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PLASMAを含む例文一覧と使い方

該当件数 : 28746



例文

To provide an X-ray generating apparatus attaining miniaturization and cost reduction of a laser device, and suppressing the occurrence of debris by reducing damages due to the thermal energy of an electrode by adopting an electron generating technology discharging electrons with the use of a photofield ionization phenomenon, without causing photoelectrons or a plasma to be generated.例文帳に追加

光電子やプラズマを発生させることなく光電界電離現象を利用し電子を放出させる電子発生技術を採用することにより、レーザー装置を小型化および低コスト化するとともに、電極の熱エネルギーによるダメージを軽減してデブリの発生を抑制することを可能にしたX線発生装置を提供する。 - 特許庁

The use of the plasma protein concentrate containing VWF having a high ratio of the high-molecular-weight multimers controls a hemorrhagic character and reduces loss of blood before, during and after operation in acquired Von Willebrand syndrome, preferably cardiovascular system disease, in surgical procedure, especially requiring extracorporeal circulation.例文帳に追加

高分子量多量体の割合が高いVWFを含有する血漿タンパク質濃縮物の使用は、出血性素質を抑制し、ならびに、外科的処置、特に体外循環、を必要としている、後天性フォン・ウィルブランド症候群、好ましくは心血管系疾患、における、手術前、手術中および手術後の失血を減少する。 - 特許庁

In this case, the plasma display panel on either the long or short side contains a granular material having a higher melting point than the sealing material 17.例文帳に追加

本発明のプラズマディスプレイパネルは、放電空間を挟んで対向する一対の基板の周辺部を封着材で封止すると共に、表示領域の放電空間の間隙寸法を規定する構造物を有するPDPであって、長辺側もしくは短辺側のどちらか一方のみに、前記封着材より融点が高い粒状物質を含有させたことを特徴とする。 - 特許庁

To effectively remove the matters adhered to the chamber of a semiconductor processor and composed of high dielectric constant oxides or effectively etches a high dielectric constant oxide film formed on a substrate, and suppresses the deterioration of components constituting a remote plasma generator.例文帳に追加

半導体処理装置のチャンバ内に付着した高誘電率酸化物からなる付着物をクリーニングする際、あるいは基板上に形成された高誘電率酸化膜をエッチングする際、付着物または高誘電率酸化膜を効率よく除去またはエッチングすることができるようにし、かつリモートプラズマ発生装置を構成する部材の劣化を抑えることができるようにする。 - 特許庁

例文

In the method for depositing a laminate film consisting of a silicon oxide film having an organic group on a film having metal layer or a metal oxide layer by the plasma CVD by using a reaction gas containing organosilicon compound and rare gas or nitrogen, the reaction gas contains reducing gas.例文帳に追加

金属もしくは金属酸化物層を有するフィルム上に、有機珪素化合物と希ガスあるいは窒素を含有する反応ガスを用いて、プラズマCVDにより、有機基を有する酸化珪素の膜からなる積層膜を形成する方法において、反応ガスが還元性ガスを有することを特徴とする積層膜を形成する方法。 - 特許庁


例文

The powder is manufactured by controlled sintering or light plasma densification of naturally agglomerated, or chemically derived zirconia composite powder that contains proper amounts of yttria (for example, <30% in total), scandia, dysprosia, ytterbia, or any of the oxides of lanthanoid or actinide, or any combination of the aforementioned oxides.例文帳に追加

この粉末は、適量(例えば、総量で30重量%未満)のイットリア、スカンジア、ジスプロシア、イッテルビア、又は、ランタノイドまたはアクチノイドの酸化物、又は、これらの酸化物のあらゆる組合せを含む、自然に凝集された又は化学的に生成されたジルコニア複合材粉末の制御された焼結、または、軽いプラズマ緻密化によって製造される。 - 特許庁

To provide a vacuum processing apparatus having a wafer support base adopting an electrostatic chuck system provided with a means for measuring the charged state of a wafer after plasma processing without causing defects in the process characteristics.例文帳に追加

従来の静電チャック方式のウェハ支持台上のウェハの帯電状態を測定する真空処理装置は電位センサを半導体ウェハの近傍に設置する構成であるため、電位センサ自身もエッチングされ、エッチングレート値や面内傾向特性に影響を与えると共に、このエッチングによってパーティクルを増加させる等のプロセス特性上の不具合が発生する。 - 特許庁

In a method for producing a magnesium chloride used as a catalyst, magnesium chloride is vaporized in a plasma torch to form vapor which is, in turn, quenched by using a liquid containing an electron donor to form a powder catalyst based on magnesium chloride wherein at least 80 wt.% of magnesium chloride is present as a hexagonal crystal phase.例文帳に追加

プラズマトーチ中で塩化マグネシウムを気化させ、電子供与体を含有する液体を用いて蒸気をクエンチングして塩化マグネシウムの少なくとも80重量%がその六方晶相として存在する塩化マグネシウムに基づく粉末触媒を生成させることを含む触媒において用いるための塩化マグネシウム粉末の製造法。 - 特許庁

The plasma display panel is characterized by that the reduction in luminance difference is achieved by at least one of changing distances between corresponding scan electrodes or corresponding sustain electrodes of corresponding scan/sustain electrode pairs in different areas of the panel or varying a gap between the scan and sustain electrodes of the scan/sustain electrode pair.例文帳に追加

輝度偏差のこのような減少はパネルのお互いに異なる領域で対応するスキャン/サステイン電極対の対応するスキャン電極または対応するサステイン電極の間の間隔を変化させて前記スキャン/サステイン電極対のスキャン及びサステイン電極の間のギャップを変化させること中で少なくとも一つによって達成される。 - 特許庁

例文

ELECTRIC DUST COLLECTOR WITH TWO POROUS METAL ELECTRODES SO DISPOSED AS TO SHUT OFF INFLOW AIR HAVING DISCHARGE WIRE WIRED THEREON FOR APPLYING CHARGE TO CENTERS OF TWO POROUS ELECTRODES, AND OIL MIST COLLECTOR EMITTING NEGATIVE ELECTRON DISCHARGED FROM DISCHARGE WIRES ONTO PLASMA AREA AND PROVIDED WITH OXIDIZATION DEODORIZING FUNCTION UTILIZING ACCELERATION OF DECOMPOSITION OF ACTIVE OXYGEN例文帳に追加

金属多孔質電極2枚を流入空気に対しさえぎるように配置し、また2枚の金属多孔質電極の中心に電荷を与える放電線を張り巡らした電気集塵装置と、放電線から放出する負の電子をプラズマ領域に照射し、活性酸素の分解促進を利用した酸化脱臭機能を設けたオイルミストコレクター。 - 特許庁

例文

The invention provides compositions, therapeutic combinations and methods including (a) at least one peroxisome proliferator-activated receptor activator, and (b) at least one substituted azetidinone or substituted β-lactam sterol absorption inhibitor which can be useful for treating vascular conditions, diabetes, obesity and lowering plasma levels of sterols.例文帳に追加

本発明は、以下を含有する組成物、治療併用および方法を提供し、これは、血管状態、糖尿病、肥満を治療し血漿ステロールレベルを低くするのに有用であり得る:(a)少なくとも1種のペルオキシソーム増殖因子活性化レセプター活性化剤;および(b)少なくとも1種の置換アゼチジノンまたは置換β−ラクタムステロール吸収阻害剤。 - 特許庁

As a substrate A is insulated against a susceptor 371 to which high-frequency electric power is applied and grounded to the ground E, an electric charge is not accumulated on the substrate A and plasma particles heading for the surface of the substrate A travel parallelly each other so as to form precisely a minute shape such as a diffractive structure.例文帳に追加

基材Aは、高周波電力が印加されるサセプタ371に対して絶縁されており、且つ基材AはグラウンドEに接地されているので、基材Aに電荷が蓄積されることなく、基材Aの表面に向かうプラズマ粒子は互いに平行状態に進み、例えば回折構造などの微細形状を精度良く形成できる。 - 特許庁

There is provided a method of etching a substrate to be processed whose at least surface layer is composed of gallium nitride by exciting a chlorine gas into a plasma state, including a step of etching the substrate to be processed by the plasm generated from the chlorine gas in the presence of a material containing aluminum nitride (AlN) that generates aluminum radicals and aluminum chloride radicals.例文帳に追加

本発明は、少なくとも表層が窒化ガリウムで構成された被処理基板を、塩素ガスをプラズマ状態に励起することによりエッチングする際に、前記塩化ガスから発生されたプラズマにより、アルミニウムラジカル及び塩化アルミニウムラジカルを発生する窒化アルミニウム(AlN)を含む物質を存在させた状態でエッチングすることを特徴とするドライエッチング方法である。 - 特許庁

The method for producing the hydrophilic cubic boron nitride film includes: a step of performing low pressure plasma etching under a hydrogen gas atmosphere while applying a substrate bias voltage to a film which is formed on a substrate whose entire component or main component is a metal or silicon, wherein the entire component or main component of the film is a cubic boron nitride (cBN) containing fluorine atoms.例文帳に追加

親水性立方晶窒化ホウ素膜の作製方法は、金属またはケイ素を全成分または主成分とする基板上に成膜されたフッ素原子を含有する立方晶窒化ホウ素(cBN)を全成分または主成分とする膜に対して、基板バイアス電圧を印加しながら水素ガス雰囲気下で低圧プラズマエッチングを行う工程を含む。 - 特許庁

To provide a vacuum processing apparatus provided with a transmission line for transmitting high frequency power of large power which is stably phase controlled for an electrode installed in a vacuum chamber, especially to carry out a film manufacturing process for a large area substrate using plasma, and to provide a high frequency power supplying method in the vacuum processing apparatus.例文帳に追加

本発明の目的は、特にプラズマを用いて大面積基板に対して製膜処理を行うために真空室内部に設置される電極に対して安定的に位相制御された大電力の高周波電力を伝送する伝送線路を備えた真空処理装置、真空処理装置における高周波電力供給方法を提供することである。 - 特許庁

To provide an oxide film removal method capable of removing an oxide film at a high speed by irradiating an oxide film formed on an object to be treated with hydrogen radical of larger than a required amount for separating oxygen atoms included in an oxide film, and eliminating damage to the object to be treated or the like by adjusting temperatures of plasma containing the hydrogen radical.例文帳に追加

被処理物に形成された酸化膜に対して、酸化膜中に含まれる酸素原子を分離させるために必要な量以上の水素ラジカルを照射して酸化膜を高速に除去するとともに、前記水素ラジカルを含むプラズマの温度を調整して被処理物等へダメージフリーな酸化膜除去方法を提供することを目的とする。 - 特許庁

The method of forming an element isolating structure comprises an etching process of cutting the trenches 5 in a semiconductor substrate for isolating an element, a surface treating process of making the semiconductor substrate undergo plasma processing, and an embedding process of embedding the insulating film 7 in the trenches 5.例文帳に追加

半導体基板に素子分離のためのトレンチ部5を形成するエッチング工程と、前記トレンチ部に絶縁膜7を埋め込む、埋め込み工程とを有する素子分離構造形成方法であって、前記埋め込み工程の前に、前記半導体基板をプラズマ処理する表面処理工程を設けたことを特徴とする素子分離構造形成方法。 - 特許庁

The apparatus also comprises a short circuit path 9 for connecting the graphite electrode plasma torch 2 to the furnace bottom electrode 6 and a switch 11 for opening and closing the short circuit path 9.例文帳に追加

溶融対象物たる廃棄物と接触した場合にも溶融処理の継続が可能な黒鉛電極式プラズマトーチ2を廃棄物の投入口4の近傍に配置する一方で、指向性の高いアークプラズマを発生する金属電極式プラズマトーチ3を溶融処理後の廃棄物の出湯口5の近傍に配置し、さらにこれらと対向する炉底電極6を設ける。 - 特許庁

The surface-modified ultrafine organic pigment particle can be produced by evaporating an organic pigment in a vacuum vessel containing a small amount of an inert gas introduced into the vessel, collecting the produced ultrafine particles of the organic pigment on a substrate and subjecting the organic pigment on the substrate to discharge plasma treatment in the presence of a reactive gas.例文帳に追加

該表面改質微粒子有機顔料は、少量の不活性ガスを導入した真空容器内で有機顔料を気化させることによって生成する超微粒子有機顔料を基板に捕集した後、前記基板上の超微粒子有機顔料に対して反応性ガスの存在下で放電プラズマ処理を実施することにより製造される。 - 特許庁

To provide a transparent conductive film forming method and a transparent conductive film capable of stably forming a high grade transparent conductive film, and superior in mass productivity and a cost aspect by using a coating method, without requiring heat treatment and a pressure reduction atmosphere, by irradiating plasma to an application film in the atmosphere.例文帳に追加

塗布膜に大気中にてプラズマを照射することにより、加熱処理や減圧雰囲気を必要とすることなく、高品位の透明導電膜を安定的に形成することができ、さらに、塗工法を用いたことにより量産性及びコスト面で優れている透明導電膜の形成方法及び透明導電膜を提供する。 - 特許庁

In a manufacturing process of this light emitting device, counter electrodes 112 are formed on upper layers of the organic function layer 113 and barrier ribs 105 by using an aluminum film formed by a deposition method, and thereafter compound layers 112x formed out of an aluminum oxide film are formed on the counter electrodes 112 by irradiating the counter electrodes 112 with oxygen plasma.例文帳に追加

発光装置の製造工程において、有機機能層113および隔壁105の上層に、蒸着法により成膜したアルミニウム膜を用いて対向電極112を形成した後、対向電極112に酸素プラズマを照射して対向電極112の表面にアルミニウム酸化膜からなる化合物層112xを形成する。 - 特許庁

Plasma-synthesized superfine titanium oxide particles having iron atoms and aluminum atoms regularly coordinated along the crystal lattice face are heated at 250°C for 30 min to form a lowly oxidized state by the absorption of oxygen to the atoms of the metal face such as Fe and Al atoms inserted in the crystal lattice and a silica film is formed by the above method.例文帳に追加

又、その他に鉄やアルミニウム原子が結晶格子面に沿って規則的に配位するプラズマ合成酸化チタン超微粒子であって該粒子を250℃で30分加熱して結晶格子中に挿入されたFeやAlなどの金属面の原子に酸素を吸収させ低次酸化状態を形成させ上記の方法によってシリカ膜を形成させた。 - 特許庁

The method for manufacturing a semiconductor device includes steps of: forming a first layer made of a material containing silicon on a substrate; forming a second layer containing metal and nitrogen on the first layer; and exposing the second layer to active species that is obtained from atmospheric plasma containing a reducing gas.例文帳に追加

基体の上に、シリコンを含有する材料からなる第1の層を形成する工程と、前記第1の層の上に、金属と窒素とを含有する第2の層を形成する工程と、前記第2の層を、還元性ガスを含有する雰囲気のプラズマから得られる活性種に晒す工程と、を備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide a regenerative method of a vacuum heat treatment furnace capable of inexpensively efficiently eliminating soot attached to an insulator and the like of a heater when an inner heat-type heating method is applied in performing heat treatment by heating a treated object to a prescribed temperature in vacuum, without complicating a constitution of the device when oxygen plasma is used.例文帳に追加

真空中で被熱処理物を所定温度に加熱して熱処理する際に、内熱式加熱方式を採用した場合に発生する加熱ヒータの碍子等への煤付着を、酸素プラズマを用いた場合の装置構成の複雑化を招くことなく、低コストで効率よく除去できる真空熱処理炉の再生方法を提供する。 - 特許庁

The method of fabricating a GeSbTe thin film includes: a first step of forming a GeSbTe thin film on a surface of a substrate by chemically reacting a first precursor including Ge, a second precursor including Sb, and a third precursor including Te in a reaction chamber; and a second step of processing the surface of the GeSbTe thin film with hydrogen plasma.例文帳に追加

反応チャンバ内でGeを含む第1前駆体、Sbを含む第2前駆体及びTeを含む第3前駆体間の化学反応により基板の表面にGeSbTe薄膜を形成する第1ステップ及び前記GeSbTe薄膜の表面を水素プラズマで表面処理する第2ステップを含むGeSbTe薄膜の製造方法である。 - 特許庁

To control generation of abnormal discharges caused by a convex and a concave of a susceptor surface, by covering the convex and the concave of the susceptor surface and prevent generation of particles by eliminating abnormal growth of reaction products generated on upper and lower electrodes, when a precoat is applied in a reactor, prior to the formation of a film on a semiconductor wafer by plasma CVD.例文帳に追加

プラズマCVDにより半導体ウエハに成膜を行うに先立って、リアクター内のプリコートを実施する際、サセプター表面の凹凸を被覆することによって、この凹凸に起因する異常放電の発生を抑え、上下電極に発生していた反応生成物の異常成長を無くしてパーティクルの発生を防止する。 - 特許庁

In this manufacturing method of an electrode substrate for a plasma display panel, a transparent conductive film formed on a surface of a transparent substrate 10 is irradiated with a laser beam L for eliminating the transparent conductive film to form many parallel and linear gaps 21, and the transparent conductive films remained between the parallel and linear gaps 21 are used as filament electrodes.例文帳に追加

透明基板10の表面に形成された透明導電膜にレーザ光Lを照射し、透明導電膜を消失させて多数の平行な直線状空隙21を形成し、この直線状空隙21の間に残った透明導電膜を線状電極とする、プラズマディスプレイパネルの電極基板を製造する方法である。 - 特許庁

A plasma display panel 1 is constituted so that a front glass substrate 2 and a rear glass substrate 14 are faced, a display cell formed between the glass substrates is discharged, and a phosphor 19 formed within the display cell is light emitted to conduct display, and in this constitution, the front glass substrate 2 is made of glass absorbing near infrared rays.例文帳に追加

前面ガラス基板2と背面ガラス基板14とを対向配置し、前記ガラス基板間に形成された表示セルを放電させ、表示セル内に形成された蛍光体19を発光させて表示を行なうプラズマディスプレイパネル1において、前記前面ガラス基板2が近赤外線を吸収するガラスであることを特徴とする。 - 特許庁

In ashing by oxygen plasmas for removing a resist which was used for a mask when forming the bottom electrode 19 of a ferroelectric capacitor formed in a semiconductor substrate 1 by using an Ru film, the inside pressure of the chamber 31 of a plasma processing apparatus is kept at 70 Pa or above and the temperature of the semiconductor substrate 1 is kept at 100°C or less.例文帳に追加

半導体基板1に形成された強誘電体キャパシタの下部電極19をRu膜により形成するに際に、マスクとして用いたレジストを除去するための酸素プラズマによるアッシングで、プラズマ処理装置のチャンバ31内の圧力は70Pa以上で、かつ、半導体基板1の温度は100℃以下に保持する。 - 特許庁

Furthermore, the carrying holding means 14 is composed of a lifting mechanism 15 of supporting the substrate in the delivering region 8, a holding 16 holding the substrate via a susceptor, a carrying mechanism 17 moving the holder 16 from the delivering region 8 to the other end part of the plasma treating chamber 2 and a flexible support raising and lowering the susceptor and holding the substrate.例文帳に追加

また、搬送保持手段14を、受渡領域8で基板1を支持するリフト機構15と、基板1をサセプタ21を介して保持するホルダ16と、ホルダ16を受渡領域8からプラズマ処理室2の他端部にかけて移動させる搬送機構17と、サセプタ21を昇降させて基板1を保持させるフレキシブルサポートとから構成する。 - 特許庁

To provide a method for separating a protein bonding substance (PBS) from a protein-containing liquid (A) containing a water soluble substance if existing such as, for example, a blood or a plasma by a special semipermeable membrane and a dialysis using a dialytic liquid (B) via a protein having an acceptor function to the PBS from the liquid (A).例文帳に追加

本発明は蛋白質−結合物質(PBS)、及び存在するならば水溶性物質を含有する蛋白質−含有液(A)、例えば血液又は血漿からそれら物質を特別の半透膜と、透析液(B)を使用する透析で、液(A)からのPBSに対して受容体機能を有する蛋白質により分離する方法に関する。 - 特許庁

This method for forming the thin film comprises controlling tracks of the positive ions and electrons in plasma, and controlling quantity and energy of each the incident positive ions and electrons onto a substrate by operating an electrode consisting of a conductor or a semiconductor to which a positive or negative electric field or a ground potential can be applied, or by operating a mechanism which uses a magnetic field, or the like.例文帳に追加

正または負の電場もしくは、アース電位をかけることができる導体または半導体からなる電極を操作する方法、あるいは、磁場を用いた機構を操作する方法等により、プラズマ中の正イオンおよび電子の軌道を制御し、基板に入射する正イオンおよび電子の、それぞれの量およびエネルギーを制御して成膜する。 - 特許庁

The photocatalytic reaction apparatus 10 is installed in a channel 12 of an object substance medium to be decomposed and comprises a photocatalyst module 20 composed of a ceramic substrate and a photocatalyst carried on the substrate; a plasma generation electrode part 19 provided with a positive and negative pole metal electrodes 21, 21 at least one of which is covered with a dielectric 22; and an electric power source part 18.例文帳に追加

光触媒反応装置10は、分解対象物質媒体の流路12中に設けられ、セラミックス基体に光触媒を担持した光触媒モジュール20と、少なくとも一方が誘電体22により覆われた正負極の金属電極21,21を具備するプラズマ発生電極部19と、電源部18とで構成される。 - 特許庁

The plasma CVD device to form a thin film on a substrate 2 comprises a reaction vessel 1, a grounding electrode 3 which is provided inside the reaction vessel 1 and provided with the substrate 2 thereon, and a counter electrode 4 which is provided inside the reaction vessel 1 and arranged opposite to the substrate 2, and a surface 4a of the counter electrode 4 is mirror finished.例文帳に追加

基板2上に薄膜を形成するためのプラズマCVD装置であって、反応容器1と、反応容器1の内部に設けられ基板2が配置される接地電極3と、反応容器1の内部に設けられ基板2と対向するように配置された対向電極4とを備え、対向電極4の表面4aは、鏡面仕上げにされている。 - 特許庁

In the plasma etching electrode plate wherein a fixing hole with a bottom for fixing an electrode plate 1 to an electrode supporting portion 2 is provided at a flat surface of the electrode plate 1, a fixing member 3 which has a cylindrical shape and has screws on the inner peripheral portion and the outer peripheral portion is fixed to the inner peripheral portion of the fixing hole by screwing.例文帳に追加

電極板1を電極支持部2に取付けるための有底の取付孔を電極板1の平面部に設けたプラズマエッチング電極板において、該取付孔の内周部に、円筒状であって内周部及び外周部にネジ部を有する固定部材3が螺合により固定されていることを特徴とするプラズマエッチング電極板。 - 特許庁

The plasma display panel has two substrates opposed with a plurality of barrier ribs 4 in between to form the discharge spaces 5, and a plurality of auxiliary barrier ribs 14 disposed between the barrier ribs 4 separately from the barrier ribs 4, wherein the auxiliary barrier ribs 14 have concaves 15 in portions opposed to the barrier ribs 4 in a sectional form parallel to the substrates.例文帳に追加

複数の隔壁4を挟み放電空間5を形成するように対向配置した2枚の基板と、隔壁4間に隔壁4とは分離して設けられた複数の補助隔壁14とを有し、補助隔壁14は、基板と平行な断面での形状において、隔壁4に対峙する部分に凹部15を有するとしたプラズマディスプレイパネルである。 - 特許庁

To solve the problem that the conventional secondary electron emission rate measuring instrument is in a large scale including a charged particle generation source; a sample holder, an incident current measuring instrument; a radiation electron current measuring instrument; and an apparatus for controlling them although the measurement of secondary electron emission rate is essential to the development of a plasma display or the like.例文帳に追加

二次電子放出率の測定はプラズマディスプレイの開発などに欠かせないが、従来の二次電子放出率測定装置は荷電粒子発生源、サンプルホルダー、入射電流測定装置、放出電子電流測定装置、及びそれらの制御用装置を含んだ大掛かりなものであり、購入、維持に多額の費用が必要である。 - 特許庁

To provide an ITO transparent conductive film suitably usable for various display devices, especially for a plasma display panel, by suppressing a rise of the resistance value of the ITO transparent conductive film when baking it, as to the ITO transparent conductive film and a substrate using the ITO transparent conductive film, and to provide the substrate using the ITO transparent conductive film.例文帳に追加

ITO透明導電膜および該ITO透明導電膜を用いる基板について、焼成時におけるITO透明導電膜の抵抗値の上昇を抑え、各種ディスプレイ装置、とくにプラズマディスプレイパネルに好適に用いることのできるITO透明導電膜および該ITO透明導電膜を用いるディスプレイ用基板を提供する。 - 特許庁

In a manufacturing process of an integrated waterproof connector in which the waterproof part is formed by insert molding using a covered wire connected with a terminal metal piece as an insert, the connector forming part of the covered wire is subjected to corona discharge or plasma discharge treatment, an adhesive is applied to the treated part and insert molding is made.例文帳に追加

端子金具が接続された被覆電線をインサートとしてインサート成形を行って防水コネクタ部を形成する一体型の防水コネクタの製造方法において、前記被覆電線のコネクタ形成部にコロナ放電処理あるいはプラズマ放電処理を行い、該処理部に接着剤を塗布した後にインサート成形を行う防水コネクタの製造方法。 - 特許庁

A grid 17 is interposed between a plasma and a substrate 15 when a passivation layer is formed on the substrate 15 by exposing the substrate 15 in a vacuum to a flow of particles which were generated by plasmaenhanced chemical vapor deposition, thereby reducing the flow of charged particles towards the substrate 15 while conserving the flow of neutral particles.例文帳に追加

プラズマ強化化学的気相成長のプラズマによって発生した粒子の流れに真空状態で基板15を曝露させることによって、基板15上に不活性化層を形成する際にプラズマと基板15との間に格子17が挿入され、これによって中性粒子の流れを保持しながら基板15に向かう帯電した粒子の流れを低減する。 - 特許庁

The length of an insulating plate 120 arranged at the upper stage part of the camber opposite to a lower electrode 126 where the processed object is positioned is made longer than the length of the lower electrode 126, and a limit film 122 extending from the insulating plate 120 is extended toward the lower electrode at an acute angle to the insulating plate 120 to converge the plasma.例文帳に追加

プラズマを集束させるために、工程処理対象が位置する下部電極126と対向しつつチャンバの上段部に配置される絶縁プレート120の長さを下部電極126の長さよりも長くし、絶縁プレート120から延びる限定膜122を絶縁プレート120と鋭角をなしつつ下部電極側に延びるように構成する。 - 特許庁

An antenna member having conductivity is arranged in a processing space 20a surrounded by a conductive material with the inside set at atmospheric pressure so that its length in the processing space is set to a predetermined length Lver and one end in the processing space is grounded to the conductive material; and microwaves are radiated into the processing space to generate plasma.例文帳に追加

導電体で囲まれるとともに内部が大気圧の処理空間20a内に、当該処理空間内における長さが所定長さLverとなるように、且つ処理空間内における一方の端が前記導電体に接地するように導電性を有するアンテナ部材を配置し、前記処理空間内にマイクロ波を照射してプラズマを生成する。 - 特許庁

The barrier rib forming composition for manufacturing a plasma display panel comprises 50 to 70 g of acrylic resin, 15 to 25 g of plasticizer, and 100 to 140 g of the mixed solvent that is a mixture of toluene and the second solvent capable of hydrogen bonding and having a high boiling point and a low vapor pressure, with respect to 500 g of ceramic powder.例文帳に追加

セラミック粉末500gを基準としてアクリル樹脂50乃至70g、可塑剤15乃至25g及び溶剤としてトルエンと、水素結合が可能である、高沸点、低蒸気圧の第2溶剤との混合物である混合溶剤100乃至140gを含んでなることを特徴とするプラズマディスプレイパネル製造用の隔壁形成用組成物。 - 特許庁

The game machine includes: plasma tubes 61-63 wherein gas is filled in transparent containers 61a-63a together with discharge electrodes 61b-63b, and electric discharge is performed between the discharge electrodes 61b-63b and the ground potential parts of the containers 61a-63a when applying voltage to the discharge electrodes 61b-73b.例文帳に追加

透明な容器61a〜63a内に放電電極61b〜63bと共に気体が封入され、この放電電極61b〜63bに電圧を印加したときに、放電電61b〜63b極と容器61a〜63aの接地電位部位との間で放電がなされるプラズマ管61〜63を備えることを特徴とする遊技機である。 - 特許庁

To provide a composition for separating serum or plasma which is uniformly mixed and efficiently produced, by preventing the non-uniform dispartion of a powdery substance like fine powder silica causing the flow or phase separation of the composition due to the lowering of the thixotropic properties thereof, and a method of manufacturing the same.例文帳に追加

血清または血漿分離用組成物のチクソトロピー性の低下による流れや相分離の原因となる、例えば、微粉末シリカのような粉体状物質の不均一分散を防ぎ、組成物が均一に混合され、かつ効率的な製造が可能な均一化された血清または血漿分離用組成物、及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

There is provided a method for producing silicon materials, including steps of: providing a multi-elemental water-soluble precursor solution containing at least one silicon precursor without substantially containing halogen; and applying a heat source selected from thermal plasma, flame spraying, a hot-wall reactor or a spray pyrolysis system with the silicon precursor to produce multi-elemental silicon materials.例文帳に追加

少なくとも1つのケイ素前駆体を含む、実質的にハロゲンを含まない、多元素系水溶性前駆体溶液を与えることと、このケイ素前駆体に熱プラズマ、火炎噴霧、ホットウォールリアクタまたは噴霧熱分解システムから選択される、熱源をあてて多元素系ケイ素材料を作成することとを含む、ケイ素材料を製造する方法。 - 特許庁

The plasma display panel is provided with a display electrode, a light shielding layer, and a dielectric layer covering these at least on one glass substrate, and a component expressed by R_20 (R is at least one kind selected from Li, Na, K, Rb, and Cs) is contained by two kinds or more in the glass component contained in the dielectric layer.例文帳に追加

本発明のプラズマディスプレイパネルは、少なくとも一方のガラス基板上に、表示電極と、遮光層と、これらを覆う誘電体層とを有し、前記誘電体層に含まれるガラス成分中にR_2O(RはLi、Na、K、RbおよびCsから選ばれる少なくとも1種)で表される成分を2種類以上含むことを特徴とする。 - 特許庁

To provide a production method for a barrier film by which in a step of vapor-depositing an inorganic oxide on a base material, the electrification of secondary electrodes to the barrier film is prevented while maintaining high efficiency of reaction between oxygen plasma and metal evaporated matter evaporated from a vapor deposition source etc., thereby damage to the barrier film can be prevented while maintaining high productive efficiency.例文帳に追加

基材に無機酸化物を蒸着する工程において、蒸着源より蒸発した金属蒸発物等と酸素プラズマとの高い反応効率を維持しつつバリア性フィルムへの2次電子の帯電を防止することにより、高い生産効率を維持しつつバリア性フィルムの損傷を防止することのできるバリア性フィルムの製造方法を提供する。 - 特許庁

An organic substance 117 is irradiated with an ultraviolet laser 123 generated from an oscillator 122, before the organic substance 117 attached to an object 119 to be treated is removed, reflected light 125 thereof is detected by a photodiode sensor 126, and the detected value is computed by an analyzer 127, to control the quantity of plasma which is generated by a control unit 116.例文帳に追加

被処理物119に付着した有機物117を除去する前に、発振器122から発生させた紫外レーザ123を有機物117に照射して、その反射光125をフォトダイオードセンサー126により検出し、その検出値を解析装置127により演算し、発生させるプラズマ量を制御装置116により制御する。 - 特許庁

例文

The analyzer also has a fluorescence condensing part 13 for condensing fluorescence 22 discharged from a position separated as long as a prescribed distance in an optical axis direction from the sample surface 16a in the fluorescence 22 generated from the plasma 21, and a means for determining an element content based on the wavelength of the fluorescence 22 condensed by the fluorescence condensing part 13 and on the intensity of the wavelength.例文帳に追加

プラズマ21から発生する蛍光22のうち試料表面16aから光軸方向に所定の距離だけ離れた位置から放出される蛍光22を集光する蛍光集光部13と、蛍光集光部13で集光した蛍光22の波長およびこの波長の強度に基づいて元素含有量を定量する手段と、を有する。 - 特許庁




  
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