「PLASMA」に関連した英語例文の一覧と使い方(565ページ目) - Weblio英語例文検索

The semiconductor film forming method includes a particle applying step of applying silicon particles 13 with dopant doped thereon to a substrate 10 being a flexible substrate formed with general-purpose engineering plastics as a material and a film forming step of forming a silicon film 14 on the substrate 10 with the silicon particles 13 applied thereon by plasma CVD in the atmosphere of mixed gas containing hydrogen gas.例文帳に追加

ドーパントがドープされたシリコン粒子１３を汎用エンジニアリングプラスチックを材料として形成された可撓性を有するフレキシブル基板である基板１０に塗布する粒子塗布工程と、シリコン粒子１３が塗布された基板１０上に、水素ガスを含む混合ガスの雰囲気中でのプラズマＣＶＤによってシリコン膜１４を成膜する成膜工程と、を含む。 - 特許庁

To provide a surface-treating method by which, when the surface of a polyester substrate is treated by an atmospheric pressure plasma treatment, the flotation of oligomers on the surface of the substrate with the passage of time after the surface treatment can be prevented, and a high quality surface treatment capable of improving the adhesiveness of the substrate to a functional membrane can efficiently continuously be performed.例文帳に追加

ポリエステル基板の表面を大気圧プラズマ処理により表面処理する際に、表面処理からの時間経過によって、基板表面にオリゴマーが泣き出しすることを防止することにより、基板と機能膜との密着性を向上させることができる高品質な表面処理を、効率よく連続的に行なうことができる表面処理方法を提供する。 - 特許庁

This dry etching device for applying etching processing to a wafer WF by arranging the wafer WF in a processing chamber and converting an introduced reaction gas to plasma includes: an annular first ring 110 arranged in the outside to surround the wafer WF and formed of a conductive material; and an annular second ring 120 arranged in the outside to surround the first ring 110 and formed of an insulating material.例文帳に追加

処理室内にウエハーＷＦが置かれ、導入される反応ガスをプラズマ化してウエハーＷＦにエッチング処理を施すドライエッチング装置であって、ウエハーＷＦを取り囲むように外側に配置され、導電性材料からなる環状の第１リング１１０と、第１リング１１０を取り囲むように外側に配置され、絶縁性材料からなる環状の第２リング１２０と、を備えた。 - 特許庁

The method is used for manufacturing the plasma display panel, including: a coating step of coating a solvent including microcrystal of components of a dielectric protective film on a front plate; a drying step of drying the front plate; a pressing step of pressing unevenness on a surface of a film including the microcrystal via a liquid using a roller after being dried; and a burning step of burning the film including the microcrystal.例文帳に追加

プラズマディスプレイパネルの製造方法であって、誘電体保護膜の構成材料の微結晶を含む溶媒を前面板に塗布する塗布ステップと、前記前面板を乾燥する乾燥ステップと、乾燥後、ローラを用いて、前記微結晶を含む膜の表面の凹凸に液体を介して圧力をかける加圧ステップと、前記微結晶を含む膜を焼成する焼成ステップと、を備える。 - 特許庁

This method for forming a metal oxide film with predetermined patterns on a substrate comprises: a first step of applying a liquid form matter containing a metal salt on the substrate and forming a metal salt film; a second step of providing predetermined patterns to the metal salt film; and a third step of subjecting the metal salt film to thermal oxidation treatment or predetermined plasma oxidation treatment to convert it into a metal oxide film.例文帳に追加

基材上に、所定パターンを有する金属酸化膜の形成方法等であって、基材に対して、金属塩を含有する液状物を塗布して金属塩膜を形成する第１工程と、金属塩膜に対して、所定パターンを設ける第２工程と、金属塩膜に対して、熱酸化処理または所定のプラズマ酸化処理を行い、金属酸化膜とする第３工程と、を含む。 - 特許庁

When thin film transistors such as a switch transistor 5 and a drive transistor 6 used as driving elements in an EL panel 1 are manufactured, semiconductor films 5b and 6b which are enhanced in crystallinity are formed by subjecting a base film 16 to plasma processing as preprocessing for forming a semiconductor layer 9b of crystalline silicon to serve as semiconductor films 5b and 6b where channels are formed.例文帳に追加

ＥＬパネル１において、駆動素子として用いるスイッチトランジスタ５、駆動トランジスタ６などの薄膜トランジスタを製造する際に、チャネルが形成される半導体膜５ｂ、６ｂとなる結晶性シリコンの半導体層９ｂを成膜する前処理として下地膜１６にプラズマ処理を施すことによって、結晶化度を高めた半導体膜５ｂ、６ｂを形成することができる。 - 特許庁

The apparatus 1 for manufacturing metal-supported material for producing a metal-supported material by performing prescribed treatment to a solution includes: a container 30 in which the solution is stored; a microwave generator 10 which outputs microwaves; and an electrode 42 which supplies the microwaves to the solution to excite plasma in the solution, wherein the solution has carriers dispersed therein and has metal ions projected thereinto.例文帳に追加

溶液に所定の処理を行って金属担持物を生成する金属担持物製造装置１であって、溶液が収められた容器３０と、マイクロ波を出力するマイクロ波発振器１０と、マイクロ波を溶液に与えて該溶液内にプラズマを励起させる電極４２とを備え、溶液は、担体が分散されているとともに、金属イオンが投与された溶液である。 - 特許庁

The atmospheric plasma apparatus has: an electrode for treatment disposed at a periphery of a drum electrode so that it faces the drum electrode and is located upstream of a film deposition electrode in the delivery direction of the substrate; a power source for treatment, which applies voltage to the electrode for treatment; and a reactive gas-feeding means that is disposed between the drum electrode and the electrode for treatment and feeds a reactive gas used in the surface treatment.例文帳に追加

基材の搬送方向において、成膜用電極よりも上流側に、ドラム電極の周面に対面して設けられる処理用電極と、処理用電極に電圧を印加する処理用電源と、ドラム電極と処理用電極との間に、表面処理用の反応性ガスを供給する反応性ガス供給手段とを有することで上記課題を解決する。 - 特許庁

For example, when a via groove 27a and a wiring groove 27b are formed in a laminate structure of a UDC diffusion barrier film 22, a porous silica film 23, a UDC middle stopper film 24, a porous silica film 25, and a UDC diffusion barrier film 26, surfaces of the UDC diffusion barrier film 22, UDC middle stopper film 24, and a UDC diffusion barrier film 26 which are exposed inside are irradiated with hydrogen plasma.例文帳に追加

例えば、ＵＤＣ拡散バリア膜２２、ポーラスシリカ膜２３、ＵＤＣミドルストッパ膜２４、ポーラスシリカ膜２５およびＵＤＣ拡散バリア膜２６の積層構造にビア溝２７ａと配線溝２７ｂを形成したときに、内部に露出するＵＤＣ拡散バリア膜２２、ＵＤＣミドルストッパ膜２４、ＵＤＣ拡散バリア膜２６の表面に対し、水素プラズマを照射する。 - 特許庁

In the method for forming two drive signals C, D for driving each HF energy generator by the HF generator drive 2 to two HF energy generators for supplying HF energy to the plasma process, respective drive signals C, D are formed by digital functional generators, especially advantageously sinusoidal wave generators, for respective functional generators 13, 14.例文帳に追加

プラズマプロセスにＨＦエネルギを供給する２つのＨＦエネルギジェネレータに対して、ＨＦジェネレータ駆動装置２により前記各ＨＦエネルギジェネレータを駆動する２つの駆動信号Ｃ，Ｄを形成する駆動信号の形成方法であって、各駆動信号Ｃ，Ｄを、１つずつの関数発生器１３，１４をディジタル関数発生器、特に有利には正弦波発生器を用いて形成する。 - 特許庁

A high frequency plasma generator is provided with a means for supplying pulse power which is hourly separated to at least two feeding points in a relation of opposite points on transmission of an electromagnetic wave in a pair of the electrodes, generating a plurality of standing waves whose positions of antinodes differ between a pair of the electrodes, and overlapping them.例文帳に追加

一対の電極における電磁波の伝播上での対向点となる関係にある少なくとも２つの給電点に時間的に分離されたパルス電力を供給し、該一対の電極間に電磁波の定在波の腹の位置が異なる複数の定在波を発生させ、かつそれらを重畳させる手段を備えたことを特徴とする高周波プラズマ発生装置及び方法。 - 特許庁

A leading edge vortex reducing system includes a gas turbine engine airfoil 39 extending in a spanwise direction away from an end wall 88, one or more plasma generators extending in the spanwise direction through a fillet between the airfoil 39 and the end wall 88 in a leading edge region 89 near and around the leading edge LE of the airfoil 39 and near the fillet 34.例文帳に追加

前縁渦流低減システムは、端部壁８８から離れる方向に翼長方向に延びるガスタービンエンジン翼形部３９と、翼形部の前縁ＬＥの近く、かつ前縁の周りに位置すると共に、フィレット３４の近くに位置する前縁領域８９内に翼形部及び端部壁間のフィレットを通って翼長方向に延びる１つ以上のプラズマ発生器とを含む。 - 特許庁

In the catalyst carrier, the powder material prepared by mixing metal powder that roles as a carrier and powder of transition metal or platinum group metal, or metal salt powder of them that role as catalyst substance is thermally sprayed with the use of a plasma spraying device, and is dispersed and carried on the surface of the substrate that is a porous body made by sintering a raw material of layered metal net made of stainless or stainless alloy.例文帳に追加

本発明の触媒担持体は、担持体となる金属粉末と、触媒物質となる遷移金属または白金族金属の粉末あるいはそれらの金属塩粉末を混合した粉末材料を、プラズマ溶射装置を用いて溶射して、ステンレスまたはステンレス合金製の金網を積層した素材を焼結した多孔質体である基材の表面に分散担持させた。 - 特許庁

In the method of dismantling the plasma display device having a PDP unit 6 including a PDP 1 bonded to a chassis 4 through a seat 5, the seat 5 of the PDP unit 6 is heated, when the PDP 1 is peeled from the chassis 4, while fixing either one of the PDP 1 and the chassis 4 and applying a biasing force to the other in a direction of peeling the PDP 1 from the chassis 4.例文帳に追加

ＰＤＰ１をシャーシ４にシート５を介して接着したＰＤＰユニット６を有するプラズマディスプレイ装置の解体方法において、ＰＤＰ１をシャーシ４から剥離する際に、ＰＤＰ１またはシャーシ４のいずれか一方を固定し、他方にＰＤＰ１とシャーシ４を引き剥がす方向の付勢力を加えた状態で、ＰＤＰユニット６のシート５を加熱する。 - 特許庁

This cell sorter is equipped with a pipe, which is equipped with a sample introducing port into which the sample is introduced, a gas introducing port into which gas is introduced and a discharge port for discharging the sample and the gas, and a pair of the electrodes formed to the pipe, receiving the application of AC voltage to generate plasma using the gas and controlling the discharge direction of the gas out of the discharge port.例文帳に追加

このセルソータは、内部にサンプルを導入するサンプル導入口と、内部にガスを導入するガス導入口と、サンプルとガスとを排出する排出口と、を備える管と、管に形成され、かつ、交流電圧が印加されることにより、ガスを用いてプラズマを生成し、排出口からサンプルが排出される方向を制御する一対の電極と、を備えることを特徴とする。 - 特許庁

In the substrate 10a, an electrode layer 11 to be applied with a DC voltage for attraction is embedded in a portion of the substrate, close to the attraction surface 10S, and a plurality of independent RF electrode layers 14, 15 to be respectively supplied with different radio frequencies RF1, RF2 for plasma control are embedded in portions of the substrate on the opposite side of the electrode layer 11 to the attraction surface 10S.例文帳に追加

この基板１０ａにおいて、吸着面１０Ｓの近傍の基板部分に、吸着用の直流電圧が印加される電極層１１が埋め込まれると共に、この電極層１１の吸着面１０Ｓと反対側の基板部分に、それぞれプラズマ制御用の異なる高周波ＲＦ１，ＲＦ２が給電される複数の独立した電極層１４，１５が埋め込まれている。 - 特許庁

The magnetic film or the diamagnetic film is etched in a plasma atmosphere in which at least one gasification compound selected from a group of gasification compounds consisting of hydrocarbons, alcohols, ethers, aldehydes, carboxylic acids, esters and geons is formed under condition that the particle flow rate is at least 0.5×10^17 molecular number/min/m^2 and preferably at least 2×10^17 molecular number/min/m^2.例文帳に追加

炭化水素類、アルコール類、エーテル類、アルデヒド類、カルボン酸類、エステル類及びジオン類からなるガス化化合物群から選択された少なくとも一種のガス化化合物を０．５×１０^１７分子数／分・ｍ^２以上、好ましくは２×１０^１７分子数／分・ｍ^２以上の分子流速の条件下において形成したプラズマ雰囲気下で、磁性膜又は反磁性膜をエッチングする。 - 特許庁

The treatment method involves steps of decomposing a halogen compound by bringing a gas current containing the halogen compound into contact with electric discharge plasma and forming a salt of the halogen and a metal for halogen fixation by bringing a gas current containing the decomposition product produced in the decomposition step into contact with a chemical solution containing the metal ion.例文帳に追加

この発明の処理方法は、ガス状ハロゲン化合物を含むガス流を放電プラズマと接触させてハロゲン化合物を分解する分解処理工程と、前記分解処理で生成した分解生成物を含むガス流を、金属イオンを含有した薬液と接触させることによって前記ハロゲンと金属との塩を形成せしめるハロゲン固定工程とを包含することを特徴とする。 - 特許庁

To realize a narrow frame without losing the reliability of a connection part between a flexible substrate and a plasma display panel (PDP).例文帳に追加

プラズマディスプレイパネル１と、プラズマディスプレイパネル１の非表示面との間にシリコンシート１３を介してプラズマディスプレイパネル１と一体化した補強プレート２と、プラズマディスプレイパネル１に電気的に接続されたフレキシブル基板３を有するドライバ基板２０を具備するＰＤＰモジュールにおいて、プラズマディスプレイパネル１と補強プレート２の熱による線膨張差によって、フレキシブル基板３のプラズマディスプレイパネル１との接続部にストレスが加わる。 - 特許庁

The transparent conductive film having the electric resistivity lower than that by the conventional manufacturing method and manufacturing apparatus can be obtained by maintaining the horizontal magnetic field intensity on a target surface at ≥1,000 Gauss and supplying microwaves superposed to the interior of the plasma generated by impression a DC electric field to the above target, thereby sputtering the target.例文帳に追加

ターゲット表面の水平磁界強度を１０００Ｇａｕｓｓ以上に保持するとともに、上記ターゲットに直流電界を印加することにより生じるプラズマ中にマイクロ波を重畳して供給し、上記ターゲットをスパッタリングすることにより、従来の製造方法および製造装置よりも低電気抵抗率の透明導電膜を得ることができるようになった。 - 特許庁

At this time, the spectral analysis involves introduction of a semiconductor substrate into the process chamber, dry etching of the semiconductor substrate with a plasma, detection of the beam emitted from a viewpoint during dry etching, and turning of the beam into a spectrum, as well as sampling the spectrum per dry etching time zone, and aquisition of more than one specific wave strength.例文帳に追加

この時、スペクトル分析は、工程チェンバー内に半導体基板を投入する段階と、前記半導体基板をプラズマで乾式エッチングする段階と、乾式エッチングの間にビューポイントから投射された光を検出する段階と、前記光をスペクトル化することは勿論、スペクトルを乾式エッチング時間帯ごとに抽出して、一つ以上の特定波の強さを得る段階で構成される。 - 特許庁

The detection method of the etching end point in the dry semiconductor etching step is to search for the etching end point from the surfaces of a semiconductor substrate and of a film selected from among multilayer films on the substrate, while spectrally analyzing the beam, in terms of etching time, which is emitted in the course of a plasma etching step onto the semiconductor substrate introduced into the processing chamber.例文帳に追加

本発明の半導体乾式エッチング工程でエッチング終了点の検出方法は、工程チェンバー内に投入された半導体基板上にプラズマエッチング工程を進行する過程で発生された光をエッチング時間によるスペクトル分析で、半導体基板上及びその基板上の多層膜の中で選択された膜上からエッチング終了点を探すものである。 - 特許庁

The method for manufacturing a thin film transistor comprises a step for providing a substrate 100, depositing an amorphous silicon layer 114 on the substrate 100, adjusting the threshold voltage of the thin film transistor 101 by bringing a plasma in contact with the amorphous silicon layer 114, and converting the amorphous silicon layer 114 into a polycrystalline silicon layer 114 through a crystallizing process.例文帳に追加

基板１００を提供することと、前記基板１００の上に非晶質シリコン層１１４を堆積することと、プラズマを前記非晶質シリコン層１１４と接触させることによって、前記薄膜トランジスタ１０１の閾値電圧を調整することと、結晶工程を行い、前記非晶質シリコン層１１４を多結晶シリコン層１１４に変換することを含む。 - 特許庁

To provide a plasma display panel of a small pixel pitch and high resolution by inexpensively providing a translucent electromagnetic wave shielding film having excellent durability and high electromagnetic wave shielding property carrying a continues mesh pattern with reduced production of moire and having small light scattering and high light transmittance with high productivity in a large quantity with reduced loss of a shielding material, and using the translucent electromagnetic wave shielding film.例文帳に追加

モアレの発生が少なく、耐久性に優れ、高い電磁波シールド性を有し、光散乱が小さく高い光透過率を有する連続メッシュパターンを担持した透光性電磁波シールドフィルムを、シールド材料のロスが少ない高い生産性で、安価に大量に提供し、この透光性電磁波シールドフィルムを用いて、画素ピッチの小さな、高解像度のプラズマディスプレイパネルを提供する。 - 特許庁

This panel is a plasma display panel 1 in which scanning electrodes 4 and sustaining electrodes 5 are alternately formed in the direction of scanning liens and also which performs the display by the gas discharge generated between scanning electrodes 4 and adjacent sustaining electrodes 5 and is provided with a mode changeover means 9 selecting the scanning electrodes 4 and the sustaining electrodes 5 in accordance with picture signals having different numbers of scanning lines.例文帳に追加

走査電極４と維持電極５とを走査線方向に交互に形成し、かつ走査電極４と隣接する維持電極５との間で生起させたガス放電によって表示を行なうプラズマディスプレイパネル１であって、走査線数が異なる画像信号に対応して走査電極４と維持電極５とを選択するモード切替手段９を備えている。 - 特許庁

In a method for measuring a target constituent based on the change in turbidity or that in scattering intensity being generated by the antigen antibody reaction between plasma and measurement reagent, the immunological measurement method and the measurement reagent are used to perform reaction by adding a divalent metal ion being selected from a calcium ion, a strontium ion, a barium ion, and a magnesium ion into reaction liquid.例文帳に追加

血漿と測定試薬との抗原抗体反応によって生じる濁度変化又は散乱強度変化に基づいて対象成分を測定する方法において、反応液中にカルシウムイオン、ストロンチウムイオン、バリウムイオン及びマグネシウムイオンから選ばれる２価金属イオンを添加して反応を行う免疫学的測定方法、並びにこれに用いられる測定試薬。 - 特許庁

A discharge plasma sintering device 6 is provided with a vacuum chamber 8 arranging a sintering unit 7 at the inside, an upper punch electrode 10 and a lower punch electrode 11 provided above and below the vacuum chamber 8 and arranged across the sintering unit 7 and a power source 12 impressing pulse power to the sintering unit 7 through these electrodes.例文帳に追加

この放電プラズマ焼結法を行う放電プラズマ焼結装置６は、焼結ユニット７を内部に配設している真空チャンバ８と、この真空チャンバ８の上下に設けられ焼結ユニット７を間に挟んで配設された上部パンチ電極１０及び下部パンチ電極１１と、これら電極を介して焼結ユニット７にパルス電力を印加する電源部１２とを備えている。 - 特許庁

A plasma display device which has: first, second and third electrodes; phosphors which are made to emit rays of light according to discharge to be generated by voltage application of the first to the third electrodes; and a drive circuit which applies a pulse (Vz) to the third electrode every time discharge light emission is performed by applying alternating pulses (Vx, Vy) between the first and second electrodes is provided.例文帳に追加

第１、第２及び第３の電極と、第１〜第３の電極の電圧印加により発生する放電に応じて発光させるための蛍光体と、第１及び第２の電極間に交番パルス（Ｖｘ，Ｖｙ）を印加することにより放電発光を行う毎に第３の電極にパルス（Ｖｚ）を印加する駆動回路とを有するプラズマディスプレイ装置が提供される。 - 特許庁

A welding wire is temporarily brought into contact with a base material and is fed backward to get away therefrom so that application of an initial arc current generates an initial MIG arc, and the backward feeding is continued to increase arc length to generate a plasma arc, and thereafter the feeding is switched to forward feeding and a MIG welding current is applied to shift the arc to a regular MIG arc.例文帳に追加

溶接ワイヤを母材と一旦接触させた後に後退送給して引き離すことによって初期アーク電流が通電する初期ミグアークを発生させ、後退送給を継続してアーク長を長くすることによってプラズマアークを発生させ、それ以降は前進送給に切り換えると共にミグ溶接電流を通電して定常ミグアークへと移行させる。 - 特許庁

Accordingly, since plasma formed in an upper part of the electrode plate 12 of the exhaust electrode 11 is made uniform, effects which enable constant etching are obtained, and also since the function of an exhaust pipe 4 is integrated with a function of an electrode, thereby functioning by the one exhaust electrode 11, a volume occupied by a process chamber is reduced and efficiency of a purity chamber is enhanced.例文帳に追加

従って、排気エレクトロード１１の電極板１２の上部に形成されるプラズマが均一になって一定なエッチングを可能にする効果があるし、また排気管４の機能とエレクトロードの機能を統合して一つの排気エレクトロード１１によって機能するようにすることで工程チャンバーが占める体積が減り清浄室の効率を向上させる効果がある。 - 特許庁

A plastic vacuum blood collection tube containing an anti-coagulant other than heparin is used as the vacuum blood collection tube, when a plasma obtained by separating/removing a hemocyte component is made to react with the reagent reacting specifically with the midkine, after collecting the blood in the vacuum blood collection tube containing the anti-coagulant, and when a midkine value in the blood is found using the strength of the reaction product as the index.例文帳に追加

血液を抗凝固剤含有真空採血管に採ったのち、血球成分を分離・除去して得られる血漿と、ミッドカインに特異的に反応する試薬とを反応させて、その反応物の強さを指標として血中ミッドカイン値とする場合には、前記真空採血管として、ヘパリン以外の抗凝固剤を含むプラスチック製採血管を用いて行う。 - 特許庁

This device forms a film consisting of a polymer material on the entire surface of the lower part electrode connected to a thin film transistor by a coating method, and after forming the upper part electrode on it, self-matchingly etches the film consisting of the polymer material by etching with a plasma by having the upper part electrode as a mask, and enables to form selectively a polymer material layer.例文帳に追加

本発明は、薄膜トランジスタと接続される下部電極上に塗布法により全面に高分子系材料からなる膜を形成し、その上に上部電極を形成した後、該上部電極をマスクとしてプラズマによるエッチングによって高分子系材料からなる膜を自己整合的にエッチングし、高分子系材料層の選択的な形成を可能にするものである。 - 特許庁

Alternatively, a high-quality protective film, having a higher resistance against plasma etching than protective films formed in the other sections than the substrate placing section have, is formed on the surface of the substrate placing section, by causing the section to have higher temperature suitable for forming the protective film than the other sections have, by impressing a bias voltage on the section or heating the section.例文帳に追加

また、基板載置部にバイアスを印加することにより、或いは、基板載置部を加熱して、基板載置部の表面温度を基板載置部以外の部分の温度よりも、保護膜の形成に適した高温にすることにより、基板載置部以外の部分に形成される保護膜よりも、前記プラズマエッチングに対する耐性の高い良質な保護膜を、基板載置部の表面に形成する。 - 特許庁

A slot antenna 30 supplying electromagnetic field into a container in which plasma is produced is formed with slots 36 so that a radiant quantity of electromagnetic field per unit area in a fringing portion B of a radiating surface 31 becomes smaller than that of electromagnetic field per unit area in an intermediate region C which locates between a central portion A and the fringing portion B of the radiating surface 31.例文帳に追加

プラズマが生成される容器内に電磁界を供給するスロットアンテナ３０は、放射面３１の周縁部Ｂにおける単位面積あたりの電磁界の放射量が放射面３１の中心部Ａと周縁部Ｂとの間の中間領域Ｃにおける単位面積あたりの電磁界の放射量よりも小さくなるようにスロット３６が形成されている。 - 特許庁

An apparatus for generating X-rays or EUV radiation via laser plasma emission according to the above method comprises a means for generating at least one laser beam (3), a chamber, a means (10) for generating at least one target (17) in the chamber, and a means (13) for focusing the laser beam (3) on the target (17) in the chamber.例文帳に追加

上記方法に従ってレーザプラズマ放射によりＸ線放射線または極紫外線放射線を発生するための装置は、少なくとも１つのレーザビーム（３）を発生するための手段と、チャンバと、少なくとも１つのターゲット（１７）をチャンバ内で発生するための手段（１０）と、レーザビーム（３）をチャンバ内でターゲット（１７）に集光させるための手段（１３）とを含む。 - 特許庁

In a semiconductor manufacturing apparatus using a plasma, in recovery work after wet cleaning of a vacuum treatment chamber configuration member that is carried out by opening a vacuum treatment chamber to the atmosphere in maintenance or the like, accept/reject decisions are performed automatically or semiautomatically according to the preset optimum sequence specific to an apparatus, and at the same time move to the next treatment is made automatically or semiautomatically.例文帳に追加

プラズマを利用した半導体製造装置において、メンテナンスなどで真空処理室を大気開放して行う真空処理室構成部材のウェツトクリーニング後の復旧作業時、あらかじめ定められた装置固有の最適なシーケンスに従い、自動的または半自動的に合否判定を行いながら、その結果に基づいて白動的または半自動的に次処理に移る。 - 特許庁

When discharge plasma is generated in a vacuum chamber by using at least a double loop-shaped antenna, the other space of counterposed sites from the viewpoint of the diameter of the adjacent loop-shaped antenna is changed continuously to one space of the counterposed sites, maintaining an intermediate site between the counterposed sites in parallel with the surface of an article to be treated.例文帳に追加

少なくとも二重のループ状アンテナを用いて真空チャンバー内に放電プラズマを発生する際に、隣接したループ状アンテナの直径上対向した部位間の中間部位を被処理物の面に平行に維持しながら、直径上対向した部位の一方の間隔に対して直径上対向した部位の他方の間隔を連続的に変化させることを特徴とする。 - 特許庁

The surface treatment method includes: executing oxygen gas plasma treatment to remove a reaction product containing carbon fluoride when the reaction product is deposited by sequentially etching each of layers of the treated workpiece having a multilayer film; and after removing a reaction product, removing a reaction product containing an oxide by using a hydrogen fluoride gas.例文帳に追加

多層膜を有する被処理物の各層を順次エッチングすることでフッ化炭素を含む反応生成物が堆積した場合に、酸素ガスプラズマ処理を行うことで前記反応生成物を除去し、前記反応生成物の除去の後、酸化物を含む反応生成物をフッ化水素ガスを用いて除去すること、を特徴とする表面処理方法が提供される。 - 特許庁

This is the manufacturing method of the substrate for the plasma display, which has the barrier ribs on the substrate, and which has the fluorescent substance layer, and a forming process of the fluorescent layer has a process to fill fluorescent substance pastes between the barrier ribs, and the filling amount is within a range of 50% to 120% of the volume of grooves consisting of the ribs.例文帳に追加

基板上に隔壁を有し、該隔壁間に蛍光体層を有するプラズマディスプレイ用基板の製造方法であって、該蛍光体層の形成工程が隔壁間に蛍光体ペーストを充填する工程を有し、蛍光体ペーストの充填量が隔壁で構成される溝の体積の５０％〜１２０％の範囲内であることを特徴とするプラズマディスプレイ用基板の製造方法 - 特許庁

The exhaust line 3 incorporates an exhaust ring 10 arranged on the processing chamber 2 side, a manifold 8 consisting of a plurality of tubular bodies arranged arcuately and disposed on the automatic pressure controller 4 side, and a plurality of plasma leak preventing plates 9 interposed between the exhaust ring 10 and the manifold 8 and arranged to close the manifold 8 in a shape corresponding to that of the manifold 8.例文帳に追加

排気管路３は、その内部に、処理室２側に配された排気リング１０と、円弧状に配された複数の筒状体から成り、自動圧力制御装置４側に配されたマニホールド８と、排気リング１０及びマニホールド８の間に介挿され、且つマニホールド８と対応する形状をなしてマニホールド８を閉鎖するように配された複数のプラズマ漏洩防止板９とを備える。 - 特許庁

Exhaust is performed by a pump 3 as an exhaust device while prescribed gas is introduced from a gas supply device 2 to the inside of a vacuum vessel 1, and plasma is generated in the inside of the vacuum vessel 1 by supplying high frequency electric power of 100 MHz by an antenna high frequency power source 4 to an antenna 5 provided to be protruded to the inside of the vacuum vessel 1.例文帳に追加

真空容器１内に、ガス供給装置２から所定のガスを導入しつつ、排気装置としてのポンプ３により排気を行い、真空容器１内を所定の圧力に保ちながら、アンテナ用高周波電源４により１００ＭＨｚの高周波電力を真空容器１内に突出して設けられたアンテナ５に供給することにより、真空容器１内にプラズマが発生する。 - 特許庁

In the method for depositing a metal oxide film having the gas shielding property on a surface of a predetermined base material by reacting organic metal with oxidizing gas by a plasma CVD method, the reaction mainly with the organic metal is performed by the glow discharge in a low output area, and the reaction of the organic metal with oxidizing gas is performed by the glow discharge in a high output area.例文帳に追加

プラズマＣＶＤ法により有機金属と酸化性ガスとを反応させて所定の基材表面にガス遮断性を有する金属酸化膜を形成する方法において、低出力領域でのグロー放電によって有機金属が主体とする反応を行った後、高出力領域でのグロー放電によって有機金属と酸化性ガスとの反応を行うことを特徴とする。 - 特許庁

The manufacturing method of the lead storage battery comprises that in the welding method of a strap by plasma arc, the shape of the adding lead for welding is made thicker at the fusing finishing portion than the fusing starting portion, thereby even if the lead is taken in at solidification by shifting of the fusing portion during the strap formation, the thickness of the strap can be maintained uniform.例文帳に追加

上記課題を解決するために、本発明による鉛蓄電池の製造方法は、プラズマアークによるストラップ溶接方法において、足し鉛の形状が溶融開始部よりも溶融終了部のほうの厚さを厚くすることによって、ストラップ形成中の溶融部の移動による凝固時の鉛の取り込みが起こっても、ストラップの厚さを均一にすることができるものである。 - 特許庁

The dimensional conversion difference of the etching pattern corresponding to the resist pattern 13 is adjusted within a prescribed range by generating the plasma by adjusting the ratio of the mixed gas and by varying the vertical etching rate of the polycrystalline silicon layer 12 to be reflected in the control of the duration of isotropic etching using the fluorine radical by changing the etching rate by controlling the bias power which accelerates bromine ions to the wafer 10 side.例文帳に追加

この混合ガスの比率を調整しつつプラズマ化し、少なくとも臭素イオンをウェハ側へと加速するバイアスパワーを制御して多結晶シリコン層１２の垂直方向のエッチング速度を変化させることにより、フッ素ラジカルによる等方性エッチング時間の制御に反映させ、レジストパターン１３に応じたエッチングパターンの寸法変換差を所定範囲で調整する。 - 特許庁

The radioactive display device; for example, the plasma display panel or the light emitting diode panel or another kind of the display device, for example, the liquid crystal display device is provided with a heat spreader constituted by including at least one sheet which has a surface area greater than the surface area of a portion facing the back side surface of the device and is formed from compressed particles of exfoliated graphite.例文帳に追加

放射性ディスプレイデバイス、例えばプラズマディスプレイパネルまたは発光ダイオードパネル、または別の種類のディスプレイデバイス、例えば液晶ディスプレイデバイスにおいて、デバイスの裏側表面に面した部分の表面積より大きな表面積を有する少なくとも一枚の、剥離されたグラファイトの圧縮された粒子から形成されたシートを含んでなる放熱体を備える。 - 特許庁