| 意味 | 例文 |
Memory elementsの部分一致の例文一覧と使い方
該当件数 : 826件
Consequently, the information can be reused, for example, by being displayed again through retrieval from the memory based upon the position information and temporal elements of the scheduler without sending an information request to the information transmission system thereafter.例文帳に追加
これにより、以後、情報伝送システムに情報要求を出さなくとも、位置情報やスケジューラの時間的要素を元にメモリ38を検索することで、再度表示するなどの利用が可能となる。 - 特許庁
To provide a non-volatile semiconductor memory device, which stably operates while securing sufficient current capacity in a crosspoint type configuration that is constituted by combining non-ohmic elements and a variable resistance layer.例文帳に追加
非オーミック性素子と抵抗変化層とを組み合わせたクロスポイント型構成において充分な電流容量を確保し、安定な作動が可能な不揮発性半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁
Consequently, the circuit diagram can easily be generated and displayed only by the data input to the 'List' memory, without having to equip the calculator with keys, etc., for inputting various elements constituting circuit diagrams.例文帳に追加
これにより、回路図を構成する各種素子を入力するためのキー等を計算機に持たせることなく、Listメモリへのデータ入力だけで回路図を容易に作成、表示することができる。 - 特許庁
A method for designing a resistive random access memory array (80) is provided, in which elements are selected with values of resistances that are correlated to maintain a signal-to-noise ratio of 20 decibels or more for the array.例文帳に追加
抵抗性ランダムアクセスメモリアレイ(80)を設計するための方法が提供され、その場合エレメントは、アレイに対して20dB以上の信号対雑音比を維持するように相関された抵抗の値に選択される。 - 特許庁
According to a clock signal CLOCK generated from an oscillator 303, the image data from the FIFO memory 301 are sent out to the LED array driving part 200 successively to dots (LED elements) 1-n.例文帳に追加
発振器303から発生したクロック信号CLOCKにより、FIFOメモリ301からの画像データがドット(LED素子)1〜nまで順次LEDアレイ駆動部200に送出される。 - 特許庁
To provide a semiconductor memory including variable resistive elements which can stably and highly controllably perform writing under an intended electric resistance state in a writing operation by a random access.例文帳に追加
ランダムアクセスによる書き込み動作において、所望の電気抵抗状態へ安定に、制御性よく書き込みを行うことが可能な、可変抵抗素子を備えた半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁
To provide a game device, a game score setting method, and an information memory medium capable of preventing a game content from becoming monotonous by introducing tactical elements between a plurality of players.例文帳に追加
複数のプレーヤ相互の駆け引きの要素を取り入れることによりゲーム内容が単調になることを防止することができるゲーム装置、ゲーム得点設定方法および情報記憶媒体を提供すること。 - 特許庁
To provide a memory test method by which the number of processes required for a test of a ROM and a RAM can be reduced, test time can be shortened, the required number of elements can be reduced and costs can be saved.例文帳に追加
ROM及びRAMの試験に必要な工程数を減らし、試験時間を短縮することができ、必要な要素数を減らし、費用を低減することができるメモリ試験方法を提供する。 - 特許庁
When data is read from the memory cell M02 of a top array block to a bit line BL2, switch elements S1 and S101 are closed to store the data in the bit line BL102 of a bottom array block in the form of charges.例文帳に追加
トップアレイブロックのメモリセルM02からビット線BL2にデータを読み出すとき、スイッチ素子S1とS101を閉じて、そのデータをボトムアレイブロックのビット線BL102に電荷の形で蓄えさせる。 - 特許庁
The semiconductor device 1 for evaluating the reliability is configured to include circuit blocks each provided with a plurality of memory circuits 10 each configured with a plurality of circuit elements 11, 12, 13, including a flip-flop 12.例文帳に追加
フリップフロップ12を含む複数の回路素子11,12,13を備えて構成されるメモリ回路10が複数配列された回路ブロックを備えて信頼性評価用半導体装置1が構成される。 - 特許庁
The printing system stores position information showing a relation between the positions of dots formed by ink droplets discharged in accordance with picture element data and the positions of picture elements on a medium corresponding to the image data in a memory.例文帳に追加
予め、画素データに応じて吐出されるインク滴が形成するドットの位置と、その画素データに対応する媒体上の画素の位置との関係を示す位置情報をメモリに記憶する。 - 特許庁
A calculating section 10 which calculates the mean value of reference MBs calculates the mean value of picture elements in a reference rectangular unit to be encoded by inter-encoding and stores the mean value in the memory 17.例文帳に追加
インター符号化を行う符号化対象矩形単位について、参照MB平均値算出部10で該参照矩形単位内の画素の平均値を算出し、直流値メモリ17に蓄積する。 - 特許庁
A memory cell 12 is configured so as to include metal lines 16 intersecting with bit liens 14 in a no-contact manner therewith, and a second wiring structure 24 for connecting the lines 16 to switching elements 20.例文帳に追加
本発明のメモリセル12は、ビット・ライン14と非接触で交叉する金属線16と、金属線16とスイッチング素子20とを接続する第2の配線構造体24と、を含むように構成されている。 - 特許庁
Even if a semiconductor element formed in the memory array portion 42 itself is higher than that in the peripheral circuit portion 44, the upper surfaces of both semiconductor elements are made nearly the same level.例文帳に追加
メモリアレイ部42に形成される半導体素子自体の高さが周辺回路部44に形成されるそれより高い場合であっても、双方の半導体素子の上面の高さをほぼ同一にできる。 - 特許庁
A signal obtaining section 107 samples, from an ultrasound probe 103, acoustic signals detected by the probe elements corresponding to the selected partial region and stores the sampled acoustic signals in an element data memory 108.例文帳に追加
信号取込み部107は、超音波探触子103から、選択された部分領域に対応するプローブ素子で検出された音響信号をサンプリングし、素子データメモリ108に格納する。 - 特許庁
A pipeline processor 10 allocates each execution code of an application program divided into a plurality of stages to a local memory 21 in each of processor elements PE1-PE8 when a scheduler initializes an application.例文帳に追加
パイプライン処理装置10では、スケジューラが、アプリケーションの初期化時に、複数のステージに分割されたアプリケーションプログラムの各実行コードを各プロセッサ要素PE1〜PE8のローカルメモリ21に個別に割り当てる。 - 特許庁
In each of entry (ERYO-ERYN) in a memory cell array 1, current source elements (CSTY0-CSTN) driving a constant current are provided commonly at corresponding CAM cells (CC0 to CCN).例文帳に追加
メモリセルアレイ1内のエントリ(ERY0−ERYN)の各々において、対応のCAMセル(CC0−CCN)に共通に、定電流を駆動する電流源素子(CST0−CSTN)を設ける。 - 特許庁
To simplify a structure by reducing a memory space or the number of light emitting elements of a light source when correcting luminance unevenness in a screen of a liquid crystal panel illuminated by the light source, making it possible to make a device thinner.例文帳に追加
光源により照明される液晶パネルの画面の輝度ムラを補償する際に、メモリしくは光源の発光素子数の削減により構造を簡略化し、装置の薄型化を可能とする。 - 特許庁
A residual minimization coefficient α_1^m(1=1, -, L) used for calculating a corrected approximation ϕ^m is approximated using the elements of A ×ϕ^k (k=m-L+1, -, m-1) stored in the memory.例文帳に追加
そして、修正近似値φ^m を求めるために用いる残差最小化係数α_l^m(l=1,…,L)を、メモリに保存したA・φ^k (k=m−L+1,…,m−1)の要素を用いて、近似的に求める。 - 特許庁
A TCAM cell is constituted of two dynamic type memory cells consisting of MOS transistors 101, 102 and capacitor elements 105, 106, and a coincidence comparing circuit consisting of two MOS transistors 103, 104.例文帳に追加
TCAMセルは、MOSトランジスタ101,102とキャパシタ素子105,106とからなる2つのダイナミック型記憶セルと、2つのMOSトランジスタ103,104からなる一致比較回路とで構成される。 - 特許庁
This measuring instrument is provided with a reloadable nonvolatile memory 3, a CPU 1 reading out a program stored in the memory 3 to be operated, instrument elements 4, 54, 57, 58 operated according to a control signal output from the CPU, and a writing control part 2 for prohibit writing on the memory 3 when operation abnormality of the CPU 1 is detected.例文帳に追加
計測装置は、書き替え可能な不揮発性メモリ3と、この不揮発性メモリ3に格納されたプログラムを読み出して動作するCPU1と、このCPU1から出力される制御信号に従って動作する装置要素4、54、57、58と、CPU1の動作異常を検出すると不揮発性メモリ3への書き込みを禁止する書き込み制御部2とを備えている。 - 特許庁
A magnetic random access memory comprises: a memory cell that includes a first magnetoresistive element capable of writing data in a magnetization direction of a free ferromagnetic layer which is changed by spin transfer; and a reference cell that includes multiple second magnetoresistive elements for storing data for reference in a magnetization direction of free ferromagnetic layers which are changed by spin transfer, and that is used when the memory cell conducts reading operation.例文帳に追加
磁気ランダムアクセスメモリは、スピン注入により変更される自由強磁性層の磁化の向きでデータを書き込み可能な第1磁気抵抗素子を含むメモリセルと、スピン注入により変更される自由強磁性層の磁化の向きでリファレンス用データを記憶する複数の第2磁気抵抗素子を含み、メモリセルの読み出し動作時に用いられるリファレンスセルとを具備する。 - 特許庁
When the number of printing times of each heating element in a thermal head which is updated to be stored in a printing times memory means exceeds the durable number of printing times, energy greater than usual is applied to both heating elements adjacent to the heating elements of which the number of printing times exceeds the durable number.例文帳に追加
印字回数記憶手段によって更新記憶されたサーマルヘッドの発熱素子単位での印字回数が発熱素子の寿命印字回数を超えている場合には、その寿命印字回数を超えた発熱素子の両隣の発熱素子に対してドット印字の際に通常より高いエネルギーを印加する。 - 特許庁
The terminal substrate includes an insertion portion constituted to have the same shape as an insertion portion of a memory module, and a plurality of resistance elements, one-side ends of the resistance elements being connected respectively to a plurality of signal system plugs included in the insertion portion, and the other-side ends thereof being connected to any one of a plurality of power supply system plugs included in the insertion portion.例文帳に追加
終端基板は、メモリモジュールの挿入部と同一に構成された挿入部と、挿入部に含まれる複数の信号系接栓の各々に一端が接続され、かつ他端が挿入部に含まれる複数の電源系接栓のいずれかに接続されている複数の抵抗素子とを備える。 - 特許庁
If the own-vehicle position and the display elements including the city centers or facilities are displayed in isolation on the display section 7, the control section calculates the route from the own-vehicle position to the display elements under the condition recommended by the navigation or under the condition designated by the user, and draws the route produced as a result of the route calculation on the drawing memory.例文帳に追加
そして、表示部7に、自車位置およびシティセンターもしくは施設の表示要素が孤立して表示された場合、ナビゲーションの推奨条件、もしくはユーザの指定条件に基づき、自車位置から表示要素までの経路を計算し、当該経路計算の結果生成される経路を描画メモリに描画する。 - 特許庁
Occupation area of memory cells in a driver IC holding the data for correcting the quantity of light of each LED element is reduced by sharing 4 significant bits of quantity of light correction data between adjacent elements utilizing the fact that it varies continuously for the position of the LED elements and allotting only 1 bit to each dot.例文帳に追加
また、各LED素子の光量補正データをドライバIC内部に保持しておくことができないので、印字時に、印刷データを送信する際に、その都度同時に光量補正データも送信する必要があったため、LEDヘッドの処理を高速化することが困難であるという問題があった。 - 特許庁
When a need is generated to expand the character data of the scalable form including the attribute divided constituting elements which are the same as the attribute divided constituting elements that are already expanded into the element character data of the bit map form, and the bit map element character data stored in the font cache memory 106 are reused.例文帳に追加
既にビットマップ要素文字データに展開された属性分割構成要素と同一の属性分割構成要素を含むスケーラブル形式の文字データをビットマップ形式の文字データに展開する必要が発生したときには、フォントキャッシュメモリ106に保存しておいたビットマップ要素文字データを再利用する。 - 特許庁
In one set of memory cell M, first and second switching elements Tr1, Tr2 are arranged respectively at both sides of a capacitor contact 111 connected to a capacitor for accumulating data in an active region 102 so as to pinch the capacity contact 111 while first and second bit line contacts are arranged at the outside of both switching elements.例文帳に追加
1つのメモリセルMは、活性領域102内においてデータ蓄積用の容量に接続されるキャパシタコンタクト111を挟んで、その両側にそれぞれ第1及び第2のスイッチング素子Tr1,Tr2が配設され、その両外側に第1及び第2のビット線コンタクト121,122が配設される。 - 特許庁
Moreover, the memory cells MC (m, n+1) and MC (m+1, n+1) have the magnetic tunnel junction elements MR3 and MR31 respectively connected with the word lines WLn+1 at the one end, and connected respectively with the bit lines BLm and BLm+1 at the other end of the magnetic tunnel junction elements MR3 and MR31.例文帳に追加
また、メモリセルMC(m,n+1)およびMC(m+1,n+1)は、ワード線WLn+1にそれぞれの一方端が接続された磁気トンネル接合素子MR3およびMR31を有し、磁気トンネル接合素子MR3およびMR31のそれぞれの他方端は、ビット線BLmおよびBLm+1に接続されている。 - 特許庁
An image-recording apparatus 200 is disclosed which comprises a plurality of forming elements 2002 for forming images, a memory 2006 indicating a relative desirability of utilizing the forming elements 2002 to form images, and processing means 2008 for computing image recording signals with the use of input image signals 2012 and stored data.例文帳に追加
画像を形成する複数の形成要素2002と、画像を形成するために形成要素2002を利用する相対希望度を指示するメモリ2006と、入力画像信号2012及び格納データを使用して画像記録信号を計算する処理手段2008とを具備する画像記録装置2000を開示する。 - 特許庁
The single-chip multiprocessor includes processing elements 16 each including a CPU 20, a network interface 32 connected to the CPU, an adjustable prefetch instruction cache 24 connected directly to the CPU and network interface, and a data transfer controller 30 connected directly to the CPU and a concentrated common memory 28 which is connected to the respective processing elements and shared by the processing elements.例文帳に追加
CPU20と、該CPUに接続しているネットワークインタフェース32と、該CPUと該ネットワークインタフェースに直接接続しているアジャスタブルプリフェッチ命令キャッシュ24と、該CPUに直接接続しているデータ転送コントローラ30とを含んでなる複数のプロセッシングエレメント16と、各プロセッシングエレメントに接続し各プロセッシングエレメントによって共有される集中共有メモリ28とを含んでなるシングルチップマルチプロセッサ。 - 特許庁
Gates of the read selection switches SW of the dummy cells are also connected to the read word lines RWL(i), RWL(ref), but the dummy cell does not function as the memory cell since the read selection switches and MTJ (Magnetic Tunnel Junction) elements MTJ are being cut off.例文帳に追加
リードワード線RWL(i),RWL(ref)には、ダミーセルのリード選択スイッチSWのゲートも接続されるが、ダミーセルは、リード選択スイッチSWとMTJ素子MTJとが切断されているため、メモリセルとして機能しない。 - 特許庁
To provide a ternary shape memory alloy for the living body in which Sn free from the indication of toxicity is added as a third element to a Ti alloy composed of elements excellent in suitability to the living body.例文帳に追加
生体適合性に優れた元素で構成されているTi合金に着目し、第3元素として毒性の指摘のないSnを加えた3元系合金を生体用の形状記憶合金として提案する。 - 特許庁
To provide an image processor reducing a memory capacity required for a processing contracting an image size by decreasing the number of the picture elements of an image related to a compressed image data while lightening a burden on a processing.例文帳に追加
圧縮画像データに係る画像の画素数を減少して画像サイズを縮小する処理に必要なメモリ容量を削減するとともに、処理負担を軽減することができる画像処理装置を提供する。 - 特許庁
Comparison logic monitors the window 34 of the queue 30 and selects one or plural queue elements 32 to be sent to the element 20 representing a memory access request that is not sent to the element 20 yet.例文帳に追加
比較論理が、この待ち行列のウィンドウを監視し、データ記憶要素にまだ送られていないメモリ・アクセス要求を表すデータ記憶要素へ送るための1つまたは複数の待ち行列要素を選択する。 - 特許庁
Concretely, this invention contrives a means that uses wiring connection for arrangement conversion of a plurality of the bits and supply of arithmetic results among memory elements and logic circuits in the large scale integrated circuit so as to realize the simplified circuit and the parallel operations.例文帳に追加
具体的にはLSI内のメモリ素子、論理回路間に複数のビット配列変換や演算結果供給のための結線接続を用いて回路の簡易化と動作の並列化を実現する手段を考案した。 - 特許庁
To provide a flash memory device having a multi-bank structure in which performance of elements can be improved by realizing effectively dual operation without increasing area in the multi-bank structure of two banks or more.例文帳に追加
2バンク以上のマルチバンク構成において面積を増加させなくてもデュアルオペレーションを効果的に実現することにより、素子の性能を向上させることが可能なマルチバンク構造のフラッシュメモリ装置を提供すること。 - 特許庁
In this self-light emission display device, comparison circuits 106a, 106b, 106c compare luminances of self-light emission elements 103a, 103b, 103c detected by optical sensors 104a, 104b, 104c with a reference value of luminance stored in a memory 105.例文帳に追加
比較回路106a、106b、106cは、光センサ104a、104b、104cで検出した自発光素子103a、103b、103cとメモリ105に格納された輝度の基準値との比較を行う。 - 特許庁
An antenna element 10 is mounted on one main surface of the laminated substrate 101, and circuit elements such as an IC 201 for down converter, a CPU chip 301, and a flash memory 302 are mounted on the other main surface thereof.例文帳に追加
積層基板101の一方主面にはアンテナ素子10が実装され、他方主面にはダウンコンバータ用IC201、CPUチップ301およびフラッシュメモリ302等の実装回路素子が実装されている。 - 特許庁
A dirty data element to be backed up in the nonvolatile storage resource from the first cache memory is a dirty data element other than the one or more dirty data element having finished with copying of the plurality of dirty data elements.例文帳に追加
第一のキャッシュメモリから不揮発性の記憶資源にバックアップするダーティデータ要素は、複数のダーティデータ要素のうちのコピーが完了した上記一以上のダーティデータ要素以外のダーティデータ要素である。 - 特許庁
This magnetic random access memory system is provided with tunnel magnetic resistance elements 10, word lines WL1 to WLn, bit lines BL1 to BLm, a writing driver and a writing circuit 52 that can simultaneously select all writing drivers.例文帳に追加
磁気ランダムアクセスメモリシステムは、トンネル磁気抵抗素子10、ワード線WL1〜WLn、ビット線BL1〜BLm、書き込みドライバ、及び全ての書き込みドライバを同時に選択状態にできる書き込み回路52を備えている。 - 特許庁
To provide an electronic bulletin board permitting powerless display by constructing a display part from memory type liquid crystal display elements, and permitting remote and multi-points simultaneous rewrite display by making the display part operate via a personal computer and a network.例文帳に追加
メモリー性液晶表示素子で表示部を構成することで無電力表示を可能とし、パーソナルコンピュータやネットワークを介することにより遠隔多地点同時書き換え表示が可能な電子掲示板を提供できる。 - 特許庁
At this time, based on the input value read from an input power detecting means 14, a relation between frequencies of the switching elements 4A, 4B memorized in a memory unit 16 and the input is rectified to a relation particular to the product itself.例文帳に追加
そのとき入力電力検知手段14から読取った入力の値から、記憶装置16に記憶されているスイッチング素子4A,4Bの周波数と入力との関係を、その製品独自のものに補正する。 - 特許庁
A calculating section 13 for calculating the mean value of MBs to be encoded calculates the mean value of picture elements in a rectangular unit to be encoded by intra-encoding and stores the means value in a direct current value memory 17.例文帳に追加
イントラ符号化を行う符号化対象矩形単位について、符号化対象MB平均値算出部13で該符号化対象矩形単位内の画素の平均値を算出し、直流値メモリ17に蓄積する。 - 特許庁
USB terminals 3 are formed on a first main face 2a of a circuit board 2 having a plurality of device forming regions, and memory elements 5 are mounted on a second main face 2b opposite to the first main face 2a.例文帳に追加
複数の装置形成領域を有する回路基板2の第1の主面2aにUSB端子3を形成すると共に、第1の主面2aとは反対側の第2の主面2bにメモリ素子5を実装する。 - 特許庁
Temperature coefficients of each of the hall elements are determined according to the relationship between the measured electric characteristics and temperatures, and the correlation between the determined temperature coefficient and the electric characteristic of the hall element is stored beforehand in a memory medium.例文帳に追加
測定した電気特性と温度との関係から各ホール素子の温度係数を決定し、決定した温度係数と室温でのホール素子の電気特性の相関関係を予め記憶媒体に記憶しておく。 - 特許庁
The apparatus for producing a patch holds matrix data D in which a plurality of elements are arranged in row and column directions and each element is provided with values from 0 to n (n is an arbitrary positive integer) in a memory.例文帳に追加
貼付剤製造装置は、メモリに、複数の要素が行方向および列方向に配列されるとともに各要素に0〜n(ただし、nは任意の正の整数)までの値が付与されたマトリクスデータDを保持している。 - 特許庁
Image information collected by the lenses 1, 2 are subjected to photoelectric conversion by image pickup elements 3, 4, respectively, and are stored as images of right and left side faces in a frame memory 5 via a signal processing circuit 6, respectively.例文帳に追加
レンズ1、2によって集光された画像情報は、それぞれ撮像素子3、4によって光電変換され、信号処理回路6を経由してフレームメモリ5にそれぞれ左右側面の画像として記憶される。 - 特許庁
Alternatively, the input analog signal is not resistively divided into the plurality of levels, but the magnetic memory elements are given different inverting current values to implement the same result as above.例文帳に追加
或いは、入力アナログ信号を抵抗により複数レベルに分割する代わりに、各磁気メモリ素子としてそれぞれその反転電流値が異なるものを設けることによっても、上記と同様の結果を得ることができる。 - 特許庁
To provide a semiconductor memory which can be secured with wide power source margin by reducing the number of digit system peripheral array elements and adjusting automatically a pre-charge voltage value so as to correspond to a wide voltage band.例文帳に追加
デジット系周辺アレイ素子の数を削減し、かつ、広い電圧域に対応するようにプリチャージ電圧値を自動的に調整することにより広い電源マージンを確保できる半導体記憶装置を提供する。 - 特許庁
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