「Magnetron」に関連した英語例文の一覧と使い方(29ページ目) - Weblio英語例文検索

The microwave power control device is configured by providing a microwave variable attenuator 31, which includes an isolator 14, a variable reactance element 30, and a power monitor 15 sequentially connected from the microwave oscillator 11 toward an applicator 18, on a waveguide tube circuit 10 for transmitting microwave power outputted by the microwave oscillator 11 having the magnetron to the applicator 18.例文帳に追加

マグネトロンを備えるマイクロ波発振器１１が出力するマイクロ波電力をアプリケータ１８に送る導波管系回路１０に、マイクロ波発振器１１からアプリケータ１８に向かって順次接続したアイソレータ１４、可変型リアクタンス素子３０、パワーモニタ１５からなるマイクロ波可変減衰器３１を備えて構成したマイクロ波電力制御装置となっている。 - 特許庁

The magnetron includes an anode, a cathode placed at the center of the anode, a plurality of vanes projecting from the inner surface of the anode toward the cathode radially, and an upper end shield and a lower end shield coupled to the top and the bottom of the cathode respectively so that a length L of an effective heating part of the cathode is shorter than the height H of the vane.例文帳に追加

マグネトロンは、アノードと、アノードの中心に配置されるカソードと、アノードの内面からカソードに向かって放射状に突出する複数のベーンと、カソードの有効加熱部の長さＬがベーンの高さＨよりも短くなるように、カソードの上端及び下端にそれぞれ結合される上部エンドシールド及び下部エンドシールドとを含む。 - 特許庁

In the film deposition method by the magnetron sputtering method, the soiling due to the organic materials stuck on the surface of the substrate is removed by producing a plasma gas of gaseous oxygen which is composed of 30-100 vol.% gaseous oxygen and 0-70 vol.% one or more kinds of gases selected from gaseous helium, gaseous neon, gaseous argon, gaseous xenon and gaseous krypton and using the gaseous oxygen plasma.例文帳に追加

マグネトロンスパッタリング法による成膜方法において、３０〜１００容積％の酸素ガスと、０〜７０容積％の窒素ガス、ヘリウムガス、ネオンガス、アルゴンガス、キセノンガス、クリプトンガスの中から選ばれる１種以上のガスとからなり、酸素ガスのプラズマ気体を発生させ、該酸素プラズマを用いて基板の表面に付着した有機系物質の汚れを除去する。 - 特許庁

In the semiconductor multilayer film comprising an Si single crystal substrate, and an Si_1-XGe_X (0<X≤1) film formed thereon, the Si_1-XGe_X film is preferably formed by magnetron sputtering method such that the surface defect density on the Si_1-XGe_X film becomes 10^4/cm^2 or less.例文帳に追加

Ｓｉ単結晶基板と、このＳｉ単結晶基板上に形成されたＳｉ_１−ＸＧｅ_Ｘ（０＜Ｘ≦１）膜とを具えた半導体積層膜において、前記Ｓｉ_１−ＸＧｅ_Ｘ膜は好ましくはマグネトロンスパッタリング法で形成し、前記Ｓｉ_１−ＸＧｅ_Ｘ膜の表面欠陥密度が１０^４／ｃｍ^２以下となるようにする。 - 特許庁

The selective patterning method includes a DC heating evaporation method, an ion beam evaporation method, a reactive ion beam evaporation method, a two-pole sputtering method, a magnetron sputtering method, a reactive sputtering method, a three-pole sputtering method, an ion beam sputtering method, an ion plating method, a hollow cathode beam method, an ion beam injection method and a plasma CVD method and the like.例文帳に追加

選択的パターニング方法は、直流加熱蒸着法、イオンビーム蒸着法、反応性イオンビーム蒸着法、２極スパッタ法、マグネトロンスパッタ法、反応性スパッタ法、３極スパッタ法、イオンビームスパッタ法、イオンプレーティング法、ホローカソードビーム法、イオンビーム注入法及びプラズマＣＶＤ法などである。 - 特許庁

The control part 1 specifies the information presenting substance information on the basis of a detecting result of the fluorescence of the information presenting substance by the detecting part 5, and specifies the heating preparation information corresponding to the information presenting substance information by referring to the reference table of the storage part 4, and then, automatically heats and cooks the heating preparations by controlling the magnetron 6 on the basis of the heating preparation information.例文帳に追加

制御部１は、検出部５による情報提示物質の蛍光の検出結果に基づいて情報提示物質情報を特定し、さらに記憶部４の参照テーブルを参照することにより情報提示物質情報に対応する被加熱調理品情報を特定したあと、その被加熱調理品情報に基づいてマグネトロン６を制御することにより被加熱調理品を自動的に加熱調理する。 - 特許庁

A catalyst formed by coating activated carbon or a carrier of a high dielectric constant with nanometer scale titanium dioxide, is filled into a heat-resistant ceramic tube or a glass tube 16 disposed in a carrier of a reactor, disposed between irradiation bodies 15' of a magnetron microwave oscillator 15 of the heat-resistant ceramic tube or glass tube 16, and irradiated with microwave.例文帳に追加

ナノメータースケールの二酸化チタンにより活性炭または高誘電率の担体を被覆した触媒を、反応槽のキャリア内に配置された耐熱セラミック管（またはガラス管）１６内に充填し、耐熱セラミック管（またはガラス管）１６のマグネトロンマイクロ波発振器１５の照射体１５‘ の間に配置してマイクロ波を照射する。 - 特許庁

The sound generated accompanied by the spark is detected by a microphone 10, signal processing is performed while switching filters 21-1, 21-2, 21-3, 21-4 by a signal processing means 13 having a group of filters 20 of various characteristics, and the determination of the spark and the control of the motion of a magnetron 1 are performed by a microcomputer 14 as a spark determining means.例文帳に追加

スパークに伴い発生する音をマイクロフォン１０で検出し、特性の異なるフィルタ群２０を有する信号処理手段１３でフィルタ２１−１，２１−２，２１−３，２１−４を切換えて信号処理を行い、スパーク判定手段であるマイクロコンピュータ１４により、スパーク判定、マグネトロン１の動作制御を行う。 - 特許庁

The target for the magnetron sputter is obtained by inserting targets of columnar pin shape formed of the same material for a transparent conductive film as the target or other conductive material for the transparent conductive film in a large number of holes in a disk-shaped target formed of a material for the transparent conductive film having a large number of holes opened therein in a completely filling manner.例文帳に追加

多数の穴の開いた透明導電膜用材料からなる円盤状ターゲットに、ターゲットと同一透明導電膜用材料または他の透明導電膜用導電材料からなる円柱ピン形状のターゲットを多数の穴に完全充填するよう挿入させたことを特徴とする。 - 特許庁

After an interlayer insulation film 10, the underlying layer 11a of a conductive film for lower electrode, and the like, are formed on a substrate 1, a Pt film having a thickness in the range of 50-500 nm, e.g. about 175 nm, is formed as the overlying layer 11b of the conductive film for lower electrode on the underlying layer 11a by DC magnetron sputtering.例文帳に追加

基板１上に層間絶縁膜１０及び下部電極用導電膜の下側層１１ａ等を形成した後、下側層１１ａ上に下部電極用導電膜の上側層１１ｂとして厚さが５０ｎｍ〜５００ｎｍ、例えば約１７５ｎｍのＰｔ膜をＤＣマグネトロンスパッタ法により形成する。 - 特許庁

Both surfaces of the boards 7 are simultaneously processed by plasma by the use of a glow discharge generated between the boards 7 and the ground-side electrode plates 9 by high-frequency potential difference between the boards 7 and the ground-side electrode plates 9 in the presence of a reactive gas while a microwave generated by a magnetron 3 is applied into the metal chamber 1 from the top of the metal chamber.例文帳に追加

そして、金属製チャンバ−１の上部からマグネトロン３によって発生されたマイクロ波を金属製チャンバ−１内に照射しながら反応ガスの存在下に被処理基板７とグランド側電極板９との間の高周波電位差により被処理基板７とグランド側電極板９の間に発生するグロ−放電を利用して多数の被処理基板７の両面を同時に所要のプラズマ加工処理する。 - 特許庁

The magnetron sputtering apparatus having a target to be sputtered, a substrate arranged so as to face the target, on which the sputtered material from the target is deposited, and a magnetic field generating means for generating the magnetic field on the surface of the target, comprises the target composed of magnetic materials, arranging the magnetic field generating means so as to surround the target, and forming an unbalanced magnetic field.例文帳に追加

スパッタリングされるためのターゲットと、ターゲットからスパッタリングされた物質を付着すべく対向配置された基板と、ターゲットの表面に磁場を発生するための磁界発生手段とを有するマグネトロンスパッタ装置において、ターゲットを磁性体で構成し、且つ磁界発生手段をターゲットを取り囲むように設け、アンバランス磁場を形成することである。 - 特許庁

In the electrochromic element having a layered film wherein a first conductive film, an oxidation coloring layer, an electrolyte layer, a reduction coloring layer and a second conductive film are layered in this order or in the reverse order on a substrate, any one, or two or more layers of the oxidation coloring layer, the electrolyte layer and the reduction coloring layer are film-deposited by a dual magnetron sputtering method in an atmosphere containing hydrogen.例文帳に追加

基板上に、第１の導電膜、酸化発色層、電解層、還元発色層、及び第２の導電膜がこの順或いは逆順で積層されてなる積層膜を有するエレクトロクロミック素子において、該酸化発色層、電解層及び還元発色層のうちのいずれか１層又は２層以上が、水素を含有する雰囲気において、デュアルマグネトロンスパッタ法により成膜される。 - 特許庁

The substrate processing method for generating plasma by incurring magnetron discharge within a processing vessel by an electric field and a magnetic field, and for performing plasma processing on a substrate using the plasma includes the steps of: carrying the substrate into the processing vessel; forming a film on the substrate through activation using plasma by feeding gases into the processing vessel; and carrying the treated substrate out of the processing vessel.例文帳に追加

電界と磁界とにより処理容器内にマグネトロン放電を起こしてプラズマを生成し、このプラズマを用いて基板をプラズマ処理する基板処理方法であって、基板を処理容器内に搬入する工程と、処理容器内にガスを供給してプラズマにより活性化させ、基板上に膜を形成する工程と、処理後の基板を処理容器から搬出する工程とを備える。 - 特許庁

By detecting such a sign that the high voltage transformer 21 may locally cause abnormal heat generation, or generation of corona discharge, since operation of the magnetron 24 can be stopped before the high voltage transformer 21 locally generates heat, accidental heat generation of the high voltage transformer can be prevented.例文帳に追加

このように高圧トランス２１が局部的に異常発熱しようとする兆候すなわちコロナ放電の発生を検出できるようにすることで、高圧トランス２１が局部的に異常発熱する以前にマグネトロン２４の動作を停止させるように対処しているから、高圧トランスの万一の異常発熱を阻止できるようになる。 - 特許庁

Further, the magnetron unit 11 has a cooling water introduction member 25 provided rotatably so as to pierce through the center part of the upper plate 13 of the unit body 14, and an L- shaped cooling water introduction member 26 pierced through the vicinity of the center part of the magnet assembly 15 is connected to the lower end part of the cooling water introduction member 25.例文帳に追加

また、マグネトロンユニット１１は、ユニット本体１４の上部プレート１３の中心部を貫通するように回転可能に設けられた冷却水導入部材２５を有し、この冷却水導入部材２５の下端部には、マグネットアセンブリ１５の中心部の近傍を貫通したＬ字型の冷却水導入部材２６が接続されている。 - 特許庁

An ultraviolet ray irradiation unit 10A is constituted by housing an electrodeless lamp 12, in which discharge medium emitting ultraviolet ray by microwave generated by a magnetron 13 is enclosed, in a lamp house 11 having an electromagnetic shield function, and by arranging a screen 21 irradiating ultraviolet ray outside from under the lamp house 11.例文帳に追加

電磁シールド機能を有するランプハウス１１に、マグネトロン１３が発生するマイクロ波により紫外線を発光させる放電媒体が封入されている無電極ランプ１２を収納し、ランプハウス１１の下方から外部に紫外線を照射させるスクリーン２１を配置して紫外線照射部１０Ａを構成する。 - 特許庁

In the magnetron cathode of the sputtering apparatus comprising the target, and a magnet unit disposed on a back side of the target and comprising a center magnet and an outer circumferential magnet, the target has a part inclined in the direction of a substrate and the outer circumferential magnet is higher than the center magnet on an outer circumferential part side of the target.例文帳に追加

ターゲットと、該ターゲットの裏側に配置され中心磁石及び外周磁石からなる磁石ユニットと、から構成されるスパッタリング装置のマグネトロンカソードにおいて、前記ターゲットは基板方向に傾斜する部分を有し、前記ターゲットの外周部側で前記外周磁石を中心磁石より高くしたことを特徴とする。 - 特許庁

To efficiently and surely dry dried objects without browning and melting the dried objects made of various materials, damaging buttons, metal fittings or the like attached to clothing or the like by generated heat, and causing ignition in drying the clothing or the like by utilizing microwaves generated from a magnetron.例文帳に追加

マグネトロンから発振したマイクロ波を利用して衣類等を乾燥させるにあたり、それぞれ種類の異なる素材からなる乾燥対象物を焦がしたり溶かしたりせず、また例えば衣類に着いているボタンや金具等の発熱により破損させず、さらには発火現象を生じさせることなく乾燥対象物を効率よく的確に乾燥処理を行う。 - 特許庁

The cathode 10 of this magnetron includes a cylindrical field emission electron source 11, and inside the electron source 11, a columnar permanent magnet 12 is installed which is made of samarium, cobalt, etc., and whose two ends constitute magnetic pole surfaces, and end hats 13 and 14 made of magnetic metal are arranged joining magnetically with the magnetic pole surfaces of the magnet.例文帳に追加

陰極１０は、筒状電界電子放出源１１の内部に、両端が磁極面を形成する例えば、サマリウム・コバルト等よりなる柱状永久磁石１２を備え、この磁石の両端磁極面に磁性体金属よりなるエンドハット１３，１４が磁気的に接合するように配設されている。 - 特許庁

A MMT (Modified Magnetron Type) device 100 includes: a processing chamber 201 for processing a wafer 200; a susceptor 300 provided in the processing chamber 201 and holding the wafer 200; a heater 310 provided in the susceptor 300 and heating the wafer 200; and a spacer 320 disposed forming a space between the susceptor 300 and heater 310.例文帳に追加

ＭＭＴ装置１００は、ウエハ２００を処理する処理室２０１と、処理室２０１内に設けられ、ウエハ２００を保持するサセプタ３００と、サセプタ３００内に設けられ、ウエハ２００を加熱するヒータ３１０と、サセプタ３００とヒータ３１０との間に空間が形成されるように配置されたスペーサ３２０とを有する。 - 特許庁

To provide a means capable of attaining low temperature film deposition and high speed film deposition in magnetron sputtering of a dual form for making low temperature film deposition and high speed film deposition compatible, and thereby to obtain various inorganic crystal films being highly functional materials, on organic films at a low temperature and at high speed.例文帳に追加

低温成膜、高速成膜を両立させることができるデュアル形式のマグネトロンスパッタリングにおいて、低温成膜と、高速成膜を達成しうる手段を提供し、これによって有機フィルムの上に高機能性材料である例えば各種無機結晶膜を低温、高速で得ようというものである。 - 特許庁

In this high frequency heating device provided with a heating storage 102, a magnetron 107, a high voltage transformer 104, a high voltage diode 106 and a plurality of high voltage capacitors 105, a high voltage component is integrally composed to be easily assembled by integrally mounting the high voltage diode 106 and the plurality of high voltage capacitors 105 on a substrate.例文帳に追加

加熱庫１０２と、マグネトロン１０７と、高圧トランス１０４と、高圧ダイオード１０６と、複数の高圧コンデンサ１０５とを備えた高周波加熱装置において、前記高圧ダイオード１０６と前記複数の高圧コンデンサ１０５を一枚の基板上に一体に実装することにより、高圧部品を組み立ての容易な一体型構造とする。 - 特許庁

The defrosting mode includes a first process of irradiating microwaves into a cooking chamber 3 by a magnetron 15, and a second process of subsequently stopping the irradiation of microwaves, jetting steam into the cooking chamber 3 from a plurality of pipes 22 on the upside of a steam case 19, and blowing off outside air from an outside air port 27 formed on the upper part of the cooking chamber 3.例文帳に追加

解凍モードはマグネトロン１５により調理室３内へマイクロ波を照射する第１工程と、その後、マイクロ波の照射を停止して、スチームケース１９上の複数のパイプ２２から調理室３内へ蒸気を噴出させるとともに、調理室３の上方に形成された外気口２７から外気を吹出させる第２工程により構成されている。 - 特許庁

In spreading the asphalt mixture made into asphalt pavement in a second lane while heating an end part made into a joint 23 of existing asphalt pavement 21 in a first lane, the end part is irradiated with microwave by a joint heating device 10 provided with a magnetron 11, to heat the end part to an appropriate temperature, and then the asphalt mixture is spread.例文帳に追加

既設の１車線目のアスファルト舗装２１の継ぎ目２３となる端部を加熱しながら、２車線目のアスファルト舗装２２となるアスファルト合材を敷き均す際に、マグネトロン１１を備えた継ぎ目加熱装置１０により、上記端部にマイクロ波を照射して、上記端部の温度を、適正な温度に加熱した後、アスファルト合材を敷き均すようにした。 - 特許庁

To provide a non-planar sputtering target for magnetron cathode sputtering of magnetic thin film, capable of eliminating waste of expensive ferromagnetic material, reducing the frequency of replacement of target, and causing no deposition of foreign particles, by reducing the magnetic permeability of at least part of the ferromagnetic material to a value lower than the intrinsic magnetic permeability of the material.例文帳に追加

磁性薄膜のマグネトロン陰極スパッタリングに使用するための非平面スパッタターゲットで、高価な強磁性材料を浪費せず且つターゲット交換頻度を低下し、異質粒子を被着しないターゲットを、この強磁性材料の少なくとも一部の透磁率をこの材料の固有透磁率より低くすることによって提供すること。 - 特許庁

The microwave generation device, surely preventing the high voltage diodes 203, 204 from breakdown caused by temperature increase thereof, can be provided by detecting the current flowing through the high voltage diodes 203, 204 directly related with the temperature increase thereof, and by controlling an output of the magnetron.例文帳に追加

高圧ダイオード２０３、２０４の温度上昇度に直接関係する高圧ダイオード２０３、２０４に流れる電流を検出し出力制御をする構成にすることにより、高圧ダイオード２０３、２０４の温度上昇をより正確に検出し高圧ダイオード２０３、２０４の温度上昇による破壊をより確実に防止する装置を提供できる。 - 特許庁

In the method for producing a cut filter for near IR rays in which low reflective index films and high reflective index films are alternately stacked on a substrate, the respective films are formed by magnetron sputtering, and oxygen is fed to an electron cyclotron resonance type ion source and an assist ion source, while plasma is excited so as to oxidize the films.例文帳に追加

基板上に低屈折率膜と高屈折率膜を交互に積層されてなる近赤外線カットフィルターの製造方法であって、それぞれの前記膜をマグネトロンスパッタリングにより成膜し、電子サイクロトロン共鳴型イオン源及びアシストイオン源に酸素を供給するとともに、プラズマを励起させて前記膜を酸化することを特徴とする。 - 特許庁

In a cooker, this electric or electronic equipment, plural types of operation times of a magnetron can be set by a microcomputer, dot indicators 91 to 919 correspond to each operation time, and when one of these plural types is set as a set time, the dot indicator corresponding to this set time lights or blinks.例文帳に追加

本発明の電気又は電子機器である加熱調理器では、マイコンで設定し得るマグネトロンの運転時間は複数種あってそれぞれにドット表示器９１〜９１９が対応しており、その複数種のうちの１つが設定時間として設定されると該設定時間に対応するドット表示器が点灯又は点滅する。 - 特許庁

The surfaces of the smooth electrodes (412, 422) manufactured by the DC magnetron reactive sputtering process enables relatively strong polarization and less fatigue and less imprint with aging, in ferroelectric thin-film capacitors (400, 500) used for electronic memories (600, 700, 800).例文帳に追加

本発明のＤＣマグネトロン反応性スパッタリングプロセスによって製造された平滑電極（４１２、４２２）の表面は、電子メモリ（６００、７００、８００）に使用される強誘電体薄膜キャパシタ（４００、５００）において、エージングするにつれ、比較的強力な分極、より小さい疲労およびより小さいインプリントを、可能にする。 - 特許庁

This power supply for driving the magnetron has a driving part to control the switching element, and two or more of the Zener diodes to decide the Vcc of the control part in this driving part are constituted in parallel.例文帳に追加

商用電源を単方向に変換する単方向電源部と、前記単方向電源部の出力を高周波に変換するスイッチング素子と、前記スイッチング素子を有するインバータ回路部と、食品または流体等を加熱するための高周波を発生するマグネトロンと、前記インバータ回路部の出力を昇圧し、前記マグネトロンへ電力を供給する昇圧トランスとを備え、前記スイッチング素子を制御する駆動部を有し、この駆動部内の制御部のＶｃｃを決定しているツェナーダイオードが並列に２つ以上構成している。 - 特許庁

The manufacturing method of ferroelectric film in which the ferroelectric film is formed on a substrate disposed on an anode by using a target made from a ferroelectric substance disposed on a cathode according to an RF magnetron sputtering method comprises: a substrate heating process for heating the substrate; and a charged particle neutralizing process for neutralizing charged particles of the ferroelectric substance which fly and deposit on the substrate.例文帳に追加

ＲＦマグネトロンスパッタリング法により、カソードに設けた強誘電体を原料とするターゲットを用いて、アノードに設けた基板の上に強誘電体膜を形成する強誘電体膜の製造方法において、前記基板を加熱するための基板加熱工程と、前記強誘電体膜となる、前記基板に飛来し堆積する前記強誘電体の帯電した粒子を中和するための帯電粒子中和工程と、を含む。 - 特許庁

To prevent the cooling capability of a target 1 from being more lowered due to that a backing plate 2 to support/cool the target is expanded and warped to form a gap at its center part caused by the temperature rising together with the target 1 by temporarily exceeding its cooling capability by the sputtering of large electric power supply in a sputtering source of a magnetron type sputtering system.例文帳に追加

本発明は、マグネトロン型スパッタリング装置のスパッタ源において、ターゲット１及びこれを支えかつ冷却する目的のバッキングプレート２が、大電力供給によるスパッタリングで一時的にバッキングプレートの冷却能力を超えて、ターゲットと共に温度上昇して膨張し、中央部分が反りかえって間隙６を作り、ターゲットの冷却能力が更に低下するのを防ぐことを目的とする。 - 特許庁

In the preparing method for a semiconductor device, a first amorphous semiconductor film where the concentration of oxygen is set to 7×10^19 cm^-3 or less is formed on an insulating board, the first amorphous semiconductor film is crystallized by heat treatment, and a second amorphous semiconductor film is formed by a magnetron type RF sputtering method using a single crystal silicon as a target under an atmosphere containing argon.例文帳に追加

本発明によると、絶縁基板上に酸素濃度が７×１０^１９ｃｍ^−３以下である第１の非晶質性半導体膜を形成し、前記第１の非晶質性半導体膜を熱処理により結晶化し、アルゴンを含む雰囲気下、単結晶シリコンをターゲットに用いたマグネトロン型ＲＦスパッタ法により、第２の非晶質性半導体膜を形成することを特徴とする半導体装置の作製方法が提供されている。 - 特許庁

The electrodeless lighting device comprises a wave guide 140 guiding microwave generated by a magnetron 130, a resonator 150 forming a resonating area of microwave, a bulb 160 generating plasma by the electric field generated at the inside of the resonator 150 and emitting light, and a conductor member 300 functioning as a lighting promotion means making electric field concentrate so as to quickly emit light when microwave is impressed.例文帳に追加

マグネトロン１３０により発生したマイクロ波を伝達する導波管１４０と、マイクロ波の共振領域を形成する共振器１５０と、共振器１５０の内部に生成した電界によってプラズマを生成して光を発生するバルブ１６０と、マイクロ波を印加した時に速かに発光するように電界を集中させる点灯促進手段として導体部材３００とを包含した無電極照明機器を構成する。 - 特許庁

A cathode 20 of the magnetron is provided with a cathode structure 21, having the lower end hat at one end and a protruded part 23 at the other end, an upper end hat 24 which can be mounted on the other end of the cathode structure 21, and a cold cathode electron emission source 25 arranged on the cathode structure 21.例文帳に追加

マグネトロンの陰極２０を、一方の端に下側エンドハット２２を形成し、他方の端に突起部２３を形成した陰極構体２１と、陰極構体２１の他端に装着可能とする上側エンドハット２４と、陰極構体２１に設ける冷陰極電子放出源２５とを備え、陽極ベイン先端の角から冷陰極電子放出源２５までの最短距離をＡ、陽極ベイン先端の角から上側エンドハット２４までの最短距離をＢとして０．５≦Ｂ÷Ａ≦１．０の範囲に入るように上側エンドハット２４の外周部の大きさを決める。 - 特許庁

This target for magnetron sputtering having a ferromagnetic metal element includes a magnetic phase 12 containing the ferromagnetic metal element, a plurality of non-magnetic phases 14, 16 containing the ferromagnetic metal element and different in constituent elements or content ratios thereof, and an oxide phase 18, wherein the respective phases comprising the magnetic phase 12 and the plurality of non-magnetic phases 14, 16 are separated from one another by the oxide phase 18.例文帳に追加

強磁性金属元素を有するマグネトロンスパッタリング用ターゲットであって、前記強磁性金属元素を含む磁性相１２と、前記強磁性金属元素を含み、かつ、構成元素またはその含有割合の異なる複数の非磁性相１４、１６と、酸化物相１８とを有しており、前記磁性相１２および前記複数の非磁性相１４、１６からなる各相は、お互いに前記酸化物相１８により仕切られている。 - 特許庁

The housing part 60 is made of a nonmagnetic material to cut off an electromagnetic wave, the exciting coil 23 is wound on the outer peripheral part of the housing part 60 to excite a magnetic field therein, and the magnetron 31 is disposed in the wall part of the housing part 60 to radiate an electromagnetic wave toward the inside.例文帳に追加

所定強度の磁界を発生させる励磁コイル２３と、所定周波数の電磁波を所定強度で輻射するマグネトロン３１と、磁気記録媒体または光記録媒体を収容する収容部６０を備え、収容部６０は電磁波を遮蔽する非磁性体で製され、収容部６０の外周部には励磁コイル２３が巻装されて内部に磁界を誘起可能であると共に、収容部６０の壁部にはマグネトロン３１が設けられて内部へ向けて電磁波を輻射可能なデータ記録媒体処理装置１。 - 特許庁

The magnetron sputtering apparatus 1 is equipped with a substrate in a form of a rectangular column or a cylinder which rotates around the center axis while holding a substrate in a vacuum chamber and with at least two targets of different kinds so as to produce sputtering particles by applying a magnetic field on the targets.例文帳に追加

本発明のマグネトロンスパッタ装置１は、真空槽内に、基板を保持した状態で中心軸回りに回転する角柱形状又は円柱形状の基板ホルダと、種類が異なる少なくとも２つのターゲットとを備え、前記ターゲットに磁場を印加してスパッタ粒子を発生させるマグネトロンスパッタ装置において、前記２つのターゲットが円筒形状であって、当該各ターゲットの中心軸と前記基板ホルダの中心軸とを結ぶ２つの線分同士が成す角θが次の式（１）を満たすことを特徴とする。 - 特許庁