「PLASMA」に関連した英語例文の一覧と使い方(543ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide an igniter commonly using a spark discharge ignition system capable of completely burning a mixture gas of fuel and air while growing a generated flame nucleus, and the microwave plasma ignition system having compatibility with a conventional ordinary ignition plug in terms of a shape and can be mounted on a conventional engine easily.例文帳に追加

従来の一般的な点火プラグと形状的に互換性をもち、従来のエンジンに容易に装着可能で、発生した火炎核を成長させて燃料と空気の混合ガスを完全に燃焼させることができる火花放電点火とマイクロ波プラズマ点火を併用する点火装置を提供する。 - 特許庁

To provide a method for controlling the operation of an org. halogen compd. decomposing device capable of surely and stably changing the org. halogen compd. such as gaseous fluorocarbon to plasma and to provide a method for controlling the operation of the org. halogen compd. decomposing device capable of improving the safety of the org. halogen compd. decomposing device.例文帳に追加

フロンガス等の有機ハロゲン化合物を確実にかつ安定してプラズマ化する事が可能な有機ハロゲン化合物分解装置の運転制御方法、および、有機ハロゲン化合物の分解装置の安全性を向上することが可能な有機ハロゲン化合物分解装置の運転制御方法を提供すること。 - 特許庁

The structure where the base plate dome is rotated at the high speed by using a bearing obtained by integrating a rotating unit and a magnetic seal unit on a rotary shaft in order to maintain plasma generated by supplying the high-frequency power to the base plate dome rotating at the high speed in a stable state, and also insulated from a vacuum tank is adopted.例文帳に追加

高速回転する基板ドームに対して、高周波電力を供給し発生させたプラズマを安定な状態で維持する為に、回転軸に回転ユニットと磁器シールユニットを一体化した軸受けを用いて該基板ドームを高速回転すると共に、真空槽から絶縁する構造を採用している。 - 特許庁

A sheet-like heat conductive resin part 10 embedded with a lead frame 12 whose one part is a coil 15 is fixed on a metal plate 11 comprising at least one hole 16, and a ferrite core 17 is inserted in the hole 16 formed around the center of the coil 15, to adjust an inductance value (L component), resulting in suppressed power loss of the plasma television.例文帳に追加

一つ以上の孔１６を有する金属板１１の上に、一部がコイル１５であるリードフレーム１２を埋め込んだシート状の伝熱樹脂部１０を固定し、前記コイル１５の略中央部に形成した孔１６にフェライトコア１７を挿入し、インダクタンス値（Ｌ成分）を調整することで、プラズマテレビの電力損を抑える。 - 特許庁

As the upper surfaces of the plugs 14b are exposed through the film 12 at the interval parts between the wirings 16, a charge vertically having entered from a plasma toward the substrate 2 enters inside via the upper surfaces of the plugs 14b, the electrode 10 is electrified and further, when the charge flows to the substrate 2, the film 8 is damaged.例文帳に追加

配線１６の間隔部にはビアプラグ１４ｂの上面が層間絶縁膜１２から露出するため、プラズマから基板２に向かって垂直に入射した電荷が、ビアプラグ１４ｂの上面を介して入り込みゲート電極１０を帯電させ、更に基板２に流れる際にゲート絶縁膜８を損傷させる。 - 特許庁

Furthermore, through-holes 15 are formed in the first electrode 2a, the gas is circulated from the gas introducing-circulating portion 21 through the through-holes 15 and introduced between the unit electrodes, and the plasma is generated with the application of a voltage between the unit electrodes 2a and 2b with the gap between the unit electrodes 2a and 2b as a discharge portion 11.例文帳に追加

また、第一電極２ａには、貫通孔１５が形成され、ガス導入流通部２１から貫通孔１５を流通させて単位電極間にガスを導入し、単位電極２ａ，２ｂ間に電圧を印加することによって単位電極２ａ，２ｂ間を放電部１１としてプラズマを発生させる。 - 特許庁

Mg(DPM)_2 is vaporized while a film-making space 511 of a film-making system 500 is converted into an atmosphere including steam when manufacturing the plasma display panel having a front substrate 3 with the protective layer and a rear substrate, and the protective layer formed by MgO is formed by spraying a vaporization material to the front substrate 3 by a nozzle 533.例文帳に追加

保護層を有する前面基板３と、背面基板とを備えるＰＤＰを製造する際に、成膜装置５００の成膜空間５１１を水蒸気を含む雰囲気にしつつＭｇ（ＤＰＭ）_2を気化し、気化原料をノズル５３３にて前面基板３に吹き付けることにより、ＭｇＯで形成された保護層を形成する。 - 特許庁

This method for producing the cell-culturing base material is provided by performing a surface treatment on a base material consisting of a glass or resin by irradiating it with plasma, then coating a solubilized amnion composition on the base material finished with the surface treatment and drying to obtain the cell-culturing base material attached with the solubilized amnion composition.例文帳に追加

<sub/>_細胞培養用基材の製造方法において、ガラス又は樹脂からなる基体に対してプラズマを照射することによって表面処理を行った後、表面処理済みの基体に対して可溶化羊膜組成物をコーティングして乾燥させて可溶化羊膜組成物が付けられた細胞培養用基材を得る。 - 特許庁

To provide a protective layer technology which enables a high resolution plasma display panel to achieve both a reduction of address discharge delay time throughout a wide temperature range and a reduced voltage fluctuation by suppressing a reduction of wall charges during a rest period, leading to a realization of stable address discharge and high contrast.例文帳に追加

高精細なプラズマディスプレイパネルにおいて、広い温度範囲にわたってアドレス放電遅れ時間を短縮し、休止期間中の壁電荷の減少を抑えて電圧変動を小さくすることを両立させ、安定したアドレス放電を行うことと、高コントラストを実現する保護層技術を提供する。 - 特許庁

After a gate electrode 20 is formed on a substrate 11, part of the gate electrode 20 in a thickness direction from a surface thereof is oxidized through a heat treatment or plasma treatment to make a part of the gate electrode 20 in the thickness direction from an interface 20A with a gate insulating film 30 into an interface layer 21 made of metal oxide.例文帳に追加

基板１１にゲート電極２０を形成したのち、このゲート電極２０の表面から厚み方向における一部を、熱処理またはプラズマ処理を用いて酸化させることにより、ゲート電極２０のゲート絶縁膜３０との界面２０Ａから厚み方向における一部を、金属酸化物よりなる界面層２１とする。 - 特許庁

By using an open-type head 24 for performing the atmospheric control with inert gas, a step of discharging the functional particles 4 in the liquid onto a substrate 3 with the desired distribution by the mist jet technology, and a step of depositing a thin film 8 by the atmospheric-pressure plasma chemical transport method thereafter are alternately repeated.例文帳に追加

開放型で不活性ガスを用いて雰囲気制御を行うヘッド２４を用いて、液中の機能性微粒子４をミストジェット技術にて所望の分布で基板３上に吐出させる工程と、その後に大気圧プラズマ化学輸送法により薄膜８を成膜させる工程とを交互に繰り返す。 - 特許庁

Silicon-containing particles 25 are formed in an inside or an upper face of the intermediate layer 23, by restarting plasma during or after formation of the intermediate layer 23, and irregularities 21 are formed on an upper face of the surface layer 24, by forming the surface layer 24 using the silicon-containing particles 25 as nuclei.例文帳に追加

中間層２３の形成中または形成後にプラズマを停止したのち再開することにより、中間層２３の内部または上面にシリコン含有粒子２５を形成し、このシリコン含有粒子２５を核として表面層２４を形成することにより、表面層２４の上面に凹凸２１を形成する。 - 特許庁

To prevent any deviation in parallelism of each roll in the expansion deformation caused by the heat generated during the film deposition processing without complicating a water-cooling structure in a sheet film deposition apparatus for forming a coating film on a surface of a sheet-like base material by the PVD method or the plasma CVD method.例文帳に追加

ＰＶＤ法やプラズマＣＶＤ法などによりシート状の基材表面に皮膜を形成するためのシート成膜装置において、水冷構造による構造複雑化を招来することなく、成膜処理等で生ずる熱による膨張変形での各ロールの平行度の狂いを防止できるようになる。 - 特許庁

To provide a method for manufacturing a substrate with a metal pattern, which is capable of highly accurately processing the metal pattern by using laser light, capable of processing a metal thickness film by laser light of comparatively low power and allowed to be applied also to a flat panel display such as a plasma display, and to provide a substrate with a metal laminate.例文帳に追加

レーザ光を用いて金属パターンを高精度に加工することができ、特に、比較的低パワーのレーザ光で金属厚膜を加工することができ、プラズマディスプレイ等のフラットパネルディスプレイにも応用可能な金属パターン付き基板の製造方法及び金属積層体付き基板を提供する。 - 特許庁

An ion species in a plasma under discharge is metered by a QMS20, a mass of the ion species is defined using a fact of H=1, C=12 from a metered current value, the mass is divided with a value in a condition in which a hydrogen flow ratio is zero and a pulse frequency is 20 kHz, and thereby the total mass ratio of the ion species is computed.例文帳に追加

ＱＭＳ２０により、放電中のプラズマにおけるイオン種を計測し、計測された電流値からＨ＝１、Ｃ＝１２という事実を用いてイオン種の質量と定義し、この質量を、水素流量比０、パルス周波数２０ｋＨｚという条件での値で除することでイオン種の総質量比として算出した。 - 特許庁

The unreacted raw material which has passed through a rising passage 34 of the exhaust passage 26 together with the plasma discharge gas is condensed by being cooled there by a cooling medium that passes through a cooling pipe 38, is converted to a liquid phase, and is introduced into a vertical passage 30 of the confluent passage 24 for film formation from the recovery passage 28.例文帳に追加

プラズマ放電ガスとともに排出路２６の立ち上がり通路３４に流通した未反応の原材料は、冷却管３８を流通する冷却媒体によって冷却されることで凝縮し、液相となって回収路２８から成膜用合流路２４の鉛直通路３０に導入される。 - 特許庁

The surface-treated organic-coated steel sheet is produced through (1) a step of preparing an organic-coated steel sheet, (2) a step of producing plasm steam under an atmosphere having ≥2.0 g/m^3 steam concentration and atmospheric pressure and (3) a step of bringing the plasma steam into contact with the surface of the organic-coated steel sheet.例文帳に追加

（１）有機被覆鋼板を準備する工程、（２）水蒸気濃度が２.０ｇ／ｍ^３以上であって大気圧にある雰囲気において、プラズマ水蒸気を発生させる工程、および（３）プラズマ水蒸気を有機被覆鋼板の表面に接触させる工程を経て、表面処理された有機被覆鋼板を製造する。 - 特許庁

In a pedal arm 14, steps 42a, 42b are provided by setting the outer diameter of axial end portions 40a, 40b protruding outwardly to be smaller than that of boss mounting cylindrical sections 32g, 34g, and plasma arc welding is performed to corner parts extending between the edges of the boss mounting cylindrical sections 32g, 34g and the steps 42a, 42b.例文帳に追加

ペダルアーム１４のボス取付筒部３２ｇ、３４ｇよりも外側へ突き出す軸方向の端部４０ａ、４０ｂの外径が小さくされることにより段差４２ａ、４２ｂが設けられており、そのボス取付筒部３２ｇ、３４ｇの端縁から段差４２ａ、４２ｂに跨がるコーナー部分にプラズマアーク溶接が施される。 - 特許庁

A plasma CVD device 1 includes parallel flat plate electrodes 5 in a vacuum chamber 3 connected with a gas supply mechanism 7 and a gas discharge mechanism 9, wherein the parallel flat plate electrodes 5 is constituted of a high-frequency electrode 5A connected with an alternate power source PS via a matching box MB and a grounded counter electrode 5B via a matching box MB.例文帳に追加

プラズマＣＶＤ装置１は、ガス供給機構７およびガス排気機構９に連結した真空チャンバ３内に平行平板電極５を備え、この平行平板電極５は、マッチングボックスＭＢを介して交流電源ＰＳに接続された高周波電極５Ａと接地された対向電極５Ｂから構成される。 - 特許庁

For enhancing axisymmetry of plasma processing using a circularly polarized wave generator for conducting a circularly polarized wave processing of microwaves regardless of reflection waves, stubs 403, 404 are provided at a side of a circular waveguide 405 in a circle/rectangle converter 402 and the stubs 403, 404 are made cylindrical and the tip is made semicircular.例文帳に追加

反射波が有っても、マイクロ波の円偏波化が行える円偏波発生器を用いてプラズマ処理の軸対称性を高めるため、円矩形変換器４０２の円形導波管４０５側にスタブ４０３および４０４を設け、スタブ４０３および４０４は円柱状で先端部は半球状とした。 - 特許庁

To provide a method for producing a gas barrier film, by which a silicon nitride film having excellent gas barrier properties can be produced with high productivity by reducing deformation of a substrate when the substrate is conveyed when the silicon nitride film is film-deposited on the substrate by a capacity coupling type plasma CVD while the long substrate is conveyed in a longitudinal direction.例文帳に追加

長尺な基板を長手方向に搬送しつつ、容量結合型プラズマＣＶＤによって、基板に窒化珪素膜を成膜する場合において、基板を搬送する際の基板の変形を低減して、ガスバリア性に優れた窒化珪素膜を、高い生産性で製造することができる、ガスバリアフィルムの製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a light-absorbing pigment composition which can impart a function for absorbing light having a specific wavelength to plasma display panels or the like and can inhibit the deposition and coagulation of a photostabilized cyanine-based pigment in an adhesive, to provide a substituted benzenedithiol metal complex suitable for the use, and to provide a photostabilized cyanine-based pigment suitable for the use.例文帳に追加

プラズマディスプレイパネル等に特定波長の光吸収機能を付与することができ、粘着剤中における光安定化シアニン系色素の析出、凝集が抑制された光吸収色素組成物、その用途に適した置換ベンゼンジチオール金属錯体、光安定化シアニン系色素を提供する。 - 特許庁

The plasma welding device includes: first power sources 18ap, 18aw for feeding preheating power to the leading electrode 2a; second power sources 18bp, 18bw for feeding back bead formation power to the intermediate electrode 2b; and third power source 18cp, 18cw for feeding power for welding without welding rod to the tail electrode 2c.例文帳に追加

先頭電極２ａに予熱電力を給電する第１電源１８ａｐ，１８ａｗと、中間電極２ｂに裏ビード形成電力を給電する第２電源１８ｂｐ，１８ｂｗと、後尾電極２ｃになめ付け電力を給電する第３電源１８ｃｐ，１８ｃｗと、を備えるプラズマ溶接装置。 - 特許庁

The manufacturing method of an organic EL light-emitting device includes: a first applying process for forming a plurality of pixels having an organic EL layer by applying an organic EL material on a pixel-forming area on a substrate, and a removing process for removing the organic EL layer from at least a part of the plurality of pixels with the use of plasma gas.例文帳に追加

有機ＥＬ発光装置の製造方法は、基板上の画素形成領域に有機ＥＬ材料を塗布して有機ＥＬ層を有する複数の画素を形成する第１の塗布工程と、プラズマガスを用いて複数の画素のうちの一部の画素から少なくとも有機ＥＬ層を除去する除去工程と、を備える。 - 特許庁

In this dry etching apparatus, an annular protruding member 50 is protruded in the periphery of an upper electrode 18 toward an lower electrode 20, which loads a substrate W to be processed, to form a stepped level difference (d) against the upper electrode 18 to strengthen the electric field around the peripheral part of the upper electrode 18, and to increase the plasma density.例文帳に追加

このドライエッチング装置では、上部電極１８の周囲で環状突出部材５０が上部電極１８に対して被処理基板Ｗを載置する下部電極２０側へ突出して段差ｄを形成することで、上部電極１８の周辺部付近において電界が補強され、プラズマ密度が高められる。 - 特許庁

In a susceptor 12 in which a heater unit 14, a refrigerant flow passage 15 and a refrigerant chamber 16 are incorporated and on which a wafer W to be subjected to plasma etching processing is mounted, a refrigerant flows in the refrigerant flow passage 15 and refrigerant chamber 16 and when the heater unit 14 generates heat, the refrigerant stops flowing in the refrigerant chamber 16.例文帳に追加

ヒータユニット１４と、冷媒流路１５と、冷媒室１６とを内蔵し、プラズマエッチング処理が施されるウエハＷを載置するサセプタ１２において、冷媒流路１５及び冷媒室１６の内部を冷媒が流れ、ヒータユニット１４が発熱する際に冷媒室１６において冷媒の流れが停止する。 - 特許庁

The substrate processor includes a substrate support part provided in a processing chamber for supporting a substrate, a substrate support part shifting mechanism for shifting the substrate support part, a gas supply part for supplying gas to the processing chamber, an exhaust part for exhausting the gas in the processing chamber, and a plasma generating part provided to face the substrate support part.例文帳に追加

基板処理装置は、処理室内に設けられ、基板を支持する基板支持部と、前記基板支持部を移動する基板支持部移動機構と、前記処理室にガスを供給するガス供給部と、前記処理室のガスを排気する排気部と、前記基板支持部と対向するように設けられたプラズマ生成部と、を有する。 - 特許庁

While a vacuum chamber 11 is evacuated by an evacuation device 12, a reaction gas is supplied into the shower nozzle 21 to generate plasma in the discharge space; and a reaction product gas of the deposited substance on the surface of the object 50 with the reaction gas is evacuated through the gap 29 by the evacuation device 12.例文帳に追加

真空排気装置１２によって真空槽１１内を真空排気しながら、シャワーノズル２１内に反応ガスを供給し、放電空間にプラズマを発生させ、処理対象物５０表面の付着物と反応ガスとの反応生成物ガスを、真空排気装置１２によって、隙間２９から真空排気する。 - 特許庁

In a silicon nitride film formed on a substrate 19 with a plasma treatment and used for a semiconductor element, a bias SiN film 31 formed by applying bias to the substrate 19 is held between an unbiased SiN film 32a and an unbiased SiN film 32b formed without applying bias to the substrate 19.例文帳に追加

プラズマ処理により基板１９上に形成され、半導体素子に用いる窒化珪素膜において、基板１９にバイアスを印加して形成したバイアスＳｉＮ膜３１を、基板１９にバイアスを印加しないで形成したアンバイアスＳｉＮ膜３２ａとアンバイアスＳｉＮ膜３２ｂとの間に挟み込む構造とする。 - 特許庁

To provide a medical endoscopic apparatus with excellent durability, suppressing breakage and deterioration in a resin layer in a fixing part between a metallic member and a flexible casing even if being subjected to an autoclave sterilization process and hydrogen peroxide plasma sterilization process, in the endoscopic apparatus having the metallic member; and to provide a method for manufacturing the same.例文帳に追加

金属部材を有する内視鏡装置において、オートクレーブ滅菌処理及び過酸化水素プラズマ滅菌処理を施した場合でも、金属部材と可撓性外皮との固定部等における樹脂層の破損や劣化の発生が抑制され、耐久性に優れた医療用内視鏡装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The method for producing silicon/silicon carbide composite fine particles in which silicon fine particles are coated with silicon carbide includes: dispersing silicon oxide powder in a carbon-containing liquid material to prepare slurry; forming the slurry into droplets; and feeding the droplets into an oxygen-free thermal plasma flame to obtain silicon/silicon carbide composite fine particles.例文帳に追加

本発明の珪素微粒子が炭化珪素で被覆された珪素／炭化珪素複合微粒子の製造方法は、酸化珪素の粉末を、炭素を含む液体状の物質に分散させてスラリーにし、このスラリーを液滴化させて酸素を含まない熱プラズマ炎中に供給して珪素／炭化珪素複合微粒子を得る。 - 特許庁

The arc detecting device includes an RGB sensor 200 including an RGB module measuring red, green and blue hues of light generated from plasma in a chamber 100, and a master board 300 processing signals generated from the RGB sensor 200, controlling the operation of the chamber 100 and externally displaying the process state.例文帳に追加

チャンバ１００内部のプラズマから発生する光を赤色、緑色及び青色の色相別にそれぞれ測定するＲＧＢモジュールを含むＲＧＢセンサ部２００と、ＲＧＢセンサ部２００から発生した信号を処理し、チャンバ１００の動作を制御したり、工程状態を外部に表示するマスターボード３００とを備える。 - 特許庁

The method, that is for producing an organic vehicle for preparing a paste to be used in case of producing multilayered ceramic electronic parts or a plasma display, comprises effecting the solution polymerization of a monomer whose main component is alkyl(meth)acrylate in an organic solvent that does not erode a green sheet and serves as a solvent of the paste.例文帳に追加

多層セラミック電子部品またはプラズマディスプレイを製造する際に使用されるペースト用の有機ビヒクルの製造方法であって、ペーストの溶剤となるグリーンシートを侵食しない有機溶剤中で、アルキル（メタ）アクリル酸エステルを主成分とする単量体を溶液重合させる有機ビヒクルの製造方法。 - 特許庁

To provide a surface treatment method for a metallic material which can provide the surface of a metallic material with a film having sufficient corrosion resistance to a corrosive gas, and further, with a film having sufficient thickness capable of withstanding use as a substrate heating heater in a plasma CVD system for the metallic material.例文帳に追加

金属材料の表面に、腐食性ガスに対する十分な耐食性を有する被膜を設けるとともに、この金属材料のプラズマＣＶＤ装置の基板加熱ヒーターとしての使用に耐え得る十分な厚みの被膜を設けることができる金属材料の表面処理法を提供する。 - 特許庁

The method for forming the hard carbon film on the surface of a material to be treated comprises heating and sublimating raw material carbons while converging the plasma formed by utilizing a hollow cathode discharge by coil magnetic fields within a process chamber and forming the hard carbon film by vapor deposition on the surface of the material to be treated.例文帳に追加

被処理材の表面に硬質炭素膜を形成するための方法であって、処理室内において、ホローカソード放電を利用して、生成プラズマをコイル磁場で収束しつつ、原料炭素類を加熱、昇華させ、前記被処理材の表面に硬質炭素膜を蒸着形成することを特徴とする。 - 特許庁

The power supply apparatus E includes a DC power supply section 2 for applying a DC voltage to a target T contacting plasma P, and an arc processing unit 3 that can detect arc discharge caused on an electrode by positive and negative outputs 5a, 5b from the DC power supply section and extinguish the arc discharge.例文帳に追加

本発明の電源装置Ｅは、プラズマＰに接触するターゲットＴに直流電圧を印加する直流電源部２と、この直流電源部からの正負の出力５ａ、５ｂにて電極に発生するアーク放電を検出すると共に、そのアーク放電の消孤処理をし得るアーク処理部３とを備える。 - 特許庁

The iron nitride fine particles are produced, e.g. by a method including: vaporizing iron 20 by heating in a vacuum vessel 17; depositing the vaporized iron 21 on a surface of a liquid medium 15a as iron nitride fine particles through a nitrogen plasma 12a; and recovering the resulting deposit.例文帳に追加

また、本発明の窒化鉄微粒子は例えば、減圧容器１７内で、鉄２０を加熱して蒸発させ、蒸発させた鉄２１を、窒素プラズマ１２ａを介して窒化鉄微粒子として液体媒体１５ａの表面に付着させ、得られた付着物を回収することを含む方法によって製造される。 - 特許庁

The film can be deposited by means of a direct current plasma CVD method in which a reactant gas comprising a nitrogen gas and at least one type of compound gas selected from a carbocyclic compound gas that comprises Csp^2 and a nitrogen-containing heterocyclic compound gas that contains Csp^2, nitrogen and/or silicon is discharged at 1,500 V or more.例文帳に追加

この膜は、Ｃｓｐ^２を含む炭素環式化合物ガスならびにＣｓｐ^２と窒素および／または珪素とを含む含窒素複素環式化合物ガスから選ばれる一種以上の化合物ガスと窒素ガスとを含む反応ガスを１５００Ｖ以上で放電させる直流プラズマＣＶＤ法により形成できる。 - 特許庁

To provide a plasma processing apparatus that achieves high processing accuracy and high reliability by preventing adverse effects on the next process and mixing of gasses, which should not be mixed with each other, by surely removing a residual gas inside a vacuum container and that of in processing-gas supply piping, and a method for operating the same.例文帳に追加

真空容器内及び処理ガス供給配管内の残留ガスを確実に除去することにより、次の工程への悪影響と混合させてはならないガス同士の混合を防止し、加工精度と信頼性の高いプラズマ処理装置及びその運転方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

As an example of a method for allowing the positive electrode layer to contain carbon dioxide, the positive electrode layer is formed by a vapor phase method under a plasma atmosphere containing carbon dioxide, and thereby carbon dioxide is incorporated in the positive electrode layer, so that the positive electrode layer containing a predetermined amount of carbon dioxide can be obtained.例文帳に追加

正極層に二酸化炭素を含有させる方法の一例としては、二酸化炭素を含むプラズマ雰囲気で正極層を気相法により形成することが挙げられ、これにより正極層中に二酸化炭素が取り込まれ、二酸化炭素を所定量含有する正極層を得ることができる。 - 特許庁

The manufacturing method includes a step (step P6) in which an intrinsic silicon layer and an impurity doped layer are formed on the substrate, with oxygen, for example, being contained at least in one of the layers, and a step (step P7) in which a low frequency hydrogen plasma treatment is applied through the intrinsic silicon layer and the impurity doped layer formed on the substrate and containing the oxygen.例文帳に追加

少なくとも一方の層に例えば酸素を含ませて真性型シリコン層と不純物ドープ層とを基板に形成する工程（工程Ｐ６）と、基板に形成されたこれらの酸素を含む真性型シリコン層および不純物ドープ層を介して低周波水素プラズマ処理を施す工程（工程Ｐ７）と、を含む。 - 特許庁

In a film-deposition device having a film deposition container, a substrate holding part holding a substrate, a film-deposition source disposed in a position opposed to the substrate and a shutter which is disposed between the substrate holding part and the film-deposition source and can be opened and closed, the shutter 20 is constituted of a material radiating heat generated from the film-deposition source and plasma to the substrate side.例文帳に追加

成膜容器と、基板を保持する基板保持部と、基板と対向する位置に配置された成膜源と、基板保持部と成膜源との間に配置された開閉可能なシャッターとを有する成膜装置において、シャッター20を、成膜源やプラズマから発生される熱を基板側に放射する材料で構成する。 - 特許庁

The plasma processing apparatus includes a voltage potential detection portion (for example, an amplitude detection portion 6 and an operation portion 7) for detecting the self-bias voltage potential of the object of processing, and a DC voltage control portion (control portion 8) for controlling the DC voltage for electrostatic chucking so that the difference between the self-bias voltage potential and the DC voltage for electrostatic chucking lies inside a given range.例文帳に追加

処理対象物の自己バイアス電位を検知する電位検知部（例えば、振幅検出部６及び演算部７）と、自己バイアス電位と静電吸着用直流電圧との差が所定範囲となるように静電吸着用直流電圧を制御する直流電圧制御部（制御部８）を備える。 - 特許庁

To provide a method for controlling a spark-ignition internal combustion engine which is applied to a spark-ignition internal combustion engine in which an air-fuel mixture is ignited by reacting a spark discharge by an ignition plug with plasma and which controls the spark-ignition internal combustion engine in such a manner that the air-fuel mixture is ignited by only the spark discharge by the ignition plug during only a predetermined period for prematurely activating a catalyst.例文帳に追加

点火プラグによる火花放電とプラズマとを反応させて混合気に着火する火花点火式内燃機関に適用するもので、触媒を早期に活性化させるために、所定の期間だけ、点火プラグによる火花放電のみで混合気に着火するように火花点火式内燃機関を制御する。 - 特許庁

One layer of heating reflective thin film formed of a chromium thin film 12 is formed on one face of a mirror base 11, and a plasma treatment layer 13 is formed on the surface of the chromium thin film 12 of one layer of heating reflective thin film.例文帳に追加

ミラー基板１１の一面にクロム薄膜１２からなる１層の発熱反射薄膜を形成し、その１層の発熱反射薄膜のクロム薄膜１２の表面にプラズマ処理層１３を形成し、そのプラズマ処理層１３を介して１層の発熱反射薄膜のクロム薄膜１２に電極１４、１４を接続する。 - 特許庁