「PLASMA」に関連した英語例文の一覧と使い方(558ページ目) - Weblio英語例文検索

A vacuum vessel 11, a plasma beam generator 13, a main hearth 30 as an anode with evaporating material Cu stored and arranged in the vessel 11 and an auxiliary anode 31 composed of an annular permanent magnet 35 and a coil 36 around the main heath are provided, and a Cu film is formed on a substrate 41 arranged oppositely to the main hearth.例文帳に追加

真空容器１１と、プラズマビーム発生器１３と、真空容器内に配置され、蒸発物質Ｃｕを収容している陽極としての主ハース３０と、該主ハースの周囲に環状の永久磁石３５とコイル３６とから成る補助陽極３１とを備え、前記主ハースに対向して配置した基板４１にＣｕ膜を成膜する。 - 特許庁

The method for producing the hydrogen separation membrane comprises the steps of: introducing a material gas obtained by vaporizing a liquid organic silicon compound and a reactive gas into a film deposition chamber; and applying an alternating voltage having asymmetric positive and negative electrical potentials between electrodes arranged in the film deposition chamber to generate plasma and produce the hydrogen separation membrane consisting of silicon compound ceramics on a substrate arranged in the film deposition chamber.例文帳に追加

成膜チェンバー内に液体有機ケイ素化合物を気化させた材料ガスおよび反応ガスを導入し、該チェンバー内に設けられた電極間に電位的に正負非対称の交番電圧を印加してプラズマを発生させ、該チェンバー内に設置された基材上にケイ素化合物セラミックスからなる水素分離膜を製造する方法。 - 特許庁

The step includes a step to pattern the organic insulating film 33, a step to apply plasma to the substrate including the organic insulating film 33, a step to form contact holes 26, 27 throughout the inorganic insulating film 32, a step to deposit the transparent conductive film on the interlayer insulating film, and a step to form the transparent electrodes 71, 72 by patterning the transparent conductive film.例文帳に追加

その工程は、有機絶縁膜３３をパターン形成する工程と、有機絶縁膜３３を含む基板にプラズマ処理を施す工程と、無機絶縁膜３２にコンタクトホール２６，２７を開口する工程と、層間絶縁膜上に透明導電膜を堆積する工程と、透明導電膜をパターニングして透明電極７１、７２を形成する工程とを含む。 - 特許庁

The silicon substrate is cleaning-processed so as to be capable of being surface reconstructed, then on the cleaning-processed silicon substrate, a dissociated nitrogen atom flux and an excited nitrogen molecule flux generated by RF (high frequency) high brightness (HB) discharge of an inductively coupled plasma system are irradiated to epitaxially grow an Si_3N_4 single crystal film by a surface interfacial reaction.例文帳に追加

シリコン基板を表面再構成可能に清浄化処理し、次いで、前記清浄化処理したシリコン基板上に、誘導結合プラズマ方式のＲＦ（高周波）高輝度（ＨＢ）放電により生成した解離窒素原子フラックスおよび励起窒素分子フラックスを照射して表面界面反応によりＳｉ_3Ｎ_4単結晶膜をエピタキシャル成長させること。 - 特許庁

This processor is equipped with a 1st filter 27 which is connected between a susceptor 21 and the ground and has variable impedance, a sensor 28 which detects an electric signal based upon the state of plasma produced in a processing chamber 11, and a control means 36 which controls the impedance of the 1st filter 27 according to the detection result outputted by the sensor 28.例文帳に追加

サセプタ２１と接地との間に接続されインピーダンスが変更自在な第１のフィルタ２７と、処理室１１内で生成されたプラズマＰの状態に基づく電気信号を検出するセンサ２８と、このセンサ２８から出力される検出結果により第１のフィルタ２７のインピーダンスを制御する制御手段３６とを備える。 - 特許庁

A protective layer 242 comprising at least one of magnesium oxide, aluminum oxide, and spinel is produced by a method selected from among a plasma CVD method, a sputtering method, and an ion plating method while applying a negative bias voltage to a front panel 20, and in a crystal structure of the protective layer 242, oxygen defectives (F-centers) where two free electrons are trapped are formed.例文帳に追加

負のバイアス電圧をフロントパネル２０に印加しつつ、プラズマＣＶＤ法、スパッタ法、イオンプレーティング法から選択した方法により酸化マグネシウム、酸化アルミニウム、スピネルのうち１種類以上よりなる保護層２４２を作製し、当該保護層２４２の結晶構造中に２個の自由電子がトラップされた酸素欠陥（Ｆ中心）を形成する。 - 特許庁

A ultraviolet ray sensor 17 which detects a plasma generating quantity in a ultraviolet ray zone and an infrared ray sensor 18 which detects the temperature of the laser weld zone 14 are provided in the laser beam irradiating side of the laser weld zone 14 in the vicinity of a section where two connecting terminal parts 10, 11 being an object to be electrically connected are welded by a YAG laser beam machine 12.例文帳に追加

電気的に接続する接続対象である２つの接続用端子部１０、１１をＹＡＧレーザ装置１２により溶接する部位の近傍に、レーザ溶接部１４のレーザ照射側に、プラズマ発生量を紫外領域で検出する紫外線センサ１７と、レーザ溶接部１４の温度を検出する赤外線センサ１８とが設けられている。 - 特許庁

The method of manufacturing the semiconductor apparatus includes steps of: (1) forming a polyimide-containing resin film on a wafer; (2) subjecting the resin film to plasma treatment using a reactive gas; (3) subjecting the resin film to heat treatment; and (4) sealing at least a part of the resin film with a sealing resin, the steps being performed in this order.例文帳に追加

少なくとも（１）ウエハ上にポリイミドを含有する樹脂膜を形成する工程、（２）前記樹脂膜に反応性ガスを用いたプラズマ処理をする工程、（３）前記樹脂膜に熱処理をする工程および（４）前記樹脂膜の少なくとも一部を封止樹脂で封止する工程をこの順に有する半導体装置の製造方法。 - 特許庁

In the plasma processor 100, a reaction chamber 101 is interconnected to an exhaust pump 124 by an exhaust line 132, also, the exhaust line is provided with a main exhaust valve 122 and a pressure control valve 123 in an order from an upstream side, and gas containing hydrocarbon is ionized in the reaction chamber 101 to form a film containing carbon on a filmed body.例文帳に追加

プラズマ処理装置１００は、反応室１０１と排気ポンプ１２４とが排気配管１３２により相互に接続されると共に、前記排気配管には上流側から順に主排気弁１２２と圧力制御弁１２３とが設けられ、前記反応室１０１内でハイドロカーボンを含むガスをプラズマ化し、被成膜体に対してカーボンを含む膜を形成する。 - 特許庁

Vapor deposition substance is evaporated and ionized by feeding high density plasma beams by the arc discharge toward a vapor deposition material mainly consisting of zinc oxide which is charged in a hearth disposed in a film deposition chamber as an anode, and the vapor-deposited substance is deposited on a surface of a substrate disposed facing the vapor deposition material to obtain a thin film.例文帳に追加

成膜室中に陽極として配置されたハースに装填された酸化亜鉛を主成分とする蒸着材料に向けてアーク放電による高密度プラズマビームを供給して蒸着物質を蒸発させてイオン化し、蒸着材料と対向して配置された基板の表面に蒸着物質を付着させて薄膜を得る。 - 特許庁

When a base material is arranged on the space between a pair of counter electrodes under the pressure approximate to the atmospheric pressure, and pulselike voltage whose voltage rising time is ≤100 μs and electric field strength is 1 to 100 kV/cm is applied between counter electrodes 3, 4 to execute discharge plasma treatment, applied voltage or pulse frequency is continuously changed during the treating time.例文帳に追加

大気圧近傍の圧力下で、一対の対向電極３、４間に基材が配置され、該対向電極３、４間に電圧立ち上がり時間が１００μｓ以下、電界強度が１〜１００ｋＶ／ｃｍのパルス状の電圧を印加して、放電プラズマ処理を行うに当たり、処理時間中に印加電圧又はパルス周波数を連続的に変化させる。 - 特許庁

In the plasma display provided with a heat-conductive sheet 2 having elasticity between a heat radiation plate 3 and a display panel 1 formed of glass such that the heat-conductive sheet 2 is nearly stuck to the heat radiation plate 3 and the display panel 1, when nearly sticking the display panel 1 and the heat-conductive sheet 2, it is performed under a decompressed atmosphere.例文帳に追加

ガラスで構成した表示パネル１と放熱板３との間に、弾力性を有する熱伝導性シート２を前記表示パネル１と前記放熱板３とに略密着するように設けたプラズマディスプレイにおいて、前記表示パネル１と前記熱伝導性シート２を略密着させる際、減圧雰囲気で行うことを特徴とする。 - 特許庁

The resin is a phenol resin or an epoxy resin, and the carbon material is exposed so that the upper face becomes an area ratio of 10 to 90% to the whole surface area of the upper face by at least one of blast process mechanical polishing processing, heating processing, plasma processing, and oxidant processing after forming the composition in a separator shape.例文帳に追加

また樹脂はフェノール樹脂またはエポキシ樹脂であり，上記の導電性樹脂組成物をセパレータ形状に成形した後，隔壁の上面を，ブラスト処理機械的研磨処理，加熱処理，プラズマ処理及び酸化剤処理の少なくとも１つにより隔壁上面の全表面積に対して10〜90％の面積比になるように炭素材料を露出させる。 - 特許庁

To provide a winding type vacuum film deposition apparatus capable of maintaining the consistent traveling of a deposition film and the performance of a product for a long time by effectively performing the bias assist of irradiation on a substrate surface by accelerating charged particles such as ions in plasma, and a manufacturing method of the deposition film using the apparatus.例文帳に追加

本発明は、プラズマ中のイオン等の荷電粒子の加速による基板表面に照射するバイアスアシストを効果的に行い、長時間に渡りフィルムの安定走行と製品の性能を維持することが可能な巻取真空成膜装置およびこれを用いた成膜フィルムの製造方法を提供することを目的としたものである。 - 特許庁

In the method of producing a semiconductor device having an insulating film formed in a low temperature condition using TMS, the insulating film is formed by a plasma CVD method at a substrate temperature of a room temperature-250°C using TMS as a gas of a material of the insulating film and nitrous oxide (N_2O) as an oxide gas.例文帳に追加

ＴＭＳを用いて低温条件下で成膜された絶縁膜を有する半導体装置の製法において、前記絶縁膜が、プラズマＣＶＤ法によって、絶縁膜の原料となるガスとしてＴＭＳと、酸化ガスとしてＮ_２Ｏとを用い、室温以上２５０℃以下の基板温度にて形成されることを特徴とする半導体装置の製法とする。 - 特許庁

Voltage is applied to a pair of targets 41a, 41b provided in a vacuum chamber 11 via an AC power source E at prescribed frequency in such a manner that polarity is changed, each target is alternately changed to an anode electrode and a cathode electrode, glow discharge is generated between the anode electrode and the cathode electrode to form a plasma atmosphere, and each target is subjected to sputtering.例文帳に追加

真空チャンバ１１内に設けた一対のターゲット４１ａ、４１ｂに、交流電源Ｅを介して所定の周波数で交互に極性をかえて電圧を印加し、各ターゲットをアノード電極、カソード電極に交互に切替え、アノード電極及びカソード電極間にグロー放電を生じさせてプラズマ雰囲気を形成して各ターゲットをスパッタリングする。 - 特許庁

The ignition system 101 includes an ignition plug 1 having a gap 29, a voltage applying part 31 and a power feeding part 41, and can generate spark discharge by applying a voltage from the voltage applying part 31 to the gap 29 and as well as can generate plasma by feeding electric power to the gap 29 by the power feeding part 41.例文帳に追加

点火システム１０１は、間隙２９を有する点火プラグ１と、電圧印加部３１と、電力投入部４１とを備え、電圧印加部３１から間隙２９に電圧を印加することで火花放電を発生させるとともに、電力投入部４１から間隙２９に電力を投入することでプラズマを生成可能である。 - 特許庁

The plasma display panel comprises a back substrate, multiple partition walls formed on the back substrate, a front substrate, a dielectric layer formed on the front substrate so as to have a groove having a predetermined depth along a region abutting the partition walls, and ground electrodes formed along the groove in the dielectric layer and formed so that both the ends of the respective electrodes are commonly coupled to each other.例文帳に追加

背面基板と、背面基板に形成される多数の隔壁と、前面基板と、隔壁と当接する領域に沿って所定の深さの溝を有するように前面基板に形成された誘電層と、誘電層の溝に沿って形成され、互いの両端がそれぞれ共通に連結されるように形成された接地用電極とを含む。 - 特許庁

A plasma display panel is composed of a first base plate 100 including barrier ribs 120, a second base plate 200 forming many discharging cells 110 facing the above first base plate 100, and a lens structure which is formed between the above base plate 100 and the second base plate 200 and is made to converge light emitted from the above discharging cells.例文帳に追加

隔壁１２０を含む第１基板１００と、前記第１基板１００と対向して多数の放電セル１１０を形成する第２基板２００と、前記第１基板１００と第２基板２００との間に形成され、前記放電セル１１０から発生した光を集束させるレンズ構造物３００と、を含んでプラズマディスプレイパネルを構成する。 - 特許庁

For example, a tool is mounted to one portion of quart products assembled to a heat-treating apparatus for heat-treating a substrate for forming a semiconductor device, quartz is melted into an etching liquid accumulated in the accumulation space of the tool, and metal contained in the etching liquid is analyzed, by using for example an indirectly coupled plasma-optical emission analyzer.例文帳に追加

例えば半導体装置を形成する基板に対して熱処理をする熱処理装置に組み込まれる石英製品の一部に治具を取り付けて当該治具の貯留空間に溜めたエッチング液に石英を溶かし込み、このエッチング液に含まれる金属を例えば誘導結合プラズマ質量分析装置を用いて分析する構成とする。 - 特許庁

The device is provided with: a measurement electrode 20 installed in the vicinity of the holder 6 and at a position where electrons in plasma 16 emitted from the generation device 14 reach; a D.C. bias power source 24 for applying a positive bias voltage Vb to the measurement electrode 20; and an ammeter 26 for measuring a current flowing through the measurement electrode 20.例文帳に追加

更に、ホルダ６の近傍であってプラズマ発生装置１４から放出されたプラズマ１６中の電子が到達する位置に設けられた測定電極２０と、測定電極２０に正のバイアス電圧Ｖ_Ｂを印加する直流のバイアス電源２４と、測定電極２０に流れる電流を計測する電流計２６とを備えている。 - 特許庁

To provide a method for forming via holes in a high-density circuit board, such as a printed board having a plurality of wiring layers, through a plasma treatment under the atmospheric pressure or near the atmospheric pressure, which enables dry processing and size reduction of a device, and facilitates formation of a metal film on the inner wall of each via hole.例文帳に追加

複数の配線層を有するプリント基板等の高密度回路基板のビアホール形成を、大気圧下もしくは大気圧近傍下におけるプラズマ処理法により行う、工程のドライ化、装置の小型化を可能とし、ビアホール内壁への金属膜形成を容易とする高密度回路基板におけるビアホール形成方法を提案する。 - 特許庁

To provide a plasma addressed liquid crystal display device which prevents colors in a monochromatic displaying from mixing due to cross talk so as to provide a display device with excellent color reproducibility and which does not deteriorate a liquid crystal material in the liquid crystal layer and an organic material of the alignment layer so as to have excellent display characteristics and a method for manufacturing a liquid crystal display panel.例文帳に追加

クロストークによる単色表示時の混色を防ぎ、色再現性の良好な表示装置を提供することができ、また、液晶層の液晶材料や配向膜の有機材料を劣化させること無く、良好な表示特性を有するプラズマアドレス型液晶表示装置及び液晶表示パネルの製造方法を提供する。 - 特許庁

Electric power is supplied to the chamber 5 almost simultaneously from a high frequency power supply 1 and the high frequency power supply 2, and when the plasma 18 is ignited, a controller device 12 controls either to reduce or to stop power supplied from the high frequency power supply 1 by detecting an increase of reflection wave electric power to the high frequency generating source 3 by a detector 10.例文帳に追加

チャンバー５への電力供給は高周波電源１と高周波電源２から略同時に行い、プラズマ１８が着火した際に高周波発生源３への反射波電力が大きくなることを検波器１０で検知して制御器１２は高周波電源１からの供給電力を低下または停止するように制御を行う。 - 特許庁

The display device formed by using a front plate formed with silver electrodes on the glass substrate formed by a floating method is arranged with a color correction filter 22 having light transmission characteristics making an additive complementary color relation with the spectral characteristics of the reflected light of the display surface on the display surface side of the front plate 1 of a PDP (Plasma Display Panel) panel 21.例文帳に追加

フロート法で形成されたガラス基板上に銀電極を形成した前面板を表示面側に用いた表示装置であって、ＰＤＰパネル２１の前面板１の表示面側に、表示面の反射光の分光特性に対して補色関係となる光透過特性を有する色補正フィルター２２を配置したものである。 - 特許庁

In the driving method of a plasma display panel, a display period of one field of an input image signal is constituted of a plurality of sub-fields comprising address processes and sustain processes to display gradations, and a prescribed rest period when a driving pulse is not applied is provided in the sustain process after the end of the address process in one sub-field.例文帳に追加

入力映像信号の１フィールドの表示期間を、アドレス行程とサスティン行程とからなる複数のサブフィールドで構成して階調表示を行うプラズマディスプレイパネルの駆動方法であり、１のサブフィールドにおけるアドレス行程終了後の前記サスティン行程において、駆動パルスが印加されない所定の休止期間を設けた。 - 特許庁

The micro amount of substance M in the gas A is collected by a collector 2, the collector 2 collecting the micro amount of substance M is heated in an inert gas to vaporize the collected micro amount of substance M, and a concentration of the micro amount of substance M is found by forming gas G generated by the vaporization into plasma, followed by an analysis.例文帳に追加

気体Ａに含まれる微量物質Ｍを捕集体２によって捕集し、微量物質Ｍを捕集した捕集体２を不活性ガス中で高温に加熱して捕集した微量物質Ｍを気化させ、この気化により生じた気体Ｇをプラズマ化した後分析することにより、前記微量物質Ｍの濃度を求めるようにした。 - 特許庁

A mixed gas 111 of SiH4 and NH3 is introduced in the low-pressure chamber while the lower part electrode 107 is applied with a high-frequency power so that the mixed gas 111 comes ionized, so a second insulating film 112 of a silicon nitride film is deposited on the insulating film 101 including above the copper silicide layer 110, under the plasma.例文帳に追加

低圧チャンバー内にＳｉＨ_4 とＮＨ_3 との混合ガス１１１を導入すると共に下部電極１０７に高周波電力を供給して、ＳｉＨ_4 とＮＨ_3 との混合ガス１１１をプラズマ化し、該プラズマにより銅シリサイド層１１０の上を含む絶縁膜１０１の上にシリコン窒化膜からなる第２の絶縁膜１１２を堆積する。 - 特許庁

To reduce adhesion of reaction products in a plasma generation part in a device for removal of hazards, to facilitate cleaning when the reaction products are adhered and to prevent the back flow to a treatment chamber of a material harmful to etching and deposition generated during decomposition of the gas to be treated when the device is provided in the treatment chamber of etching, deposition or the like.例文帳に追加

除害装置内のプラズマ生成部での反応生成物の付着を低減し、また反応生成物の付着が生じたときに容易にクリーニングすることができるとともに、エッチングや成膜等の処理チャンバに備え付けられた場合に被処理ガスの分解過程で生ずるエッチングや成膜に有害な物質の処理チャンバへの逆流を防止する。 - 特許庁

At the time of forming an inorganic film 15 on the organic material 12, the adhesive property between the organic thin film and the inorganic film is improved by forming an Si-containing layer 13, by treating the surface of the underlying organic film with an SiH_4 gas after the surface is treated with plasma, and successively forming an Si-containing surface reforming agent layer 14 on the layer 13.例文帳に追加

有機物１２上に無機膜１５を成膜する際に、下地有機膜表面をプラズマ処理したのち、ＳｉＨ_４ガスにて表面処理を行ってＳｉ含有層１３を形成し、引き続きその上にＳｉ含有表面改質剤層１４を形成することで、有機薄膜と無機膜との密着性を向上させる。 - 特許庁

An opening of a regulation part for regulating a vapor deposition region is biased toward an exit side of substrate carrying part to increase an oblique incident component of evaporated material incident on a substrate at the closing period of a thin film-forming process, by the above, crystallinity of the MgO thin film and electron emitting property is improved, and gas discharge responsiveness of a plasma display panel is heightened.例文帳に追加

蒸着領域を規制する規制部の開口を基板搬送の出口側に偏在させて、薄膜形成過程の終期において蒸発材料の基板への斜め入射成分を多くすることにより、保護膜としてＭｇＯ薄膜の結晶性を高めて電子放出性能を向上させ、プラズマディスプレイパネルのガス放電応答性を高める。 - 特許庁

In conducting a film-forming process on a wafer W by introducing a film-forming gas containing SiH4 gas, O2 gas and Ar gas into a process chamber 2 while plasma is generated in the process chamber 2, SiH4 gas is fed only from a top nozzle 20, and O2 gas and Ar gas are fed from the top nozzle 20 and from a side nozzle 24.例文帳に追加

処理チャンバ２内にプラズマを発生させた状態で、ＳｉＨ_4ガスとＯ_2ガスとＡｒガスとを含む成膜ガスを処理チャンバ２内に導入し、ウェハＷの成膜処理を行う場合、まず、ＳｉＨ_4ガスをトップノズル２０のみから供給すると共に、Ｏ_2ガス及びＡｒガスをトップノズル２０及びサイドノズル２４から供給する。 - 特許庁

The plasma processing apparatus 1 has a lower electrode 22 having the mounting surface 221 and the lower electrode is provided with a pin (projection) 61 capable of freely projecting from the mounting surface 221, the pin 61 moving into a projection state wherein its tip surface 611 projects from the mounting surface 221 or into a storage state wherein the tip surface 611 is matched in level with the mounting surface 221.例文帳に追加

プラズマ処理装置１は、載置面２２１を備える下部電極２２を有し、下部電極には、載置面２２１から出没自在なピン（突起）６１が設けられており、突起６１は、その先端面６１１が載置面２２１より突出した突出状態と、載置面２２１と一致した収容状態とに移動することを特徴とする。 - 特許庁

To obtain such an inorganic particle-containing resin composition and a transcribing film usable suitably for forming a pattern with a high dimensional accuracy and that is excellent in the storage stability and is preferably used for the formation of a panel material such as a dielectric layer in a plasma display panel, an electrode, a phosphor, a color filter, a partition wall and a black stripe (a matrix).例文帳に追加

寸法精度の高いパターンを形成するために好適に使用することが可能な、保存安定性に優れる、プラズマディスプレイパネルの誘電体層、電極、蛍光体、カラーフィルター、隔壁、ブラックストライプ（マトリクス）などのパネル材料の形成に好ましく用いられる無機粒子含有樹脂組成物および転写フィルムを提供すること。 - 特許庁

As a result, secondary electrons e^-, emitted from an electrode plate 62 by γ discharge are accelerated, in a direction which is opposite to that of the ions in the electric field of an upper ion sheath SH_U and passes through the plasma PR, and further traverses a lower ion sheath SH_L, and is injected into a resist pattern 100 on the surface of a semiconductor wafer W on a susceptor 12.例文帳に追加

そうすると、γ放電によって電極板６２より放出された２次電子ｅ^-は、上部イオンシースＳＨ_Uの電界でイオンとは逆方向に加速されてプラズマＰＲを通り抜け、さらに下部イオンシースＳＨ_Lを横断して、サセプタ１２上の半導体ウエハＷ表面のレジストパターン１００に所定の高エネルギーで打ち込まれる。 - 特許庁

An n-type GaN layer 103 is heated at a temperature above the boiling point of a chloride of an element contained in the n-type GaN layer 103, and then the surface of the n-type GaN layer 103 is processed, by making the radicals in the plasma come into contact with the surface of the n-type GaN layer 103 which touches a metal electrode 104.例文帳に追加

そして、ｎ型ＧａＮ層１０３を、このｎ型ＧａＮ層１０３に含まれる元素の塩化物の沸点以上の温度に加熱すると共に、上記プラズマ中のラジカルを、上記ｎ型ＧａＮ層１０３における金属電極１０４と接する表面に接触させて、このｎ型ＧａＮ層１０３の表面を加工する。 - 特許庁

When the metallic wiring layer 15 is constituted of copper, no copper nitrate is formed on the surface of the metallic wiring layer 15, and the metallic wiring layer 15 is not deteriorated even when air is infiltrated into space from which plasma is generated, so that a highly reliably electric apparatus can be obtained by connecting an electric component to the surface-processed wiring board 10.例文帳に追加

従って、金属配線層１５が銅で構成されている場合、プラズマを発生させる空間に大気が浸入したとしても、金属配線層１５の表面に硝酸銅が形成されることがなく、金属配線層１５が劣化しないので、表面処理後の配線板１０に電気部品を接続すれば、信頼性の高い電気装置が得られる。 - 特許庁

A plasma film forming apparatus 1a has a vacuum container 2 having an incident surface F of an electromagnetic wave, a first gas jetting port 42 provided in the vacuum container 2, and has a second gas jetting port 52 provided in the vacuum container 2 which is positioned further remotely from the incident surface F of the electromagnetic wave than the first gas jetting port 42 to form thereby an insulating film 101.例文帳に追加

電磁波入射面Ｆを有する真空容器２と、この真空容器２内に設けられた第１のガス噴出口４２、真空容器２内に、第１のガス噴出口４２より電磁波入射面Ｆから遠い位置に設けられた第２のガス噴出口５２を有するプラズマ成膜装置１ａにより絶縁膜１０１を形成する。 - 特許庁

The coating device and the coating method such that the device includes a coating unit for supplying a coating liquid through a slit nozzle on the surface of a substrate and a reduced pressure drying unit, having a reduced pressure drying device to dry the coating liquid applied on the substrate surface; and the reduced pressure drying device has an inlet part for fluorocarbon gas and a plasma discharge part.例文帳に追加

基板の表面にスリットノズルで塗布液を供給する塗布ユニットと、該基板の表面に塗布した塗布液を乾燥せしめる減圧乾燥装置を備える減圧乾燥ユニットと、を備える塗布装置において、減圧乾燥装置がフルオロカーボン系のガス導入部、プラズマ放電部を備えていることを特徴とする塗布装置および塗布方法を提供する。 - 特許庁

This is a thin film forming method in which discharge plasma is generated under the pressure in the vicinity of the atmospheric pressure in a gaseous atmosphere contg. a titanium compd. to form a titanium-contg. thin film, in which the time till the titanium compd. is clouded in the case ion exchange water of 1 mL is dropped to the titanium compd. of 10 mL is ≥1 sec.例文帳に追加

大気圧近傍の圧力下で、チタン化合物を含むガス雰囲気中で、放電プラズマを発生させ、酸化チタン含有薄膜を形成する薄膜形成方法であって、上記チタン化合物が、該チタン化合物１０ｍＬに対し、１ｍＬのイオン交換水を滴下したときのが白濁するまでの時間が１秒以上である。 - 特許庁

In the transparent conductive film formed by laminating an oligomer precipitation block layer on both sides of a transparent base film and then laminating a conductive thin film layer on any one side thereof, the oligomer precipitation block layer is a layer consisting of a carbon-containing silicon oxide deposition film deposited by plasma CVD.例文帳に追加

透明基材フィルムの両面にオリゴマー析出ブロック層を積層し、次いで、そのいずれか一方の面に導電性薄膜層を積層してなる透明導電性フィルムであって、該オリゴマー析出ブロック層は、プラズマＣＶＤ法によって蒸着された炭素含有酸化珪素蒸着膜からなる層であることを特徴とする透明導電性フィルムを提供する。 - 特許庁

The plasma display device includes a scanning electrode as well as a sustaining electrode, and a pulse control part impressing scanning pulse having a ramp-up wave to the scanning electrode, and impressing negative polarity pulse having the same size as sustaining pulse for sustaining discharge to the sustaining electrode for a setup period of a reset period.例文帳に追加

本発明によるプラズマディスプレイ装置は、スキャン電極及びサステイン電極と、リセット期間のセットアップ期間の間、前記スキャン電極にはランプアップ波形を有するスキャンパルスを印加し、前記サステイン電極にはサステイン放電のためのサステインパルスと同一の大きさを有する負極性パルスを印加するパルス制御部と、を含むことを特徴とする。 - 特許庁

In the method for analyzing the biological sample component in a trace amount of blood, an isotonic diluted buffer solution in which blood is placed and the internal standard substance contained in the isotonic diluted buffer solution are analyzed, dilution ratio is calculated and the biological component in the blood plasma or serum component in blood is analyzed.例文帳に追加

本発明は、微量の血液中の生体試料成分を分析する方法であって、前記血液を入れる等張希釈緩衝液と、該等張希釈緩衝液中に含まれる内部標準物質を分析し、希釈率を算出し、前記血液中の血漿又は血清成分中の生体成分を分析することを特徴とする。 - 特許庁

The invention provides a therapeutic vehicle used in tissue engineering, wherein the vehicle is used or applied in integration of a substrate for cell culturing obtained by plasma polymerization and keeps at least a cell reversibly adhered, and the surface is characterized by having at least 5% of an acidic functional groups.例文帳に追加

本発明はまた、組織工学で使用する治療的ビヒクルであって、このビヒクルはプラズマ重合によって得られる細胞培養表面に一体化、または適用され、それに対して少なくとも１つの細胞が可逆的に接着され得、該表面は少なくとも５％の酸性官能基を含むことで特徴付けられるビヒクルを提供する。 - 特許庁

To provide an X-ray generating apparatus attaining miniaturization and cost reduction of a laser device, and suppressing the occurrence of debris by reducing damages due to the thermal energy of an electrode by adopting an electron generating technology discharging electrons with the use of a photofield ionization phenomenon, without causing photoelectrons or a plasma to be generated.例文帳に追加

光電子やプラズマを発生させることなく光電界電離現象を利用し電子を放出させる電子発生技術を採用することにより、レーザー装置を小型化および低コスト化するとともに、電極の熱エネルギーによるダメージを軽減してデブリの発生を抑制することを可能にしたＸ線発生装置を提供する。 - 特許庁