「PLASMA」に関連した英語例文の一覧と使い方(574ページ目) - Weblio英語例文検索

The silicon nitride film formed on a substrate 19 by plasma processing and used in a semiconductor element is constituted by laminating a biased silicon nitride film 31 which is formed by applying a bias to the substrate 19, and an unbiased silicon nitride film 32 which is formed by not applying a bias to the substrate 19 when the silicon nitride film comes in contact with a film 41 who wants to avoid hydrogen supply.例文帳に追加

プラズマ処理により基板１９上に形成され、半導体素子に用いる窒化珪素膜において、当該窒化珪素膜が、水素の供給を遮断したい膜４１と接する場合、当該窒化珪素膜を、基板１９にバイアスを印加して形成したバイアス窒化珪素膜３１と基板１９にバイアスを印加しないで形成したアンバイアス窒化珪素膜３２とを積層して構成すると共に、アンバイアス窒化珪素膜３２を膜４１に接する側に配置する。 - 特許庁

In a plasma display panel including a plurality of pairs of display electrodes arranged with a discharge gap between them, forming a dielectric layer to cover the pairs of display electrodes and forming a protective layer on the dielectric layer, a voltage is applied at least between the display electrodes to perform aging discharge to generate discharge marks on the protective layer, whereby the discharge mark on the discharge gap is formed deeper than that on the display electrode.例文帳に追加

本発明のプラズマディスプレイパネルは、放電ギャップを介して配した複数の表示電極対と、表示電極対を覆うように誘電体層を形成し、誘電体層上に保護層を形成したプラズマディスプレイパネルにおいて、少なくとも表示電極間に電圧を印加して保護層上に放電痕を生じるエージング放電を行い、表示電極上の放電痕よりも放電ギャップ上の放電痕を深く形成したことを特徴とする。 - 特許庁

The method of surface treatment by anodizing comprises: a pretreatment step of removing impurities and an oxide layer present on the surface of magnesium or a magnesium alloy using a strongly alkaline aqueous solution; and a micro-arc plasma anodization step of immersing the pre-treated magnesium or magnesium alloy in an alkaline electrolyte and applying a direct current having a current density of 3 A/dm^2 or less to the electrolyte to form a magnesium oxide coating.例文帳に追加

開示した陽極酸化表面処理方法は、強アルカリの水溶液を利用してマグネシウム又はマグネシウム合金表面の異物質と酸化層を除去する前処理工程と；該前処理工程を経たマグネシウム又はマグネシウム合金をアルカリ電解液中に浸した後、電流密度が３Ａ／ｄｍ^２以下の直流電流を加えてマグネシウム酸化物の皮膜コーティング層を形成する微細アークプラズマ陽極酸化工程とを含む。 - 特許庁

In the silicon carbonitride film film-deposited by a plasma CVD (Chemical Vapor-phase Deposition) method using a material gas consisting of a first gas made of a precursor molecule containing silicon, carbon and hydrogen, and a second gas containing nitrogen, the amount of nitrogen atoms constituting the silicon carbonitride film and present as a Si-N-Si bonding is at least 7% of the amount of all nitrogen atoms in the silicon carbonitride film.例文帳に追加

珪素、炭素、水素を含有する前躯体分子からなる第１のガスと、窒素を含有する第２のガスとからなる原料ガスを用いてプラズマＣＶＤ法によって成膜された炭窒化珪素膜であって、前記炭窒化珪素膜を構成する窒素原子でＳｉ−Ｎ−Ｓｉ結合として存在している窒素原子の量が、前記炭窒化珪素膜中の全窒素原子の量の７％以上であることを特徴とする炭窒化珪素膜。 - 特許庁

When a silicon oxide film is formed by rotating a rotary table 2 to adsorb BTBAS gas on a wafer W and supplying O3 gas to the surface of the wafer W to react it with the BTBAS gas adsorbed on the surface of the wafer W, a plasma of Ar gas is supplied to the silicon oxide film on the wafer W from an activated gas injector 220 to perform reforming treatment for each film formation cycle.例文帳に追加

回転テーブル２を回転させてウエハＷ上にＢＴＢＡＳガスを吸着させ、次いでウエハＷの表面にＯ3ガスを供給してウエハＷの表面に吸着したＢＴＢＡＳガスを反応させてシリコン酸化膜を成膜するにあたって、シリコン酸化膜を成膜した後、活性化ガスインジェクター２２０からウエハＷ上のシリコン酸化膜に対してＡｒガスのプラズマを供給して、成膜サイクル毎に改質処理を行う。 - 特許庁

Nanoparticles which can be fully dispersed are made by plasma without carrying out surface treatment, and moreover, in order to shift an equipotential point to an acid side and to raise dispersibility in a neutral region extremely, while making a dissimilar metal ion or atom pour in and unify in a crystal structure when needed, a crystal structure which does not make active oxygen discharge is created, and simultaneously desired fine particles are obtained by an ultrasonic wave dispersion or centrifuge method.例文帳に追加

プラズマにより、表面処理をせずに完全分散できるナノ粒子を作ること、また、等電位点を酸性側にシフトさせ中性域での分散性を極めて高めるため、必要に応じて結晶構造中に異種金属イオン又は原子を注入せしめて一体化するとともに、活性酸素を排出させない結晶構造を創製せしめて、同時に超音波分散又は及び遠心分離法により所望の微粒子を得る。 - 特許庁

This material is a sintered compact consisting of polycrystalline rare earth element oxide and having a relative density of ≥98.5% and having a linear transmittance of ≥90% for the rays corresponding to visible to infrared region and material thickness of 5 mm, a transmittance loss of ≤3%, and a corrosion resistance of ≤2.0 nm/min in terms of corrosion rate by plasma irradiation.例文帳に追加

９８．５％以上の相対密度を有する多結晶希土類元素酸化物から成る焼結体であり、その焼結体の透光性が、可視〜赤外線領域の光線が厚さ５ｍｍの材料を透過する直線透過率で９０％以上でかつその透過率の低下が３％以下であり、その焼結体の耐蝕性が、プラズマ照射による腐蝕速度で２．０ｎｍ／ｍｉｎ以下とした透光性を有する耐蝕材料。 - 特許庁

In the plasma display device which has display cells arranged at intersections between a plurality of scanning electrodes and a plurality of data electrodes and controls light emission of the display cells by data pulses applied to the data electrodes to display an image, a function is provided which makes write discharge making delay times different by the plurality of data electrodes or a plurality of data electrode groups into which the plurality of data electrodes are divided.例文帳に追加

複数の走査電極と複数のデータ電極との交差部分に表示セルを配置し、前記データ電極に印加されるデータパルスにより前記表示セルの発光を制御し、画面表示を行うプラズマ表示装置であって、複数のデータ電極毎に又は複数のデータ電極を複数のデータ電極群に分割した場合の複数のデータ電極群毎に書き込み放電の形成遅れ時間が異なるようにする機能を有している。 - 特許庁

In this manufacturing method of a semiconductor laser, a semiconductor thin film comprising an active layer is laminated on a semiconductor substrate, the semiconductor substrate is cleaved together with the semiconductor thin film, a cleavage surface obtained by cleavage of the semiconductor substrate and the semiconductor thin film is exposed to plasma atmosphere by halogen gas or gas including halogen an thereafter a protection layer is formed in the cleavage surface without exposing it to the air.例文帳に追加

半導体基板上に活性層を含む半導体薄膜を積層し、次に該半導体薄膜とともに該半導体基板をヘキ開し、ヘキ開により得られた半導体基板と半導体薄膜のヘキ開面をハロゲンガスもしくはハロゲンを含むガスによるプラズマ雰囲気に曝露した後、続けて大気にさらすことなくこれらのヘキ開面に保護層を形成することを特徴とする半導体レーザの製造方法である。 - 特許庁

The plasma display device 10 which has the chassis base 40 manufactured by using a plastic material has the grounding member 70 of the metal substance disposed in the chassis base during the injection molding; and bosses 50 for providing the circuit board 62 are integrally molded, and the circuit board 62 is grounded to the bosses 50 by the grounding member 70 through bolts 52 for clamping the circuit board 62.例文帳に追加

本発明は、プラスチック材質を利用してシャーシベース４０を製造するプラズマディスプレイ装置１０において、射出成型の際、シャーシベース４０の内部に金属材質の接地部材７０を位置させ、回路基板６２を設けるためのボス５０を一体形成して前記ボス５０に回路基板６２を締結するボルト５２を介して前記回路基板６２が接地部材７０により接地されるようにしたプラズマディスプレイ装置１０に関する。 - 特許庁

Plasma is produced over a semiconductor layer 3a by using raw material gas containing impurity elements and compensating gas containing an element as large as or larger than elements constituting the semiconductor device 3a to introduce impurity ions into the semiconductor layer 3a, and also introduce ions for defect formation composed of the element as large as or larger than the elements constituting the semiconductor layer into the semiconductor layer 3a for defect formation.例文帳に追加

半導体層３ａの上方で、不純物元素を含む原料ガス、及び半導体層３ａを構成する元素と同等以上の大きさの元素を含む補償ガスを用いてプラズマを生成することにより、半導体層３ａに不純物イオンを導入すると同時に、半導体層３ａに該半導体層を構成する元素と同等以上の大きさの元素からなる欠陥形成用イオンを導入して欠陥を生じさせる。 - 特許庁

To provide a method for producing an antigen in high yields by which the production of the antigen is increased and the antigen equal to natural type HBs antigen (derived from blood plasma) on the physicochemical and immunological characteristics of the antigen can be obtained when an established cell line derived from the human liver cancer tissue producing hepatitis B virus surface antigen (HBs antigen) is cultured to obtain the antigen from the cultured supernatant.例文帳に追加

Ｂ型肝炎ウイルス表面抗原（ＨＢｓ抗原）を産生するヒト肝癌組織由来の樹立細胞株を培養して、その培養上清から該抗原を得るに際し、該抗原の産生を高め、かつ、該抗原の物理化学的特性および免疫学的特性が天然型のＨＢｓ抗原（血漿由来）と同等である抗原を得ることを可能とする該抗原の高収率産生方法を提供することを課題とする。 - 特許庁

The plasma display panel is manufactured, in such sequence processes that the electrode pattern is formed with an electrode paste, the dielectric paste coating film is formed with the dielectric paste, and the film is cured after the coating, the barrier rib pattern is formed with a barrier rib paste, and at least the electrode pattern, the dielectric paste coating film and the barrier rib pattern are baked all together.例文帳に追加

また、電極ペーストにより電極パターンを形成する工程、誘電体ペーストにより誘電体ペースト塗布膜を形成する工程、隔壁ペーストにより隔壁パターンを形成する工程、および、少なくとも電極パターン、誘電体ペースト塗布膜および隔壁パターンを同時に焼成する工程をこの順に含み、かつ、誘電体ペースト塗布膜を形成する工程の後に、キュアを行う工程を含むプラズマディスプレイの製造方法である。 - 特許庁

A dry etching device 1 includes a transfer mechanism 15 transferring trays between a tray stock part housing each tray on which a substrate is placed and a plasma processing part 11, a centering mechanism 27 positioning each tray at a predetermined position in an alignment part 14, and a height measurement sensor 37 measuring a height of the predetermined position of the positioned tray.例文帳に追加

ドライエッチング装置１は、基板を載置したトレイを収納するトレイストック部とプラズマ処理部１１の間で前記トレイを搬送する搬送機構１５と、アラインメント部１４においてトレイを所定の位置に位置決めするセンタリング機構２７と、位置決めされた前記トレイの前記所定の位置の高さを計測する高さ計測センサー３７と、を備え、計測された前記高さからトレイ厚さ計測処理部４９が前記トレイの厚さデータを算出する。 - 特許庁

To provide a hetero-junction field effect transistor by which plasma damage of a reactive ion or the like entering a crystal due to dry etching for selective removal of an insulation layer or a semiconductor layer above a barrier layer is suppressed in a crystal structure, where the barrier layer with a larger atomic weight than an electron supply layer is formed on the electron supply layer of the hetero-junction field effect transistor.例文帳に追加

ヘテロ接合電界効果トランジスタの電子供給層上に電子供給層よりも平均原子量の大きなバリア層を形成した結晶構造において、バリア層より上の絶縁膜もしくは半導体層を選択に除去する際のドライエッチングによって結晶内に侵入する反応性イオン等のプラズマ損傷を抑制することを目的したヘテロ接合電界効果トランジスタの製造方法を提供すること。 - 特許庁

A plasma processing device according to the invention comprises: a chamber; a gas supply part for supplying required gas to inside the chamber; a first electrode which is disposed in the chamber and to which high frequency power is applied; capacitor parts formed above the first electrode and electrically connected with the first electrode; and a plurality of second electrodes formed above the capacitor parts and electrically connected with the capacitor parts.例文帳に追加

本発明の実施形態に係るプラズマ処理装置は、チャンバと、前記チャンバ内に必要なガスを供給するガス供給部と、前記チャンバ内に配置され、高周波電力が印加される第１電極と、前記第１電極上に形成されて前記第１電極と電気的に接続されるコンデンサ部と、前記コンデンサ部上に形成されて前記コンデンサ部と電気的に接続される複数の第２電極と、を含むことを特徴とする。 - 特許庁

This method of manufacturing an organic EL device provided at least with a light emitting layer between a first electrode and a second electrode disposed above a base member includes a first step of forming the light emitting layer from a liquid state and forming a buffer layer above the first electrode, and is characterized in that at least a part of the buffer layer is formed by a plasma polymerization method in the first step.例文帳に追加

基体の上方に配置された第１の電極と第２の電極との間に、少なくとも発光層を備えた有機ＥＬ装置の製造方法であって、前記発光層が液体状態から形成され、前記第１の電極の上方にバッファ層を形成する第１の工程を含み、前記第１の工程において、前記バッファ層の少なくとも一部をプラズマ重合法により形成することを特徴とする有機ＥＬ装置の製造方法。 - 特許庁

This thin film of anatase-type titanium oxide is obtained by film-forming metallic titanium or titanium oxide on a substrately, an arc- discharge ion plating by using a pressure-inclined type plasma gun.例文帳に追加

本発明により、金属チタン又は酸化チタンを圧力勾配型プラズマガンによるアーク放電イオンプレーティングを用い基板上に成膜するアナターゼ型酸化チタン薄膜の製造方法としたことで、低基板温度での成膜が可能となり、基板の種類の制限が少なくなるとともに、真空プロセスによる成膜であるため、多層構造のデバイスを製造するに他の層を形成する装置と同様なものが使用できるため、製造の効率を上げることができるものとし、課題を解決するものである。 - 特許庁

The auxiliary material for incineration is made to form a layer containing titanium oxide on the surface of a substrate by exposing the substrate of the auxiliary material or its originating material to a reactive gas of a plasma state generated by discharging across opposing electrodes under the atmospheric pressure or in the vicinity of the atmospheric pressure, in the auxiliary material for incineration along with waste when the waste is incinerated.例文帳に追加

廃棄物を焼却処理する際に、廃棄物と一緒に焼却される焼却処理補助材において、大気圧または大気圧近傍の圧力下に、対向する電極間にて反応性ガスを放電させてプラズマ状態とし、前記補助材の基材またはその原材料をプラズマ状態の反応性ガスに晒すことにより、基材の表面に酸化チタンを含む層を形成させたことを特徴とする焼却処理補助材。 - 特許庁

The method for producing the metal oxide film includes a process for depositing the precursor substance for forming the metal oxide film on the substrate 10 and forming a precursor film subjected to the treatment for accelerating the crystallization of the precursor substance or containing a seed, and a process for forming the metal oxide film 12 by crystallizing the precursor film by subjecting it to plasma treatment.例文帳に追加

また、本発明は、金属酸化物膜を形成させるための前駆体物質を基材１０に付着させ、前記前駆体物質の結晶化を促進する処理が施された、またはシードを含む前駆体膜を形成する工程と、基材１０に付着した前駆体膜を、プラズマ処理することにより、前駆体膜を結晶化させ金属酸化物膜１２とする工程とを含む金属酸化物膜の製造方法を提供する。 - 特許庁

The plasma display panel is provided with pairs of transparent electrodes in each of discharging cells, projected electrodes which are projected in a shape of a trapezoid combined with a square from the above transparent electrodes and combining parts which combine the projected transparent electrodes each located on the neighboring discharging cells and which are extending from the sides of the projected transparent electrodes located near the center of the discharging cells.例文帳に追加

本発明に係るプラズマディスプレイパネルは放電セルのそれぞれで対を成す透明電極と、台形形態に四角形形態が連結された形態で前記透明電極のそれぞれから突出される突出透明電極と、隣接の放電セルにそれぞれ配置された前記突出透明電極を連結して前記放電セルの中心部の近くに位置する前記突出透明電極の側部から延びる連結部とを具備する。 - 特許庁

This method for changing an adhesive force of a base material comprises the steps of providing a medium base material with at least one ink receiving surface and a first surface topography formed on the ink receiving face and applying plasma treatment on the ink receiving surface to turn the first surface topography into a second surface topography so that the second topography has an improved adhesive force compared with the first surface topography.例文帳に追加

少なくとも１つのインク受容表面を備え、該インク受容表面が第１の表面トポグラフィーを備える媒体基材を設け、前記インク受容表面をプラズマ処理することによって、該プラズマ処理が前記第１の表面トポグラフィーを変更して第２の表面トログラフィーを作成し、該第２の表面トポグラフィーが前記第１の表面トポグラフィーと比較して改善された接着力を有することを含む、基材の接着力を変化させる方法。 - 特許庁

Carbon nanotubes are deposited on a titanium substrate containing dispersed fine cobalt particles by plasma CVD process using a mixture of methane gas and hydrogen gas and keeping the substrate temperature at 500°C and the substrate holding the deposited carbon nanotubes is subjected to substitution reaction with boron oxide in nitrogen stream at 1500-2000°C to obtain the boron nitride nanofibers having a long-period structure consisting of 12-layer period and 24-layer period.例文帳に追加

コバルトの微粒子を分散させたチタン製基板を用いて、メタンガスと水素ガスの混合物を、基板温度を５００℃に維持して、プラズマＣＶＤ法により、カーボンナノチューブを基板上に堆積させ、次に、このカーボンナノチューブの堆積した基板と酸化ホウ素を窒素気流中で、１５００℃から２０００℃で置換反応させることにより、１２層周期および２４層周期の長周期構造を有する窒化ホウ素ナノ繊維を製造する。 - 特許庁

The method for driving a plasma display panel according to this invention comprises a step for alternately supplying a sustaining pulse to each of sustaining electrode pair for sustaining discharges by selected cells for a sustained period, and a step for initiating discharges for inducing long path discharge between the sustaining electrode pair in-between one of the sustaining electrode pair and a data electrode by supplying a pulse signal synchronized with each sustaining pulse to the data electrode.例文帳に追加

本発明によるプラズマディスプレーパネルの駆動方法はサステイン期間の間に選択されたセルの放電を維持させるためのサステインパルスをサステイン電極対それぞれに交互に供給する段階と、サステインパルスそれぞれに同期されるパルス信号をデータ電極に供給してサステイン電極対の中のいずれか一つとデータ電極の間にサステイン電極対の間のロングパス放電を誘導するための放電を起こす段階を含む。 - 特許庁

This gas concentration measuring device comprises at least a plurality of gas sensor elements formed respectively by coating a plasma polymer coating on the surface of a piezoelectric element, oscillation circuits including each gas sensor element respectively, a programmable compound logic element for measuring a reference frequency of each oscillation circuit, an integration circuit element for peripheral apparatus connection control for receiving an output signal outputted based on the reference frequency from the programmable compound logic element.例文帳に追加

本発明のガス濃度測定装置は、圧電素子の表面にプラズマ重合体被膜が被覆された、複数のガスセンサー素子と、該ガスセンサー素子の各々を含む発振回路と、該各々の発振回路の基準周波数を測定するプログラム可能な複合論理素子と、該プログラム可能な複合論理素子が基準周波数を基にして出力する出力信号を受け取る周辺機器接続制御用集積回路素子とから少なくともなる。 - 特許庁

In this device for generating glow discharge plasma by applying electric field between counter electrodes having two discharge spaces formed by three electrodes of which at least one of the counter surfaces is covered by solid dielectrics and processing an object, the center electrode of three of the electrodes is fixed while the other two of both ends are immobile, and the intervals of two of the discharge spaces are adjusted.例文帳に追加

対向面の少なくとも一方を固体誘電体で被覆した３枚の電極によって形成された２つの放電空間を有する対向電極間に電界を印加することによってグロー放電プラズマを発生させて被処理体を処理する装置において、前記３枚の電極の中央の電極を固定し、両端の２枚の電極を可動にして、２つの放電空間の間隔を調整することを特徴とする放電プラズマ処理装置。 - 特許庁

To provide a chamber liner made of glasslike carbon, which does not generate metal pollutants or particles when it is consumed by plasma, has functions being required for the glassy carbon chamber liner, can be relatively easily formed into a cylindrical form having a high circularity, and is expected to exhibit such an anchor effect that reaction products stuck on its surface part are allowed to stick and fix on the surface.例文帳に追加

プラズマによりチャンバーライナーが消耗する際に、チャンバーライナー自身からの金属汚染、パーティクルの発生等を防止し、ガラス状炭素製チャンバーライナーに要求される機能を確保し、比較的容易に高い真円度を有する円筒形状のものを得ることが可能であると共にチャンバーライナー使用時に、該チャンバーライナーの表面部位に付着した反応生成物を付着させ、固定するアンカー効果が期待できるガラス状炭素製チャンバーライナーを提供する。 - 特許庁

This plasma display panel includes a first substrate and a second substrate disposed to face each other, a barrier rib disposed in a space between the first and second substrates and defining a plurality of discharge cells, a phosphor layer formed in each of the discharge cells, an address electrode formed on the second substrate, and a display electrode formed on the first substrate to extend in a direction crossing the address electrode.例文帳に追加

本発明によるプラズマ表示パネルは、互いに対向配置される第１基板及び第２基板と、前記第１基板と第２基板との間の空間に配置されて複数の放電セルを区画する隔壁と、前記それぞれの放電セル内に形成される蛍光体層と、前記第２基板に形成されるアドレス電極と、前記第１基板に前記アドレス電極と交差する方向に伸長形成される表示電極とを含む。 - 特許庁

Included are the processes of forming an insulating film 10 above a semiconductor substrate 1, irradiating the insulating film 10 by exciting plasma of gas having a molecular structure of combined hydrogen and nitrogen, forming a self-orientation layer 11 of a substance having self-orientation property on the insulating film 10, and forming a 1st conductive film 12 of a conductive substance having self-orientation property on the self-orientation layer 11.例文帳に追加

半導体基板１の上方に絶縁膜１０を形成する工程と、水素と窒素が結合した分子構造を有するガスのプラズマを励起して絶縁膜１０に照射する工程と、絶縁膜１０の上に自己配向性を有する物質からなる自己配向層１１を形成する工程と、自己配向層１１の上に自己配向性を有する導電物質からなる第１の導電膜１２を形成する工程とを含む。 - 特許庁

The electrodeless lighting device comprises a wave guide 140 guiding microwave generated by a magnetron 130, a resonator 150 forming a resonating area of microwave, a bulb 160 generating plasma by the electric field generated at the inside of the resonator 150 and emitting light, and a conductor member 300 functioning as a lighting promotion means making electric field concentrate so as to quickly emit light when microwave is impressed.例文帳に追加

マグネトロン１３０により発生したマイクロ波を伝達する導波管１４０と、マイクロ波の共振領域を形成する共振器１５０と、共振器１５０の内部に生成した電界によってプラズマを生成して光を発生するバルブ１６０と、マイクロ波を印加した時に速かに発光するように電界を集中させる点灯促進手段として導体部材３００とを包含した無電極照明機器を構成する。 - 特許庁

To enable easy and secure joining of alumina sintered bodies which are used as materials for plasma devices for fabricating semiconductor- fabricating devices, by forming a joint layer between the alumina sintered bodies using yttrium aluminum garnet (YAG) either alone or in combination with a rare-earth oxide other than YAG to minimize effects of thermal and mechanical stresses on the joints and to increase bond strength between the alumina sintered bodies to an unprecedented level.例文帳に追加

この発明は、アルミナ焼結体の結合層をイットリウム・アルミニウム・ガーネット（ＹＡＧ）或いはこのＹＡＧと少量のＹＡＧ以外の希土類酸化物とすることによって、接合部の熱応力や機械的応力による影響を少なくして、アルミナ焼結体の接合強度をこれまでになく高め、半導体製造装置製造用のプラズマ装置で使用される材料のアルミナ焼結体の接合を容易・確実にしようとするものである。 - 特許庁

In an ashing processing in the semiconductor manufacturing process by the plasma processing, a solid dielectric is installed on the opposing surface of at least one of a pair of electrodes opposing each other in the atmosphere under a pressure near the atmospheric pressure, and discharge plasmas obtained by introducing the processing gas between the pair of the electrodes and applying a pulse-like electric field are brought into contact with a base material to be processed.例文帳に追加

プラズマ処理による半導体製造工程におけるアッシング処理において、大気圧近傍の圧力下、雰囲気中で、対向する一対の電極の少なくとも一方の対向面に固体誘電体を設置し、当該一対の電極間に処理ガスを導入してパルス状の電界を印加することにより得られる放電プラズマを被処理基材に接触させることを特徴とする半導体素子の処理方法及び装置。 - 特許庁

An aging apparatus for performing aging discharge by applying a prescribed voltage to a plasma display panel includes an aging voltage generation means 16 generating a voltage applied to the panel 14; a brightness detection means 17 detecting brightness by aging discharge at a plurality of positions in the panel face; and a control means 18 controlling a completion time of aging based on the variation in brightness obtained from the brightness detected by the detection means 17.例文帳に追加

プラズマディスプレイパネルに所定の電圧を印加してエージング放電を行うエージング装置であって、パネル１４に印加する電圧を発生するエージング電圧発生手段１６と、エージング放電による輝度をパネル面内の複数の位置において検出する輝度検出手段１７と、輝度検出手段１７で検出した輝度から得られる輝度ばらつきに基づいてエージングの終了時間を制御する制御手段１８とを有する。 - 特許庁

The method of making the plasma display apparatus having the film filter formed by laminating the multiple functional films according to the present invention includes the steps of (a) blackening the entire surface of the electromagnetic interference shielding film by coating with a conductive material, (b) forming the black frame by laminating a color-dye film on the electromagnetic interference shielding film, and (c) laminating an antireflection film on the color-dye film.例文帳に追加

また、本発明は複数の機能性フィルム層が積層されて成り立ったフィルムフィルターが含まれたプラズマ表示装置製造方法において、前記フィルムフィルター製造工程は(ａ)電磁波遮蔽のためのフィルム層表面全体を導電性物質に鍍金して黒化させる段階、(ｂ)前記電磁波遮蔽フィルム層にカラーダイフィルム層を積層してブラックフレームを形成する段階、及び(ｃ)前記カラーダイフィルム層に反射防止フィルム層を積層する段階を含む。 - 特許庁

In the twin-torch type plasma heating device for heating molten steel in a tundish for a two-strand continuous casting machine, using two sets of anode torches and cathode torches, the two sets of anode torches and cathode torches are arranged to satisfy the expression to be defined on the basis of the molten steel ejection nozzle position from a ladle and the molten steel nozzle ejection nozzle position from the tundish to the mold.例文帳に追加

２ストランドの連続鋳造機用のタンディッシュ内溶鋼を２組のアノードトーチ及びカソードトーチを用いて加熱するツイントーチ式プラズマ加熱装置において、タンディッシュ内の溶鋼を加熱する際の２組のアノードトーチ及びカソードトーチが、取鍋からの溶鋼注入ノズル位置と、タンティッシュからモ−ルドへの溶鋼注入ノズル位置を基に規定した式を満足するように配置させることを特徴とするツイントーチ式プラズマ加熱装置。 - 特許庁

A waveform signal relating to a plasma arc is extracted and information estimating the distance between a torch nozzle and the material to be worked is outputted by the picture processor, the information is inputted into the controller and the distance between the nozzle and the material to be worked is controlled by the robot.例文帳に追加

制御装置を備えたロボットにより移動または回動するトーチと前記トーチに対し一体的に設けたテレビカメラを備え、前記テレビカメラによる撮像画像の画像処理装置を備え、前記画像処理装置はプラズマアークに係る波形信号を抽出して前記トーチのノズルと被加工材との距離を推定した情報を出力し、前記情報は前記制御装置に入力して前記ロボットにより前記ノズルと被加工材との距離を制御する。 - 特許庁

The silicon based thin film photoelectric converter comprises a one conductivity type layer 104, a crystal orientation control layer 116, a crystalline silicon based thin film photoelectric conversion layer 105 and a reverse conductivity type layer 106 laminated sequentially wherein the one conductivity type layer 104 is formed by crystallizing an amorphous silicon film, deposited by plasma CVD under temperature of 350°C, by pulse laser annealing.例文帳に追加

シリコン系薄膜光電変換装置は、順次積層された１導電型層１０４と、結晶配向性制御層１１６と、結晶質シリコン系薄膜光電変換層１０５と、逆導電型層１０６とを含み、その１導電型層１０４は、３５０℃以下の下地温度の下でプラズマＣＶＤ法によって堆積された非晶質シリコン膜がパルスレーザアニールによって結晶質化されたものであることを特徴としている。 - 特許庁

Regarding the manufacturing method for the color filter for a liquid crystal display apparatus having at least three color pixels and having a reflection area for reflecting external light and a transmission area for transmitting light emitted from a back light source in one pixel, the reflection area of at least one color pixel is etched by exposing it to atmospheric plasma generated under atmospheric pressure or near the atmospheric pressure.例文帳に追加

少なくとも３色の画素を有し、外光を反射する反射領域と背面光源からの光を透過する透過領域を１画素内に有する液晶表示装置用カラーフィルターの製造方法であって、少なくとも一色の画素の反射領域を、大気圧下もしくは大気圧近傍下で生成した大気圧プラズマに曝すことによりエッチングすることを特徴とする液晶表示装置用カラーフィルタの製造方法。 - 特許庁

The multiple wavelength spectroscopic detector 100 is provided with an optical lens system 1 for guiding light from a plasma P, a spectroscopic filter group 2 splitting light into a plurality of wavelength ranges by introducing light from the optical lens system 1, a photomultiplier 3 detecting each light split by the spectroscopic filter group 2 and a signal processing circuit 8 processing specific signals by inputting each detection signal from the photomultiplier 3.例文帳に追加

多波長分光検出装置１００は、プラズマＰからの光を導くための光学レンズ系１と、この光学レンズ系１により導かれた光を入射して複数の波長範囲に分光する分光フィルター群２と、この分光フィルター群２で分光された光を各々に検出する光電子増倍管３と、この光電子増倍管３からの各検出信号を入力し所定の信号処理を行う信号処理回路８とを備えている。 - 特許庁

The method for driving the plasma display panel comprises: a step for alternately applying a sustaining pulse to each of sustaining electrode pair for sustaining discharges by selected cells for a sustained period; and a step for initiating discharges for inducing long path discharge between the sustaining electrode pair between any one of the sustaining electrode pair and a data electrode by supplying a pulse signal synchronized with each sustaining pulse to the data electrode.例文帳に追加

本発明によるプラズマディスプレーパネルの駆動方法はサステイン期間の間に選択されたセルの放電を維持させるためのサステインパルスをサステイン電極対それぞれに交互に供給する段階と、サステインパルスそれぞれに同期されるパルス信号をデータ電極に供給してサステイン電極対の中のいずれか一つとデータ電極の間にサステイン電極対の間のロングパス放電を誘導するための放電を起こす段階を含む。 - 特許庁

The composition for releasing the pergolide to an individual requiring the pergolide therapy by the permeation through a body surface or membrane at a therapeutically effective rate contains pergolide mesylate in an amount effective for enabling successive release of the pergolide at least at 1 μg/cm^2×hr flow rate over the administration period to obtain the therapeutic plasma level of the pergolide, in a carrier.例文帳に追加

身体表面または膜を通る透過によってペルゴライド治療を必要とする個人に治療有効速度で身体表面または膜を通してペルゴライドを放出するための組成物であって、ペルゴライドの治療的血漿レベルを得るために、投与期間にわたり少なくとも１μｇ／ｃｍ^２・時間の流量によるペルゴライドの持続放出を可能にするのに有効な量のペルゴライドメシレートを担体中に含有する組成物である。 - 特許庁

Concerning this system, advertisement information is registered through a home page opened on the internet 1 to a dedicated server 2 and the advertisement information registered to the dedicated server 2 is transmitted to a desired information publishing spot by a communications satellite 4 after verifying that the advertisement information is not offensive to public morals and displayed on a plasma display 5 provided at the information publishing spot.例文帳に追加

本発明のインターネット網を利用した広告掲出システムは、広告情報をインターネット網１に開設したホームページを介して専用サーバ２に登録し、専用サーバ２に登録した広告情報を、公序良俗に違反しないような検証を行った後、通信衛星４により所望の情報掲出箇所に伝送し、前記情報掲出箇所に備えたプラズマディスプレイ５により前記広告情報を表示するようにしたことを特徴とするものである。 - 特許庁

The method for producing the semiconductor substrate includes a step of forming the printed layer by printing a pattern with a coating solution containing copper nano-particles and then a step of forming the pattern of the semiconductor layer by baking the printed layer, wherein the printed layer is baked by exposing the printed layer to the surface-wave plasma generated by an application of a microwave energy under an atmosphere containing oxygen.例文帳に追加

基材上に、銅ナノ粒子を含む塗布液をパターン状に印刷して印刷層を形成した後、この印刷層を焼成処理してパターン状の半導体層を形成する半導体基板の製造方法であって、酸素を含む雰囲気下、マイクロ波エネルギーの印加により発生する表面波プラズマに前記印刷層を晒すことにより、該印刷層の焼成処理を行うことを特徴とする半導体基板の製造方法である。 - 特許庁

An AC high voltage is supplied from an AC power supply 1 through a rectifier 2, an inverter 31 and a transformer 4 to a discharge load 5 in which a gas region is formed as a discharge space between a pair of opposed electrodes via a dielectric, and a gas in the discharge space is excited to generate plasma.例文帳に追加

対向配置する一対の電極間に誘電体を介して放電空間となるガス領域が構成された放電負荷５に対し、交流電源１より整流器２、インバータ３１、トランス４を介して交流高電圧を供給し、上記放電空間のガスを励起して、プラズマを発生させるプラズマ発生用電源装置において、トランス４の２次側に、放電負荷５に対して並列に、下記の式（１）を満足するインダクタンスを有する並列インダクタ６２を設けた。 - 特許庁

The plasma display panel, with an electrode layer, a dielectric layer, and a phosphor layer formed at least on one of the substrates, has a dielectric layer and a phosphor layer formed also in a region displaying no images, the phosphor layers are formed nearly linearly by a dispenser system, and moreover, there is a region where no electrode layers exist in either of the phosphor layers.例文帳に追加

上記の目的を達成するために本発明のプラズマディスプレイパネルは、少なくとも一方の基板に電極層と誘電体層と蛍光体層を形成したプラズマディスプレイパネルであって、画像を表示しない領域にも誘電体層と蛍光体層を形成し、蛍光体層をディスペンサー方式によって略直線的に形成し、かつ蛍光体層の一方に電極層が存在しない領域が存在することを特徴とする。 - 特許庁