface of the element isolation region 16.例文帳に追加

この第１の導電層１３上から素子分離領域１６内まで延在して第２の導電層１８が形成されており、この第２の導電層１８の表面は素子分離領域１６の表面と同一平面を有している。 - 特許庁

To provide a vibration isolation structure which dispenses with a reappraisal of various designs, a change in basic structure, etc. by keeping vibration-proof performance good and making a level of a floor surface of a vibration isolation floor as low as a level of a general floor.例文帳に追加

防振性能を良好に維持するとともに、防振床の床面の高さレベルを一般床の高さレベルと同等に低く抑えることで、各種設計の見直しや基本構造の変更等を伴わずに済むようにした防振構造を提供する。 - 特許庁

In the semiconductor device, the sacrificial polymer whose heat resistant temperature is not less than 250°C and thermal decomposition temperature is not more than 500°C has the air isolation structure obtained by removing the sacrificial polymer from an air isolation structure precursor arranged between the metallic wirings.例文帳に追加

耐熱温度が２５０℃以上、熱分解温度が５００℃以下の犠牲ポリマーが金属配線間に配置されたエアアイソレーション構造前駆体から該犠牲ポリマーを除去することによって得られるエアアイソレーション構造を有する半導体装置。 - 特許庁

A compound member which is formed by adhering a second member to a first member comprising an isolation layer 4 and a transfer layer 5 which is arranged on the isolation layer 4 is separated by the different position from the adhering interface of the first and the second members.例文帳に追加

分離層４と前記分離層４上にある移設層５とを有する第１の部材１と、第２の部材２とが密着した複合部材を、前記第１の部材１と前記第２の部材２との密着界面とは異なる位置において分離する。 - 特許庁

To improve excitation control accuracy of a movable member by air pressure to improve vibration isolation effect in a pneumatic excitation type active vibration isolation device whose vibration isolation characteristics are adjusted by controlling fluid flowage or internal pressure in a fluid chamber by excitation of the movable member constituting a part of a wall part of the fluid chamber by an air pressure fluctuation applied to an action air chamber.例文帳に追加

作用空気室に及ぼされる空気圧変動によって、流体室の壁部の一部を構成する可動部材を加振することにより、流体室における内圧や流体流動を制御せしめて防振特性を調節するようにした空気圧加振式の能動型防振装置において、空気圧による可動部材の加振制御精度を向上させて、防振効果を向上させること。 - 特許庁

The method for forming the isolation film of a semiconductor element comprises a step for forming the isolation film 2 and the masking insulation film 3 sequentially on the silicon substrate 1, a step for forming a trench by etching the specified parts of the masking insulation film 3 and the isolation film 2 sequentially, and a step for completing an epitaxial silicon active region 5 by growing an epitaxial silicon film on the resulting object.例文帳に追加

このための本発明の半導体素子の素子分離膜の形成方法は、シリコン基板1上に分離酸化膜2とマスキング絶縁膜3とを順に形成する段階と、マスキング絶縁膜3と分離酸化膜2との所定部分を順に蝕刻してトレンチを形成する段階と、前記結果物上にエピタキシャルシリコン膜を成長させてエピタキシャルシリコンアクティブ領域5を完成する段階を含む。 - 特許庁

The base plate assembly 10 for a base isolation device used for joining the base isolation device 12 to the concrete structure 14 includes a steel base plate 28 and a plurality of long nuts 30 which are implanted in the first surface of the base plate 28 and which allow fixing bolts 32 for fixing the base isolation device 12 to the base plate assembly 10 to be screwed thereto from the second surface side of the base plate 10.例文帳に追加

免震装置１２をコンクリート構造物１４に接合するための免震装置用ベースプレートアセンブリ１０は、鋼板製ベースプレート２８と、このベースプレート２８の第１面に植設され、免震装置１２をベースプレートアセンブリ１０に固定する固定用ボルト３２をベースプレート１０の第２面側から螺合させることのできる複数の長ナット３０とを備えている。 - 特許庁

To improve a transmission suppression effect of vibration produced by an elastic member at the initial stage at which a load acts on the elastic member and when a small load acts thereon, to improve the isotropy of the vibration isolation performance of the elastic member, thereby improving the vibration isolation performance of the elastic member, in a vibration isolation support device having the elastic member which is arranged between a vehicle body and a fuel tank.例文帳に追加

車体と燃料タンクとの間に配置される弾性部材を備える防振支持装置において、弾性部材に荷重が作用する際の初期段階や小荷重が作用する際における弾性部材による振動の伝達抑制効果の向上、および弾性部材の防振性能の等方性の向上を図り、以て弾性部材の防振性能の向上を図る。 - 特許庁

In this base isolation building, a plurality of base isolation support devices 40 are installed at intervals on the foundation, a reinforcement frame 30 is constructed by stretching beam materials 31 arranged substantially parallel to one direction of the unit building on the base isolation support devices 40, column bases of the building unit 10 constituting the upper structure 20 are set on the reinforcement frame 30.例文帳に追加

基礎上に間隔をおいて複数の免震支承装置４０が設置され、この免震支承装置４０の上に、ユニット建物の一方向に略平行に並設される梁材３１が掛け渡されて補強架台３０が構成され、この補強架台３０の上に上部構造体２０を構成する建物ユニット１０の柱脚部が設置されて構築された免震建物。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing an SOI semiconductor device which does not form a parasitic MOSFET of low threshold voltage, when an electric field concentrates on a part where an gate electrode is close to a boundary between an active region and an element isolation region, in a case where an element isolation region is provided for an SOI substrate through a mesa element isolation region forming method.例文帳に追加

ＳＯＩ基板において素子分離領域を形成するためにメサ型素子分離領域形成法を採用した場合に、ゲート電極が活性領域と素子分離領域との境界部分に懸かる箇所で電界が集中する結果、閾値電圧の低い寄生ＭＯＳ ＦＥＴが形成されることが無いＳＯＩ型半導体装置を製造する方法を提供する。 - 特許庁

The semiconductor device comprises an element isolation region 12, formed in a semiconductor substrate 11, an active region 11a consisting of the semiconductor substrate 11 surrounded by the element isolation region 12, a gate insulating film 13 formed on the active region 11a, and a gate electrode 15, formed by mounting the active region 11a and adjacent element isolation region 12.例文帳に追加

半導体装置は、半導体基板１１に形成された素子分離領域１２と、該素子分離領域１２に囲まれた半導体基板１１からなる活性領域１１ａと、該活性領域１１ａの上に形成されたゲート絶縁膜１３と、活性領域１１ａ及び隣接する素子分離領域１２の上に跨って形成されたゲート電極１５とを備えている。 - 特許庁

To further easily form improved ground and base isolation ground, and also to form an inexpensively realizable base isolation layer with further high realizability of its formation, by forming weak ground as a base isolation layer, by retaining its lower layer as predetermined range weak ground, by forming a layer near the ground surface as the improved ground being non-weak ground without actively improving the ground.例文帳に追加

積極的な地盤改良を行わずとも地表近くの層を非軟弱地盤である改良地盤となしえ、しかもその下層を所定範囲軟弱地盤として存置し、当該軟弱地盤を免震層とすることにより、より容易に改良地盤、かつ免震地盤が形成でき、かつよりその形成の実現性が高く、しかも低コストで実現できる免震層が形成できる。 - 特許庁

A separate distance between an element isolation diffusion layer 25 and a drain diffusion layer 24 is made smaller than that between the element isolation diffusion layer 25 and a buried diffusion layer 22, a breakdown voltage between the element isolation diffusion layer 25 and a drain electrode becomes small, and a surge voltage applied to a drain can be restricted by the breakdown voltage, so that the drain can be improved in surge resistance.例文帳に追加

素子分離拡散層２５とドレイン拡散層２４との離間距離を、素子分離拡散層２５と埋め込み拡散層２２との離間距離よりも小さくするため、素子分離拡散層２５とドレイン電極３３間の降伏電圧が小さくなり、ドレインに印加されるサージ電圧をその降伏電圧で制限することが出来るため、ドレインのサージ耐量を大きくすることができる。 - 特許庁

To provide a seismic isolator which does not impart load to environment and has good hysteresis dependence and temperature dependence and has high seismic isolation property.例文帳に追加

環境に負荷を与えずに履歴依存性や温度依存性が良好で高い制振特性を有する免震装置を得る。 - 特許庁

In the device, the sidewall surfaces of the element isolation insulating film are covered with the first and second semiconductor regions.例文帳に追加

更に、前記装置では前記素子分離絶縁膜は、前記第１及び第２半導体領域により側壁面が覆われている。 - 特許庁

A solid-state imaging device comprises a substrate 101 of a first conductive type and an element isolation insulating film 121 formed in a lattice shape in the substrate.例文帳に追加

第１導電型の基板１０１と、前記基板内に格子状に形成された素子分離絶縁膜１２１とを備える。 - 特許庁

To avoid the characteristic deterioration and the reliability reduction of a broadcast device even with the isolation trench width reduced.例文帳に追加

分離溝の幅を縮小させても半導体装置の特性悪化および信頼性不良を発生させないようにすること。 - 特許庁

To provide a nonvolatile semiconductor memory having stable element characteristics, and also a method of forming an STI (Shallow Trench Isolation) insulating film in the memory.例文帳に追加

安定した素子特性を有する不揮発性半導体メモリとそのＳＴＩ絶縁膜の形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide a control which operates multi inputs and multi outputs, enables non-vibratory vibration isolation control, and is tough in system fluctuation.例文帳に追加

多入力多出力を扱え、かつ非振動的な除振制御が可能であり、システム変動に頑強な制御を実現する。 - 特許庁

To provide a small-sized antenna for a mobile terminal, capable of securing sufficient isolation, and a method of manufacturing the same.例文帳に追加

十分なアイソレーションを確保することができる小型の携帯端末用アンテナ及びその製造方法を提供すること。 - 特許庁

Herein the base isolation structure has an equivalent rigidity Keq and an equivalent damping coefficient Heq having the following characteristics: Keq (in a first cycle)/Keq (in a third cycle) <1.20, and Heq (in a first cycle)/Heq (in a third cycle) >0.90.例文帳に追加

Ｋｅｑ（１サイクル目）／Ｋｅｑ（３サイクル目）＜１．２０、かつ、Ｈｅｑ（１サイクル目）／Ｈｅｑ（３サイクル目）＞０．９０ - 特許庁

To prevent lift of a sleeper by a side surface vibration isolation pad even if the sleeper receives s force which raises the sleeper in a cover box.例文帳に追加

枕木１１は、長手方向に対して垂直な横断面が下方に向かうほど幅の広い略台形とされている。 - 特許庁

The spacing between a front side material 2 and a back side material 3 is partitioned to a central space part and a picture frame space part 6 by isolation cloth 4.例文帳に追加

表側地２と裏側地３との間を隔離布４により中央空間部５と額縁空間部６とに仕切る。 - 特許庁

To provide a small and easily executable base isolation structure having a tensile force preventive structure for restraining tensile force to laminated rubber.例文帳に追加

積層ゴムへの引張力を抑えるために、小型で施工容易な引張力防止構造を備えた免振構造を提供する - 特許庁

The PVA polymer solution used is one which exhibits rigidity not higher than that of the rubber chips themselves after being cured into the seismic isolation material.例文帳に追加

ＰＶＡポリマー溶液には、免震材として硬化した後の剛性が、ゴムチップ単体の剛性以下となるものを用いる。 - 特許庁

To adjust damping performance without deteriorating a seismic isolation effect, and to simplify inspection work.例文帳に追加

免震効果を低下させることなく減衰性能を調整することができるうえ、点検作業の簡略化を図ることができる。 - 特許庁

Then an internal surface of each of the bottom surface 11 and the side surfaces 12 has attached thereto a vibration isolation member 17 having elasticity.例文帳に追加

底面部１１の内面側及び側面部１２の内面側には、弾性を有する防振材１７が取り付けられている。 - 特許庁

To realize improvement in the transistor characteristics (operating characteristics) of a optoelectronic transducer device, the improvement in the isolation characteristics between pixels in the device and the improvement in the breakdown strength characteristics of the device.例文帳に追加

トランジスタ特性（作動特性）の向上と、画素間の分離特性の向上と、耐圧特性の向上を図る。 - 特許庁

On a non-volatile memory element, a semiconductor substrate 105 includes an active region 112 limited by an element isolation film 110.例文帳に追加

不揮発性メモリ素子において、半導体基板１０５は、素子分離膜１１０により限定された活性領域１１２を備える。 - 特許庁

An isolation layer for suppressing a leakage current is provided at least between a channel layer and a buffer layer formed under the channel layer in the buffer layer.例文帳に追加

チャネル層の下部に形成するバッファ層の少なくともチャネル層との間にリーク電流を抑制する分離層を設ける。 - 特許庁

Since the cascode amplifiers as unit amplifiers are connected in multi-stage, the isolation characteristic can be improved.例文帳に追加

このとき、単位増幅器としてのカスコード型増幅器が多段に設けられているので、アイソレーション特性を向上させることができる。 - 特許庁

To enhance the recognition performance for an alignment mark by increasing the contrast generated by a level difference between an element isolation film and the peripheral layer.例文帳に追加

素子分離膜と周辺層との段差によるコントラストを増加させ、整列マークに対する認識性能の向上を図る。 - 特許庁

By controlling the value of the magnetic resonance half value width (ΔH) of a magnetic body, the isolation fractional band width is set to a desired value.例文帳に追加

磁性体の磁気共鳴半値幅（ΔＨ）の値を制御することによってアイソレーション比帯域幅を所望の値に設定する。 - 特許庁

A hard plate 1, an inner payer gum 2 and as flange 3, 3 are laminated to form a body of the seismic base isolation apparatus through vulcanization bonding.例文帳に追加

硬質板１と、内層ゴム２と、フランジ３，３とが積層され、加硫接着により一体の免震装置本体とされている。 - 特許庁

To provide an antenna switching circuit device with an excellent isolation characteristic while suppressing an increase in the layout area to the utmost extent.例文帳に追加

レイアウト面積の増大を極力抑えつつ、良好なアイソレーション特性を有するアンテナスイッチ回路装置を提供する。 - 特許庁

The S/D sidewall 10 is provided while laying the circumferential edge thereof on the circumferential edge of the opening in an isolation region 3.例文帳に追加

Ｓ／Ｄサイドウォール１０は、その周縁を素子分離領域３の開口周縁上に重ねた状態で設けられている。 - 特許庁

Both edges of the detection part 14 in the direction extension of the gate electrode 15 are apart from the element isolation region 12.例文帳に追加

ゲート電極１５が延びる方向における検出部１４の２つの縁部は、共に、素子分離領域１２から離れている。 - 特許庁

By providing an isolation wall 44 for avoiding the interference of the flexible cables 50a, 50b with each other, satisfactory assembling facility can be obtained.例文帳に追加

また、各可撓性ケーブル５０ａ，５０ｂの干渉を回避する隔離壁４４を設ければ、良好な組立性が期待できる。 - 特許庁

Preferably, by turning ΔH to be ≥8,000 A/m, the practically sufficient isolation fractional band width is obtained.例文帳に追加

好ましくは、ΔＨを８０００Ａ／ｍ以上とすることにより、実用上十分なアイソレーション比帯域幅を得ることができる。 - 特許庁

The thickness T of the isolation insulating film 3 on the substrate 1 is set smaller than the width D5 of the open part of the trench part 5.例文帳に追加

そして、半導体素子基板１上の分離絶縁膜３の厚さＴを、溝部５の開口部の幅Ｄ５よりも薄くした。 - 特許庁

An output of the post-stage amplifier 6 is not affected by a bypass line 7 because of an isolation characteristic of a directional coupler 12.例文帳に追加

後段増幅器６の出力は、方向性結合器１２のアイソレーション特性によりバイパス線路７の影響を受けない。 - 特許庁

On a surface of the element isolation insulating film 2a, a plurality of groove-like recesses 2b are formed in a direction perpendicular to the word line WL.例文帳に追加

素子分離絶縁膜２ａの表面に、ワード線ＷＬと直交する方向に溝状の凹部２ｂを複数本形成する。 - 特許庁

To provide a base isolation duct which does not require a support member for supporting a duct body and can suppress air resistance small.例文帳に追加

ダクト本体を支持するための支持部材を要せず、かつ、空気抵抗を小さく抑えることができる免震ダクトを提供する。 - 特許庁