PLASMAを含む例文一覧と使い方
該当件数 : 28745件
A test tank formed of a rectangular-parallelepiped or cylindrical light-transmissible glass is installed vertically; the pressure in the test tank is kept constant by an evacuation pump; and high frequency discharge is generated between electrodes facing on the outer wall of the test tank to generate plasma, and radicalized gas is generated, brought into contact with a sample, and then irradiated with a light.例文帳に追加
直方体または筒状の光透過性ガラスで形成された試験槽を垂直に設置し、真空排気ポンプで試験槽内の圧力を一定に保ち、試験槽の外壁に対向させた電極間に高周波放電を起こさせて、プラズマを発生させ、ラジカル化したガスを生成し、試料に接触させるとともに、光を照射する。 - 特許庁
An MC type explosive electric generator 20 amplifies a current to be supplied from a capacitor group 2, a first air-core transformer 30 stores the amplified current as electric energy, which passes through the plasma switch 40 to obtain a high voltage pulse, and a second air-core transformer 50 amplifies the high voltage pulse at a prescribed number of multiples.例文帳に追加
コンデンサ群10から供給される電流をMC型爆薬発電機20で増幅し、この増幅電流を電気エネルギーとして第1の空芯トランス30に蓄積し、この電気エネルギーをプラズマスイッチ40を通過させることで高電圧パルスとし、この高電圧パルスを第2の空芯トランス50によって更に所定倍数増幅する。 - 特許庁
After isolation grooves 4 are formed in the main surface of a semiconductor substrate 1S, an insulation film 6 having a thickness of not less than D+W/2, wherein D denotes the depths of the isolation grooves 4 and W denotes a minimum width of active regions surrounded by the isolation grooves 4, is deposited on the main surface by a high density plasma chemical vapor phase deposition method.例文帳に追加
半導体基板1Sの主面に分離溝4を形成した後、その主面上に、分離溝4の深さをD、その分離溝4により囲まれる活性領域の最小幅をWとした場合に、D+W/2またはそれ以上となるような厚さを持つ絶縁膜6を高密度プラズマ化学気相成長法により堆積する。 - 特許庁
A grid board assembly, which is for a plasma-ashing machine used for removing a photoresist as an integrated circuit and a micro electromechanical device are worked, is provided with an upper grid board and an lower grid board that is separated from the upper grid board with a variable gap in between, and each of these upper and lower grid boards has a chain of holes.例文帳に追加
集積回路及びマイクロ電気機械デバイスを加工する時のホトレジスト除去のために用いられるプラズマ灰化機械のためのグリッド板組立体において、上方グリッド板と、前記上方グリッド板から可変間隙により分離された下方グリッド板とを具え、然も、前記上方及び下方のグリッド板が一連の孔を有する、上記グリッド板組立体。 - 特許庁
This dielectric structure of a plasma display panel includes a lower dielectric layer covering an electrode, and an upper dielectric layer formed on the lower dielectric layer, and is characterized by that the lower dielectric layer and the upper dielectric layer are formed of glass; and the upper dielectric layer is formed of glass having a softening point in the range of 545-600°C.例文帳に追加
電極を被覆する下層誘電体層と、下層誘電体層上に形成される上層誘電体層とを有するプラズマディスプレイパネルの誘電体構造であって、下層誘電体層及び上層誘電体層がガラスからなり、且つ、上層誘電体層が、545〜600℃の軟化点を有するガラスからなることを特徴とする。 - 特許庁
The method for manufacturing a permanent magnet includes a step (a) for preparing material powder of a magnet, a step (b) to change the material powder into a gas by using a thermal plasma and to quench and condensate it to form a plurality of particulates, and a step (c) to manufacture a bulk of nano crystal magnet by molding the particulates 2.例文帳に追加
本発明の永久磁石の製造方法は、磁石の原料粉末を用意する工程(a)と、熱プラズマを用いて前記原料粉末を気相化した後、急冷によって凝縮させて複数の微粒子2を形成する工程(b)と、複数の微粒子2を成形することにより、バルク状のナノ結晶磁石を作製する工程(c)とを含む。 - 特許庁
To provide a combination useful for the prevention, delay of progression or treatment of conditions mediated by dipeptidylpeptidase-IV inhibitor (DPP-IV), particularly diabetes, further particularly type 2 diabetes, impairment of glucose tolerance (IGT), conditions of impaired fasting plasma glucose, metabolic acidosis, ketosis, arthritis, obesity and osteoporosis.例文帳に追加
ジペプチジルペプチダーゼ−IV阻害剤(DPP−IV)仲介状態、特に糖尿病、さらに特に2型糖尿病、耐糖能障害(IGT)、空腹時血糖値異常状態、代謝性アシドーシス、ケトーシス、関節炎、肥満および骨粗しょう症の予防、進行遅延または処置において有用な組合せ物を提供することが、本発明の課題である。 - 特許庁
The phosphor layer is formed in a concave part of the phosphor paste turned into the fine particles, and a plasma panel display having the phosphor layer with a uniform thickness is manufactured.例文帳に追加
少なくとも、蛍光体粉末を含む蛍光体ペーストをノズルの塗布液噴出口から吐出し、同時に気体を前記ノズルの気体噴出口から噴射して、前記蛍光体ペーストを微粒子化し、前記微粒子化された蛍光体ペーストにより、前記凹部内に蛍光体層を形成し、均一な厚さの蛍光体層を有するプラズマパネルディスプレイを製造する。 - 特許庁
A material mainly containing an organic Si compound R^1_xSi(OR^2)_4-x (where R^1 is a phenyl or a vinyl group, R^2 is an alkyl group, and x is an integer of 1-3.) is plasma polymerized or reacted with an oxidizer to form an organic-containing Si oxide interlayer insulation film.例文帳に追加
一般式:R^1_xSi(OR^2 )_4-x (但し、R^1 はフェニル基又はビニル基であり、R^2 はアルキル基であり、xは1〜3の整数である。)で表わされる有機シリコン化合物を主成分とする原料を、プラズマ重合反応させるか又は酸化剤と反応させることによって、有機含有シリコン酸化膜よりなる層間絶縁膜を形成する。 - 特許庁
The method for manufacturing the semiconductor element comprises the steps of introducing a material gas between the counterposed electrodes under the pressure which is close to the atmospheric pressure, in the case of forming the low permittivity interlayer insulating thin film in the element, applying a pulse-like electric field between the opposed electrodes to generate the glow discharge plasma in the material gas, and forming the thin film.例文帳に追加
半導体素子における低誘電率層間絶縁薄膜の形成において、大気圧近傍の圧力下で対向電極間に原料ガスを導入し、該対向電極間にパルス状の電界を印加することにより原料ガスをグロー放電プラズマ化させ、薄膜を形成することを特徴とする半導体素子の製造方法。 - 特許庁
To provide a method of forming a region where an ion temperature is raised efficiently to a nuclear fusion ignition temperature by a method other than a fast ignition method on imploded high-density plasma of a condition which is easier to attain, 100 g/cm^3 in density and about 1 million °C in temperature, in an inertial-confinement nuclear fusion device.例文帳に追加
本発明の課題は、慣性閉じ込め型核融合装置において、比較的条件達成の容易な密度100g/cm^3、温度100万度程度の爆縮された高密度プラズマに、高速点火方式とは異なった方法でイオン温度を効率的に核融合点火温度まで上昇させた領域を形成する方法を提供することにある。 - 特許庁
In a manufacturing method of a magnetic recording medium by which at least a magnetic layer, a protective film layer and a lubricant layer are sequentially stacked on a non-magnetic substrate, the manufacturing method of magnetic recording medium is adopted for carrying out surface treatment of the lubricant layer by using gas activated by plasma generated under pressure near the atmospheric pressure.例文帳に追加
非磁性基板上に少なくとも磁性層、保護膜層、潤滑剤層を順次積層する磁気記録媒体の製造方法において、大気圧近傍の圧力下で発生するプラズマによって活性化されたガスを用いて潤滑剤層を表面処理することを特徴とする磁気記録媒体の製造方法を採用する。 - 特許庁
At the time of thermal processing of a surface of a metallic material 7 by emitting infrared laser beam 4 on the surface, a high density plasma is made to generate in the vicinity of the surface as well as is made to absorb the infrared laser beam 4 by emitting KrF excimer laser pulse beam 10 on the surface of the metallic material 7 superposed with the infrared laser beam 4.例文帳に追加
金属材料表面(7)に赤外レーザビーム(4)を照射して、該表面を熱加工するに当り、KrFエキシマレーザパルスビーム(10)を上記赤外レーザビーム(4)に重畳させて金属材料表面(7)に照射し、該表面近傍に高密度プラズマを発生させると共に、そのプラズマに上記赤外レーザビーム(4)を吸収させる。 - 特許庁
To provide a coextrusion-laminated polyester film excellent in transparency which can suitably be used as a film substrate for the transparent conductive film of a touch panel preventing the occurrence of interference fringes even when contacted with another transparent member, the diffusion plate of a back light unit, a reflector, a prism sheet, the electromagnetic wave shielding film of a plasma display, or the like.例文帳に追加
他の透明部材と密着しても干渉縞が発生しない、例えばタッチパネルの透明導電性フィルム、バックライトユニットの拡散板、反射板やプリズムシート、さらにプラズマディスプレーの電磁波遮蔽性フィルムなどのフィルム基材として好適に使用することのできる、透明性に優れた共押出積層ポリエステルフィルムを提供する。 - 特許庁
The smear removing method comprises (a) a process of applying an ultraviolet laser beam to the insulating resin layer of a workpiece having an insulating resin layer coating a metal-made inner wiring layer for the formation of a via hole in the insulating resin layer, and (b) a process of removing smears residual on the via hole bottom floor by exposure to rare gas plasma.例文帳に追加
スミアの除去方法は、(a)金属からなる内層配線層を被覆する絶縁樹脂層を有する加工対象物の該絶縁樹脂層に紫外レーザを照射して前記絶縁樹脂層にビアホールを形成する工程と、(b)前記ビアホールの底面に残留するスミアを、希ガスのプラズマに晒して除去する工程とを有する。 - 特許庁
To provide a plasma discharge trueing device and fine machining method which can effectively remove the center drifting of a grinding wheel and run-out, perform highly accurate trueing without deformation of the grinding wheel itself, manage with a small capacity power supply facility and small output, make complex control circuits unnecessary and controllers and manufacture and rework consumables such as electrodes with ease.例文帳に追加
砥石の芯ズレや振れを効率よく除去することができ、砥石自体の変形がなく高精度のツルーイングができ、電源設備が小型,小出力で足り、複雑な制御回路や制御装置が不要であり、電極等消耗品の製作/再加工が容易であるプラズマ放電ツルーイング装置と微細加工方法を提供する。 - 特許庁
For manufacturing the electrophotographic photoreceptor, the cylindrical base body mainly consisting of the aluminum is machined, and then, coating film whose surface roughness Ra in the area of 10 μm X 10 μm is set to ≤2.5 nm is formed by cleaning with water incorporating silica salt, and the amorphous silicon layer is heaped by a plasma CVD method.例文帳に追加
電子写真用感光体の製造としてアルミニウムを主成分とする円筒状基体を切削加工し、その後、珪酸塩を含んだ水により洗浄をおこなうことで10μm×10μm範囲における表面粗さRaが2.5nm以下の範囲である被膜を形成し、その後、プラズマCVD法によりアモルファスシリコン層を堆積させる。 - 特許庁
The method for removing the photoresist and the postetched residue comprises the steps of (a.) disposing a substrate having the photoresist and the postetched residue on the substrate, (b.) forming a reactive chemical species by adding a plasma gas composition containing a CHF3 as its one component, and (c.) exposing a surface of the substrate in a reaction chamber with its reactive chemical species.例文帳に追加
a.フォトレジストおよびポスト・エッチ残留物をその上に有する基板を反応チャンバ中に配置し、 b.CHF_3をその一成分として含むプラズマガス組成物を添加することによって反応性化学種を形成し、 c.その反応性化学種に、反応チャンバ中の基板の表面を暴露して、フォトレジストおよびポスト・エッチ残留物を除去する 方法。 - 特許庁
A packaging laminate 1 is constituted by providing a barrier layer 4 comprising a vapor deposition membrane 3 of inorg. oxide by a plasma chemical vapor growth method on one surface of an unstretched polypropylene film 2 with a thickness of 15-50 μm and applying a substrate film to the surface of the barrier layer 4 through an adhesive layer 6 by dry lamination.例文帳に追加
厚さ15〜50μmの無延伸ポリプロピレンフィルムの一方の面に、プラズマ化学気相成長法による無機酸化物の蒸着薄膜からなるバリア層を設け、更に、該バリア層の面に、ラミネ−ト用接着剤層を介して、基材フィルムをドライラミネ−トした構成からなることを特徴とするスナック食品包装用積層体に関するものである。 - 特許庁
The plasma display panel is characterized in forming a dielectric layer of dielectric paste having at least dielectric glass fine particles and hollow fine particles, and prepared by mixing together at least dielectric glass slurry having dielectric glass particles dispersed in a solvent, and hollow fine particle glass slurry having hollow fine particles dispersed in a solvent.例文帳に追加
本発明のプラズマディスプレイパネルは、少なくとも誘電体ガラス微粒子と中空微粒子とを有し、少なくとも、溶媒中に誘電体ガラス粒子を分散した誘電体ガラススラリーと、溶媒中に中空微粒子を分散した中空微粒子ガラススラリーとを混合して形成した誘電体ペーストによって、誘電体層を形成したことを特徴とする。 - 特許庁
The plasma film forming apparatus heats the glass substrate by using a heating means provided with a heat source for heating the glass substrate; and a secondary radiation source that is interposed between the heat source and the glass substrate and made of a material of a type wherein a wavelength region of a light absorption spectrum has a region overlapped with the wavelength region of the light absorption spectrum of a silicon dioxide.例文帳に追加
プラズマ成膜装置において、前記ガラス基板を加熱するための熱源と、この熱源及びガラス基板の間に介在し、その光吸収スペクトルの波長領域が二酸化珪素の光透過スペクトルの波長領域に重なる領域をもつ材質からなる二次輻射源と、を備えた加熱手段により、ガラス基板を加熱する。 - 特許庁
The apparatus comprises: the chamber 10; an RF power supply 51, or a filter arrangement 67 that passes at least one of the plasma excitation frequencies while excluding other frequencies; and central top and bottom electrodes 14 and 13 and a peripheral top 42 and/or bottom electrode arrangement(s) 34 connected to a reference potential by the filter arrangement 67.例文帳に追加
装置は、チャンバ10、RFて電力供給51、またはプラズマ励起周波数のうちの少なくとも1つを他の周波数を除外して通過させるフィルタ構成67、それに依って、て基準電位に接続される中央の頂部電極14および底部電極13ならびに周辺の頂部42および/または底部電極34、を含む構成である。 - 特許庁
In the antireflection film having a base material, a bar code layer arranged on the surface of the base material and the laminated body consisting of laminated thin layers formed on the surface of the bar code layer, the laminated body is formed by laminating a thin layer formed by a plasma CVD method and a thin layer formed by a sputtering method or a deposition method.例文帳に追加
基材と、基材上に位置するハードコート層と、ハードコート層上に位置し、複数の薄層が積層されてなる積層体と、を有する反射防止フィルムにおいて、当該積層体を、プラズマCVD法により形成される薄層と、スパッタリング法または蒸着法により形成される薄層とを積層することにより形成する。 - 特許庁
Provided is a semiconductor device manufacturing method for manufacturing a gallium nitride-based semiconductor device which comprises: a first semiconductor layer formation process where a first semiconductor layer composed of a gallium nitride-based semiconductor is formed; and a recess part formation process where a recess part is formed by partially dry-etching the first semiconductor layer by means of a micro wave plasma process while using bromine-based gas.例文帳に追加
窒化ガリウム系半導体からなる第1の半導体層を形成する第1半導体層形成工程と、第1の半導体層の一部を、臭素系ガスを用いて、マイクロ波プラズマプロセスでドライエッチングして、リセス部を形成するリセス部形成工程と、を備え、窒化ガリウム系半導体装置を製造する半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
A laminate obtained by laminating a thermoplastic resin layer or a rubbery layer on a fluorine resin layer and its manufacturing method are characterized in that there exists a hydroxyl group of not less than 1.4% introduced by a reduced pressure plasma treatment and an oxygen-enriched air treatment on the surface of the fluorine resin layer to be bonded to the thermoplastic resin layer or the rubbery layer.例文帳に追加
フッ素樹脂層上に熱可塑性樹脂層もしくはゴム層が積層形成されている積層体およびその製法であって、熱可塑性樹脂層もしくはゴム層に対する上記フッ素樹脂層の接合表層部に、減圧プラズマ処理および富酸素化空気処理によって水酸基が1.4%以上の割合で存在している。 - 特許庁
A very small amount of a first gas containing fluorine atoms in molecules and having a function to remove a dopant and a second gas restraining the first gas from corroding the surface of a wafer as an object of processing are added to an oxygen gas for obtaining a reactive gas to use, and the above reactive gas is excited into high-density plasma to remove an ashing retardant resist film by ashing.例文帳に追加
酸素ガスに、分子中にフッ素を含有し、前記ドーパントを除去する作用を有する第1のガス微量加えるとともに、前記第1のガスの非処理体であるウェハ表面に対する腐食を抑制する第2のガスを加えたものを反応ガスとして用い、高密度プラズマを励起して難灰化性レジスト膜を灰化・除去する。 - 特許庁
The frequency adjustment method for the surface acoustic wave apparatus including a piezoelectric substrate 1 and an insulation film formed on the piezoelectric substrate 1 to cover interdigital electrodes 2 formed on the piezoelectric substrate applies plasma processing to the insulation film 3 to modify the surface of the insulation film 3 thereby changing the frequency.例文帳に追加
圧電基板1と、圧電基板上に形成されたくし型電極2を覆うように圧電基板1上に形成された絶縁膜とを有する弾性表面波装置の周波数調整に際し、絶縁膜3をプラズマ処理し、該絶縁膜3の表面を変質させることにより、周波数を変化させる、弾性表面波装置の周波数調整方法。 - 特許庁
To provide a processing method for carbon fiber affording sufficient surface activity that is free from problems relating to the reduction of mechanical strength of the processed carbon fiber, capable of continuously processing in good efficiency in an industrial scale in a vapor phase oxidation without requiring the use of ozone or plasma.例文帳に追加
オゾンやプラズマを使用する必要のない気相酸化法によって炭素繊維を処理する方法において、得られる炭素繊維の表面の活性化が十分であり、かつ得られる炭素繊維の機械的強度の低下の問題がなく、しかも効率の良い連続処理を工業的規模で行なうことが可能な処理方法を提供すること。 - 特許庁
This vanadium recovering device includes a kiln rotary furnace 5 producing material dust including vanadium tetroxide and vanadium trioxide by performing heat treatment on the incineration ash caused by combustion of petroleum fuel, further producing sulfur oxides from sulfate in the incineration ash A and discharging the same as exhaust gas, and a plasma torch 23 is used as a heat source of the kiln rotary furnace.例文帳に追加
石油系燃料の燃焼によって生じる焼却灰を加熱処理して四酸化バナジウム及び三酸化バナジウムを含む原料ダストを生成し、さらに、焼却灰A中の硫酸塩から硫黄酸化物を生成して排ガスとして排出するキルン回転炉5を備え、キルン回転炉の熱源としてプラズマトーチ23を用いる。 - 特許庁
When the plasma display having different electrode configurations of discharge cells neighboring in a column direction and a closed barrier rib configuration has an alignment error in first and second electrodes, different rising slopes or falling slopes of a sustain discharge pulse are applied to the first and the second electrodes during a sustain period of a subfield.例文帳に追加
列方向に隣接する放電セルの電極配列構造が異なり、閉鎖型隔壁構造を有するプラズマ表示パネルが、第1電極と第2電極に対するアライン誤差を有する場合に、サブフィールドの維持期間に第1電極と第2電極に印加される維持放電パルスの上昇傾斜または/及び下降傾斜を異ならせて印加する。 - 特許庁
A prescribed portion of a silicon nitride film formed on the conductive layer on a semiconductor substrate is exposed to fluorine radical generated from a gas containing NF3 introduced into a plasma to expose the prescribed portion of the conductive layer and then an upper conductive layer electrically connected to the exposed conductive layer is formed thereon.例文帳に追加
導電層の上にシリコン窒化膜を形成した半導体基板に対して、シリコン窒化膜の所定部分をプラズマ中に導入したNF_3を含むガスにより生成されたフッ素ラジカルに曝して導電層の所定部分を露出させ、引続いて、導電層の露出した部分の上にこれに電気的に接続する上層の導電層を形成する。 - 特許庁
The plasma display panel comprises a rear plate and a front plate which are arranged mutually opposed to each other and a discharge gas filled in the discharge space, here, the discharge gas is a three component mixed gas of neon gas, xenon gas, and krypton gas, with the ratio of krypton gas component being 14-44%.例文帳に追加
互いに対向配置されてそれらの間に放電空間を形成する背面基板および前面基板と、放電空間に充填される放電ガスとを含み、放電ガスはネオンガス、キセノンガスおよびクリプトンガスが混合された3成分混合ガスであり、クリプトンガス成分の比率は14〜44%であることを特徴とするプラズマディスプレイパネル。 - 特許庁
To provide a method for solidifying incineration ash which can decompose dioxin contained in the ash, reduce the concentration of harmful volatile substances (chlorine, NOx, SOx, mercury, etc.), prevent the elution of heavy metals (Cr6+, Pb, Cu, Zn, Cd, Hg), and separate/remove the heavy metals by applying discharge plasma sintering treatment to the ash while the ash is pressurized.例文帳に追加
焼却灰に加圧を行いながら放電プラズ焼結処理を施すことにより、灰中に含有されるダイオキシンの分解、有害揮発物質(塩素、NOx、SOx、水銀等)濃度の低減、及び重金属(Cr^6+、Pb、Cu、Zn、Cd、Hg)の溶出防止、分離除去が可能である焼却灰の固化処理方法。 - 特許庁
Partition walls comprising a resin composition are formed on a supporting substrate, ink repellency of the partition walls is enhanced through irradiation with plasma in an atmosphere of a fluorine-containing gas and water is brought into contact with the support substrate, to improve ink spreadability in each region surrounded by the partition walls and then ink is imparted to the region to form a pixel.例文帳に追加
支持基板上に樹脂組成物からなる隔壁を形成し、フッ素原子を含有するガス雰囲気下でプラズマ照射して上記隔壁の撥インク性を向上させ、次いで、当該支持基板に水を接触させることにより、隔壁で囲まれた領域内のインク拡がり性を向上させ、該領域にインクを付与して画素を形成する。 - 特許庁
This optical member is formed by applying plasma treatment to the surface of the inorganic film mainly comprising a metal oxide on a surface or the vicinity thereof to impart at least one of an aliphatic hydrocarbon group, an aromatic hydrocarbon group, a carboxyl group, a carbonyl group, an amide group, an amino group, an epoxy group and a fluoroalkyl group thereto before forming a polymer film on the inorganic film.例文帳に追加
支持体上の金属酸化物を主成分とする無機膜の表面または表面近傍に、プラズマ処理によって脂肪族炭化水素基、芳香族炭化水素基、カルボキシル基、カルボニル基、アミド基、アミノ基、エポキシ基、フルオロアルキル基の少なくとも一つを付与させた後、その上に重合膜を形成することを特徴とする光学部材の形成方法。 - 特許庁
The method having two independent successive steps is conducted; when blood is added to the first region of the element, the plasma is transferred to the second region of the element, and the blood cell components are substantially completely retained in the first region of the element.例文帳に追加
分離要素は、使用者が第1領域に血液を添加することができるように器具内に配置されており、血液が分離要素の第1領域に添加されると、血漿が分離要素の第2領域へ移送され、血球球成分は分離要素の第1領域に本質的に完全に保持される2つの独立した連続するステップの方法で実施される。 - 特許庁
The dielectric material for a plasma display panel comprises ZnO-B_2O_3-SiO_2 glass powder, wherein the glass powder comprises glass containing, by mol, 1 to <10% ZnO, 26-50% B_2O_3 and >42 to 52% SiO_2 but not substantially containing PbO.例文帳に追加
本発明のプラズマディスプレイパネル用誘電体材料は、ZnO−B_2O_3−SiO_2系ガラス粉末からなるプラズマディスプレイパネル用誘電体材料であって、該ガラス粉末が、実質的にPbOを含まず、モル百分率で、ZnO 1〜10%未満、B_2O_3 26〜50%、SiO_2 42超〜52%含有するガラスからなることを特徴とする。 - 特許庁
To produce electrically conductive ceramics of which electric conductivity can be changed over a wide range and having reduced unevenness in the electric conductivity and to produce electrically conductive ceramics each less liable to change in electric conductivity and stably usable even in a severe atmosphere, e.g. in a plasma environment or in a heated oxidizing atmosphere.例文帳に追加
電気伝導率を広範囲に亘って変化させることができ、かつ電気伝導率のばらつきが小さい導電性セラミックスおよびその製造方法、および、プラズマ環境下、加熱酸化雰囲気下等の過酷な雰囲気下においても電気伝導率の変化が小さく、安定して使用可能な導電性セラミックスおよびその製造方法を提供すること。 - 特許庁
A gaseous mixture of an organic silicon compound having aliphatically unsaturated radicals and comprising no oxygen in molecules (such as trimethyl vinyl silane) and aliphatically unsaturated hydrocarbon (such as ethylene or acetylene) is used as a reactive gas and is fed to the surface of a polylactic acid base material, and, by plasma CVD (Chemical Vapor Deposition), a vapor deposited film is deposited on the polylactic acid base material.例文帳に追加
脂肪族不飽和基を有し且つ分子中に酸素を有していない有機ケイ素化合物(例えばトリメチルビニルシラン)と、脂肪族不飽和炭化水素(例えばエチレン或いはアセチレン)との混合ガスを反応性ガスとして使用し、該反応性ガスをポリ乳酸基材上に供給してのプラズマCVDにより、ポリ乳酸基材上に蒸着膜を形成する。 - 特許庁
To provide a fluid treatment apparatus excellent in decomposition and separation treatment of a liquid, and purification, disinfection and sterilization effect despite a simple structure and low cost since a nano-bubble and a micro-bubble apparatus, an electrolysis and a conventional plasma treatment apparatus are insufficient in purification and disinfection of a high-concentration and hardly decomposable organic materials, and hazardous substances.例文帳に追加
ナノバブル・マイクロバブル装置、電気分解や従来のパルスプラズマ処理装置では高濃度・難分解有機物・有害物質の浄化・滅菌がまだ不充分であり、本発明は、構造が簡単で安価でありながら流体の分解・分離処理に優れ、浄化、滅菌、殺菌効果に優れた流体処理装置の提供を目的とする。 - 特許庁
The plasma display apparatus comprises a gray-level signal division part for dividing a gray-level signal inputted during one frame into a first gray-level signal and a second gray-level signal, a high pass filter part for filtering the first gray-level signal to a high frequency bandwidth and a low pass filter part for filtering the second gray-level signal to a low frequency bandwidth.例文帳に追加
本発明のプラズマ表示装置は一つフレームの間入力される階調信号が第1階調信号と第2階調信号で分割する階調信号分割部と、前記第1階調信号を高周波帯域にフィルタリングする高域通過フィルター部と、前記第2階調信号を低周波帯域にフィルタリングする低域通過フィルター部を含む。 - 特許庁
The repair treatment method for the water-repellent film having a ground surface layer includes (1) a process step of making a water-repellent function vanished by applying a plasma jet to the water-repellent film and (2) a process step of applying a water-repellent treating liquid to a region where the water-repellent function is made vanished by the process step described above.例文帳に追加
下地層を有する撥水性皮膜のリペア処理方法において、(1)前記撥水性皮膜にプラズマジェットを施すことにより、撥水機能を消失させる工程、(2)前記工程により撥水機能が消失させられた領域に、撥水処理液を塗布する工程、を含むことを特徴とする下地層を有する撥水性皮膜のリペア処理方法である。 - 特許庁
The sprayed coating on the inner circumferential surface of the cathode container for the sodium - sulfur battery is Cr-Fe alloy powder containing 65% or more Cr, containing 1.5% or less O_2 in metal powder, and is formed by plasma spraying in the atmosphere metal powder for spray coating which is crushed massive metal powder having a particle size of 75 μm or less.例文帳に追加
ナトリウム−硫黄電池用陽極容器の内周面の溶射皮膜はCrを65%以上含有するCr−Fe合金粉末であって、金属粉末中のO_2量が1.5%以下であり、かつ金属粉末が粒子径を75μm以下とする粉砕による塊状の粉末である溶射用金属粉末を大気中でプラズマ溶射により形成する。 - 特許庁
To provide a zinc oxide-based oxide sintered compact from which a film having a specific resistance lower than 3×10^-3 Ω×cm can be obtained by sputtering even in the case that the arrived vacuum degree in a vacuum vessel of a sputtering device before introducing argon gas and generating direct-current plasma does not reach 5×10^-5 Pa; and a sputtering target using the same.例文帳に追加
アルゴンガスを導入して直流プラズマを発生させる前のスパッタリング装置の真空容器内の到達真空度が5×10^-5Paにまで達しなくても、スパッタリングによって得られる膜の比抵抗を3×10^-3Ω・cmよりも小さくすることができる酸化亜鉛系酸化物焼結体およびそれを用いたスパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁
The plasma display panel is structured such that a back-side dielectric layer 11 is formed on the second glass substrate to cover the data electrodes; projecting parts 16 are formed on the back-side dielectric layer to overlap the data electrodes in a plan view; and the smallest distance between the projecting parts and the display electrodes is set smaller than that between the display electrodes and the back-side dielectric layer.例文帳に追加
第2のガラス基板には、データ電極を覆うように背面側誘電体層11が設けられ、背面側誘電体層上には、平面視で、データ電極と重なるように突起部16が設けられ、突起部と表示電極との最短距離は、表示電極と背面側誘電体層との最短距離よりも短くなるように構成される。 - 特許庁
(c) Among plasma melting furnaces or electron-beam melting furnaces with an output of 50 kilowatts or more that melt and cast metal in a vacuum or within non-volatile gases, those capable of melting metals at in excess of 1,200 degrees centigrade, and controllers or monitor equipment for the melting furnaces that utilize computers 例文帳に追加
ハ 出力が五〇キロワット以上のプラズマ若しくは電子ビームを用いた溶解炉であって、真空中若しくは不活性ガス中で金属を溶解して鋳造するもののうち、一、二〇〇度を超える温度で金属を溶解することができるもの又は電子計算機を用いた当該溶解炉用の制御装置若しくは監視装置 - 日本法令外国語訳データベースシステム
Next, a second semiconductor layer including a plurality of conical projections formed of an amorphous semiconductor and a microcrystal semiconductor formed in such a manner that the first semiconductor layer is partially grown as a seed crystal by generating plasma using a deposition gas containing silicon or germanium, hydrogen, and a gas containing nitrogen.例文帳に追加
次に、シリコンまたはゲルマニウムを含む堆積性気体と、水素と、窒素を含む気体とを用い、プラズマを発生させて、非晶質半導体と、第1の半導体層を種結晶として部分的に結晶成長させて、形成される微結晶半導体で形成される複数の錐形状の凸部を有する第2の半導体層を形成する。 - 特許庁
The diamond semiconductor of high quality is grown on a diamond substrate by microwave exciting plasma chemical phase synthesis and hydrogen terminal treatment is subsequently applied to the surface of the diamond semiconductor of high quality after growing to form a drain source electrode on the diamond substrate subjected to hydrogen termination treatment.例文帳に追加
ダイヤモンド基板上に、マイクロ波励起プラズマ化学気相合成により高品質ダイヤモンド半導体を成長させ、次に成長後の高品質ダイヤモンド半導体表面に水素終端処理を行い、さらに水素終端処理したダイヤモンド半導体上にドレイン・ソース用電極を作製することを特徴とするISFETからなるpHセンサーの製造方法。 - 特許庁
In the method for producing dissimilar metal-containing zinc sulfide in which plasma discharge is performed using two metal electrodes in molten sulfur, the metal electrodes are composed of a first electrode made of zinc and a second electrode obtained by coating the surface of a sulfidation corrosive metal with zinc.例文帳に追加
溶融硫黄中で2つの金属電極を用いてプラズマ放電する異種金属含有硫化亜鉛の製造方法であって、前記金属電極が、亜鉛からなる第一電極と、硫化腐食性金属の表面が亜鉛でコーティングされてなる第二電極であることを特徴とする異種金属含有硫化亜鉛の製造方法。 - 特許庁
The treating method includes a process of administering PAF-AH purified from human plasma, fragments thereof having an enzymatic activity or the pharmaceutical composition including them to mammals, wherein the mammals are or are doubted in the pathological state mediated through the PAF-AH, in an amount sufficient to supplement endogenous PAF-AH and to inactivate pathological amounts of PAF.例文帳に追加
ヒト血漿から精製されたPAF-AHまたは酵素活性を有するその断片あるいはこれらを含む医薬組成物を、PAF-AHが媒介する病理学的状態にあるか、またはその状態にあると疑われる哺乳動物内で内在性PAF-AHを補足し、病因となる量のPAFを不活性化せしめるに十分な量だけ投与する工程を含む治療方法。 - 特許庁
| ※この記事は「日本法令外国語訳データベースシステム」の2010年9月現在の情報を転載しております。 |
| Copyright © Japan Patent office. All Rights Reserved. |
|
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|
|
ログイン |
Weblio会員(無料)になると
|
