「PLASMA」に関連した英語例文の一覧と使い方(545ページ目) - Weblio英語例文検索

In the method of forming the oxide film by the plasma CVD, the chamber is self-cleaned with a gas containing a fluorine compound while it is exhausted, then, the film forming stop time of at least 4 min is taken after the self cleaning, except the film forming trial period in the chamber seasoning, and the oxide film is formed thereafter.例文帳に追加

プラズマＣＶＤにより酸化膜を成膜する方法であって、排気をしながら、チャンバをフッ素化合物を含むガスを用いてセルフクリーニングを終了した後、チャンバシーズニングにおける酸化膜の成膜試行期間を除外して、少なくとも４分間の成膜不実施時間をとった後に酸化膜の成膜を行う。 - 特許庁

In a plasma CVD system having a fixed high-frequency matching circuit, at the time of cleaning depositions on the inner wall of a chamber, the opening degree of a CVD chamber pressure control valve is fixed, and then, the reflecting electric power of high-frequency electric power is monitored, by which the end point of the cleaning is detected.例文帳に追加

固定高周波整合回路を有するプラズマＣＶＤ装置において、チャンバー内壁の付着物をプラズマを用いてクリーニングする際に、ＣＶＤチャンバー圧力制御バルブの開度を固定したうえで、高周波電力の反射電力をモニターすることにより、クリーニングの終点を検出する。 - 特許庁

The CVD film deposition system where a film is deposited on the outer surface of each vessel 2 by a plasma CVD process is provided with: an outer circumferential electrode 14 arranged so as to surround the outside face of the vessel 2; and a raw material feeding mechanism 22 of feeding a starting raw material to the outer surface of each vessel 2.例文帳に追加

本発明に係るＣＶＤ成膜装置は、容器２の外表面にプラズマＣＶＤ法により膜を成膜する装置であって、容器２の外側面を囲むように配置された外周電極１４と、容器２の外表面に出発原料を供給する原料供給機構２２とを具備する。 - 特許庁

In structure having a SiC film 61 and an organic Si based low dielectric constant film 62 which is formed on the SiC film 61, gas including CH_2F_2 or gas including CH_3F is used as etching gas when the SiC film 61 is etched by plasma of etching gas by using the organic Si based low dielectric constant film 62 as a mask.例文帳に追加

ＳｉＣ膜６１と、その上に形成された有機Ｓｉ系低誘電率膜６２とを有する構造において、有機Ｓｉ系低誘電率膜６２をマスクとしてＳｉＣ膜６１をエッチングガスのプラズマによりエッチングするに際し、エッチングガスとして、ＣＨ_２Ｆ_２を含有するガスまたはＣＨ_３Ｆを含有するガスを用いる。 - 特許庁

In the plasma display device, the direct-sticking filter 3 has a filter contact part 4 configured to electrically connect between the housing and the filter, and the filter contact part 4 has projecting parts 6 having a projecting shape on the housing side, so that the connection with a gasket for connecting between the direct-sticking filter 3 and the housing is secured.例文帳に追加

プラズマディスプレイ装置において、直貼りフィルタ３は、筐体との間で電気的に接続するフィルタコンタクト部４を有し、このフィルタコンタクト部４は筐体側に凸状となる凸部６が設けられ、直貼りフィルタ３と筐体間を接続するためのガスケットとの接続を確実に行う構成とする。 - 特許庁

To provide a plasma display panel capable of reducing a time needed for the process for production of products, preventing impurity gas from producing at the time of connection, preventing the characteristics and performance of a panel from lowering and the panel from being damaged, and preventing the structural change of the panel due to a variation in an external atmospheric pressure.例文帳に追加

製品の生産工程にかかる時間を減らし、接合接合時に不純物ガスが発生せず、パネルの特性低下や性能低下及びパネルの損傷を防止し、外部の気圧変化に伴うパネルの構造変化を防止できるようにしたプラズマディスプレイパネル及びその製造工程を提供する。 - 特許庁

There are provided a reaction chamber the inside of which is kept vacuum, an antenna system disposed at an upper portion in the reaction chamber for inducing an electric field for ionizing reaction gas injected into the reaction chamber to produce plasma, and at least one RF power supply coupled to the antenna system for supplying RF power to the antenna system.例文帳に追加

内部が真空状態に保持される反応チャンバと、反応チャンバの上部に設けられて反応チャンバ内部に注入された反応ガスをイオン化してプラズマを生成する電場を誘導するアンテナシステムと、アンテナシステムに連結されてアンテナシステムにＲＦパワーを供給する少なくとも１つのＲＦ電源とを備える。 - 特許庁

Thereafter, when clogging occurs in the middle of the suction of the plasma component, a control part 10 determines whether the clogging is caused by the contact of a nozzle tip 40 with the separation agent or not based on a comparison result between the tip height of the nozzle tip 40 and the upper surface level of the separation agent at a clogging occurrence time.例文帳に追加

その後、血漿成分の吸引途中で閉塞が発生した場合、制御部１０は、当該閉塞発生時のノズルチップ４０の先端高さと分離剤上面レベルとの比較結果に基づいて、当該閉塞が、ノズルチップ４０の分離剤への接触に起因する閉塞か否かを判定する。 - 特許庁

A fluorine compound is chemically bonded to the surfaces of elastic bodies by a low pressure plasma treatment and elastic members with the elastic bodies are incorporated into an electrophotographic apparatus as an electrifying member 1, a developer supplier 3, a developer support 4, a transfer member 7, a developer amount regulating blade 6, an intermediate transfer member, etc.例文帳に追加

弾性体の表面に、低圧プラズマ処理によって、フッ素化合物を化学的に結合させること、及び該弾性体を具備した弾性部材を、帯電部材１、現像剤供給体３、現像剤担持体４、転写部材７、現像剤量規制ブレード６、中間転写部材等として電子写真装置に組み込むこと。 - 特許庁

The plasma treatment device is characterized in that at least a part of a reaction vessel is composed of a dielectric member, high frequency electric power is introduced into the reaction vessel via the same, and further, at least a part of the dielectric member is composed of a translucent dielectric member made of a different material.例文帳に追加

反応容器の少なくとも一部を誘電体部材により構成してこれを介して高周波電力を反応容器内に導入するとともに、さらに誘電体部材の少なくとも一部を材質の異なる透光性の誘電体部材により構成することを特徴とするプラズマ処理装置。 - 特許庁

In this manufacturing method for the fuel hose comprising a resin layer 12 and the outside rubber layer 13 superposed on the outer periphery of the resin layer 12, after the resin layer 12 is formed by extrusion molding, microwave plasma treatment is applied to an outer peripheral surface of the resin layer 12 under reduced pressure in advance of the extrusion molding of the outside rubber layer 13.例文帳に追加

樹脂層１２と、上記樹脂層１２の外周に積層される外側ゴム層１３とを備えた燃料ホースの製法であって、押出成形により樹脂層１２を形成した後、外側ゴム層１３を押出成形するのに先立って、上記樹脂層１２の外周面を減圧下でマイクロ波プラズマ処理する。 - 特許庁

To provide plasma CVD equipment capable of improving adhesion between a stage and a substrate to be coated, uniformizing the distribution of heating temperature of the substrate, decreasing the dispersion of film thickness and film quality in the direction of a formed film layer surface, further decreasing the stress applied to the substrate, and improving the film quality of the formed film layer.例文帳に追加

ステージと被成膜基板との間の密着性を改善し、被成膜基板の加熱温度分布を均一化し、成膜層面方向の膜厚及び膜質のバラツキを減少させ、さらに被成膜基板に働く応力を減少させて成膜層の膜質を向上させることができるプラズマCVD装置を提供する。 - 特許庁

In a dry etching apparatus, high frequency electric power is applied to upper and lower electrodes 2, 4 from high frequency power sources 7, 10 to generate plasma and etch an object 3 on the electrode in a vacuum chamber 1 into which a process gas is introduced via a gas inlet 5 and the interior of which is maintained for a specific pressure by an exhaust unit 11.例文帳に追加

ドライエッチング装置において、ガス導入部５からプロセスガスの導入および排気手段１１により所定圧力に維持した真空処理室１内で上下の電極２、４に高周波電源７、１０より高周波電力を印加してプラズマを発生させ、電極上の被処理物３をエッチング処理する。 - 特許庁

A first high frequency wave of, for example, 2 MHz to be output from a first high-frequency power source 22 is supplied to the upper susceptor electrode 16 through a matching device 24, a power feeding rod 26, and a cylindrical power feeder 20; and is discharged toward a plasma space PS upper than a main surface (upper surface) of the upper susceptor electrode 16.例文帳に追加

第１高周波電源２２より出力されるたとえば２ＭＨｚの第１高周波は、整合器２４、給電棒２６および円筒給電体２０を通って上部サセプタ電極１６に供給され、上部サセプタ電極１６の主面（上面）より上方のプラズマ空間ＰＳに向けて放出される。 - 特許庁

To provide a dense surface-treated aluminum material excellent in corrosion resistance to corrosive gaseous chlorine and plasma introduced into a vacuum system such as a CVD (chemical vapor deposition) system and a PVD (physical vapor deposition) system, wear resistance and the capacity of suppressing out gas, and capable of reaching a prescribed vacuum at a high speed, and to provide its production method.例文帳に追加

緻密で、ＣＶＤ装置やＰＶＤ装置等の真空装置内に導入される腐食性の塩素ガスやプラズマに対する耐食性、耐摩耗性及びアウトガスの抑制能力に優れ、高速で所定の真空度に到達することのできる表面処理アルミニウム材とその製造方法を提供することである。 - 特許庁

This glass paste composition used in the production of a plasma display is a glass paste composition containing a/an (meth)acrylic copolymer having a segment derived from methyl (meth)acrylate, a segment derived from a/an (meth)acrylic monomer having a hydroxyl group and a segment derived from an acid anhydride reaction ester monomer, glass fine particles and a high boiling point-solvent.例文帳に追加

プラズマディスプレイの製造に用いるガラスペースト組成物であって、メチル（メタ）アクリレートに由来するセグメントと、水酸基を有する（メタ）アクリルモノマーに由来するセグメントと、無水酸反応エステルモノマーに由来するセグメントとを有する（メタ）アクリル共重合体、ガラス微粒子及び高沸点溶剤を含有するガラスペースト組成物。 - 特許庁

In this method of manufacturing plasma display device, the surface treatment of a protective layer 17 is carried out before forming a sealing member 15 on a front plate 16 and a back plate 6, whereby the close adhesion of the front plate 16 and the back plate 6 with the sealing member 15 can be enhanced to reduce the using quantity of the sealing member 15.例文帳に追加

プラズマディスプレイ装置の製造方法において、前面板１６、背面板６に封止部材１５を形成する前に保護層１７の表面処理を実施することで、前面板１６、背面板６と封止部材１５との密着力を高め、封止部材１５の使用量を減少させることができる。 - 特許庁

The film thickness of a phosphor film 16' provided at the inner surface of a light transmitting discharge container 11 with a recessed part 12 filled with a luminescent substance is maximum near plasma 15 and becomes smaller toward a connection part 21 to an inner tube 32 and also toward a round bottom part 41.例文帳に追加

発光物質が封入された凹入部１２を有する透光性の放電容器１１の内面に設けられた蛍光体膜１６’の膜厚は、プラズマ１５の近傍において最大であり、内管３２との接続部２１に近づくにつれて小さくなり、かつ、丸底部４１に近づくにつれて小さくなっている。 - 特許庁

This plasma display unit is provided with a panel 10, arranged opposed with a pair of substrates having at least a transparent front face side to form a discharge space between the substrates, and having a plurality of discharge cells, and the chassis member 14 for holding the panel 10, and chassis member 14 is constituted of a metal member of porous structure.例文帳に追加

少なくとも前面側が透明な一対の基板を基板間に放電空間が形成されるように対向配置しかつ複数の放電セルを有するパネル１０と、このパネル１０を保持するシャーシ部材１４とを備え、かつ前記シャーシ部材１４は多孔質構造の金属部材により構成したことを特徴とする。 - 特許庁

When the metal thin film type magnetic layer having 5 to 55 nm thickness is deposited on the other principal surface side of the non-magnetic substrate by a vacuum thin film deposition method, a shielding layer consisting of diamond like carbon and having 3 to 25 nm thickness is provided between the non-magnetic substrate and the magnetic layer by plasma CVD method.例文帳に追加

非磁性支持体の一主面側に真空薄膜形成法により、厚さ５ｎｍ以上、５５ｎｍ以下の金属薄膜型磁性層を形成するに際して、該非磁性支持体と該磁性層との間にダイヤモンドライクカーボンからなる厚さ３ｎｍ以上、２５ｎｍ以下のシールド層をプラズマＣＶＤ法により設ける。 - 特許庁

When the organic antireflective coating 104 is etched through the mask layer 105 from a state of a Figure (a) to obtain a state in a Figure (b), an opening dimension of an opening formed at the antireflective coating 104 is controlled by changing high-frequency power to be applied to generate plasma.例文帳に追加

図２（ａ）の状態から、マスク層１０５を介して有機系反射防止膜１０４のエッチングを行い、図２（ｂ）の状態とする時、プラズマを発生させるために印加する高周波電力の印加電力を変化させることによって、反射防止膜１０４に形成される開口部の開口寸法を制御する。 - 特許庁

To shorten the piercing time in a thermal cutting, in particular, a laser cutting of a work, to easily make selection form a plasma and a laser for piercing, to prevent a damage of a nozzle and to keep a cutting quality as specified.例文帳に追加

ワークに熱切断加工特にレーザ切断加工を行う際に、ピアス時間を短縮せしめると共に、ピアス加工をプラズマ、レーザのどちらで行うかを簡便に選択出来るようし、また、ノズルを傷めることなく、切断品質を一定に保てるようにした熱切断加工方法およびその装置を提供することにある。 - 特許庁

To obtain a satisfactory accuracy of the etching depth by measuring the isotope percentage of a reactive gas by the mass analysis such as quadrupole mass analysis or plasma emission analysis.例文帳に追加

半導体装置製造時のエッチング工程において、同一材料の途中までの溝形成での処理進行状況をインラインで観測する方法を提供し、また従来のエッチング終了検出法で問題であったエッチング停止に対し正確な判定ができる半導体装置及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

The sealing means 24 vacuum-seals for the rectangular waveguide 2 a gap between the rectangular waveguide 2 and the inner conductor 41, with an insulator 6 and a plasma generation space 19 formed between the outside conductor 42 and the inside conductor 41, with O rings 20, 22 or the like.例文帳に追加

封止手段２４は開口２ｂにおける矩形導波管２と内導体４１との間の隙間を絶縁体６で閉塞するとともに、外導体４２と内導体４１との間に形成されるプラズマ発生空間１９をＯリング２０、２２等を用いて矩形導波管２に対して真空封止している。 - 特許庁

To provide a transfer film which does not leave trace of pressing on its surface, a film roll consisting of transfer film without trace of pressing on it surface, and a plasma display panel excellent in an even film thickness and surface smoothness without local film thickness abnormalities.例文帳に追加

巻芯に巻き取られた状態で保存する場合であっても、フィルム表面に押し跡を生じさせない転写フィルム、フィルム表面に押し跡がない転写フィルムから構成されるフィルムロール、および局部的な膜厚異常がなく、膜厚の均一性と表面平滑性とに優れたプラズマディスプレイパネルを提供する。 - 特許庁

Using a multistep process, after cleaning, in the meanwhile till the succeeding deposition, a chemical vapor deposition chamber is subjected to conditioning, and this conditioning is performed by removing residual fluorine from the chamber by hydrogen plasma, successively depositing a solid compound on an interior surface of the chamber and covering any particulates remaining in the chamber.例文帳に追加

マルチステッププロセスを使用して、洗浄後に、後続堆積の合間に、化学的気相堆積チャンバをコンディショニングし、このコンディショニングは、残留フッ素をチャンバから水素プラズマにより除去し、続いて、固体化合物をチャンバ内に引続いて堆積してチャンバ内に残留するいずれかの粒子を被包することによって行われる。 - 特許庁

In the process, an electronic negative gas is introduced to a chamber, and in addition, a positive bias voltage is impressed from a DC pulse power source upon a sample stage, when a prescribed delay time Td elapses, after the plasma generating high-frequency pulse power impressed upon a coil from a high-frequency pulse power source is turned off.例文帳に追加

チャンバー内に電子負性ガスを導入すると共に、高周波パルス電源からコイルに印加されるプラズマ発生用の高周波パルス電力がオフになってから所定の遅延時間Ｔｄが経過した後に、ＤＣパルス電源から試料台に正のバイアス電圧が所定のパルス幅で印加する。 - 特許庁

When a vapor deposition material is ionized by the plasma beam, collides against the substrate W and is deposited thereon, the kinetic energy on the collision of the ions of the vapor deposition material against the substrate is remarkably relaxed since the electric fields of the potential to be a reverse bias to the hearth are generated in the vicinity of the surface of the substrate W.例文帳に追加

蒸着物質が、プラズマビームによりイオン化され、基板Ｗに衝突し、付着するとき、基板Ｗの表面近傍には、さらにハースに対して逆バイアスとなる電位の電界が生成されているため、蒸着物質のイオンが基板に衝突するときの運動エネルギーは、大きく緩和される。 - 特許庁

This manufacturing method of the hot dip metal coated steel sheet has the peculiarity, in which after heating the steel sheet in a reducing atmosphere, mainly inert gas is supplied and at least one side surface of the steel sheet is irradiated with low temperature plasma in the gas atmosphere at the substantially ordinary pressure and successively, the hot dip metal coating is applied.例文帳に追加

この発明の溶融めっき鋼帯の製造方法は、鋼帯を還元性雰囲気中で加熱した後、主として不活性ガスを供給し、実質的に常圧となるガス雰囲気中で、前記鋼帯の少なくとも片面に低温プラズマを照射し、引き続き溶融めっきを施すことを特徴とする。 - 特許庁

In the laser welding device with which welding is carried out by irradiating a material 15 to be welded with the laser beam 1 and also which has an assist gas nozzle 3 for jetting assist gas 21 for blowing off the plasma 2 produced when the irradiation of the laser beam 1 is carried out, the tip part 11 of the assist gas nozzle 3 is adjustable to an arbitrary angle.例文帳に追加

レーザビーム１を被溶接材１５に照射することにより溶接を行うとともに、レーザビーム１を照射する際に発生するプラズマ２を吹き飛ばすためのアシストガス２１を噴射するアシストガスノズル３を有するレーザ溶接装置において、アシストガスノズル３の先端部１１は任意の角度に調整可能になっている。 - 特許庁

To provide a manufacturing method by which productivity and product qualities can be improved by preventing contamination of products and contamination in a film-forming system at the time of a release to the atmosphere after film formation is stopped, in manufacturing a functional film where films are formed using plasma CVD, while transferring long substrates in the longitudinal direction.例文帳に追加

長尺な基板を長手方向に搬送しつつ、プラズマＣＶＤによって成膜を行う機能性フィルムの製造において、成膜を停止した後の大気解放時に、製品や成膜系内の汚染を防止し、生産性の向上や製品品質の向上を図ることができる製造方法を提供する。 - 特許庁

A manufacturing method of an electronic component comprises: a step of mounting a surface acoustic wave element 20 on a mounting substrate 10; a step of forming a sealing resin 40 so as to cover the surface acoustic wave element 20 mounted on the mounting substrate 10; and a step of performing a plasma treatment on a surface of the sealing resin 40.例文帳に追加

電子部品の製造方法は、実装基板１０上に弾性表面波素子２０を実装する工程と、実装基板１０上に実装された弾性表面波素子２０を覆うように封止樹脂４０を形成する工程と、封止樹脂４０の表面にプラズマ処理を行なう工程とを備える。 - 特許庁

Then, the element-forming surface of the silicon substrate 101 in which the opening 115 is formed is subjected to plasma processing and deposits 113, attached to the sidewall of the opening 115 in the process of forming the opening 115, are removed, the silicon substrate 101 is selectively removed to form a concave portion by using the SiN film 129 as a mask.例文帳に追加

そして、開口部１１５が形成されたシリコン基板１０１の素子形成面をプラズマに曝し、開口部１１５を形成する工程で開口部１１５の側壁に付着した堆積物１１３を除去した後、ＳｉＮ膜１２９をマスクとしてシリコン基板１０１を選択的に除去して凹部を形成する。 - 特許庁

In a gate valve 62 used in a film forming system 10, an O ring 78 is pressed against an inner surface 64c of a casing 64 under such condition as a valve body 70 is escaped from a piping 60 while cleaning gas activated by a remote plasma generating device 40 is being supplied to a chamber 22 of a CVD device 20.例文帳に追加

成膜システム１０に用いられているゲートバルブ６２では、遠隔プラズマ生成装置４０による活性化されたクリーニングガスがＣＶＤ装置２０のチャンバ２２に供給されている間、弁体７０を配管６０から退避させた状態で、Ｏリング７８をケーシング６４の内面６４ｃに押圧させる。 - 特許庁

After a resist mask for the injection of impurities into the lower electrode 38 is peeled by plasma ashing, dilute hydrofluoric acid processing for removing a damage layer formed in the surface of a 1st insulating film 41 is carried out and then a gate insulating film part 43 in the 1st insulating film 41 has no damage, so the thin film transistor 23 has no characteristic deterioration.例文帳に追加

下部電極38への不純物の注入の際のレジストマスクをプラズマアッシングして剥離した後に、第１の絶縁膜41の表面に入ったダメージ層を除去する希フッ酸処理をすることにより、第１の絶縁膜41中のゲート絶縁膜部43にダメージがないため薄膜トランジスタ23の特性劣化は発生しない。 - 特許庁

In the sputtering method in which a film is formed on a substrate in a film forming space while light emitting intensity of plasma is monitored, the film thickness formed on the substrate is measured, the measured value and a preset value of the film thickness is compared, and the target value of the light emitting intensity is decided on the basis of the comparison result.例文帳に追加

プラズマの発光強度をモニタしながら、成膜空間中で基板上に膜を形成するスパッタリング方法において、前記基板上に形成された膜厚を検出し、検出された値と予め設定された膜厚の設定値とを比較し、比較結果に基づいて前記発光強度の目標値を決定する。 - 特許庁

In the plasma display device, it is possible to suppress the power consumption of a data driver below a maximum rating and to prevent the picture quality from being deteriorated due to breakdown of the data driver by providing the device with a write frequency control means for deciding gradations to be used according to the frequency of a write operation to sub- fields in one field.例文帳に追加

プラズマディスプレイ装置において、１フィールドにおけるサブフィールドの書き込み動作の回数により、使用する階調を決定する書き込み回数制御手段２０を有することでデータドライバによる消費電力を最大定格未満に抑えることができ、データドライバの破壊による画質の劣化を防止することができる。 - 特許庁

To provide a coating material for forming a water dispersion transparent electroconductive film having good dispersion stability and showing no cissing crawling when it is coated, for obtaining a transparent film excellent in antistatic property and electromagnetic wave insulation, for a liquid crystal display, cathode ray tube, plasma display, and the surface of a face panel, etc., of image display units such as FED, etc.例文帳に追加

液晶ディスプレイ、陰極線管、プラズマディスプレイ、ＦＥＤ等の画像表示装置のフェイスパネル面などに用いて帯電防止性、電磁波遮蔽性、に優れた透明導電性積層フイルムを得るために分散安定性がよく、塗布時のハジキが無い水分散系透明導電膜形成用塗料を提供すること。 - 特許庁

The method of driving plasma display panel (PDP) includes a step of initializing the state of all discharge cells by applying a reset pulse to the PDP provided with a phosphor layer including a secondary electron emission material in discharge cells, wherein the reset pulses having pulse waves which are different when an input video signal expresses a moving image and when the input image signal expresses a still image.例文帳に追加

放電セル内に二次電子放出材料を含む蛍光体層を備えたＰＤＰにリセットパルスを印加することにより全放電セルの状態を初期化するにあたり、入力映像信号が動画を表す場合と静止画を表す場合とで異なるパルス波形を有するリセットパルスを生成する。 - 特許庁

To provide an apparatus for carring out a plasma chemical vapor deposition (PCVD) process, in which leakage of high frequency energy is small even when a high frequency output level of about 2.5 kW is used so as to enhance the vapor deposition speed in PCVD process for vapor depositing a doped or undoped layer onto the interior of a glass substrate tube.例文帳に追加

ドープされているか又はされていない層をガラス基材チューブの内側に蒸着させるプラズマ化学蒸着処理（PCVD処理）において、蒸着速度を上げるために約2.5kW以上の高周波出力レベルを用いた場合であっても、高周波エネルギーの漏洩の少ないPCVD蒸着処理装置を提供する。 - 特許庁

In this plasma display panel composed by sealing edge parts of a front substrate and a back substrate with a glass sealing material, a sealing part formed with the glass sealing material is formed into a multilayer structure with at least two kinds of glass materials different in softening points, and the whole or a part of the inside of the panel is formed with the glass material having the higher softening point.例文帳に追加

前面基板と背面基板の周縁部がガラス封着材で封着されたプラズマディスプレイパネルにおいて、ガラス封着材により形成される封着部を軟化点の異なる少なくとも二種類のガラスで多層構造に形成し、パネル内側の全体若しくは一部を軟化点の高いガラスで構成する。 - 特許庁

The abrasive sheet 11 is produced by forming the abrasive layer 13 in which the abrasive grains 14 are fixed with the resin binder 15, on the surface of a flexible substrate sheet 12 and then removing a surface region 15' of the abrasive layer 13 with plasma etching until parts of the abrasive grains 14 are exposed from the surface of the abrasive layer 12.例文帳に追加

研磨材粒子１４を樹脂バインダー１５で固定した研磨層１３を可撓性の基板シート１２の表面に形成した後、この研磨層１３の表面樹脂１５′をプラズマエッチングにより除去し、研磨層１２の表面から研磨材粒子１４の一部を露出させることによって製造される研磨シート１１。 - 特許庁

To provide a patterning method capable of making exposure patterning in a short time possible, and improving the accuracy of the exposure patterning as well at the time of performing patterning on the surface of a substrate, especially the substrate surface of low photosensitivity or the substrate surface to which surface treatment is performed with a liquid-repellent agent, a coupling agent or plasma treatment or the like.例文帳に追加

基板の表面、特に感光性が低い基板表面、あるいは撥液剤、カップリング剤、プラズマ処理等で表面処理を行なった基板表面にパターニングを行うに際して、より短時間での露光パターニングを可能とし、併せて露光パターニングの精度も向上させることができるパターニング方法を提案する。 - 特許庁

In the method for manufacturing the magnetic recording medium by successively depositing a nonmagnetic base layer, a magnetic recording layer and a protective film on a nonmagnetic substrate, the magnetic recording layer is irradiated with plasma generated in the presence of N_2 gas to modify the surface just before the protective film is deposited on the magnetic recording layer.例文帳に追加

非磁性基板の上に、非磁性下地層と、磁性記録層と、保護膜とを順次積層してなる磁気記録媒体の製造方法であって、磁性記録層の上に保護膜を成膜する直前に、Ｎ_２ガス存在下で発生させたプラズマを上記磁性記録層に照射することにより表面を改質する。 - 特許庁

This plasma treatment device discharges a discharge gas to the outside from a gas supply path 1 through which the discharge gas is made to flow and, at the same time, exposes an object 4 to be treated to the discharge gas discharged from the path 1 after causing discharge under a pressure which is close to the atmospheric pressure in the path 1.例文帳に追加

放電ガスが流通するガス供給路１内に大気圧近傍の圧力下で放電を生じさせた後、この放電ガスをガス供給路１外に放出すると共にガス供給路１から放出された放電ガスに被処理物４を暴露させるようにするプラズマ処理装置に関する。 - 特許庁