「O2」に関連した英語例文の一覧と使い方(12ページ目) - Weblio英語例文検索

This simulator receives command input history data showing a history of an inputted command, outputted from existing operation devices O1, O2, and writes simulation data obtained by converting the command input history data into a nonvolatile memory 13.例文帳に追加

本発明によるシミュレータは、既存のオペレーション装置Ｏ１及びＯ２から出力される、投入されたコマンドの履歴を示すコマンド投入履歴データを受け取り、このコマンド投入履歴データを変換して得られるシミュレーションデータを不揮発性メモリ１３に書き込む。 - 特許庁

A nozzle 17 for directly supplying cooling lubricating oil o2 to a cooled portion 16a positioned in a back surface 16 side corresponding to a lubricating oil flow direction downstream side portion 15a in a bearing surface 15 of each tilting pad 13 is provided.例文帳に追加

各ティルティングパッド１３の軸受面１５における潤滑油流れ方向下流側部分１５ａに対応した裏面１６側に位置する被冷却部分１６ａに向かって、冷却用潤滑油ｏ２を直接供給するノズル１７を備える構成を採用した。 - 特許庁

In case a drop in the etching rate occurs for some reason, a controller 13a automatically controls mass flow 8 by a control signal 14, and adjusts the mixing ratio of gases by increasing the flow of, for example, O2 so that the etching rate may come to a specified numeric value.例文帳に追加

何らかの影響によりエッチングレートの低下が生じた場合、コントローラ１３ａがコントロール信号１４により、マスフロー８を自動的に制御し、エッチングレートが所定の数値になるように、例えばＯ_2流量を僅かに増やして、ガスの混合比を調整する。 - 特許庁

The adjustment plate 223 of a limit adjustment mechanism 22 can be inclined and adjusted to a sound passing direction by being turned around a turning axis O2 disposed in a direction orthogonal to the sound passing direction in the internal space of both guide walls 21B and 21F.例文帳に追加

制限調節機構２２の調節板２２３は、両案内壁２１Ｂ，２１Ｆの内部空間において、音通過方向と直交する方向に配置された回動軸線Ｏ２周りに回動することによって、音通過方向に対して傾斜調節可能である。 - 特許庁

An integrated value Vsf of the amount of change of an upstream sensor is calculated by integrating the amount of change of an output value Vf of an upstream air fuel ratio sensor 10, and a catalyst conversion window width Vw relative to an output value Vr of a downstream O2 sensor 11 is set based on catalyst temperature Tc (S5).例文帳に追加

上流空燃比センサ１０の出力値Ｖｆの変化量を積算して上流センサ変化量積算値Ｖｓｆを算出し（Ｓ４）、又触媒温度Ｔｃに基づき下流Ｏ2センサ１１の出力値Ｖｒに対する触媒浄化ウインドウ幅Ｖｗを設定する（Ｓ５）。 - 特許庁

The apertures 17e, 17f of the iris mask 28 are arranged correspondingly to the lens parts 29e, 29f so that a focus detecting beam is made incident on a peripheral area close to the optical axis O2 of the focus detecting optical system out of the peripheral areas of the lens parts 29e, 29f.例文帳に追加

再結像レンズ部２９ｅ，２９ｆの周辺領域のうち焦点検出光学系光軸Ｏ２に近い周辺領域に焦点検出光束が入射するよう、再結像レンズ部２９ｅ，２９ｆに対して絞りマスク２８の開口１７ｅ，１７ｆを配置する。 - 特許庁

A fuel injection amount Qt is increased or deecreased alternately by adding a correction amount ΔQ to the basic fuel injection amount Q base responding to the operation state of an engine and also feedback-correcting this correction amount ΔQ based on the signal from a linear O2 sensor.例文帳に追加

エンジン１の運転状態等に対応する基本燃料噴射量Ｑbaseに補正量ΔＱを加えるとともに、この補正量ΔＱをリニアＯ2センサ１７からの信号に基づいてフィードバック補正することで、燃料噴射量Ｑtを交互に増大又は減少させる。 - 特許庁

In execution of air fuel ratio feedback control, intensity MHLFNE of 0.5 order frequency component included in an output signal of an O2 sensor 16 provided in an exhaust passage is calculated, and determination of imbalance failure is performed on the basis of the 0.5 order frequency component intensity MHLFNE.例文帳に追加

空燃比フィードバック制御実行中において、排気通路に設けられるＯ２センサ１６の出力信号に含まれる０．５次周波数成分の強度ＭＨＬＦＮＥが算出され、０．５次周波数成分強度ＭＨＬＦＮＥに基づいてインバランス故障の判定が行われる。 - 特許庁

The electronic equipment receiving data through coil intermittently switches the induced current which passes in coil corresponding to magnetic field signal SDS transmitted from the outside at predetermined timing synchronized with the magnetic field signal SDS by P2 gate signal, and chopper-boosts induced voltage of coil (a voltage of output terminal O2).例文帳に追加

コイルを介してデータを受信する電子機器は、外部から送信された磁界信号ＳＤＳに応じてコイルに流れる誘導電流をＰ２ゲート信号により磁界信号ＳＤＳに同期した予め定めたタイミングで断続し、コイルの誘導電圧（出力端子Ｏ２の電圧）をチョッパ昇圧する。 - 特許庁

In the first flange 130, a receiving part 132 projecting toward the second flange 139 beyond the contact part 143 in the extending direction of the drum shaft 120 is formed so as to receive the drum shaft 120 on the opposite side of the contact part 143 across the center axis O2 of the drum shaft 120.例文帳に追加

第一フランジ１３０は、ドラム軸１２０の中心軸Ｏ２を挟んで接点部１４３の反対側でドラム軸１２０を受けるように、ドラム軸１２０の延びる方向において接点部１４３よりも第二フランジ１３９側へ突出する受け部１３２が形成されている。 - 特許庁

An on-chip lens L1A (L1B) located substantially in the center of the light receiving surface of the solid-state image sensor 11 and corresponding to the photodiode 2 is arranged so that the center L1C when viewed from right above overlaps the center O1C (O2C) of the opening O1 (O2) when viewed from right above.例文帳に追加

固体撮像素子１１の受光面の略中央部に位置するフォトダイオード２に対応するオンチップレンズＬ１Ａ（Ｌ１Ｂ）を、真上から見たときの中心Ｌ１Ｃが対応する開口部Ｏ１（Ｏ２）の真上から見た中心Ｏ１Ｃ（Ｏ２Ｃ）と重なるように配置する。 - 特許庁

When the unmanned carrier is put in turning operation to the right along the branch guide tape 13, the turning operation of the unmanned carrier is controlled so that the center position O2 of the guide sensor 23 may meet an inner edge 13a of the branch guide tape 13 in the turning direction.例文帳に追加

無人搬送車が分岐誘導テープ１３に沿って右方向へ旋回動作される場合には、誘導センサ２３の中心位置Ｏ２を前記分岐誘導テープ１３の旋回方向の内側の端縁１３ａに一致するように無人搬送車の旋回動作を制御する。 - 特許庁

When it is determined that the drive state of the vehicle is lower in speed than a predetermined drive state, a first correction means rotatively drives a wheel member 93a so that a shaft center O1 is located on a straight line connecting both the shaft center O2 and shaft center O3 for correction.例文帳に追加

車両の運動状態が所定の運動状態よりも緩やかであると判断される場合には、第１補正手段により、軸心Ｏ２及び軸心Ｏ３を結ぶ直線上に軸心Ｏ１が位置するように、ホイール部材９３ａを回転駆動して補正する。 - 特許庁

When activation of O2 sensor is detected, increased amount by the target air fuel ratio correction coefficient TFBYA is cut and the increased amount is added on air fuel ratio feedback correction coefficient ALPHA under conditions that resistance against engine stop is low and that torque step is not permitted.例文帳に追加

Ｏ２センサの活性を検出すると、耐エンスト性が低い条件、又はトルク段差を許容できない条件では、目標空燃比補正係数ＴＦＢＹＡによる増量分をカットすると共に、その増量分を空燃比フィードバック補正係数ＡＬＰＨＡに上乗せする。 - 特許庁

Designation of an object O1, O2 to On to be moved is received from a user who viewed the image (S5), and the designated object is deleted from the image OI and inserted to the image HI as a temporary object so that the insert position to the image HI spatially corresponds to the original position in the image OI (S5c).例文帳に追加

それを見たユーザから移動所望オブジェクトＯ１，Ｏ２，…Ｏｎの指定を受け（Ｓ５）、画像ＨＩへの挿入位置が画像ＯＩにおける原位置に対応する空間位置になるようそのオブジェクトを画像ＯＩから削除し仮オブジェクトとして画像ＨＩに挿入する（Ｓ５ｃ）。 - 特許庁

To obtain a silicon-containing photosensitive resin capable of exhibiting excellent performances as a resist material for a multi-layered resist method or a resist material for forming plasma display panel(PDP) ribs, especially a resist material excellent in plasma resistance [O2-reactive ion etching(RIE) resistance] and capable of providing a high aspect ratio when forming a pattern.例文帳に追加

多層レジスト法用のレジスト材やＰＤＰ障壁形成用レジスト材として優れた性能を示すケイ素含有感光性樹脂を提供すること、特に、耐プラズマ性（耐Ｏ_2−ＲＩＥ）性に優れると共に、パターンを形成したとき、高いアスペクト比を得ることができるレジスト材を提供すること。 - 特許庁

Mounting holes 88 to 91 for installation to a mating machine are provided at outer circumference sides of the bearings 81 and 82 supporting the worm shaft 48, when seen from the shaft center O2 of the output shaft 54 of the worm gear system, so that they are in parallel with the output shaft 54 and penetrate a casing 60.例文帳に追加

相手機械に取り付けるための取付孔８８〜９１は、ウォーム歯車機構の出力軸５４の軸心Ｏ２から見て前記ウォーム軸４８を支持している軸受８１、８２の外周側位置に出力軸５４と平行に、且つ、ケーシング６０を貫通する態様で形成する。 - 特許庁

The friction type transmission is provided with at least three planetary rotors 27 provided freely to rotate around a second axis O2 inclined against a first axis O1 and a shift ring 26 annularly and concentrically provided with the first axis O1 to change rotating speed of each of the planetary rotors 27.例文帳に追加

第１軸芯Ｏ１に対して傾斜した第２軸芯Ｏ２回りに自転可能に設けられた少なくとも３個の遊星回転子２７と、第１軸芯Ｏ１と同心の環状をなし、各遊星回転子２７の自転速度を変化させる変速リング２６とを備えている。 - 特許庁

Further, the amount, to be circulated/supplied to the treating tank 1, of the exhaust gas subjected to deodorizing treatment and the exhaust gas subjected to water content removing treatment can be adjusted according to detection results of temperature in the treating tank 1 by sensors 16 and 17 or/and concentrations of CO2 or/and O2 in the treating tank.例文帳に追加

また、センサー１６、１７による処理槽内の温度検出結果又は／及び処理槽内のＣＯ_２ 濃度又は／及びＯ_２ 濃度に基づいて、前記処理槽への脱臭排気ガス、及び水分除去排気ガスの循環供給量を調整できるようにした。 - 特許庁

The exhaust emission control system comprises: an NOx trapping material for absorbing nitrogen oxide when an excess air ratio λ of exhaust gas exceeds 1 and for desorbing the nitrogen oxide when the λ is 1 or smaller; a conversion catalyst; and an O2 control means for controlling oxygen concentration in the exhaust gas.例文帳に追加

排気ガス浄化システムは、排気ガスの空気過剰率（λ）が１を超えるときに窒素酸化物を吸収し、λが１以下のときに窒素酸化物を脱離するＮＯｘトラップ材と、浄化触媒と、排気ガス中の酸素濃度を制御するＯ２制御手段と、を備える。 - 特許庁

In the formation method for the dielectric thin film which is formed on a substrate layer 4 after the substrate layer 4 is laminated on an SiO2 layer 2, the SiO2 layer 2 is formed by using a mixed gas of tetraethoxysilane and O2 by a plasma CVD method and by setting a gas pressure at 0.4 Torr or less.例文帳に追加

ＳｉＯ_2層２上に下地層４を積層した後、この下地層４上に形成する誘電体薄膜の形成方法において、ＳｉＯ_2層２をプラズマＣＶＤ法により、テトラエトキシシランとＯ_2との混合ガスを用い、ガス圧を０．４Ｔｏｒｒ以下にして形成する。 - 特許庁

The insulating film 5 is formed by cleaning a face of the diaphragm 2 of the thickness of approximately 0.8 μm by O2 plasma processing, then forming a TEOS film at 500°C or lower onto the face of the diaphragm 2 by plasma CVD, and annealing the TEOS film formed to the diaphragm 2.例文帳に追加

絶縁膜５は、厚さ約０．８μｍの振動板２の面上をＯ_2プラズマ処理によってクリーニングし、次に、プラズマＣＶＤによりその振動板２の面上に５００℃以下の温度でＴＥＯＳ膜を成膜し、そして、振動板２に成膜したＴＥＯＳ膜をアニール処理して形成した。 - 特許庁

The reflected light of the measured luminous flux, which retraces a path O1 through this lens T, goes along a path O2 and is cut off with a shading material of a film 17a for the total reflection and the refractive ability is accurately measured even if the subject has the glasses with the lens T on.例文帳に追加

この測定光束の眼鏡レンズＴによって光路Ｏ１を戻る反射光は、光路Ｏ２を通って光路Ｏ２上の遮光部材である全反射膜１７ａで遮断されるので、眼鏡レンズＴを付けた状態で正確な他覚屈折力測定が可能となる。 - 特許庁

While applying oxygen (O2) plasma treatment with respect to the surface of a substrate overhang part 11a of a liquid crystal display panel 10 and cleaning the surface of an exposed transparent substrate 11, a thin insulated oxidized film 19 is deposited on all the surfaces of wiring parts 13a and 13b on the substrate overhang part 11a.例文帳に追加

液晶表示パネル１０の基板張出部１１ａの表面に対して、酸素（Ｏ_2）プラズマ処理を施し、露出した透明基板１１の表面を清浄化するとともに、基板張出部１１ａ上の配線部１３ａ，１３ｂの全表面に薄い絶縁酸化膜１９を形成する。 - 特許庁

A two-stage external engagement type parallel axes gear reduction mechanism is formed between the input shaft 14 and the intermediate shaft 18 and between the intermediate shaft 18 and the output shaft 16, and the shaft center O2 of the output shaft 16 and the shaft center O1 of the input shaft 14 are formed concentric with each other.例文帳に追加

その上で、入力軸１４及び該中間軸１８の間、該中間軸１８及び出力軸１６の間で、合わせて２段の外接噛合式の平行軸歯車減速機構を形成し、且つ出力軸１６の軸心Ｏ２と、前記入力軸１４の軸心Ｏ１を同心とする。 - 特許庁

Until the catalyst temperature CTEMP becomes more than a second predetermined temperature TEMP2 since the time the catalyst temperature CTEMP has become more than the first predetermined temperature CTEMP1, the separation ratio HSRATIO and the ignition timing ADV are set so as to increase CO and O2 components in the exhaust air, and the catalyst is activated at a comparatively low temperature (S5).例文帳に追加

触媒温度CTEMP が第１の所定温度CTEMP1以上となってから第２の所定温度CTEMP2以上となるまでの間は、排気中のＣＯ及びＯ_2 成分を増大させるように前記分割比HSRATIO及び点火時期ADV を設定して、比較的低温度で触媒を活性化させる（Ｓ５）。 - 特許庁

The etching speed of a surface-reforming layer 12 is improved, an etching selection ratio for the hard mask layer 7 of the lower electrode layer 5 is improved, and the surface- reforming layer 12 and the lower electrode layer 5 are etched using an O2/Cl2 gas, thus obtaining the lower electrode layer 5 into a prism shape.例文帳に追加

表面改質層１２のエッチング速度が向上し、下部電極層５のハードマスク層７に対するエッチング選択比を向上でき、表面改質層１２および下部電極層５をＯ_2 ／Ｃｌ_2 ガス系を用いてエッチングし、角柱形状の下部電極層５を得る。 - 特許庁

Two projection windows 43 and 44 are disposed on the top sloping surface 39 of an inserting part 35 of the endoscope, and light emitting indexes 59a and 59b are projected on a part to be operated on by irradiating the irradiation light to be the indexes in parallel to the direction of the observation light axis O2 of an object lens 41.例文帳に追加

挿入部３５の先端傾斜面３９に２個所の投影窓４３，４４を配設し、対物レンズ４１の観察光軸Ｏ２の方向と平行に指標となる照射光を照射し、手術部位に発光指標５９ａ，５９ｂを投影するようにしたものである。 - 特許庁

Preferably Li2O is 2-45 mol%, RO (R is at least one kind selected from a group constituted of Ba, Sr, Ca, and Mg) is 5-40 mol%, (Ti, Si)O2 is 30-70 mol% (SiO2 is 15 mol% or more) as the composition of the sintering supporting agent.例文帳に追加

好ましくは、焼結助剤の組成は、Ｌｉ_2 Ｏが２〜４５モル％、ＲＯ（ただし、Ｒは、Ｂａ、Ｓｒ、Ｃａ、およびＭｇからなる群から選ばれた少なくとも１種）が５〜４０モル％、（Ｔｉ，Ｓｉ）Ｏ_2 が３０〜７０モル％（ただし、ＳｉＯ_2 は１５モル％以上）とされる。 - 特許庁

In a control device starting an F/B initial value from a rich side after recovery from fuel cut, the F/B value started from the rich side is initialized to a center value when a downstream side O2 sensor output reaches a predetermined value at which the output is rapidly changed from a lean side to a rich side or greater.例文帳に追加

燃料カット復帰後にＦ/Ｂ初期値をリッチ側から開始するものにおいて、下流側Ｏ２センサ出力がリーン側からリッチ側へと急変する所定値以上となった場合に、リッチ側から開始したＦ/Ｂ値を中心値に初期化するようにした。 - 特許庁

In an ion plating apparatus 10, the center O2 of a substrate W is determined at a position deviated from the position immediately above the center O1 of a hearth 3a which has a vapor deposition material 6 filled in a through hole TH by a distance D which is one half of the length of one side of the substrate W.例文帳に追加

イオンプレーティング装置１０は、蒸着材料６を貫通孔ＴＨに装填したハース３ａの中心点Ｏ１の直上の位置から基板Ｗの１辺の半分の長さ分の距離Ｄだけずれた位置に基板Ｗの中心点Ｏ２が定められる。 - 特許庁

In this method for forming a silicon oxide film, a silicon substrate is inserted into a furnace, and while the pressure in the furnace is kept at 760 Torr or lower, O2 gas is made to react with H2 gas, and the produced H2O gas is injected inside the furnace, making the silicon substrate wet and oxidized.例文帳に追加

本発明によるシリコン酸化膜形成方法は、シリコン基板を炉中へ引き込んで、炉内部の圧力を７６０ｔｏｒｒ以下に維持しながら、Ｏ_2及びＨ_2ガスを反応させて生成されたＨ_2Ｏガスを炉中へ注入してシリコン基板を湿式酸化することを特徴とする。 - 特許庁

The recessed portion 5e is in parallel with a shaft E tying the center 01 of the pocket 5b and the center O2 of a pitch circle diameter PCD of the pocket 5b and is constituted by a cylindrical surface CY having a center shaft B passing through a pitch circle P tying the center 01 of a plurality of pockets 5b.例文帳に追加

凹部５ｅは、ポケット５ｂの中心Ｏ１とポケット５ｂのピッチ円直径ＰＣＤの中心Ｏ２を結ぶ軸Ｅと平行で、且つ、複数のポケット５ｂの中心Ｏ１を結ぶピッチ円Ｐを通過する中心軸Ｂを持った円筒面ＣＹによって構成されている。 - 特許庁

In the correction, target voltage correlated with target air fuel ratio is changed according to the exhaust gas route with considering that output characteristics of an upstream side O2 sensor 15R changes between a case that exhaust gas flows in the first route and a case that exhaust gas flows in the second route.例文帳に追加

その補正の際に、上流側Ｏ２センサ１５Ｒの出力特性が第１の経路を排気が流れる場合と第２の経路を排気が流れる場合との間で変化することを考慮して、目標空燃比に対応付けられた目標電圧を排気の経路に応じて変更する。 - 特許庁

A cleaning gas useful for removing unnecessary deposits formed in the thin film forming device contains at least one kind of gas selected from CF3SO2F or C2F5SO2F, and further contains at least one kind of gas selected from CF3SO2F or C2F5SO2F(CF3SO2)2O and O2.例文帳に追加

薄膜形成装置の中に生成した不要な堆積物を除去するために、ＣＦ_3ＳＯ_2Ｆ、Ｃ_2Ｆ_5ＳＯ_2Ｆの少なくとも１種以上のガスを含有したクリーニングガスで、さらに、ＣＦ_3ＳＯ_2Ｆ、Ｃ_2Ｆ_5ＳＯ_2Ｆ、（ＣＦ_3ＳＯ_2）_2Ｏから選ばれる少なくとも１種以上のガスとＯ_2とを含有したクリーニングガス。 - 特許庁

Since an activation energy required for a reaction: NO2+1/2.O2→NO3- is relatively small, even if a temperature of the NOx catalyst 23 is low, the reaction for oxidizing NO2 to NO3- is generated in the NOx catalyst 23 and the NOx can be stored in the NOx catalyst 23 in the form of NO3-.例文帳に追加

ＮＯ_2 ＋１／２・Ｏ_2 →ＮＯ_3 ^- の反応に必要な活性化エネルギは比較的小さいため、ＮＯｘ触媒２３の温度が低くても、ＮＯｘ触媒２３内でＮＯ_2 をＮＯ_3 ^- に酸化する反応を起こさせて、ＮＯｘ触媒２３内にＮＯｘをＮＯ_3 ^- の形で吸蔵できる。 - 特許庁

This illuminator is equipped with emitting means 11 to 15 emitting condensed light along a direction O2 crossing the optical axis O3 of the objective lens 21, and an optical member 17 reflecting the condensed light toward the lens 21 along the optical axis O3 and transmitting observing light from the sample 31.例文帳に追加

対物レンズ２１の光軸Ｏ３に対し交差する方向Ｏ２に沿って集光光を射出する射出手段１１〜１５と、集光光を光軸Ｏ３に沿って対物レンズ２１の方向に反射し、標本３１からの観察光を透過する光学部材１７とを備える。 - 特許庁

In this image forming apparatus including a drawing member for storing a process cartridge, a cartridge tray 16 is configured to be movable to an exposed position O2 acquired by sliding the cartridge tray further in the drawing direction with respect to the attachment/detachment position of the process cartridge so as to access the interior of an apparatus main body 100A.例文帳に追加

プロセスカートリッジを収容する引出し部材を有する画像形成装置において、カートリッジトレイ１６を、プロセスカートリッジの着脱位置に対し、さらに引き出し方向にスライドさせた露出位置Ｏ２に移動可能な構成によって、装置本体１００Ａの内部へアクセスが可能とする。 - 特許庁

To provide the etching method of a gallium nitride compound semiconductor, which suppresses an etching rate and etching dispersion by previously introducing O2 gas to etching gas, improves the controllability and the workability of a dry etching rate and can obtain the satisfactory reproducibility of an electric characteristic.例文帳に追加

あらかじめエッチングガスにＯ_2ガスを導入することによりエッチングレートとエッチングばらつきを抑制し、ドライエッチングレートの制御性および作業性を向上させ、かつ良好な電気的特性の再現性を得る為の窒化ガリウム系化合物半導体のエッチング方法を提供すること。 - 特許庁

Then, a second Zr oxide film 33, which is an intermediate layer part or upper layer part of the gate insulating film, is formed on the first Zr oxide film 32 through reactive-sputtering, using the Zr target 20 in an atmosphere of the mixture gas comprising the Ar gas and O2 gas within the chamber.例文帳に追加

次に、チャンバー内をＡｒガスとＯ_2 ガスとの混合ガスの雰囲気にしながら、Ｚｒターゲット１０を用いて反応性スパッタリングを行なうことにより、第１のＺｒ酸化物膜３２上にゲート絶縁膜の中層部又は上層部となる第２のＺｒ酸化物膜３３を形成する。 - 特許庁

When the user is authenticated by the system 10, first subsidiary data A1 corresponding to an identification data ID is specified by the system, and first and second original data O1, O2 are restored on the basis of the specified first subsidiary data A1 and second subsidiary data A2 stored in a terminal 12.例文帳に追加

ユーザーがシステム１０に認証される場合は、システムにおいて識別データＩＤに対応する第１付随データＡ１が特定され、該特定された第１付随データＡ１と端末１２に記憶されている第２付随データＡ２とに基づいて第１、第２元データＯ１、Ｏ２が復元される。 - 特許庁

A first device condition regarding the angle between the advancing direction of diffracted light L2 and the direction of the optical axis O2 of an optical condenser system 27, and a second device condition regarding the output levels of image signals outputted from an image picking-up means 28, are set to the optimum conditions.例文帳に追加

回折光Ｌ２の進行方向と集光光学系２７の光軸方向Ｏ２との間の角度に関わる第１装置条件、および、撮像手段２８から出力される画像信号の出力レベルに関わる第２装置条件を最適条件に設定する。 - 特許庁

A mixed gas, of CF4 and O2 fed from a gas-feeding part 3 to an alumina discharge tube 2 is discharged using plasma in a plasma generating part 1 to produce an F radical R and the F radical R, is jetted from a nozzle part 20 to a silicon wafer W on a chuck 93, whereby the wafer W is subjected to local etching.例文帳に追加

ガス供給部３からアルミナ放電管２に供給されたＣＦ4とＯ2との混合ガスをプラズマ発生部１でプラズマ放電してＦラジカルＲを生成し、ＦラジカルＲをノズル部２０からチャック９３上のシリコンウエハＷに噴射することより、シリコンウエハＷを局所エッチングする。 - 特許庁

In projection processing, depth information d of the position P at which the object is first found on the virtual beam is stored, and in regard to the adjacent virtual beam, the virtual beam is projected from the position O2 slightly shorter by Δd than the depth d, and thus, calculation is omitted.例文帳に追加

このように、投影処理を行う際に仮想光線上で最初に物体が見つかった位置Ｐの奥行き情報ｄを記憶し、隣接の仮想光線では、奥行きｄの若干手前Δdの位置Ｏ２から仮想光線を投射することによって計算を省略する。 - 特許庁

Even when the O2 sensor output SVO2 reaches the second upper reference value SVO2SLF at a time t2 within a predetermined transition time, if it falls below the second upper reference value SVO2SLF within a predetermined time from the time t2, it is determined that the SOx concentration is high.例文帳に追加

またＯ２センサ出力ＳＶＯ２が所定過渡時間内の時刻ｔ２に第２の上流側基準値ＳＶＯ２ＳＬＦに達した場合であっても、時刻ｔ２から所定時間内において第２の上流側基準値ＳＶＯ２ＳＬＦを下回ったときはは、ＳＯｘ濃度が高いと判定される。 - 特許庁