「Memory method」に関連した英語例文の一覧と使い方(207ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide an image processing apparatus capable of reducing the capacity of a memory storing image data and performing random access to a desired part of the image data stored in the memory further, its method, a program and a recording medium.例文帳に追加

画像データを格納するメモリの容量を削減し、さらに、メモリに記憶された画像データの所望の部分に対してランダムアクセスを行うことが可能な画像処理装置及びその方法、並びにプログラム及び記録媒体を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a ferroelectric memory element having a BLT ferroelectric film that can improve electric characteristics of a capacitor and can be crystallized at a relatively low temperature, and to provide a ferroelectric memory device.例文帳に追加

キャパシタの電気的特性を向上させることができ、比較的に低い温度で結晶化可能なBLT強誘電体膜を有する強誘電体メモリ素子の製造方法および強誘電体メモリ装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a sine wave generation method, a modem device, and a recording medium in which a modem processing program is recorded, which reduce a memory area for sine wave generation and improve the use efficiency of the memory area.例文帳に追加

正弦波生成のためのメモリ領域を小さくすることができ、さらにメモリ領域の使用効率を向上することができる正弦波生成方法、モデム装置及びモデム処理用プログラムを記録した記録媒体を提供すること。 - 特許庁

To detect an object that is not executed, even with a pointer being present among objects occupying areas on memory, regarding a method of detecting memory leaks which includes detecting of objects left unused, and so on.例文帳に追加

メモリ上に領域を占有するオブジェクトのうちの、使用されないまま残存するオブジェクトを検出するメモリリーク検出方法等に関し、ポインタが存在するにもかかわらず実行されないオブジェクトを低負荷で検出する。 - 特許庁

To provide an image processor, an image processing method, an image processing program, and a recording medium expanding and outputting the compressed data of a memory after input image data is compressed in a variable length once and stored in the memory.例文帳に追加

本発明は、入力画像データを一旦可変長圧縮してメモリに保管した後に該メモリの圧縮データを伸長して出力する画像処理装置、画像処理方法、画像処理プログラム及び記録媒体に関する。 - 特許庁

To provide a writing device, a writing method and a writing program for substantially extending service life of a flash memory by facilitating equalization of the number of writes to a storage area of the flash memory.例文帳に追加

フラッシュメモリの記憶領域に対する書き込み回数の平準化の程度を一層高めることで、フラッシュメモリの寿命を実質的に延長することができる、書き込み装置、書き込み方法、及び書き込みプログラムを提供すること。 - 特許庁

To provide a three-dimensional memory architecture that may be fabricated using a process flow that is modified relatively a little from the one used to fabricate more familiar two-dimensional memory architecture and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

より良く知られている２次元メモリ構造の製造のために用いられる処理フローから比較的小さく修正された処理フローを用いて製造され得る３次元メモリ構造およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a nonvolatile memory element in which an MTJ structure of the nonvolatile memory element can be patterned without causing a short circuit nor a current leak and without damaging the MTJ structure.例文帳に追加

短絡や電流リークを生じさせること無く、しかも、ＭＴＪ構造にダメージを生じさせること無く、不揮発性メモリ素子におけるＭＴＪ構造のパターニングを行い得る不揮発性メモリ素子の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a semiconductor device that can reduce the size of a memory cell, without deteriorating the substrate bias characteristics of a transistor for transmission, and can increase the node capacity of the memory cell for improving the SER resistance.例文帳に追加

メモリセルサイズの縮小を行っても転送用トランジスタの基板バイアス特性が悪化されず、しかもメモリセルのノード容量を増大させてＳＥＲ耐性を向上し得る構造の半導体装置の製造方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a magnetic memory device to which information can stably be written by efficiently utilizing a magnetic field formed by a current flowing through write wires and which can more simply be manufactured and to provide a manufacturing method of the magnetic memory.例文帳に追加

導線を流れる電流によって形成される磁界を効率よく利用して情報の書込を安定して行うことができると共に、より簡便に製造可能な磁気メモリデバイスおよびその製造方法を提供する - 特許庁

In the method for deleting the data from the NAND type nonvolatile memory, the charges stored in a charge accumulating layer of the nonvolatile memory element are released by applying potentials to a bit line, a source line and a control gate.例文帳に追加

ＮＡＮＤ型不揮発性メモリにおけるデータの消去方法において、不揮発性メモリ素子における電荷蓄積層に格納された電荷の放出について、ビット線、ソース線、及び制御ゲートに電位を印加することにより行う。 - 特許庁

To provide a microcomputer of a type mixedly mounting non-volatile memory and a non-volatile memory writing method capable of shortening the written program verification period and reducing the size of a RAM necessary for writing.例文帳に追加

本発明は、書き込みプログラムの検証期間の短縮化及び書き込みに必要なＲＡＭのサイズの低減化を図ることができる不揮発メモリ混載型マイクロコンピュータ及び不揮発メモリ書き込み方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

There are provided a resistance memory cell whose memory device is made of photoimageable switchable material reversibly switchable between distinguishable conditions of resistances patterned by actinic irradiation, and a method for forming the same.例文帳に追加

本発明は光化学線照射によってパターニングされて区別可能な抵抗状態の間で可逆的にスイッチング可能な写真現像型スイッチング可能物質をメモリ素子で使う抵抗メモリセル及びその形成方法を提供する。 - 特許庁

To provide an input termination control device in which analysis for initial defects, functions, and reliability of a semiconductor memory at a test can be easily performed by controlling ON/OFF of an input termination of a semiconductor memory, and its method.例文帳に追加

半導体メモリの入力ターミネーションをオン・オフ制御して、テストの際に半導体メモリの初期不良、機能分析、信頼性分析を容易にすることができる入力ターミネーション制御装置及びその方法を提供すること。 - 特許庁

To provide a memory cell array where a ferroelectrics layer constituting a ferroelectrics capacitor has a specific pattern for less floating capacity of a signal electrode, manufacturing method thereof, and a ferroelectrics memory device.例文帳に追加

強誘電体キャパシタを構成する強誘電体層が特定のパターンを有し、信号電極の浮遊容量を小さくすることができるメモリセルアレイ、およびその製造方法、ならびに強誘電体メモリ装置を提供する。 - 特許庁

To solve the problem that the price of a device becomes high since an image memory becomes necessary for an OSD image separately from an image memory for main video to be used for decoding for performing on-screen display such as a caption in the reproduction method of a digital moving image.例文帳に追加

ディジタル動画像の再生方法において、字幕などのオンスクリーン表示を行うにはデコードに用いる主映像用の画像メモリとは別に、ＯＳＤ画像用に画像メモリが必要となるため、装置の価格が高くなる。 - 特許庁

To provide a self alignment method wherein a semiconductor memory array of floating gate memory cells is formed on a semiconductor substrate which has a plurality of insulting regions which are arranged being isolated and has active regions which are arranged on the substrate in parallel practically with each other in a row direction.例文帳に追加

隔置された複数の絶縁区域及び基板上に設けられる行方向で実質的に互いに平行な能動区域を有する、半導体基板に浮動ゲートメモリセルの半導体メモリアレイを形成する自己整列方法。 - 特許庁

To provide a multipage reading method for a NAND type flash memory device having a multiplane structure which can simultaneously read a cell connected to an even bit line and a memory cell connected to an odd bit line in one page.例文帳に追加

一つのページ内のイブンビットラインに接続されたセルとオッドビットラインに連結されたメモリセルとを同時に読み出しすることが可能な、マルチプレーン構造を有するＮＡＮＤ型フラッシュメモリ装置のマルチページ読み出し方法の提供。 - 特許庁

To provide an image processing device and its parameter processing method, capable of automatically processing an optimal or similar job memory based on a job parameter to be set by a user or paper quality in a tray in a parameter setting type job memory.例文帳に追加

パラメータ設定型のジョブメモリにおいて、ユーザが設定するジョブパラメータ若しくはトレイの紙質を元に最適または類似のジョブメモリを自動的に処理することが可能な画像処理装置およびそのパラメータ処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for controlling a shape-memory alloy actuator capable of contributing to achieve highly accurate drive control, etc according to characteristics of the shape-memory alloy actuator that is simple and low-cost, and is actually used.例文帳に追加

簡単かつ低コストでありながら、実際に使用している形状記憶合金アクチュエータの特性に応じた高精度な駆動制御等の実現に貢献することができる形状記憶合金アクチュエータの制御方法を提供する。 - 特許庁

A memory input control part 30 assigns a memory region storing a plurality of the pixel components composing the image data of the second format in response to a selected encoding method to be collectively stored in each of the plurality of the pixel components.例文帳に追加

メモリ入力制御部３０は、選択された符号化方式に応じて、第２のフォーマットの画像データを構成する複数の画素成分を格納するメモリ領域を割り当て、複数の画素成分ごとにまとめて格納する。 - 特許庁

To provide a ferroelectric memory characteristic changing method capable of imprinting in a time shorter than a conventional imprinting time and supplementing the reduction of a polarizing amount due to relaxation effect to improve reading characteristics, in a ferroelectric memory.例文帳に追加

本発明は、強誘電体メモリについて、従来よりも短時間でインプリントを行い、リラクゼーション効果による分極量の減少を補い、読出特性を向上出来る強誘電体メモリ特性変更方法を提供する。 - 特許庁

To provide a display apparatus with low power consumption and a method of driving the apparatus by which an image signal memory can be refreshed and an image can be updated without inducing flicker in a display apparatus employing a memory built-in pixel system with a single channel transistor configuration.例文帳に追加

単チャネルトランジスタ構成のメモリ内蔵画素方式の表示装置において、フリッカを起こさずに、画像信号メモリのリフレッシュと画像の更新を行うことができ、低消費電力の表示装置及びその駆動方法 - 特許庁

The method further comprises supplying the determined drive current to the calibration memory cell, and using the calibration memory cell to determine(403) strength of a weak write to be utilized by a weak write test for detecting defective RAM cells.例文帳に追加

方法は更に、較正メモリセルに決定された駆動電流を供給し、較正メモリセルを使用して、欠陥ＲＡＭセルを検出するために弱い書き込みテストにより利用されるべき弱い書き込み強度を決定する(403)ことを含む。 - 特許庁

To provide an apparatus and method for driving a liquid crystal display device in which the response speed of liquid crystal is increased without use of a special memory to prevent the reduction of image quality and the cost is reduced by not using the memory.例文帳に追加

別途のメモリを使用せずとも液晶の応答速度を高めて画質の低下を防止し、かつ、メモリの不使用によるコストの削減を実現する液晶表示装置の駆動装置及び駆動方法を提供すること。 - 特許庁

Since a flash memory driver is changed and an existing disk type DBMS can be reused as a flash type DBMS, it is the isolation-DBMS method, and a frequency of a write-in operation is reduced and a life of the flash memory is extended.例文帳に追加

フラッシュメモリードライバーを変更して既存のディスク式ＤＢＭＳをフラッシュ式ＤＢＭＳとして再使用できるのでＤＢＭＳに独立的な方法であり、書き込み演算の回数を減らしてフラッシュメモリーの寿命を伸ばす。 - 特許庁

To provide a local SONOS type memory device in which the length of the ONO films of cells are made equal to each other and the cells can be contracted advantageously, and to provide a method of manufacturing local SONOS type memory device by which the problem of erroneous alignment caused by photolithography can be eliminated.例文帳に追加

各セルのＯＮＯ膜の長さが均一でありセル縮少に有利であるローカルＳＯＮＯＳ型メモリ素子と、フォトリソグラフィによる誤整列問題のないローカルＳＯＮＯＳ型メモリ素子の製造方法とを提供する。 - 特許庁

To provide a NAND flash memory device and a method of programming the same which are capable of rising a boosting level of a channel by isolating each source line of a flash memory cell block and controlling the each source line per block.例文帳に追加

フラッシュメモリセルブロックそれぞれのソースラインを分離し、それぞれのソースラインをブロック単位で制御することにより、チャンネルのブーストレベルを上昇させることが可能なＮＡＮＤフラッシュメモリ素子及びそのプログラム方法を提供する。 - 特許庁

The image processing method includes a step S104 of providing information to select one of a plurality of partial accommodation coefficients stored in a memory and a step S109 of reading the selected partial accommodation coefficient from the memory and carrying out the color matching.例文帳に追加

メモリに格納された複数の部分順応係数の一つを選択するための情報を提供し(S104)、選択されたプロファイル、並びに、選択された部分順応係数を前記メモリから読み出してカラーマッチングを行う(S109)。 - 特許庁

To provide a communication error restoring method and its device to cause no time reversal of memory update information while successively transferring the memory update information without waiting for ACK so as not to be affected by transmission delay.例文帳に追加

伝送遅延の影響を受けないようにＡＣＫを待つことなくメモリ更新情報を順次転送しつつ、かつメモリ更新情報の時間的な逆転を起こすことのない通信エラー回復方法及びその装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a mobile terminal and its memory access method capable of suppressing a consumed current required for expanding a file, suppressing occurrence of a delay due to decoding, and minimizing the consumed amount of a memory.例文帳に追加

ファイルの展開する際の消費電流を抑えることができ、デコードによる遅延発生を抑えることができ、メモリの使用量も最小限に抑えることができる携帯端末装置およびそのメモリアクセス方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method by which a highly reliable semiconductor device can be manufactured by preventing the fluctuation of the threshold of a memory transistor by stabilizing the shapes and channel lengths of control gates in an MONOS flash memory cell, and to provide a semiconductor device.例文帳に追加

ＭＯＮＯＳ型のフラッシュメモリセルにおけるコントロールゲートの形状及びチャネル長を安定化させ、メモリトランジスタのしきい値ばらつきを防止する高信頼性の半導体装置の製造方法及び半導体装置を提供する。 - 特許庁

To provide an information processor capable of reducing the capacity of a random writing and reading memory required for executing a program on a read only memory by using a virtual storage function; and to provide a file management method.例文帳に追加

読み出し専用メモリ上のプログラムを仮想記憶機能を用いて実行するために必要な随時書き込み読み出しメモリの容量を削減できる情報処理装置及びファイル管理方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a memory system and a retrieval method for checking at a high speed whether or not the data with a specific value is included in a string of data which is stored by being arranged in an ascending order or descending order in a memory in response to the value.例文帳に追加

その値に応じて、メモリ内に昇順または降順に並べて格納されたデータ列の中に、特定の値のデータが含まれているかどうかを高速に検索することができるメモリシステムおよび検索方法を提供する。 - 特許庁

To provide a semiconductor memory device and a method of manufacturing the same, wherein while interconnect resistance of each of a cell source line, a cell well line, and a power supply line is held low, hydrogen in a forming gas-annealing process can be supplied to a memory cell.例文帳に追加

セルソース線、セルウェル線および電源線の各配線抵抗を低く維持しつつ、フォーミングガス・アニール工程における水素をメモリセルに供給することができる半導体記憶装置およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a nonvolatile ferroelectric memory device which stores multibit data in one cell and reduces a cell layout area to ensure price-competitive chips, and to provide a multibit data-writing-and-reading method using the memory device.例文帳に追加

一つのセルにマルチビットデータを格納して、セルレイアウト面積を減らして、チップの価格競争力を確保することができる不揮発性強誘電体メモリ装置及びそれを用いたマルチビットデータの書込み及び読出し方法を提供する。 - 特許庁

This method for transmitting the memory mapped page priority includes a step 34 wherein a software application stores page priority information about a memory mapped file on a computer-readable medium, and a step 36 wherein an operating system reads the page priority information.例文帳に追加

ソフトウェアアプリケーションが、コンピュータ可読媒体上にメモリマップドファイルについてのページプライオリティ情報を格納し(34)、及び、オペレーティングシステムが該ページプライオリティ情報を読み出す(36)といったことを含む、メモリマップドページプライオリティを伝達させる方法。 - 特許庁

To provide a memory unit which can raise efficiency of bus line transmitting both-direction data strobe signal using CTT and has a low power consumption, a memory system provided with it, and a control method of data strobe signal.例文帳に追加

ＣＴＴを使用して両方向のデータストローブ信号を伝達するバスラインの効率を向上させることができ、消費電力が低いメモリ装置、それを備えるメモリシステム及びデータストローブ信号の制御方法を提供する。 - 特許庁

METHOD FOR GROWING OXIDE CRYSTAL, CERIUM OXIDE, PROMETHIUM OXIDE, OXIDE LAMINATED STRUCTURE, PRODUCTION OF FIELD EFFECT TRANSISTOR, FIELD EFFECT TRANSISTOR, PRODUCTION OF FERROELECTRIC NON-VOLATILE MEMORY AND FERROELECTRIC NON-VOLATILE MEMORY例文帳に追加

酸化物の結晶成長方法、セリウム酸化物、プロメチウム酸化物、酸化物積層構造、電界効果トランジスタの製造方法、電界効果トランジスタ、強誘電体不揮発性メモリの製造方法および強誘電体不揮発性メモリ - 特許庁

In this method, a memory card for a digital camera is received by the printer, the image stored in the memory card is transmitted to the reception side via a network, and a hard copy of the transmitted image is thereby printed automatically by a reception side device.例文帳に追加

この方法は、プリンタでデジタルカメラのメモリカードを受け取り、メモリカード内に記憶された画像をネットワークを介して受信側に送信し、それにより、送信された画像のハードコピーが受信側装置によって自動的に印刷される。 - 特許庁

To provide an MONOS (Metal-Oxide-Nitride-Oxide-Semiconductor) type nonvolatile semiconductor memory device of a source side injection (SSI) method, in which a memory cell structure is simplified for easy manufacturing and the number of voltages applied at operation is reduced for easy control.例文帳に追加

ソースサイド注入（ＳＳＩ）方式のＭＯＮＯＳ（Metal-Oxide-Nitride-Oxide Semiconductor）型不揮発性半導体メモリ装置において、メモリセル構造を単純化して製造を容易にし、更に、動作時に印加する電圧の数を減らして制御を容易にする。 - 特許庁

To provide a video signal processing circuit which suppresses the occurrence of superposition of noise on a video signal held in a frame memory and the occurrence of a malfunction of the frame memory, and to provide a display device and a video signal processing method therefor.例文帳に追加

フレームメモリに保持される映像信号にノイズが重畳してしまったり、フレームメモリが誤動作してしまったりすることを抑制可能とする映像信号処理回路、表示装置及びその映像信号処理方法を提供する。 - 特許庁

In the nonvolatile semiconductor memory device and the program driving method, during a memory cell program process and a verify read process, a discharge process of the block gating signal applied to a gate terminal of a transmission transistor is omitted.例文帳に追加

本発明に係る不揮発性半導体メモリ装置のプログラム駆動方法によれば、メモリセルプログラム過程と確認読み出し過程との間では、伝送トランジスタのゲート端子に印加されるブロックゲーティング信号のディスチャージ過程が省略される。 - 特許庁

To provide an image data processing method in which an image memory of storage memory of comparatively low capacity according to a required data amount is used as output image data irrespective of the data amount (data size) of input image data.例文帳に追加

入力画像データのデータ量（データサイズ）に関係なく、出力画像データとして必要なデータ量に応じた、比較的低容量の記憶容量の画像メモリを用いることができる画像データ処理方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method of manufacturing a nonvolatile memory and a nonvolatile memory manufactured thereby which eliminates the need of a preprocess such as dehydrating process of a reaction product, etc., using a solvent easy to handle.例文帳に追加

反応物の脱水和処理などの前処理工程が不要であるとともに、扱い易い溶媒を用いて不揮発性メモリを製造する製造方法及びその製造方法により製造された不揮発性メモリを提供する。 - 特許庁