「PAtterning」に関連した英語例文の一覧と使い方(62ページ目) - Weblio英語例文検索

The layers 8 are subjected to peeling treatment to form metal conductor layers 9 in the holes 7 through electrolytic plating, the conductor layers 5 on both surfaces of the tape 11 are treated by patterning to form pad electrodes 5a and wiring patterns 5b on the upper and lower surfaces of the tape 11, and a film carrier is obtained.例文帳に追加

保護層８を剥離処理して、電解めっきにより導通孔７内に金属導体９を形成し、両面の導体層５をパターニング処理してパッド電極５ａ及び配線パターン５ｂを形成して、フィルムキャリアを得る。 - 特許庁

In the inkjet recording method, an initial speed of discharged ink droplets is 3 m/sec to 16 m/sec in the case of patterning a building material 70 using an inkjet recorder 1, and a carrying process and an inkjet recording process are included.例文帳に追加

インクジェット記録装置１を用いて建築材７０を模様付けする場合において、吐出されたインク滴の初速が３ｍ／ｓｅｃ〜１６ｍ／ｓｅｃであるインクジェット記録方法であって、搬送工程と、インクジェット記録工程とを含む。 - 特許庁

The lithographic apparatus includes an illumination system for supplying a beam of radiation, a patterning system serving unit to impart the beam of radiation with a pattern in its cross-section, a substrate table for supporting a substrate, and a projection system for projecting the patterned beam onto a target portion of the substrate.例文帳に追加

リソグラフィ装置は、放射線ビームを供給する照明系、放射線ビーム断面にパターンを与えるパターン付与装置、基板を支持する基板テーブル、およびパターン形成されたビームを基板の目標部分に投影する投影系を含む。 - 特許庁

To provide a method for producing artificial marble which can disperse/knead/mix a large granule patterning material uniformly into a resin composition for molding the artificial marble and can fit a high design pattern having a high-grade feel or a granite pattern to the artificial marble without lowering the strength of a product.例文帳に追加

人造大理石成形用樹脂組成物に大粒柄材を均一に分散混練配合でき、しかも製品強度を低下させることなく高級感のある高意匠柄あるいはグラニット柄の人造大理石の製造方法を提供する。 - 特許庁

The patterning employing the photolithography technique is capable of controlling the fine processing of less than 1 μm (in the degree of several 10 nm even at minimum) with a high accuracy whereby the remarkably fine dam can be formed stably compared with same dam formed through solder plating method.例文帳に追加

フォトリソグラフィ技術を用いたパターン加工は、１μｍ以下（最小でも数十ｎｍ程度）の微細加工を高精度に制御可能であるため、はんだめっき法に比べて著しく微細なダムを安定して形成することが可能となる。 - 特許庁

It enables manufacturing an imprint mold having two or more level differences without repeated coating of a photosensitive resin onto a board having level differences by carrying out two or more patterning procedures on a photosensitive resin.例文帳に追加

本発明の構成によれば、感光性樹脂に対して複数回のパターニングを行うことにより、段差形状になった基板に再度感光性樹脂を塗布することなく、複数の段差構造を備えたインプリントモールドを製造することが出来る。 - 特許庁

To provide a method for easy patterning for a mat carpet, requiring no hand work, capable of always uniformly forming the same pattern for everybody and capable of neatly forming race and pattern with long and short pile like a relieved engraving for everybody.例文帳に追加

手作業ではなく、同じ図柄を誰にでも常に均一に構成することができ、溝も図柄もパイルの長短で浮き上がる版画のように、スッキリした形態にて誰にでも形成することができるマットじゅうたんの簡易な柄だし方法を提供する。 - 特許庁

A thermal oxide film 4 which serves as a pad oxide film is made 5-30 nm thick on a silicon substrate 2, and a silicon nitride film which serves as a CMP stopper is accumulated to 100-300 nm, and patterning is performed by resist so that becomes a desired element isolation region.例文帳に追加

シリコン基板２に対し、パッド酸化膜となる熱酸化膜４を５〜３０ｎｍ形成し、ＣＭＰストッパーとなるシリコン窒化膜６を１００〜３００ｎｍ堆積させ、それを所望の素子分離領域になるようレジスト８にてパターニングを行う。 - 特許庁

To provide a high registration mask substrate, an exposure device and a patterning method using them capable of accurately measuring the deformation degree of the mask substrate by providing a detecting means for detecting the deformation degree of the mask substrate on the mask substrate.例文帳に追加

マスク基板上にマスク基板の変形度を検知する検知手段を設けたことにより、正確なマスク基板の変形度が測定でき、合わせ精度の高いマスク基板と露光装置およびそれを用いたパターン形成方法の提供を目的とする。 - 特許庁

To prevent needless grooves from being formed on the surface of a substrate and to prevent needless cavities from being generated in an imbedded oxide film by covering the exposed edge region of the imbedded oxide film formed by patterning with a nitride film.例文帳に追加

パターン形成した埋込み酸化膜のエッジ領域を窒化膜にて覆うことにより露出させず、これにより基板本体の表面に不要な凹溝が形成されたり、或いは埋込み酸化膜に不要な空洞が形成されるのを防止する。 - 特許庁

The ink is stably formed on the resin letterpress printing plate 104 from an anilox roll 101, and therefore, the ink can be uniformly supplied to an anilox roll 101 with a doctor roll 102 by supplying the ink selectively to a desired patterning effective area.例文帳に追加

アニロックスロール１０１から樹脂凸版１０４にインキを安定形成するために、所望のパターニング有効領域に選択的にインキ供給することで、ドクターロール１０２を用いてアニロックスロール１０１に均一にインキを供給することが可能となる。 - 特許庁

To provide a polyimide resin-containing negative photosensitive resin composition which unnecessitates the use of an organic solvent as a developer and can be developed with only an aqueous alkali solution, and to provide a reaction development patterning method using the photosensitive resin composition.例文帳に追加

現像液として有機溶媒の使用を不要とし、アルカリ水溶液のみにより現像可能なポリイミド樹脂含有ネガ型感光性樹脂組成物および該感光性樹脂組成物を使用する反応現像画像形成法を提供する。 - 特許庁

To provide a conductive patterning composition having photosensitivity which can be patterned by a photolithographic method and which can develop the conductivity by heat treatment at a relatively low temperature and to provide a method for manufacturing a conductive pattern film by using the composition.例文帳に追加

フォトリソグラフィー法によりパターニングすることができる感光性を有し、かつ比較的低温の加熱処理で導電性を発現させることができる導電性パターニング組成物及びこれを用いた導電性パターン膜の製造方法を得る。 - 特許庁

Finally, a TFT(thin-film transistor) is manufactured by forming an island-like silicon film by performing patterning through the use of the crystalline silicon film 304 as an active layer and forming a gate electrode on the island-like silicon film, and then implanting an N-type impurity into the crystalline island-like silicon film by an ion doping method.例文帳に追加

この結晶性珪素膜を活性層とし、パターニングし島上珪素膜を作製しこの上にゲート電極をつけ、前記結晶性を有する島状珪素膜にイオンドーピング法でN型不純物をいれＴＦＴを作製した。 - 特許庁

The transmission information printed at the lower part of the receipt 3 and to be displayed after release of the receipt is formed by skipping a printing process to a base material sheet 10 by patterning of an adhesive layer 7 to be used for pasting the receipt.例文帳に追加

本発明は、受領票３下部に記載された受領票剥離後に表示される伝達情報を、受領票貼り付けに使用する接着層７をパターニングすることにより、基材シート１０への印刷工程を省略して形成する。 - 特許庁

Protrusion layers 12 each of which is to be a portion of a spacer are formed on a color filter layer 11 by patterning the translucent material disposed on the color filter layer 11 while leaving the translucent material 11E disposed in the insides of the aperture parts HR, HG and HB.例文帳に追加

そして、開口部ＨＲ，ＨＧ，ＨＢ内に配置された透光性材料１１Ｅを残しつつ、カラーフィルタ１１上に配置された透光性材料をパターニングして、このカラーフィルタ１１上にスペーサの一部となる突起層１２を形成する。 - 特許庁

In producing processes for the electrode substrate including a patterning process for the transparent conductive film after etching treatment for a transparent conductive laminate, the transparent conductive film is crystallized after an etching treatment, instead of before the etching treatment.例文帳に追加

透明導電積層体をエッチング処理して該透明導電膜をパターニングする工程を含む電極基板の製造方法において、エッチング処理以前は透明導電膜を結晶化させず、エッチング処理後に透明導電膜を結晶化させる。 - 特許庁

After the patterning, a side wall 305 is formed on the side surface of the core material film so that the side surfaces of the removal scheduled portion and the residual portion are covered by the side wall, and the interval of the predetermined distance between the residual portion and the scheduled portion is blocked by the side wall.例文帳に追加

パターニングの後に芯材膜の側面に側壁305を形成して除去予定部分および残存部分の側面を側壁で覆うとともに残存部分と除去予定部分との間の所定距離の間隙を側壁で閉塞する。 - 特許庁

The first substrate 31 comprises the plurality of TFTs or the semiconductor circuit elements thereon, and a plurality of the TFTs or a portion of the circuit element groups are transferred to the second substrate having a thin film patterning thereon, which is the active matrix substrate.例文帳に追加

第一の基板31上に形成された複数のTFT又は回路素子群と、前記複数のTFT又は回路素子群の一部を積載するための第二の基板と、前記第二の基板上のパターニングされた薄膜とを含むアクティブマトリクス基板とする。 - 特許庁

An amorphous semiconductor film 105 for channel formation, an n-type semiconductor film 106 for the formation of source and drain regions and a conductive film 107 for the formation of source wiring and drain electrode are stacked (Fig. (A)), and then subjected to patterning operation with an identical photomask (Fig. (B)).例文帳に追加

チャネルが形成される非晶質半導体膜１０５、ソース、ドレイン領域となるｎ型の半導体膜１０６及びソース配線及びドレイン電極となる導電膜１０７を積層し（図（Ａ））、同一のフォトマスクにてパターニングする（図（Ｂ））。 - 特許庁

Paints 4, 5 are sprayed on the washing place molded from FRP comprising SMC in a granular state under a low atomizing pressure to apply a patterning coating to the washing place and the coated washing place is coated with a transparent layer to which resin beads 6 are added to manufacture the patterned washing place.例文帳に追加

ＳＭＣからなるＦＲＰの洗い場において、少なくとも霧化圧を低下させ塗料４、５を粒子状に噴霧することにより模様塗装を施し、樹脂ビーズ６を添加した透明層でコートして模様付き洗い場とする。 - 特許庁

By a sample which is determined as a superior product by a destruction inspection, the standard value of a step height of a projection part of a embedding formed film 49 in correspondence to a groove width L1 and a depth D of a monitor patterning groove 42a and a film thickness t of the embedding formed film 49 is set.例文帳に追加

破壊検査により良品と判定された試料により、モニタパターン用の溝４２ａの溝幅Ｌ_1 ，深さＤと埋め込み成膜４９の膜厚ｔとに応じた埋め込み成膜４９凸部のステップ高さを標準値を設定する。 - 特許庁

To provide an ink jet unit ensuring highly reliable printing or patterning by preventing clogging of nozzle due to evaporation of solvent when aqueous ink or solvent ink containing an evaporating solvent is used.例文帳に追加

本発明は、水性インクや溶剤インク等の蒸発する溶媒を用いたインクを用いる場合の溶媒の蒸発によるノズルつまりの発生を防止し、高信頼な印刷、あるいはパターニングを行うことのできるインクジェット装置を提供することを課題とする。 - 特許庁

The method comprises laminating a fluorinated polymer layer 103 on substrates 101, 102, patterning the fluorinated polymer to form a relief pattern, and laminating an organic semiconductor or conductive material layer on the substrates 105, 106 using solution.例文帳に追加

この方法は、基板１０１，１０２上のフッ素化ポリマー層１０３を積層し、リリーフパターンを形成するためにフッ素化ポリマーをパターン化し、溶液から基板１０５，１０６上に有機半導体又は導電性材料層を積層することを含む。 - 特許庁

This formation method consists in forming a hydrophobic film 21 atop a glass substrate 2, patterning pixel electrodes 8 atop the hydrophobic film 21 and printing the respective pixel electrodes 8 and the entire surface of the hydrophobic film 21 exposed between the pixel electrodes 8 with color ink 11.例文帳に追加

ガラス基板２の上面に疎水性膜２１を形成し、この疎水性膜２１の上面に画素電極８をパタンニングし、各画素電極８およびこれら画素電極８間に露呈した疎水性膜２１の全表面にカラーインク１１を印刷する。 - 特許庁

METHOD FOR MANUFACTURING NANO CARBON AND NANO CARBON MANUFACTURED BY THE METHOD, DEVICE FOR MANUFACTURING NANO CARBON, METHOD OF PATTERNING NANO CARBON AND NANO CARBON BASE MATERIAL PATTERNED BY USE OF THE METHOD AND ELECTRON EMISSION SOURCE USING THE PATTERNED NANO CARBON BASE MATERIAL例文帳に追加

ナノカーボンの製造方法及びその方法を用いて製造されたナノカーボン、ナノカーボンの製造装置、ナノカーボンのパターン化方法及びその方法を用いてパターン化されたナノカーボン基材及びそのパターン化されたナノカーボン基材を用いた電子放出源 - 特許庁

The polymer film patterning method includes applying polymer ink onto the substrate after forming a resist layer patterned on the substrate, and then separating the resist layer to remove the applied polymer ink therefrom.例文帳に追加

ポリマー膜のパターニング方法において、基板上にパターニングされたレジスト層を形成後に、前記基板上にポリマーインクを塗布し、その後、前記レジスト層を剥離することで前記塗布されたポリマーインクを併せて除去することを特徴とするポリマー膜のパターニング方法。 - 特許庁

Even if a defective part is generated at the first Schottky barrier electrode 30a when sputter film-forming or patterning Ti, Ti is so film-formed as to cover the defective part in the forming process of the second Schottky barrier electrode 30b.例文帳に追加

Ｔｉをスパッタ成膜したりパタニングしたりするときに第一のショットキー障壁電極３０ａに欠損部分が生じても、第二のショットキー障壁電極３０ｂの形成工程において、欠損部分をカバーするようにＴｉが成膜される。 - 特許庁

On a wiring material lamination layer 12, a first insulating film 13 and a second insulating film 14 whose etching selectivity is different from that of the first insulating film 13 are formed into specified thickness, respectively, as hard masks for improving patterning accuracy (Fig. 1 (a)).例文帳に追加

配線材料積層１２上にパターニング精度向上のためのハードマスク用として第１絶縁膜１３、さらにこの第１絶縁膜１３とはエッチング選択比の異なる第２絶縁膜１４を所定厚さ分だけ形成する（図１（ａ））。 - 特許庁

This method for patterning the thin film consists in spraying an etching liquid ETL at a low flow rate from a direction approximately perpendicular to a liquid crystal panel substrate SUB1 formed by coating the conductive thin film with a resist mask of prescribed opening patterns while rotating the liquid crystal panel substrate at a high speed.例文帳に追加

導電性薄膜を所定の開口パターンのレジストマスクで被覆した液晶パネル基板ＳＵＢ１を高速回転させながら当該液晶パネル基板に対して略直角な方向からエッチング液ＥＴＬを低流量スプレーする。 - 特許庁

When etching a first inter-layer dielectric film 9, a XeF2 gas is used; when patterning a bit line 10 composed of a silicide film, a BrF3 is used; and when forming a storage node 12 composed of a polysilicon film, a BrCl gas is used.例文帳に追加

シリコン酸化膜からなる第１層間絶縁膜９をエッチングする際にはＸｅＦ2 ガスを、シリサイド膜からなるビット線１０をパターニングする際にはＢｒＦ3 ガスを、ポリシリコン膜からなるストレージノード１２を形成する際には、ＢｒＣｌガスを用いる。 - 特許庁

To provide a dyeing method for twill woven fabric, comprising making a patterning with variations between twill design texture and ground texture for expressing stereoscopic pattern, in particular enabling dyeing in unconventionally highly novel hue and feeling.例文帳に追加

柄の立体をだす紋意匠織と地組織との変化で柄だしする紋織物に対する染色方法に関するものであり、特に、従来にない極めて斬新な色合い並びに風合いに染色し得る紋織物に対する染色方法を提供すること。 - 特許庁

On the cut surface of the bar including the medium opposing surface 30, a resist solution is applied to form a resist layer 21, a mask is formed by patterning this resist layer 21, and a magnetic pole part is machined and formed by etching using this mask.例文帳に追加

そして、バーにおける媒体対向面３０を含む切断面に、レジスト溶液を塗布してレジスト層２１を形成し、このレジスト層２１をパターニングしてマスクを形成し、このマスクを用いたエッチングによって磁極部分を加工、形成する。 - 特許庁

To provide a mask for vapor deposition in which, even when it is influenced by heat, and its intra-plane temperature distribution is made uneven, the adverse influence by the unevenness of the temperature distribution can be eliminated as possible, and which can correspond to patterning with high precision.例文帳に追加

蒸着用マスクが熱の影響を受けてその面内温度分布が不均一になる場合であっても、その温度分布の不均一さによる悪影響を極力排除することができ、高精度なパターニングに対応することを可能にする。 - 特許庁

The patterning roller forms a cylindrical base surface as the outer reference surface for pattern formation, a plurality of washer-like projecting rows parallel to the circumference of the reference surface, and circular arc projections partially covering the groove parts interposed between the projecting rows.例文帳に追加

模様付けローラーにあっては、模様形成外囲基準面としての円柱状基面とこの基面への円周方向に平行な複数の座金状凸条と凸条間に挟まれた溝部分を部分的に覆う円弧状突起を形成する。 - 特許庁

Also, in the formation process of the protection film 31, the protection film 31 is formed so that the side face 27 of the pattern of the functional films 28 and 29 formed by the patterning process by wet etching can be covered with the formed protection film 31.例文帳に追加

また、保護膜３１の形成工程では、ウエットエッチングによるパターニング工程において、パターニングによって形成された機能膜２８，２９のパターンの側面２７が、形成した保護膜３１によって覆われるように、保護膜３１を形成する。 - 特許庁

In this way, since the first insulating film 2 can be etched with patterning accuracy of the resist 5 for KrF/ArF, the first insulating film 2 and the second insulating film having different film thicknesses can be separately formed on the substrate 1 while keeping high accuracy.例文帳に追加

これにより、ＫｒＦ／ＡｒＦ用レジスト５のパターニング精度で第１の絶縁膜２をエッチングすることができるため、膜厚の異なる第１の絶縁膜２と第２の絶縁膜を基板１上に精度良く作り分けることが可能になる。 - 特許庁

To provide a manufacturing method of a transparent conductive film for which, a thermal treatment at high temperature in the case of forming the transparent conductive film on a substrate is unnecessary, which can be formed on a plastic substrate with low thermal resistance, capable of simply and quickly patterning on demand.例文帳に追加

基板上に透明導電膜を形成する場合の高温での熱処理を不要とし、耐熱性の低いプラスチック基板にも形成でき、しかも簡易・迅速にオンデマンドのパターニングが可能な透明導電膜の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a thin film magnetic head, with which patterning accuracy, a sputtering film deposition distribution and/or an etching distribution can be improved, a wafer suction defect in a vacuum chuck or electrostatic chuck can be prevented, and a yield can be improved.例文帳に追加

パターニング精度、スパッタ成膜分布及び／又はエッチング分布を向上させ、さらに、真空チャック又は静電チャックにおけるウエハの吸着不良を防止でき、歩留り改善を可能とする薄膜磁気ヘッドの製造方法を提供する。 - 特許庁

A shadow mask whose thickness is 500 μm or smaller and three times or less the minimum width of a mask portion and which is mounted on a frame having a plurality of opening portions existing therein is used for patterning at least one of a luminous layer and a second electrode.例文帳に追加

厚さが５００μｍ以下で、かつ、マスク部分の幅の最小寸法の３倍以下であり、複数個の開口部が存在するフレームに取り付けられたシャドーマスクを用いて発光層もしくは第二電極の少なくとも一方をパターニングする。 - 特許庁

Here, the horizontal alignment layer 42 forms an alignment layer material layer (photoresist) 42a on the side of the pixel electrode 9 of a precursor 10B, rubbing treatment is applied to it, the shielding film 13 is used a mask to be exposed and developed, and the horizontal alignment layer 42 is formed by patterning.例文帳に追加

ここで水平配向膜４２は、前駆体１０Ｂの画素電極９側に配向膜材料層（フォトレジスト）４２ａを形成し、これにラビング処理し、遮光膜１３をマスクにして露光、現像し、水平配向膜４２をパターニングして形成する。 - 特許庁

A wet-etching process is carried out for the residual substances 80, such as a heavy compound generated when patterning a second structure layer made of resin by an O_2 etching process together with a removal layer 93 located above a first structure layer 51 serving as an actuator structure 33.例文帳に追加

Ｏ_2エッチングにより樹脂製の第２の構造層をパターニングした際に発生する重化合物などの残渣８０を、アクチュエータ構造３３となる第１の構造層５１の上方に位置する除去層９３と共にウェットエッチングする。 - 特許庁

Sprocket holes 3 and conductor layers 5 are respectively formed at both ends of an insulating film tape 11 with adhesive layers and on both surfaces of the tape 11 along the longitudinal directions of both ends of the tape 11, the layer 5 on one side of the tape 11 is treated by patterning, and apertures 6 are formed in the prescribed positions on the layer 5.例文帳に追加

接着層付絶縁フィルムテープ１１の両端の長手方向に沿ってスプロケットホール３及び導体層５を形成し、片面の導体層５をパターニング処理して、導体層５の所定位置に開口部６を形成する。 - 特許庁

To provide a patterning substrate for cell culture where cells are allowed to adhere to the substrate in a high definition pattern and provide a cell culture substrate by allowing cells to adhere to the substrate in a high definition pattern.例文帳に追加

本発明は、基材上に細胞を高精細なパターン状に接着し、培養させるために用いられる細胞培養用パターニング基板や、細胞を高精細なパターン状に接着させた細胞培養基板等を提供することを主目的としている。 - 特許庁

The antenna system includes antenna parts formed by applying patterning to a conductor pattern to a printed circuit board and dielectric parts laminated on the antenna parts, and the dielectric part is characterized in being laminated with thickness in a direction wherein the directivity is provided thicker than the thickness in other directions.例文帳に追加

プリント配線板に導体パターンがパターンニングされたアンテナ部と、アンテナ部に積層された誘電体部とを有し、誘電体部はアンテナ部の指向性を持たせる方向に他の方向より厚く積層されていることを特徴とする。 - 特許庁