「PHOTO- MASK」に関連した英語例文の一覧と使い方(7ページ目) - Weblio英語例文検索

Then, while using the second photo resist 5 as a mask, phosphor (P+) ions are implanted into the surface of the semiconductor substrate 1 wherein the P-type impurity area 4 is removed, so as to form an N-type impurity area 6 adjacent to the P-type impurity area 4.例文帳に追加

そして、第２のホトレジスト５をマスクとして、Ｐ型の不純物領域４が除去された半導体基板１の表面に、リン（Ｐ＋）をイオン注入して、Ｐ型の不純物領域４に隣接したＮ型の不純物領域６を形成する。 - 特許庁

While using the fourth photo resist 26 as a mask, phosphor (P+) ions are implanted into the surface of the epitaxial layer 21 wherein the P-type impurity area 25 is removed, so as to form an N-type impurity area 28 adjacent to the P-type impurity area 25.例文帳に追加

第４のホトレジスト２６をマスクとして、Ｐ型の不純物領域２５が除去されたエピタキシャル層２１の表面にリン（Ｐ＋）をイオン注入して、Ｐ型の不純物領域２５に隣接したＮ型の不純物領域２８を形成する。 - 特許庁

To provide a charged particle beam in a charged particle beam device having a sample such as a photo-mask as a measurement object, in which a high precision adjustment of the device conditions can be carried out even if charged electrons are deposited on a backside of the sample.例文帳に追加

本発明は、ホトマスクのような試料を測定対象とする荷電粒子線装置において、試料裏面に帯電が付着していたとしても、高精度に装置条件の調整を行い得る荷電粒子線の提供を目的とするものである。 - 特許庁

According to the embodiment, the charged particle beam device can be provided in which the high precision and high speed measurements, or inspections can be carried out even in the sample deposited with a large static charge on a face different from the pattern face such as the photo-mask.例文帳に追加

当該態様によれば、ホトマスクのようなパターン面とは異なる面に大きな帯電が付着する試料であっても、高精度且つ高速に測定、或いは検査を行うことができる荷電粒子線装置を提供することが可能となる。 - 特許庁

In order to accurately match positions of a black matrix 15 and a photo-mask 4a for color filter layers, alignment is performed to match the center of a window 55-1 and the center of an alignment mark 53-1 which is formed when forming the black matrix 15.例文帳に追加

ブラックマトリクス１５とカラーフィルタ層用のフォトマスク４ａの位置を正確にあわせるために、窓５５−１の中心とブラックマトリクス１５を形成する時に形成されたアライメントマーク５３−１の中心が一致するように位置合わせを行う。 - 特許庁

A positive photosensitive insulating material applied on a ceramic substrate 11 is exposed through a photo-mask 30, and developed, and then the exposed part of the positive photosensitive insulating material is removed so that an inter-line insulating layer 14 having a spiral groove 13 can be formed.例文帳に追加

セラミック基板１１上に付与されたポジ型感光性絶縁材料をフォトマスク３０を通して露光した後、現像してポジ型感光性絶縁材料の露光部分を除去し、スパイラル溝１３を有するライン間絶縁層１４を形成する。 - 特許庁

A photo mask comprises a first film which is patterned on one surface of a transparent substrate and made from a single layer or a plurality of layers; and a second film which is patterned on the opposite surface of the transparent substrate and made from a single layer or a plurality of layers.例文帳に追加

透明基板上の一方の面にパターニングされた単層または複数の層からなる第一の膜を備え、かつ前記透明基板の反対面にパターニングされた単層または複数の層からなる第二の膜を備えることを特徴とする。 - 特許庁

According to the steps, the light shielding layer 4 is formed in the recessed part provided on the substrate 1, and the surface of the transparent substrate 1 is flush with the surface of the light shielding layer 4, thereby obtaining the photo mask having the antireflection film 5 only on the surface of the light shielding layer 4.例文帳に追加

以上の工程により、基板１上に設けられた凹部に遮光層４が形成され、透明基板１と遮光層４の表面は面一であり、遮光層４の表面にのみ反射防止膜５を有するフォトマスクが得られる。 - 特許庁

In a constant temperature chamber 10, a lighting system 11 and a reticle stage 13 that holds a reticle 12 as a photo mask are deployed, and further, a projection optical system 14, an alignment optical system 15, a wafer stage mechanism 16, and a stage position measuring system 17 are deployed.例文帳に追加

恒温チャンバー１０内において、照明系１１、フォトマスクとしてのレチクル１２を保持するレチクルステージ１３が配備され、さらに、投影光学系１４、アライメント光学系１５、ウェハステージ機構１６、ステージ位置計測系１７が配備されている。 - 特許庁

It creates a transparent conductive film patternized by being developed into an alkali aqueous solution and by burning above 500°C after coating and drying the coating solution on the substrate, arranging a photo mask on the drying film, and irradiating an ultraviolet rays and exposing to the light.例文帳に追加

この塗布液を基板上に塗布・乾燥し、乾燥膜上にフォトマスクを設置し、紫外線を照射して露光した後、アルカリ水溶液にて現像して、５００℃以上で焼成することによって、パターン化された透明導電膜が作成される。 - 特許庁

To provide a photo mask and a production method for semiconductor device, with which accuracy in the alignment of a via hole in a dual damassin structure and an upper wiring layer is improved and a recess or step is prevented from being generated by wiring materials in a hole for alignment.例文帳に追加

デュアルダマシン構造のビアホールと上層配線層の位置合わせ精度を高めるとともに、位置合わせ用のホールにおける配線材料による凹みや段差の発生を防止したフォトマスク及び半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

A photo-resolving catalyst for precipitating a catalyst only at a portion irradiated with light is applied to the surface of an insulating substrate, a plating resist which is decomposed and removed by exposure and development is applied on the photo-resolving catalyst, and a mask forming a predetermined pattern is placed on the plating resist and is subjected to exposure and development in this state to produce a predetermined metal wiring pattern.例文帳に追加

絶縁基板の表面に光照射部のみ触媒が析出する光解像性触媒を塗布し、光解像性触媒の上に露光・現像により分解・除去されるメッキレジストを塗布し、メッキレジストの上に所定のパターンに形成されたマスクを設置し、その状態で露光・現像を施すことにより所定の金属配線パターンを得るようにしたもの。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a shadow mask by a photo- etching method, in which an etching-resistance resin layer is formed with no residual air bubbles in small holes when forming it in the small holes, resulting in no defective aperture of small holes.例文帳に追加

フォトエッチング法によりシャドウマスクを製造する方法にて、小孔側にエッチング耐蝕樹脂層を形成する際に、小孔内に気泡を残さずエッチング耐蝕樹脂層を形成し、小孔の孔径不良を発生させないシャドウマスクの製造方法を提供すること。 - 特許庁

Forming the first insulating film 10 with a material that can be etched selectively against the second insulating film 14 makes the mask of photo-resist unnecessary in removing the first insulating film 10 in through holes 11 on the lower layer metal wiring 2.例文帳に追加

そして第１の絶縁膜１０は第２の絶縁膜１４に対して選択にエッチング可能な材料により形成することでスルーホール１１内の下層金属配線２上の第１の絶縁膜１０を除去する際フォトレジストによるマスクを不要とする。 - 特許庁

Using the photo mask 34, openings for bottom electrodes of a capacitor are formed in an insulating layer in a memory cell array formation region, and grooves are formed in the insulating layer in a boundary between the memory cell array formation region and a peripheral circuit formation region.例文帳に追加

このようなフォトマスク３４を用いて、メモリセルアレイ形成領域における絶縁層に、キャパシタの下部電極が形成される開口部を形成し、メモリセルアレイ形成領域と周辺回路形成領域との境界における絶縁層に溝を形成する。 - 特許庁

Also, a resist mask having cutouts to be widely exposed to a specified shape is used at a position corresponding to the corner part of the lattice-like partition walls 13 when a photo sensitive dry film is exposed to form the lattice-like partition walls 13.例文帳に追加

また、本発明では格子状隔壁１３の形成に際して、感光性ドライフィルムの露光に当り、格子状隔壁１３のコーナー部に相当する位置に、所望とする形状に対してより広く露光されるような切れ込みを有するレジストマスクを用いる。 - 特許庁

In a photo mask MS, first and second patterns A and B are formed respectively in first and second section regions XL and XR that a one- shot region with a length X of one side is halved (X/2) in a step direction STP of a board to be processed.例文帳に追加

ホトマスクＭＳにおいて、一辺の長さＸを有するワンショット領域を被処理基板ＳＢのステップ方向ＳＴＰに沿って２等分（Ｘ／２）した第１，第２の区分領域Ｘ_Ｌ，Ｘ_Ｒにそれぞれ第１及び第２のパターンＡ，Ｂを形成する。 - 特許庁

To provide a liquid treatment device capable of preventing a phenomenon or so called a loading effect, wherein the production amount of resolution products or the concentration of a developing solution becomes different locally and an etching speed or the like is changed, and capable of uniformly developing a photo mask such as a reticle or the like.例文帳に追加

溶解生成物の生成量や現像液の濃度が局所的に異なり、エッチング速度等が変化するローディング効果と呼ばれる現象を防止し、レチクル等のフォトマスクに対する均一な現像処理が可能な液処理装置を提供すること。 - 特許庁

To provide a device and a method for exactly and highly accurately measuring and evaluating a form and a recording medium recording form measuring and evaluating program by quantitatively measuring the pattern form of a photo-mask containing fine patterns.例文帳に追加

微細なパターンを含むフォトマスクのパターン形状の定量的な計測を可能にすることにより、正確かつ高精度な形状計測評価装置及び形状計測評価方法並びに形状計測評価プログラムを記録した記録媒体を提供する。 - 特許庁

A photo mask 200 includes: at least a light transmitting part 204 that transmits exposure light; a semi-translucent part 202 that has lower transmittance of exposure light than that of the light transmitting part 204; a phase shift part 203 that transmits exposure light in a phase different from the light transmitting part 204.例文帳に追加

フォトマスク２００は、露光光を透過させる透光部２０４と、透光部２０４よりも露光光の透過率が低い半遮光部２０２と、露光光を透光部２０４と異なる位相で透過させる位相シフト部２０３とを少なくとも有する。 - 特許庁

To provide a cleaning method which has a high washing performance using little chemical and has extremely low reattachment of foreign matters, etc. to a substrate in cleaning the substrate to be used for semiconductor manufacturing such as a silicon wafer and a photo mask, and to provide a spin cleaning apparatus.例文帳に追加

シリコンウェーハやフォトマスク等の半導体製造に使用される基板を洗浄するに際し、少量の薬液で高い洗浄能力を持ち、異物等の基板への再付着が極めて少ない洗浄方法、およびスピン式洗浄装置を提供する。 - 特許庁

Since contact photo etching is conducted by using such a mask as to make an interlayer insulation film for protection in the chip corner section, excessive etching never goes beyond the interlayer insulation film for protection and thereby a predetermined area is obtained for the interlayer insulation film in the actual operation region.例文帳に追加

本発明では、チップコーナー部に保護用の層間絶縁膜が設けられるようなマスクを用いてコンタクトフォトエッチが行われるので、過剰エッチングは保護用層間絶縁膜で止まり、実動作領域の層間絶縁膜は所定の面積を確保できる。 - 特許庁

In the method of manufacturing the semiconductor device, first, with a photo resist film 25c as a mask; a multilayer insulation film 24c consisting of a stopper insulation film 21c, the low dielectric constant insulation film 22c, and a cap insulation film 23c is dry etched including the stopper insulation film 21c to form a wiring groove 32 in the multilayer insulation film 24c.例文帳に追加

まず、フォトレジスト膜２５ｃをマスクとしてストッパ絶縁膜２１ｃ／低誘電率絶縁膜２２ｃ／キャップ絶縁膜２３ｃからなる積層絶縁膜２４ｃ中のストッパ絶縁膜２１ｃを含めた状態までドライエッチングすることによって、積層絶縁膜２４ｃに配線溝３２を形成する。 - 特許庁

The photo mask 5 for phase shift focus monitor has first and second light transmission parts 5c and 5d adjacent to each other across a light shielding pattern 5b between them and is so constituted that a phase difference other than 180° may be given for respective exposure light transmitted through the first and second light transmission parts 5c and 5d.例文帳に追加

この位相シフトフォーカスモニタ用フォトマスク５は、遮光パターン５ｂを挟んで隣り合う第１および第２の光透過部５ｃ、５ｄを有し、かつ第１および第２の光透過部５ｃ、５ｄを透過した各露光光に１８０°以外の位相差が生じるように構成されている。 - 特許庁

To provide a non-contact type alignment processing device capable of forming a multi-domain alignment at low cost even with a large substrate and enlarging the angle of visibility of a liquid crystal display device without using a metal mask or a photo lithography process and without a troublesome surface treatment of an alignment film.例文帳に追加

メタルマスクやフォトリソグラフィー工程を用いず、煩雑な配向膜の下地処理も行なわずに、基板が大型化しても低コストでマルチドメイン配向を形成して、液晶表示装置の視野角を拡大することができる非接触式配向処理装置を提供する。 - 特許庁

Using a first photo mask provided with patterns of an ink chamber 124 and a restrictor 126 of an ink channel, a site for providing the side wall of a channel forming wall member 120a surrounding the ink chamber 124 and the restrictor 126 of the negative photoresist 120 is hardened by excessive exposure.例文帳に追加

次に，インク流路のインクチャンバ１２４及びリストリクタ１２６のパターンが設けられた第１フォトマスクを用いてネガティブフォトレジスト１２０のうちのインクチャンバ１２４及びリストリクタ１２６を取り囲む流路形成壁体１２０ａの側壁をなす部位を過露光して硬化させる。 - 特許庁

Therefore, the liquid crystal display device has no photo-current generating in the active layer by light, which is advantageous to minimize wavy noises and characteristics of a leak current in a thin film transistor, and the cost and time can be saved by simplification in the mask process.例文帳に追加

従って、本発明による液晶表示装置は、前記アクティブ層に光による光電流が発生しないので、波状ノイズ及び薄膜トランジスタの漏洩電流の特性を最小化する長所があって、マスク工程の単純化により費用及び時間を節約することができる。 - 特許庁

In this inspection method for the color filter, a colored portion other than a measuring object color portion is light-shielded to inspect the color filter, using an integrating sphere as a photo-receiving measuring portion, and the colored portion other than the measuring object color portion is light- shielded using a light shielding mask in the light shielding method hereinbefore.例文帳に追加

カラーフイルタの検査は、受光する測定部位に積分球を用いて、測定対象色部位以外の他の色部位を光遮蔽して行い、また、前記光遮蔽方法は、遮光マスクを用いて測定対象色部位以外の他の色部位を光遮蔽するカラーフイルタの検査方法である。 - 特許庁

To provide a production method of a shadow mask for a color cathode-ray tube that can make such holes, through with narrow electron beams can pass, that cannot be made with photo-etching method, that can carry production without contaminating the environment and further that can easily change pattern of holes for passing the electron beams.例文帳に追加

フォトエッチング法では明けることのできないような小径の電子ビーム通過孔も明けることができ、また環境を汚染することなく低コストで製造することができ、さらには容易に電子ビーム通過孔のパターンを変更できるカラーブラウン管用シャドウマスクの製造方法を提供する。 - 特許庁

The photo mask 30 comprises a transparent substrate 14, a phase inversion light-transmitting layer 15 which covers the whole surface of the transparent substrate 14 and a plurality of small size light-transmitting holes 21, 22, 23, 24 which are formed on specified regions selected beforehand of the phase inversion light-transmitting layer 15, at dense intervals and in a group.例文帳に追加

本発明によるフォトマスク（30）は、透明基板（14）と、透明基板（14）の全面を覆う位相反転透光層（15）と、位相反転透光層（15）の予め選択された特定の領域で、密な間隔で且つ集団で形成された複数の小寸法透光ホール（21,22,23,24）とを含む。 - 特許庁

A positive photosensitive resin is applied on a transparent insulation substrate 1 having a TFT formed thereon and a photosensitive resin layer 9 having a contact hole and a hole for forming a rugged pattern on a drain electrode 8 and at a pixel aperture part, respectively, is formed by photolithography using a photo mask.例文帳に追加

ＴＦＴを形成した透明絶縁基板１上に、ポジ型の感光性樹脂を塗布し、フォトマスクを用いたフォトリソグラフィにより、ドレイン電極８上にコンタクトホール、画素開口部に凹凸パターン形成用の穴をそれぞれ有する感光性樹脂層９を形成する。 - 特許庁

To obtain a method for correcting mask patterns by which the CAD processing time for performing light proximity effect correction of inputted design patterns is reduced, the increase in number of basic figures, when the corrected data is converted into EB data is suppressed and the generation of false defects during the step for inspecting photo masks is suppressed.例文帳に追加

入力された設計パターンに対して光近接効果補正を行う場合のＣＡＤ処理時間を短縮し、補正後のデータをＥＢデータに変換した場合の基本図形数の増加を抑制し、またフォトマスク検査工程における疑似欠陥の発生を抑制するマスクパターン補正方法を提供する。 - 特許庁

A photosensitive resin film 5 is applied on a color filter substrate in a desired film thickness and, thereafter, a flattened resin film part 5a with a desired thickness and a pillar spacer part 5b with a desired height thereon are formed en bloc by one time exposure development by using a photo mask 20 which has a total transmission pattern 20a and a half tone pattern 20b.例文帳に追加

カラーフィルタ基板上に感光性樹脂膜５を所要膜厚に塗布した後、全透過パターン２０ａとハーフトーンパターン２０ｂとを有するフォトマスク２０を用いて一回の露光現像により、所要厚みの平坦化樹脂膜部５ａとその上に所要高さの柱状スペーサ部５ｂを一括形成する。 - 特許庁

After a water-repelling resin layer 11 is formed on the surface thereof, a photo resist layer 12 is formed thereon, to which halftone exposure is applied with a mask adjusted in the exposure amount, and then patterning is performed by etching so that contact holes 10b, 10c reaching the matrix circuit and a recessed part 10a are formed in a contact hole area.例文帳に追加

その表面に撥水性樹脂層１１を形成した後、その上にフォトレジスト層１２を形成し、露光量を調整したマスクでハーフトーン露光を施し、エッチングによりコンタクトホール領域にマトリクス回路に達するコンタクトホール１０ｂ，１０ｃと、凹所領域１０ａとが形成されるようにパターニングする。 - 特許庁

Merely an oxide film 5 that is deposited, in advance, in a groove 4 for alignment is selectively thinned with photo resist as a mask, thus preventing the region of the groove 4 for alignment from being flattened even in a flattening machining after that, and hence achieving an effective function as the mark for positioning of a process following after an element insulation and isolation process.例文帳に追加

予め位置合わせ用溝４に堆積した酸化膜５のみをフォトレジストをマスクとして選択的に薄くすることにより、その後の平坦化加工においても、位置合わせ用溝４の領域が平坦になることはなく、素子絶縁分離工程に続く工程の目合わせ用マークとして有効に機能させることができる。 - 特許庁

In a constant temperature chamber 10, a lighting system 11 is provided as well, and a reticle stage 13 which holds a reticle 12 that is a photo mask for alignment, a projection optical system 14, an alignment system 15 and a shutter 16 that is interlocked with it, a wafer stage 17 for holding a semiconductor substrate Waf, and a stage position measuring system 18 are provided.例文帳に追加

恒温チャンバー１０内において、照明系１１が併設され、フォトマスクであるレチクル１２を保持して位置決めするレチクルステージ１３、投影光学系１４、アライメント系１５及びこれに連動するシャッター１６、半導体基板Ｗａｆを保持するウェハステージ１７、ステージ位置計測系１８が配備されている。 - 特許庁

To provide an apparatus and method for inspecting irregularity of a periodic pattern that accurately images and detects the irregularity caused by dimension shift and position shift of several nm order in the periodic pattern, especially in an inspecting object such as a photo-mask for a CCD/CMOS imager where the directivity of the cell pitch or pattern varies.例文帳に追加

周期性のあるパターン、特にＣＣＤ／ＣＭＯＳイメージャー用フォトマスクのようにセルピッチやパターンの方向性が多岐にわたるような被検査体に対し、数ｎｍオーダーの寸法ズレや位置ズレによって生じるムラを高精度に撮像、検出可能な周期性パターンのムラ検査装置、および方法を提供する。 - 特許庁

The photo mask manufacturing apparatus having a carrying arm having a structure allowing the mount to be removably mounted on the arm comprises a heater having a means for heating the mount only for controlling the temperature of the mount directly contacted with a transparent substrate, or a cooler having a cooling means.例文帳に追加

搭載部がアーム部より脱着することが可能な構造の搬送アームを備えたフォトマスク製造用装置であって、透明基板と直接接触する搭載部の温度を制御するための搭載部専用の加熱手段を具備した加熱部、又は冷却手段を具備した冷却部を備えたフォトマスク製造用装置。 - 特許庁

After an organic film pattern such as photo-resist is formed in the surface layer, impurity ions are implanted, the organic film is carbonized to provide a graphite film which is used as a mask for selective doping by a thermal diffusion method, and a surface roughening is prevented while impurity atoms are suppressed from being desorbed from the surface due to out-diffusion.例文帳に追加

表面層にフォトレジスト等の有機膜パターンを形成後、不純物イオンを注入し、その有機膜を炭化させたグラファイト膜をマスクとして熱拡散法による選択ドーピングをおこなうことにより、表面荒れを防ぐとともに不純物原子の外方拡散による表面からの脱離を抑制する。 - 特許庁

As a result, not only a patterned photo resist film 34 but also the slope 16a function as a mask for an ion implantation, the n-type impurity ion is not implanted into the slope 16a but implanted into a bottom face 15 and each slope 16b to 16d to form high concentration n-type impurity regions 18, 20.例文帳に追加

すると、パターニングしたフォトレジスト膜３４だけでなく斜面１６ａについてもイオン注入用マスクとして機能し、斜面１６ａにはＮ形不純物イオンが注入されず、底面１５および各斜面１６ｂ〜１６ｄにＮ形不純物イオンが注入され、高濃度Ｎ形不純物領域１８，２０が形成される。 - 特許庁

After re-installing a light source 6, a second intensity distribution of the EUV light at the position of the mask stage 7 for capturing the EUV light is measured as a function of the position coordinate of the photo diode 24 for EUV light detection, The light source 6 is moved by a light source fine movement mechanism 23 so that the first intensity distribution coincides with the second intensity distribution.例文帳に追加

光源６を再設置した後、ＥＵＶ光を捉えるマスクステージ７の位置でのＥＵＶ光の第２強度分布をＥＵＶ光検出用フォトダイオード２４の位置座標の関数として計測し、第１強度分布と第２強度分布とが一致するように光源微動機構２３によって光源６を移動させる。 - 特許庁

The method of manufacturing the color filter includes processes of: forming the negative type films 18 by using green, blue and red colored compositions in accordance with a plurality of photo-electric conversion elements 12 in an imaging device 14; performing pattern-exposure of the films via a density distribution mask; and thereafter, developing the film to form the outer surface of each color filter into a convex lens shape.例文帳に追加

カラーフィルター製造方法は：撮像素子１４の複数の光電変換素１２に対応して緑，青，赤色組成物によりネガ型膜１８を形成し、この膜を濃度分布マスクを介してパターン露光した後に現像し、現像後に各色フィルターの外表面が凸レンズ形状に形成されている。 - 特許庁

In the method for manufacturing an active matrix substrate used for a reflective liquid crystal display device, projections 701, 702 to roughen the surface of the pixel electrode (reflection electrode) to scatter light are formed by patterning by using the same photo mask used for the formation of TFTs to form the recesses and the projections on the surface of the pixel electrode 169.例文帳に追加

本発明は、反射型の液晶表示装置に用いるアクティブマトリクス基板の作製方法において、画素電極（反射電極）の表面に凹凸を持たせて光散乱性を図るための凸部７０１、７０２の形成をＴＦＴの形成と同じフォトマスクでパターニングを行い、画素電極１６９の表面に凸凹を形成する。 - 特許庁

A transparent layer 46 comprises the protrusions and a flat part 45 which are formed by subjecting a transparent photosensitive resin layer provided on color pixels 42 to exposure treatment via a density distribution mask PM1 and development treatment and parts of a transparent conductive film 43 above the protrusions are removed by photo etching applied to a transparent conductive film provided on the entire upper surface of the transparent layer.例文帳に追加

透明層４６は、着色画素４２上に設けた透明感光性樹脂層への濃度分布マスクＰＭ１を介した露光、現像処理によって形成された突起と平坦部４５からなり、透明導電膜４３は透明層の上面の全面に設けた透明導電膜へのフォトエッチングによって突起上の部分は除去されている。 - 特許庁

To provide a liquid crystal display panel capable of obtaining satisfactory reflection display characteristics and provided with a color filter substrate capable of adjusting reflectance of a reflection display region and chromaticity of reflection display light without changing a material of a colored layer and a photo mask, and to provide a liquid crystal display provided with the liquid crystal display panel.例文帳に追加

良好な反射表示特性を得ることができるとともに、着色層の材料やフォトマスクを変更することなく反射表示領域の反射率及び反射表示光の色度を調整することが可能なカラーフィルタ基板を備える液晶表示パネル、及び、上記液晶表示パネルを備える液晶表示装置を提供する。 - 特許庁