「PLASMA」に関連した英語例文の一覧と使い方(563ページ目) - Weblio英語例文検索

The front filter 1 for plasma display panel includes: a transparent laminated film 2 comprising a transparent resin film 5 having ultraviolet shielding performance on one side (front face side) of which, directly or via one or more layers, a hard-coat layer 4 having an antistatic agent, an ultraviolet absorber, and an inorganic near infrared absorber is provided; and an electromagnetic wave shielding layer 7.例文帳に追加

本発明のプラズマディスプレイパネル用前面フィルター１は、紫外線遮蔽性能を有する透明樹脂フィルム５の片面（前面側）に直接もしくは１層以上の層を介して帯電防止剤、紫外線吸収剤、無機系近赤外線吸収剤を有するハードコート層４を設けてなる透明積層フィルム２と電磁波遮蔽層７とを含む。 - 特許庁

In this semiconductor manufacturing apparatus, an evaporation- polymerizing chamber 3 has an antenna or an electrode capable of introducing oxygen and electric discharge for cleaning with an oxygen plasma a film of raw material monomers A, B deposited to the inner wall of the evaporation- polymerizing chamber 3 during evaporation-polymerizing, or polymers of the raw material monomers A, B or mixtures of these monomers and polymers.例文帳に追加

半導体製造装置において、蒸着重合中に蒸着重合室の内壁面に付着した原料モノマー、該原料モノマーの重合物、または該モノマーと該重合物との両者の混合物からなる膜を酸素プラズマでクリーニングするために、該蒸着重合室が酸素の導入および放電が可能な電極またはアンテナを備えている。 - 特許庁

Voltage is applied to a pair of targets 41a, 41b provided in a vacuum chamber 11 via an AC power source E at prescribed frequency in such a manner that polarity is alternately changed, each target is alternately changed to an anode electrode and a cathode electrode, glow discharge is generated between the anode electrode and the cathode electrode to form a plasma atmosphere, and each target is subjected to sputtering.例文帳に追加

真空チャンバ１１内に設けた一対のターゲット４１ａ、４１ｂに、交流電源Ｅを介して所定の周波数で交互に極性をかえて電圧を印加し、各ターゲットをアノード電極、カソード電極に交互に切替え、アノード電極及びカソード電極間にグロー放電を生じさせてプラズマ雰囲気を形成して各ターゲットをスパッタリングする。 - 特許庁

To provide an electrostatically attracting apparatus superior in plasma transparency by facilitating manufacture in simple and easy structure, enhancing manufacturing yield to make a manufacturing cost inexpensive, improving the heat conductance of an electrostatically attracted plate-like specimen and a temperature control part, and facilitating maintaining of the temperature of the plate-like specimen at a desirable constant temperature.例文帳に追加

構造が単純・簡単で製造が容易であり、製造歩留まりが高くて製造コストが廉価になり、しかも、静電吸着された板状試料と温度制御部との熱伝導性が向上し、処理中の板状試料の温度を望ましい一定の温度に保つことが容易になり、プラズマ透過性が良好な静電吸着装置を提供する。 - 特許庁

To provide pasteurized and then octanoate-reduced human albumin for therapeutic use, especially in a detoxification treatment of human plasma, e.g., for the intravenous treatment of acute or chronic liver diseases, and as a dialyzate in extracorporeal liver dialysis with albumin in the molecular adsorbent recirculating system (MARS) or in single-pass dialysis.例文帳に追加

治療的使用、特にヒト血漿の解毒療法における使用、例えば急性または慢性の肝疾患の静脈内処置のための、およびＭＡＲＳシステム（分子吸着剤再循環システム）または「シングルパス式」透析におけるアルブミンによる体外肝透析の透析液としての、低温殺菌後オクタノエートを減少させたヒトアルブミンを提供することである。 - 特許庁

To enable an interlayer insulation film 25 to be embedded in a gaps between the interconnections 23 on a semiconductor substrate without damaging the insulation film 22 of its underlayer on the semiconductor substrate 21 by plasma ions, and without charging up the underlayer in a semiconductor fabricating method for forming the interlayer insulation film for filling the gaps between the interconnections 23.例文帳に追加

配線２３の間を埋める層間絶縁膜を形成する半導体装置の製造方法において、半導体基板２１上に形成される配線の下地である絶縁膜２２をプラズマイオンでキズ付けたり、下地にチャ−ジアップさせたりすることなく半導体基板上の配線２３間の隙間に層間絶縁膜２５を埋め込むことができるようにする。 - 特許庁

Average size and/or maximum size of minute thrombi larger than the diameter (7 μm) of capillary vessel, and variation of the number of minute thrombi are measured with an optical method and/or electrical method of a combination of a microscope and a flow-cytometer, using blood plasma obtained from blood of two hours or longer after eating.例文帳に追加

食後２時間以上を経過した血液から得られた血漿を検体として、毛細血管の直径（７μｍ）より大きな微小血栓の平均大きさ，および／または最大大きさ、微小血栓の数の変化を顕微鏡とフローサイトメーターとを組み合わせた光学手法および／または電気学的手法によりリアルタイムで測定する。 - 特許庁

The method comprises a first step of depositing tantalum halide, nitrogen source gas and silicon source gas with plasma to form an amorphous tantalum/silicon nitride film on a substrate, and a second step of stopping introducing the silicon source gas and executing the same operation as in the first step to form an amorphous tantalum nitride film on the tantalum/silicon nitride film.例文帳に追加

タンタルハロゲン化物、窒素源ガス、およびシリコン源ガスをプラズマ分解し、基板上にアモルファス状のタンタル・シリコン窒化物膜を形成する第１工程と、該シリコン源ガスの導入を中止し、第１工程と同様の操作を続けて、該タンタル・シリコン窒化物膜上にアモルファス状のタンタル窒化物膜を形成する第２工程とを含む。 - 特許庁

To obtain a photosetting electrically conductive composition capable of simultaneously satisfying sufficient electric conductivity and blackness after firing without impairing superior adhesion to a substrate, superior resolution and suitability to firing in drying, exposing, developing and firing steps and to obtain a plasma display panel(PDP) with a lower layer (black layer) electrode circuit formed using the composition.例文帳に追加

乾燥、露光、現像、焼成の各工程において基板に対する優れた密着性、解像製、焼成性を損なうことなく、焼成後において充分な導電性と黒さを同時に満足し得る、光硬化型導電性組成物及びそれを用いて下層（黒層）電極回路を形成したプラズマディスプレイパネル（ＰＤＰ）を提供する。 - 特許庁

An organic polymer resin layer is provided on the surface of a semiconductor device, after pattern processing and hardening treatment are performed, the resin pattern is etched as a mask, the conduction layer of the opening part is exposed, next, oxygen plasma treatment is performed at a temperature of 100°C or higher, and the semiconductor device is manufactured by cleaning the conduction layer of the opening part.例文帳に追加

半導体素子表面に有機ポリマー樹脂層を設け、パターン加工及び硬化処理を施したのち、この樹脂パターンをマスクとしてエッチング処理し、開口部の導通層を露出させ、次いで１００℃以上の温度で酸素プラズマ処理を行い、上記開口部の導通層をクリーニングすることにより、半導体装置を製造する。 - 特許庁

A silane compound or the like is introduced into the reaction chamber 10 of a plasma CVD device to form an antireflection SiON film on a wafer 5, and the antireflection SiON film formed on the wafer 5 is thermally treated at a required temperature in an inert gas atmosphere of nitrogen gas or the like so as to be kept stable in KrF laser beam absorption characteristics after a film forming process is finished.例文帳に追加

プラズマＣＶＤ装置の反応室１０内にシラン系化合物等を導入してウェハー５上に反射防止ＳｉＯＮ膜を成膜後、該成膜工程終了後に窒素ガス等の不活性ガス雰囲気下で反射防止ＳｉＯＮ膜を所望の温度で熱処理し、反射防止ＳｉＯＮ膜のＫｒＦレーザ光吸収特性を安定化させる。 - 特許庁

By decomposing the organic constituent generated in drying and baking a dielectric layer, a partition, a phosphor, seal frit and the like for the plasma display panel with an oxidizing means 15, the organic constituent contained in the hot blast can be removed without reducing the hot blast supply quantity (increasing hot blast supply pressure) and the heat energy of the hot blast.例文帳に追加

ＰＤＰの誘電体層、隔壁、蛍光体、シールフリット等の乾燥・焼成の際に発生する有機成分を酸化手段１５で分解処理することにより、熱風供給量を減少（熱風供給圧を増大）させることなく且つ熱風の熱エネルギーを減少させることなく熱風に含まれる有機成分を除去できる。 - 特許庁

By controlling flow rates of Ar and He gases which flow in a condensed cluster deposition device and a length of a cluster growth area in plasma gas, Ta clusters having an average diameter of from 4 to 10 nm are deposited on an insulating substrate (glass, plastic substrate) to form transition metal clusters assembly having low-magnetic resistance.例文帳に追加

絶縁体基板（ガラス、プラスティック）の上に、プラズマガス中凝縮クラスター堆積装置を用いて、該装置に導入するＡｒやＨｅガスの流量、クラスター成長領域長さ等を制御することにより、平均サイズ４−１０ｎｍのサイズの揃ったＴａクラスターを堆積させて低磁気抵抗遷移金属クラスター集合体を製造する。 - 特許庁

A process chamber 30 of an inductively coupled plasma etching system is provided with a plate 34, which is extended in parallel with the top wall 32 of the chamber 30 and made of Si or SiC and a low-frequency power source 36, which impresses a low-frequency voltage of 400-800 kHz upon the plate 34.例文帳に追加

本誘導結合型プラズマエッチング装置のプロセスチャンバ３０は、従来の装置の構成に加えて、天井壁３２から僅かに離隔して平行に延在するＳｉ又はＳｉＣからなるプレート３４と、プレート３４に４００ＫＨｚから８００ＫＨｚの範囲の低周波数電圧を印加する低周波電源３６とを備えている。 - 特許庁

A waste processing method comprising the steps of subjecting a waste ion exchange resin containing low-level radioactive materials used for purification of the coolant in a reactor to plasma treatment under the presence of carbon dioxide and/ or carbon monoxide, decomposing the waste ion exchange resin for the volume reduction, and converting the radioactive materials into materials having a low vapor pressure for the prevention of the vaporization thereof and the stabilization thereof.例文帳に追加

原子炉の冷却水の浄化に使用した低レベル放射性物質を含有する廃イオン交換樹脂を、二酸化炭素および／または一酸化炭素の存在下にプラズマ処理し、廃イオン交換樹脂を分解して減容し、かつ放射性物質を蒸気圧の低い物質に変えて揮散を防止し、安定化する廃棄処理方法。 - 特許庁

The surface treatment method for the transparent conductive film comprises selectively changing the charge injection efficiency of the transparent conductive film by irradiating the transparent conductive film with ions in a plasma and then selectively irradiating it with electron beams having energy of a threshold value or larger for luminance disappearance, and, in turn, granting the desired luminescent pattern thereto.例文帳に追加

本発明の透明導電性膜の表面処理方法は、透明導電性膜にプラズマ中のイオンを照射した後、輝度消失のしきい値エネルギー以上の電子線を選択的に照射することにより、透明導電性膜の電荷注入効率を選択的に変化させ、もって所望の発光パターンを付与することを特徴とする。 - 特許庁

The plasma generator comprises a plurality of high frequency power sources 28a, 28b for feeding discharging electrodes 23 disposed in a reactor chamber 21 and reverse current blocking circuits 30a, 30b disposed between the discharging electrodes 28a, 28b and the high frequency power sources 28a, 28b for separating reflected powers.例文帳に追加

反応容器２１内に配置された放電用電極２３へ給電を行う複数の高周波電源２８ａ，２８ｂと、前記放電用電極２８ａ，２８ｂと前記高周波電源２８ａ，２８ｂ間に配置された、反射電力を分離処理する逆流防止回路３０ａ，３０ｂとを具備したことを特徴とする高周波プラズマ生成装置。 - 特許庁

A minus charged fine SiO particle in the reaction chamber or the carrying chamber of a plasma CVD system is detected using a silicon single crystal substrate 9, and a dummy wafer SWd for detecting dust formed thereon of an insulation film 10 principally comprising silicon oxide, silicon nitride or silicon oxide nitride.例文帳に追加

シリコン単結晶基板９と、その上に形成された、例えば酸化シリコン、窒化シリコンまたは酸窒化シリコンを主成分とする絶縁膜１０とによって構成された異物検査用ダミーウエハＳＷｄを用いることにより、プラズマＣＶＤ装置の反応室内または搬送室内のマイナス電荷に帯電したＳｉＯ微粒子を検出する。 - 特許庁

The method of driving the plasma display panel includes an address stage for charging a charge device provided by cells with an address voltage corresponding to the analog video signal, and an automatic ignition and sustaining discharging stage for generating sustaining discharge for a period proportional to the address voltage charged to the charge device.例文帳に追加

本発明によるプラズマディスプレーパネルの駆動方法はアナログ映像信号に対応されるアドレス電圧を前記セル別で設けられた充電素子に充電させるためのアドレス段階と充電素子に充電されたアドレス電圧に比例する期間の間、維持放電を発生させるための自動点火及び維持放電段階を含むことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a gas seal between a pre-treatment chamber and a surface treatment chamber with a simple structure which can ensure the sufficient performance even when a sheet-like material is wide in a surface treatment device for performing the surface treatment by plasma, sputtering, CVD, vapor deposition, or the like, while allowing the sheet-like material to continuously travel in a vacuum chamber.例文帳に追加

真空室内においてシート状材料を連続走行させつつ、プラズマやスパッタ、ＣＶＤ、蒸着等によって表面処理を行なう表面処理装置において、前処理室と表面処理室との間のガスシールとして、簡易な構造でありながら、シート状材料が広幅になった場合でも十分な性能が得られるものを提供する。 - 特許庁

With a base material 16 installed on a counter electrode 14 oppositely facing a discharging electrode 12, a prescribed interval is secured between this base material 16 and the discharging electrode 12; in this state, a glow discharge plasma is produced between the two electrodes 12, 14, cracking a reaction gas and processing the surface of the base material.例文帳に追加

放電発生用電極１２に対向する対向電極１４上に基材１６を設置し、この基材１６と前記放電発生用電極１２との間に所定の間隙を確保した状態で両電極１２，１４間にグロー放電プラズマを発生させ、このプラズマにより反応ガスを分解して前記基材の表面を処理する。 - 特許庁

Thus, since no photo resist is deposited on the capacity insulating film 105a, an oxygen plasma used for ashing is not irradiated, and insulation breakage can be prevented due to lowered flatness of the capacity insulating film and the operation failure, lowered yield, and lowering of reliability of the MIM capacitor due to contamination of the capacity insulating film.例文帳に追加

これにより容量絶縁膜１０５ａ上にフォトレジストが堆積されないため、アッシングに用いる酸素プラズマが照射されることがなく、容量絶縁膜の平坦性の低下による絶縁破壊及び容量絶縁膜の汚染によるＭＩＭキャパシタの動作不良、歩留り低下、デバイスの信頼性低下を防止することができる。 - 特許庁

A component 1 which is used for a semiconductor manufacturing machine that uses a plasma comprises a base material 11 which comprises a carbon material and corner parts 15 depressed inward, and a coat 12 of silicon carbide formed on the surface of base material 11 including the corner parts 15 by a CVD method.例文帳に追加

プラズマを利用した半導体製造装置に使用される半導体製造装置用部品１において，半導体製造装置用部品１は，カーボン材料よりなると共に内方に窪んだ隅部１５を有する基材１１と，隅部１５を含めて基材１１の表面にＣＶＤ法により形成された炭化珪素よりなる皮膜１２とからなる。 - 特許庁

By this, the bubbles, which are usually involved between the edge part of the lower layer and the upper layer because it is formed in a state that the edge of the lower layer is covered when forming the upper layer, are not involved, and the plasma display panel provided with the multi-layered structure dielectric layer having few involved bubbles is realized.例文帳に追加

このことにより、従来、上層を形成する際、下層のエッジを覆った状態に形成してしまうことにより、下層のエッジの部分と上層との間に巻き込んでしまう場合があった気泡を巻き込むことがなくなり、包含される気泡の少ない、多層構造の誘電体層を備えるプラズマディスプレイパネルを実現することができる。 - 特許庁

The plasma display panel includes a first and a second substrates arranged in opposition, an address electrode formed at the second substrate, partitioning walls arranged between the first and the second substrates for zoning non-discharging regions together with a plurality of discharge cells, a phosphor layer formed inside each discharge cell, and a discharge sustaining electrode formed at the first substrate.例文帳に追加

本発明によるプラズマディスプレイパネルは、互いに対向配置された第１基板及び第２基板と；第２基板に形成されたアドレス電極と；第１基板と第２基板の間に配置され、複数の放電セルと共に非放電領域を区画する隔壁と；各放電セル内に形成された蛍光体層と；第１基板に形成された放電維持電極と；を含む。 - 特許庁

In a phosphor layer used for plasma display, the side of the Ba-containing layer (Ba-O layer) of a blue phosphor is coated selectively with an oxide or a fluorinated oxide to control the adsorption of water on the surface of a blue phosphor to thereby prevent the deterioration of luminance and the change in chromaticity of the phosphor and improve the discharge characteristics thereof.例文帳に追加

プラズマディスプレイに用いられる蛍光体層において、青色蛍光体のＢａ原子を含有する層（Ｂａ−Ｏ層）側面に選択的に酸化物あるいは弗素を含有する酸化物をコーティングすることで、青色蛍光体表面への水の吸着を抑え、蛍光体の輝度劣化や色度変化あるいは、放電特性の改善を行うものである。 - 特許庁

In this method of forming a carbon nanotube, a desired carbon nanotube aligned structure is formed by forming a resist film on a flat substrate by coating an ultra violet sensitive resin for photo development, composing an aligned structure of a desired resist film pattern by exposing and developing it, and then treating it with a plasma in a reduced pressure atmosphere containing oxygen.例文帳に追加

平坦な基板に写真現像用の紫外線感光性樹脂を塗布してレジスト膜を形成し、これを露光、現像してレジスト膜の所望パターンの配列構造を構成し、その後これを酸素を含む減圧雰囲気下でプラズマ処理し、所望のカーボンナノチューブ配列構造を基板上に形成することを特徴とするカーボンナノチューブの形成方法である。 - 特許庁

In the method for producing a target material, raw material metal powder is introduced into thermal plasma, thus spheroidal metal powder subjected to spheroidizing is packed into a die, and the spheroidal metal power is sintered at a direct current pulse current density of ≥5 A/mm^2 under a pressure of ≥20 MPa in a pressure-reduced atmosphere of ≤200 Pa.例文帳に追加

原料金属粉末を熱プラズマ中に導入することにより、球状化された球状金属粉末を型に充填し、２００Ｐａ以下の減圧雰囲気中において、直流パルス電流密度５Ａ／ｍｍ^２以上、圧力２０ＭＰａ以上で該球状金属粉末を焼結するターゲット材の製造方法である。 - 特許庁

To provide a photosensitive black-colored resin composition capable of forming a black matrix as a barrier that prevents color mixing caused by intrusion of inks in different colors between adjoining color pixel layers and prevent pixel defects such as local voids, without applying a special surface treatment such as plasma treatment.例文帳に追加

プラズマ処理のような特殊な表面処理を施すことなく、隣接する色画素層間における異色インクの混入により発生する混色を防止することができ、局部的な白抜けなどの画素欠陥が発生するのを防止することができる隔壁となるブラックマトリクスを形成することが可能な感光性黒色樹脂組成物を提供する。 - 特許庁

The thin-film transistor comprises an insulating undercoat layer formed on a substrate, a semiconductor active layer composed of polysilicon formed on the insulating undercoat layer, and a gate electrode formed on the semiconductor active layer, while being insulated wherein the insulating undercoat layer is a silicon oxide film layer formed by plasma CVD, using tetraethoxy silane as the material.例文帳に追加

基板に対して形成される絶縁性アンダーコート層と、該絶縁性アンダーコート層の上に形成される多結晶シリコンからなる半導体活性層と、該半導体活性層上に絶縁して形成されるゲート電極とを備え、該絶縁性アンダーコート層は、テトラエトキシシランを材料とし、プラズマＣＶＤで形成されたシリコン酸化膜層である薄膜トランジスタである。 - 特許庁

The time period T1 from when the recovering circuit starts to supply electric power to the display electrodes by discharge from the recovery capacitor until the switching element is turned on to start to supply discharge power to the display electrodes from the sustaining circuit is controlled to at most 60% of a resonance time determined by the inductor and an electrostatic capacitance of the plasma display panel.例文帳に追加

回収回路が回収コンデンサからの放電により表示電極に電力の供給を開始してから、スイッチ素子がオンすることにより維持回路から表示電極に対する放電電力の供給が開始されるまでの時間Ｔ１が、インダクタとプラズマディスプレイパネルの静電容量とで決定される共振時間の６０％以下に制御される。 - 特許庁

To provide an electrode connecting method which is used for connecting the electrodes of a part to those of a board, capable of subjecting the surface of the electrode to a plasma cleaning step without causing any damage to the part connected to the board, joining the electrodes together while the electrodes are kept in a cleaned state, and resultantly obtaining an electrode connection state that is high in bonding strength and reliability.例文帳に追加

部品の電極を基板上の電極に接合する電極接合方法において、基板に接合する部品に損傷を与える恐れなく電極表面をプラズマ洗浄でき、かつ洗浄した状態を維持して電極を接合できることで、接合力が高く、信頼性の高い電極の接合状態を得る。 - 特許庁

To facilitate defect detection when a defect is present in a peripheral portion having a large luminance difference in an electronic display image quality inspection device detecting the display defect by picking up an image of the display defect in a display device such as a plasma display by a camera or the like, and binarizing an image obtained by differentiating the picked-up image by spatial differentiation processing or the like.例文帳に追加

プラズマディスプレイ等の表示装置における表示欠陥をカメラ等により撮像し、撮像画像を空間微分処理等により微分した画像を２値化することにより、表示欠陥を検出する電子ディスプレイ画質検査装置において、輝度差の大きい周辺部分に欠陥が有る場合の欠陥検出を容易にすることに有る。 - 特許庁

The plasma display apparatus and driving method are characterized in that, when an image is displayed with one sub-field divided to a reset period, an address period and a sustain period, the point of the time of application of a sustain voltage of the second sustain pulse applied on the one sustain period of the subfield is different from the time of application of the sustain voltage of the other first sustain pulse.例文帳に追加

本発明によるプラズマディスプレイ装置及び駆動方法は、一つのサブフィールドがリセット期間と、アドレス期間と、サステイン期間とに分けられて画像が表現される時、前記一つのサブフィールドのサステイン期間に印加される第２サステインパルスのサステイン電圧印加時点は、他の第１サステインパルスのサステイン電圧印加時点と異なることを特徴とする。 - 特許庁

At this point, in the switching element of the plasma display panel constituted by parallel connecting the one or more IGBT elements Z 3 and the one or more MOSFET elements M 3 to each other, the MOSFET elements M 3 take charge of the switching element in a region of a small current and the IGBT elements Z 3 take charge of the switching element in a region of a large current.例文帳に追加

この時、一つ以上のＩＧＢＴ素子Ｚ３と一つ以上のＭＯＳＦＥＴ素子Ｍ３とを並列に連結して構成されたプラズマディスプレイパネルのスイッチング素子では、電流の小さい領域ではＭＯＳＦＥＴ素子Ｍ３がスイッチング素子を担当し、電流の大きい領域ではＩＧＢＴ素子Ｚ３がスイッチング素子を担当する。 - 特許庁

To provide a superconducting magnetic field generator in which arcade-like magnetic field distribution is widely formed in front of a superconductor, and plasma can widely be distributed in front of the superconductor, and which is advantageous for improving the use efficiency of a target even if the generator is applied to a sputtering device, and to provide an exciting method of the superconducting magnetic field generator and the sputtering device.例文帳に追加

アーケード状の磁場分布が超電導体の前面に広く形成され、超電導体の前面においてプラズマを広く分布させることができ、スパッタリング装置に適用する場合であっても、ターゲットの使用効率を高めるのに有利な超電導磁場発生装置、超電導磁場発生装置の励磁方法、スパッタリング装置を提供するにある。 - 特許庁

Thereby, even in the case, as a plasma treatment, a treatment of which completion can not be almost visually discriminated such as, for example, a surface reforming treatment of glass substrate is applied, it can be discriminated whether or not the work is normally completed in treatment, by passing the work W in the reader/writer and reading the information in the wireless tag 81.例文帳に追加

したがって、プラズマ処理として、たとえばガラス基板の表面改質処理のように、処理が終了したか否かを見た目で殆ど判別できない処理を施す場合にも、ワークＷをリーダー／ライターに通し、無線タグ８１内の情報を読出すことで、処理が正常に終了したワークであるか否かを判別することができる。 - 特許庁

In the plasma display device having an escutcheon which constitutes a part of an exterior member to house a panel main body, further is arranged on the front surface side of the panel main body and has a nearly L-shaped cross section, the escutcheon is molded with a metallic mold having a plurality of cavities 21, 22, 23 and capable of molding the escutcheons for respectively different screen sizes of the products.例文帳に追加

パネル本体を収容する外装部材の一部を構成しかつ前記パネル本体の前面側に配置される断面がほぼＬ字形状のエスカッションを有するプラズマディスプレイ装置において、前記エスカッションを成形する際に、製品の画面サイズが異なるエスカッションを成形可能な複数の成型部２１，２２，２３を有する金型を用いて成形する。 - 特許庁

A plasma enhanced CVD system for processing one or more flat panel display substrate comprises a process chamber 133 arranged to contain gas, a residual gas analyzer 63 arranged to analyze and feed back gas in the process chamber, and a controller 250 for monitoring feedback from the gas analyzer.例文帳に追加

１枚以上のフラットパネルディスプレイ基板を処理するためのプラズマ増強型化学気相堆積システムであって、ガスを含有するように構成されたプロセスチャンバ１３３と、プロセスチャンバ内のガスを分析するとともにフィードバックをするように構成された残留ガス分析器６３と、ガス分析器からのフィードバックをモニタするためのコントローラ２５０を備えている。 - 特許庁

This separation member is specified to 80% in the holding rate of the permeation coefficients of albumin (ALB), globulin (IgG) and total cholesterol (TC) after 120 minutes with respect to the permeation coefficients of the albumin (ALB), globulin (IgG) and total cholesterol (TC) after 15 minutes after the flow of the plasma to a hollow fiber membrane of 50 to 150 μm in the bore of the membrane is begun.例文帳に追加

膜の内径が５０〜１５０μの中空糸膜において血漿を流し始めてから１５分後のアルブミン（ＡＬＢ）、グロブリン（ＩｇＧ）、トータルコレステロール（ＴＣ）の透過係数に対する１２０分後のアルブミン（ＡＬＢ）、グロブリン（ＩｇＧ）、トータルコレステロール（ＴＣ）の透過係数の保持率が８０％以上である血漿成分の分離膜。 - 特許庁

The polyethylene microporous membrane is prepared by mixing raw materials such that a thermodynamic single phase is formed at a liquid-liquid phase separation temperature or above with the use of an extruder, followed by forming a phase separation zone within the extruder, adjusting the liquid-liquid phase separation temperature or below to sufficiently conduct phase separation, followed by molding with a die, then subjecting plasma treatment to increase the surface energy.例文帳に追加

ポリエチレン微多孔膜は、原料を、押出機を利用して液−液相分離温度以上で熱力学的単一相を構成するように混合した後、押出機内部に相分離ゾーンを形成し、液−液相分離温度以下に調節して、相分離を十分誘導した後、ダイより成形し、表面エネルギーを高めるために、プラズマ処理が行われる。 - 特許庁

To provide a resist pattern peeling method, wherein a good via hole pattern of an interlayer film is formed, if a resist pattern is required to be reformed as exposure error, etc., in a lithographic process takes place, by preventing such failures as peeling off of a resist pattern caused by the infiltration of a wet etchant due to decomposing of an interlayer film under O2 plasma.例文帳に追加

リソグラフィー工程での露光ミスなどにより、再度レジストパターン形成を行う必要が生じた場合に、層間膜がＯ_2プラズマによって変質することによりウェットエッチング液がしみ込み、レジストパターンの剥がれが生じる等の不具合を防止し、良好な層間膜のビアホールパターンを形成することができるレジストパターン剥離方法の提供。 - 特許庁

This surface covered cemented carbide cutting tool is constituted by depositing the diamond type carbon coat having hydrogen contents:10 to 15 atomic %, hardness:25 to 35GPa, surface roughness (R):less than 30nm and average layer thickness:06 to 1.5μm in a magnetic field by plasma CVD on a surface of a cemented carbide base body constituted of tungsten carbide group cemented carbide.例文帳に追加

表面被覆超硬合金製切削工具が、炭化タングステン基超硬合金で構成された超硬基体の表面に、プラズマＣＶＤにて、水素含有量：１０〜１５原子％、硬さ：２５〜３５ＧＰａ、表面粗さ（Ｒ）：３０ｎｍ以下、平均層厚：０．６〜１．５μｍ、を有するダイヤモンド状炭素被膜を磁場中成膜してなる。 - 特許庁

In the method of forming a film on a substrate, using a plasma CVD apparatus having a low- and high-flow rate gas lines for introducing the same reactive gas into a chamber with a flow rate difference of at least 5 times, the gas from the low-flow rate gas line is introduced into the chamber, prior to the gas from the high-flow rate gas line.例文帳に追加

同一反応ガスを少なくとも５倍の流量差によりチャンバー内に導入する為の、小流量ガスラインと大流量ガスラインを有するプラズマＣＶＤ装置を用いて基板上に膜を形成する方法において、前記小流量ガスラインからのガスを前記大流量ガスラインからのガスより先に前記チャンバー内に導入する。 - 特許庁

The microwave plasma generating device is provided with an outer conductor 2, an inner conductor 3 placed in an inner space 4 of the outer conductor, and a cavity 1 which has a dual tube structure composed of an inner tube 5 and an outer tube 6 and has an adjustment means which adjusts a position of an axial direction of the inner tube in a discharging tube against the outer tube.例文帳に追加

外側導体２と、外側導体の内部空間４内に配置された内側導体３と、内管５及び外管６からなる二重管構造を有し、かつ外側及び内側導体を軸方向に貫通する放電管７と、放電管における内管の外管に対する軸方向の位置を調節する調節手段を有するキャビティ１を備える。 - 特許庁