「N layer」に関連した英語例文の一覧と使い方(124ページ目) - Weblio英語例文検索

The layer A is a coated layer of a surface treating agent selected from a reactive organopolysiloxane, an polyolefin, a hydrogenated lecithin, an N-acyl amino acid, a fatty acid and a dextrin fatty acid ester in a solid state at a normal temperature.例文帳に追加

が：Ａ層；反応性オルガノポリシロキサン、ポリオレフィン、水添レシチン、Ｎ−アシルアミノ酸、脂肪酸及びデキストリン脂肪酸エステルの中から選択される、常温で固体状の表面処理剤被覆層；及びＢ層；片末端官能基変性オルガノポリシロキサン、片末端官能基変性アルキルシラン及び分岐脂肪酸の中から選択される。 - 特許庁

A ceramic material layer made of ceramic whose deflective strength is ≥147 N/mm^2 containing transition metal elements such as titanium oxide is formed on the external surface of an electronic component element assembly, and marking A with a laser is carried out on the external surface part constituted of the ceramic material layer to configure a piezoelectric resonance component 1.例文帳に追加

電子部品素体の外表面に、酸化チタンなどの遷移金属元素を含有する抗折強度が１４７Ｎ／ｍｍ^2以上のセラミックスからなるセラミック材料層が形成されており、該セラミックス材料層からなる外表面部分にレーザーによるマーキングＡが施されている、圧電共振部品１。 - 特許庁

In the all solid dye-sensitized photoelectric conversion device which consists of an anode-side current collector, a porous n-type oxide semiconductor layer sensitized by dye, a hall moving layer, and a cathode-side current collector; the dye having a specific structure and a hall moving agent are made of polythiophene.例文帳に追加

アノード側集電体、色素によって増感された多孔質ｎ型酸化物半導体層、ホール移動層及びカソード側集電体によって構成された全固体色素増感型光電変換素子において、特定構造の色素とホール移動剤がポリチオフェンであることを特徴とする全固体色素増感型光電変換素子。 - 特許庁

This gas barrier film 1 is a single-layer plastic film or a two or more-layer plastic film of the structure that, if necessary, a thin film 4 of metallic oxide is laminated on at least one of the sides of a base material 2 with the rigidity falling within the range of 0.5 to 15 N, as a solution of the problem.例文帳に追加

単層もしくは二層以上のプラスチックフィルムが積層された積層フィルムであって、剛性が０．５Ｎ〜１５Ｎの範囲である基材２の少なくとも一方の面に、必要に応じてプライマー層を介して金属酸化物の薄膜４を積層し、ガスバリア性フィルム１を構成することにより、課題を解決することができた。 - 特許庁

To provide a lateral MOSFET having a trench gate structure wherein thicknesses of an n-type source layer and drain layer deeply formed along the trench can sufficiently be ensured and larger channel widths can be obtained, and as a result, on-state resistance can be reduced, and to provide a manufacturing method thereof.例文帳に追加

本発明の課題は、トレンチゲート構造を備えた横型ＭＯＳＦＥＴにおいて、トレンチに沿って深く形成するｎ型ソース層およびドレイン層の厚さを十分確保できると共に、より大きなチャネル幅が得られ、その結果、オン抵抗を低減できる横型ＭＯＳＦＥＴおよびその製造方法を提供することである。 - 特許庁

With this configuration, since voltage between a drain electrode 46 and a source electrode 44 is applied between the n-type drift layer 30b and the p-type protective layer 40 made of SiC which- ever is larger than Si in band gap, it can withstand voltage which is higher than the voltage applied to a region made of Si.例文帳に追加

こうすれば、ドレイン電極４６とソース電極４４との間の電圧は、主に、Ｓｉよりバンドギャップが大きいＳｉＣで形成したｐ型保護層４０とｎ型ドリフト層３０ｂとの間に印加されるので、Ｓｉから形成した領域に電圧が印加されるものより高い電圧に耐えることができる。 - 特許庁

To provide a gallium nitride LED element having a vertical structure for increasing light-emitting efficiency and maximizing the effect of improving external quantum efficiency, by forming surface unevenness which is a fine light scattering structure on a surface of an n-type gallium nitride layer on the light-emitting side and a p-type gallium nitride layer on the reflection side.例文帳に追加

発光側のｎ型窒化ガリウム層の表面及び反射側のｐ型窒化ガリウム層の表面に微細な光散乱構造である表面凹凸を形成することで、光放出効率を増加させ、外部量子効率の改善効果を極大化する垂直構造の窒化ガリウム系ＬＥＤ素子を提供する。 - 特許庁

The first photoelectric conversion element and the second photoelectric conversion element are arranged in parallel, and the insulating layer preventing the flow of ions leaked from the electrolyte layer, when the number of the insulating layers is represented by n, the number of the first photoelectric conversion layers by l, the number of the second photoelectric conversion elements by m, is arranged so as to satisfy the following formulas (I), (II).例文帳に追加

前記第１光電変換素子と第２光電変換素子が並列され、前記電解質層から漏出するイオンの流れを防止する絶縁層が、その数をｎ、前記第１光電変換素子数をｌ、前記第２光電変換素子数をｍとするとき、下記式（Ｉ）、式（II）を満たすように配置する。 - 特許庁

The material for which the P-type or N-type impurity semiconductor layer of thickness 2 nm-40 μm composed of poly crystalline silicon containing the dopant of boron or phosphorus or the like, and the true semiconductor layer of the thickness 2 nm-40 μm composed of the polycrystalline silicon, are laminated on a base material in the order, is used as this substrate for the photovoltaic element.例文帳に追加

硼素やりん等のドーパントを含む多結晶シリコンからなる厚さ２ｎｍ〜４０μｍのＰ型又はＮ型の不純物半導体層、及び多結晶シリコンからなる厚さ２ｎｍ〜４０μｍの真性半導体層が基材上にこの順番で積層されたものを光起電力素子用基板として用いる。 - 特許庁

The chromate treated article is obtained by forming a galvanized layer 2 on the surface of an iron plate 1 and forming a heat treated chromate coating film 3 on the surface of the galvanized layer 2, and the adhesion strength of the heat treated chromate coating film 3 is set to be 0.5 to 0.7 N when the strength is measured by a scratch testing machine.例文帳に追加

鉄板１表面に亜鉛系めっき層２が形成され、上記亜鉛系めっき層２の表面に熱処理クロメート皮膜３が形成されてなるクロメート処理品であって、スクラッチ試験機による上記熱処理クロメート皮膜３の密着強度が０．５〜０．７Ｎの範囲に設定されている。 - 特許庁

Between an anode 101 and a cathode 106, a first layer 102 containing a light emitting substance, a second layer 103 containing an N type semiconductor, a third layer 104 composed of a transparent conductive film, and a fourth layer 105 containing a hole transport medium are provided sequentially wherein the cathode has a layer containing a reflective metal.例文帳に追加

本発明は、陽極１０１と、陰極１０６との間に、発光物質を含む第１の層１０２、Ｎ型半導体を含む第２の層１０３、透明導電膜から構成される第３の層１０４、ホール輸送媒体を含む第４の層１０５と有し、発光物質を含む第１の層１０２、Ｎ型半導体を含む第２の層１０３、透明導電膜から構成される第３の層１０４、ホール輸送媒体となる材料を含む第４の層１０５、陰極１０６が順に設けられており、陰極は反射金属を含む層を有することを特徴とする。 - 特許庁

As the photosensitive layer 72 is formed to have a surface smoothness of 0.30 to 0.90 [N] and Vickers hardness of 26.7 to 34.2 [gf μm^-2] on the surface, the photoreceptor drum 30 is free from generation of filming.例文帳に追加

感光層７２は、その表面の滑り性が、０．３０〜０．９０[Ｎ]であり、且つその表面のビッカース硬度は、２６．７〜３４．２[ｇｆ・μｍ^−２]であるように形成されているので、フィルミングの発生しない感光体ドラム３０が実現できる。 - 特許庁

Since the surface area of a V-CCD 15 comprising the n- type diffusion layer 15a serving as a charge transfer part is small per unit cell 10, surface area of a photodiode 21 can be increased per unit cell 10.例文帳に追加

このため、電荷の転送部分となるｎ^-型の拡散層１５ａからなるＶ−ＣＣＤ１５の単位セル１０あたりの表面積は小さく、フォトダイオード２１の単位セル１０あたりの表面積を大きくすることができる。 - 特許庁

To eliminate the variation of the state of a PN junction caused by the positioning deviation of an implantation mask when forming an N-type region and a P-type region adjacent to each other in the semiconductor layer of an SOI substrate by an ion implantation method.例文帳に追加

ＳＯＩ基板の半導体層に互いに隣接するＮ型領域及びＰ型領域をイオン注入法によって形成する際に、注入マスクの位置合わせずれに起因するＰＮ接合の状態の変動をなくす。 - 特許庁

Further, the surface of skeletal concrete is pasted with a pottery-based tile via a mortar layer having an elastic modulus of 4.5×10^3 to 17×10^3 N/mm^2 and the average thickness of 3 to 45 mm.例文帳に追加

また、躯体コンクリートの表面に、弾性係数が４.５×１０^3〜１７×１０^3Ｎ／ｍｍ^2である平均厚さ３〜４５ｍｍのモルタル層を介して、陶磁器質タイルが張り付けられているタイル張りコンクリート構造物が提供される。 - 特許庁

The flooring sheet-like adhesive sheet has an adhesive layer on a back side of a decorative sheet, wherein a power of the decorative sheet at an elongation of 2% is 35-80 N/10 mm width.例文帳に追加

化粧シートの裏面に粘着剤層を有する床用枚葉状粘着シートであって、該化粧シートの２％伸度時の力が３５〜８０Ｎ／１０ｍｍ幅である床用枚葉状粘着シート及びその製造方法である。 - 特許庁

An n^+-diffusion layer 8 is arranged in a p-well 4 near a portion wherein wiring directions of the GND wiring 3 and the substrate bias VDD 2 wiring 5 intersect, and electrically connected to the GND wiring 3 via a contact.例文帳に追加

Ｎ＋拡散層８が、ＧＮＤ配線３と基板バイアスＶＤＤ２配線５の配線方向が交差する部分の近傍におけるＰウェル４内に配され、ＧＮＤ配線３とコンタクトを介して電気的に接続される。 - 特許庁

In order to expose an n^+-type emitter region 5 or a body p layer 6 (p-type base region 3), an opening end of a contact hole 10a formed on an interlayer insulating film 10 is retracted, and the opening width of the contact hole 10a is expanded.例文帳に追加

ｎ^+型エミッタ領域５やボデーｐ層６（ｐ型ベース領域３）を露出させるために層間絶縁膜１０に形成されるコンタクトホール１０ａの開口端を後退させ、コンタクトホール１０ａの開口幅を広げる。 - 特許庁

Then, a transparent electrode 3 and a p-side electrode 4 are formed on the surface of the p-type contact layer 10 through a vacuum vapor deposition method or the like, and an n-side electrode 5 is formed on the oxygen polar plane 1b of the ZnO substrate 1.例文帳に追加

次いで、真空蒸着法等によりｐ形コンタクト層１０の表面に透明電極３及びｐ側電極４を形成し、また、ＺｎＯ基板１の酸素極性面１ｂ上にｎ側電極５を形成する。 - 特許庁

The mist nozzle 9 and an air blow pipe 15 form a double-pipe part N, and the mist is discharged in a state that a mist layer M consisting of the mist is formed inside an air wall K consisting of an air flow.例文帳に追加

そして、ミストノズル９及び送風パイプ１５は、二重管部Ｎを形成しているとともに、空気の流れからなる空気壁Ｋの内側にミストからなるミスト層Ｍを形成した状態で吐出されるようになっている。 - 特許庁

The side wall film 6 located to be under the polycrystal silicon film 7 is formed to extend across the boundary 50 between the active region 2a and the element isolating film 3, and has the upper part that is above the upper surface of the n-type diffusion layer 5.例文帳に追加

多結晶シリコン膜７の下に位置する側壁膜６は、活性領域２ａと素子分離膜３との境界５０にまたがって設けられ、且つ、側壁膜６の上部は、ｎ型拡散層５の上面より上側に位置している。 - 特許庁

A P-conductivity-type region 2a is formed on the surface side of an N-conductivity-type semiconductor substrate 1 while a front-surface-side P-conductivity-type region 4a is formed selectively in a surface-layer part of the P-conductivity-type region 2a.例文帳に追加

Ｎ導電型半導体基板１のおもて面側にはＰ導電型領域２ａが設けられており、Ｐ導電型領域２ａの表層部には、選択的におもて面側Ｐ導電型領域４ａが設けられている。 - 特許庁

The belt has a resin layer 102 on a belt base 101 and exhibits ≤3 N/mm^2 universal hardness at the position 5 μm inside from the outermost surface under the measurement conditions of 100 (mN/mm^2)/60 (sec) constant load accelerated velocity.例文帳に追加

ベルト基体１０１上に樹脂層１０２を有し、一定荷重印加速度１００（ｍＮ／ｍｍ^2）／６０（秒）の測定条件におけるユニバーサル硬度が、最表面から５μｍだけ内側の位置において３Ｎ／ｍｍ^2以下である。 - 特許庁

When P ions are to be injected, a region other than a region, such as the surface of the N+ diffusion layer where the Co silicide film is hard to be formed is selectively masked by a resist, and P ions are merely injected into the region, where the Co silicide film is hard to be formed.例文帳に追加

Ｐイオンの注入に際しては、Ｎ^＋拡散層上のようにＣｏシリサイド膜を形成しにくい領域以外をレジストにて選択的にマスクし、Ｃｏシリサイド膜を形成しにくい領域にのみＰイオンを注入する。 - 特許庁

A region surrounded with the trench in the p-type layer 3 is a floating "p" region 3b, a part having an n^+ source region 4 between adjacent trenches is a channel region 3d, and a region other than them is a p-type base region 3a.例文帳に追加

ｐ型層３の内のトレンチに囲まれた領域がフローティングｐ領域３ｂとなり、隣接するトレンチ間でｎ^+ソース領域４を備える部分がチャネル領域３ｄとなり、それ以外の領域がｐ型ベース領域３ａとなる。 - 特許庁

The cut-off agent is used for stopping water by filling a space between the basic materials therewith, adhesion to the surface of the basic materials of a cut-off layer formed by the cut-off agent becomes 20 N/cm^2 or more after it has been immersed into an ion-exchanged water for 24 hours.例文帳に追加

基材間の空隙を埋めて止水する止水剤であって、該止水剤により形成される止水層の基材表面への密着力は、イオン交換水に２４時間浸漬後に２０Ｎ／ｃｍ^２以上である止水剤。 - 特許庁

This skin care composition which is used for external use and promotes the formation and/or maturity of cornified envelope to improve troubles such as skin parakeratosis and/or horny layer barrier function deterioration contains an amidinosulfonic acid of formula (1) [A is sulfur atom or oxygen atom; (n) is an integer of 1 to 5] and/or its salt.例文帳に追加

下記一般式（１）のアミジノスルホン酸及び／またはその塩を含有する、コーニファイドエンベロープの形成及び／または成熟化を促進し、皮膚の不全角化及び／または皮膚バリアー機能を改善する皮膚外用組成物。 - 特許庁

This heat-resistant label is such that one side of a polyethylene naphthalate film base is provided with a printing coat and the opposite side with a heat-resistant adhesive layer ≥0.5 N/25 mm in tackiness at 150°C.例文帳に追加

ポリエチレンナフタレートフィルムからなる基材の一方の側の面に、印字用コート層を有し、かつ該基材の反対側の面に、温度１５０℃における粘着力が０.５Ｎ／２５mm以上である耐熱性粘着剤層を有する耐熱性ラベルである。 - 特許庁

The constituent part includes a third N-type region 22 of high doping level formed under a layer part which is almost in a middle between an outer circumferential edge part of the second region 4 and an inner circumferential edge part of a wall surface in a substrate 1.例文帳に追加

この構成部品は、基板中の、第２の領域の外側周縁部と壁面の内側周縁部の間のほぼ中間となる層の部分の下に形成された、ドーピング・レベルの高い第３のＮ型領域を含む。 - 特許庁

The base material made of titanium metal has a net-like weathered layer of 0.1 to 20 μm in depth, which is formed by immersing a thin piece of titanium metal of 300 μm or less in thickness in an aqueous alkaline solution of 5 N or lower for 0.5 to 12 hours.例文帳に追加

厚さが３００μｍ以下のチタン薄片を５Ｎ以下のアルカリ水溶液に０．５〜１２時間浸漬することにより形成される深さが０．１〜２０μｍの網目状の侵食層を備えたチタン金属製の基材。 - 特許庁

An arsenic coating layer 12 is formed by decomposing GaAs powder or the GaAs crystal to put As on an Si substrate 11, while the N-type Si substrate 11 of a low resistance is placed in the high temperature reduction atmosphere.例文帳に追加

低抵抗のＮ型のＳｉ基板１１が高温還元雰囲気中に置かれた状態で、ＧａＡｓ粉末あるいはＧａＡｓ結晶を分解してＳｉ基板１１上に砒素を付着させ、砒素被覆層１２を形成する。 - 特許庁

And by subjecting the laminate to an ion implantation a plurality of times with a varied ion energy, the N+ type drain lead-out diffusion layer 106A can be formed to contain a high concentration of impurities in a wide range in a depthwise direction and thus to have a low resistance.例文帳に追加

そして、Ｎ＋ドレイン引き出し拡散層１０６Ａは、イオンエネルギを変えて複数回イオン注入を行うことで、深さ方向の広い範囲で高濃度の不純物を含むように形成され、低抵抗値となっている。 - 特許庁

The silicon nitride film 41 cuts off the diffusion of hydrogen during the formation of upper-layer films to improve, specially, deterioration in the hot-carrier resistance of the N+ poly-NMOS 37 and the controllability and stability of the resistance value of the polysilicon resistor 35.例文帳に追加

シリコン窒化膜４１は上層膜の形成時における水素の拡散を遮へいし、特に、Ｎ＋ポリＮＭＯＳ２７のホットキャリア耐性の劣化を防止し、ポリシリコン抵抗体３５の抵抗値の制御性及び安定性を向上させる。 - 特許庁

Two trenches into a semiconductor substrate vertically through a thin film silicon layer and a buried oxide film are manufactured, the P-type impurity region is formed in one of the trenches and the N-type impurity region is formed in the other trench.例文帳に追加

薄膜シリコン層と埋込酸化膜を上下方向に貫通して半導体基板の中まで至るトレンチを２つ作製し、２つのトレンチの一方にはＰ型不純物領域、もう一方にはＮ型不純物領域を設ける。 - 特許庁

A JFET structure is discouraged from being configured at the tip part of a trench 6 because an n^- type channel layer 7 formed at the tip part of the trench 6 becomes thicker in film thickness than a portion positioned at the major side of the trench 6.例文帳に追加

トレンチ６の先端部に形成されたｎ^-型チャネル層７がトレンチ６の長辺に位置する部分よりも膜厚が厚くなるため、そのトレンチ６の先端部においてＪＦＥＴ構造が構成されないようにする。 - 特許庁

The spherical solar cell 1 having a semiconductor spherical crystal (for example, p-type spherical silicon 1b and n-type diffusion layer 1c), a pair of electrodes (for example, positive electrode 1e and negative electrode 1f), and so forth is provided on the dial 14.例文帳に追加

文字板１４上には、半導体の球状結晶（例えば、ｐ型球状シリコン１ｂ、ｎ型拡散層１ｃ）、一対の電極（例えば、正極１ｅ、負極１ｆ）等を備えた球状ソーラセル１が設けられている。 - 特許庁

A photodiode 303 in which n-type impurities are ion-implanted is formed for each pixel at the side of the interlayer insulating film 304 of the p-type semiconductor layer 302, and a light-shielding film 305 is formed in the interlayer insulating film 304.例文帳に追加

Ｐ型半導体層３０２の層間絶縁膜３０４側にはＮ型不純物がイオン注入されてなるフォトダイオード３０３が画素毎に形成され、層間絶縁膜３０４中には遮光膜３０５が形成されている。 - 特許庁

In a stamper inspecting adhesive sheet, where an adhesive layer containing an adhesive agent is formed on an optical film, the adhesive agent has 3 (N/25 mm) or smaller for the adhesive force.例文帳に追加

光学フィルム上に、粘着剤を含有する粘着層が形成されたスタンパー検査用粘着シートであって、前記粘着剤の粘着力が、３（Ｎ／２５ｍｍ）以下であることを特徴とするスタンパー検査用粘着シートである。 - 特許庁

The outer peripheral side surface of an epitaxial layer covered with an insulative protective film 40 forms inclination (forward taper) which spreads from the upper side where the n-contact electrode 130 is formed to the lower side as the support substrate 200 side.例文帳に追加

絶縁性保護膜４０で覆われたエピタキシャル層の外周側面は、ｎコンタクト電極１３０を形成された上側から、支持基板側２００側である下側に向って広がるような、傾き（順テーパ）を形成している。 - 特許庁

The first side diffusion region 2SDR1 is positioned directly above the cathode N+ layer 4, and the vertical sectional shape of the bottoms 2BS1, 2BS2 of both side diffusion regions 2SDR1, 2SDR2 is a slowly-varying parabolic shape.例文帳に追加

第１サイド拡散領域２ＳＤＲ１はカソードＮ＋層４の直上に位置しており、両サイド拡散領域２ＳＤＲ１，２ＳＤＲ２の底部２ＢＳ１，２ＢＳ２の縦断面形状は、緩やかに変化する放物線を成す。 - 特許庁

An SiNX film 28 is formed on the ridge except an window 31 exposing the contact layer and a p-side electrode 29 is formed on the SiNX film including the window while an n-side electrode 30 is formed on the backside of the substrate.例文帳に追加

リッジ上部のコンタクト層を露出させた窓３１を除く領域には、ＳｉＮ_X 膜２８が形成され、窓上を含むＳｉＮ_X 膜上にｐ側電極２９が、基板の裏面には、ｎ側電極３０が形成されている。 - 特許庁

An epitaxial wafer containing a carrier at a high concentration is obtained by forming an Se-doped layer 3a, which is doped with Se (or Te or S) as an n-type dopant by a uniform doping method or a planar doping method on a compound semiconductor epitaxial wafer.例文帳に追加

化合物半導体エピタキシャルウェハに、ｎ型ドーパントとしてＳｅ（若しくはＴｅ、Ｓ）を均一ドープ法若しくはプレーナドープ法でドーピングしたＳｅドープ層３ａを形成することにより、高キャリア濃度のエピタキシャルウェハが得られる。 - 特許庁

A photoresist is coated and left through a gate insulation film on one face of the wafer divided by the gate electrode, and a first impurity layer 6 is formed while being masked by a resist 5a and implanted by a N-type impurity As+.例文帳に追加

フォトレジストを塗布しゲート絶縁膜を介しゲート電極を境にして基板面の一方だけにレジストを残して、このレジスト５ａをマスクにしＮ型不純物Ａｓ^＋を注入して第１不純物層６を形成する。 - 特許庁

The gate region 3 of a junction type field effect semiconductor element is provided on the inner region 15 of the N type epitaxial layer 10 serving as the source-drain region of the junction type field effect semiconductor element while being surrounded by the internal isolation region 1.例文帳に追加

内部分離領域１で囲まれて接合型電界効果半導体素子のソース／ドレイン領域となるＮ型エピタキシャル層１０の内側領域１５上に接合型電界効果半導体素子のゲート領域３を設ける。 - 特許庁

To provide a superjunction Schottky barrier diode including a parallel p-n layer where a first-conductivity region and a second-conductivity region are alternately arranged, the Schottky barrier diode relaxing a surface electric field and reducing a leakage current.例文帳に追加

第一導電型領域と第二導電型領域とを交互に配置した並列ｐｎ層を備える超接合ショットキーバリアダイオードにおいて、表面電界を緩和し、漏れ電流の低減するショットキバリアダイオードを提供する。 - 特許庁