PLASMAを含む例文一覧と使い方
該当件数 : 28745件
To provide a method of forming a transparent conductive film which enables a transparent conductive film having a low resistance and a high visible light transmittance to be formed by irradiating a coating film with plasma in the atmosphere without requiring heat treatment or an evacuated atmosphere and is advantageous in mass productivity and cost because of the use of a coating method, and to provide the transparent conductive film.例文帳に追加
塗膜に大気中にてプラズマを照射することにより、加熱処理や減圧雰囲気を必要とすることなく、低抵抗かつ可視光透過率の高い透明導電膜を形成することができ、さらに、塗工法を用いたことにより量産性及びコスト面で優れている透明導電膜の形成方法及び透明導電膜を提供する。 - 特許庁
As a result, an ECR protective film using only the material gas for CVD film deposition or only the material gas for sputtering film deposition can be formed, and further, a protective film having properties intermediate between the properties of the ECR plasma enhanced CVD protective film and those of the ECR sputtering protective film can also be formed.例文帳に追加
そのため、CVD成膜用ガスまたはスパッタ成膜用ガスのみを用いたECR保護膜を成膜できるとともに、CVD成膜用ガスおよびスパッタ成膜用ガスの両方を供給してECR成膜を行うことにより、ECRプラズマCVD保護膜とECRスパッタ保護膜との中間的性質を有する保護膜を形成することもできる。 - 特許庁
Then, in a carbon nanotube forming process, a strong electric field is generated between the negative electrode 402 and the positive electrode 403 by an electric source 409 to cause a dielectric breakdown to bring about a plasma discharge, and thus, carbon nanotubes oriented along the direction of the electric field are produced on the substrate 404 arranged on the negative electrode 402.例文帳に追加
その後、カーボンナノチューブ形成工程で、電源409によって、陰極402と陽極403との間に強い電場を発生させて、絶縁破壊を生じさせることでプラズマを発生させるプラズマ放電を行って、陰極402の上に配置された基板404上に、電場の向きに沿った指向性のカーボンナノチューブを作製する。 - 特許庁
The method includes a step of surface-treating the surface of an ion conductive polymer film so as to obtain surface uniformity by using the plasma processing process, a step of adsorbing metal electrodes to both sides of the ion conductive polymer film, a step of reducing polymer metal composites to both sides of the ion conductive polymer film, and a step of forming a coating layer.例文帳に追加
プラズマ処理工程を利用してイオン伝導性高分子膜の表面が均一になるように表面処理する段階と、前記イオン伝導性高分子膜の両面に金属電極を吸着する段階と、前記イオン伝導性高分子膜の両面に高分子金属複合体を還元する段階と、コーティング層を形成する段階とを含む。 - 特許庁
The exhaust emission control device includes a first nitrogen oxide selectively reducing catalyst part, the plasma discharge part, a second nitrogen oxide selectively reducing catalyst part, and a reducer purification catalyst part, which are provided one after another from the upstream in the exhaust gas passage which allows flow of the combustion exhaust gas containing nitrogen oxide, hydrocarbons, and oxygen more than the theoretical reaction amount for the hydrocarbons.例文帳に追加
窒素酸化物、炭化水素およびこの炭化水素に対する理論反応量より多い酸素を含む燃焼排気ガスが流れる排気ガス流路に、上流から順に第1窒素酸化物選択還元触媒部、プラズマ放電部、第2窒素酸化物選択還元触媒部および還元剤浄化触媒部を備えたものである。 - 特許庁
In a back-side board 20 arranged facing a first board 10 on the display-side and constituting a plasma display panel 50 with the first board, data electrodes 22 are formed of a material having a higher sandblast resistance than that of a material for partition walls 24, thereby making it unnecessary to form a glazed layer on a glass board 21.例文帳に追加
表示側の第一基板10と対向して配置され、第一基板とともにプラズマディスプレイパネル50を構成する背面側の基板20において、データ電極24を、隔壁24をなす材料のサンドブラスト耐性よりも高いサンドブラスト耐性を有する材料で形成し、ガラス基板21上にグレーズ層を形成することを不要にする。 - 特許庁
Subsequently, a first recess 24 and a second recess 25 are formed in the plasma nitride film 23 to reach the second wiring 22 thus forming an electrode pad for 4 product composed of a region beneath the first recess 24 in the second wiring 22, and an electrode pad for test composed of a region beneath the second recess 25 in the second wiring 22.例文帳に追加
その後、プラズマ窒化膜23に、第1の凹部24及び第2の凹部25をそれぞれ第2の配線22に達するように形成し、それによって第2の配線22における第1の凹部24の下側領域よりなる製品用電極パッドと、第2の配線22における第2の凹部25の下側領域よりなるテスト用電極パッドとを形成する。 - 特許庁
The thin-film-forming apparatus for forming the thin film on the substrate by applying high-frequency voltage on facing electrodes to generate discharge plasma, thereby exciting a gas containing a thin-film-forming gas, and exposing the substrate to it, has a means for controlling oxygen concentration at least in a region which allows presence of the excited gas.例文帳に追加
高周波電圧を対向する電極間に印加することにより放電プラズマを発生させ、薄膜形成ガスを含有するガスを励起して基材を晒すことにより当該基材上に薄膜を形成する薄膜形成装置において、少なくとも前記励起ガスの存在領域での酸素濃度の制御手段を有する薄膜形成装置。 - 特許庁
Pretreatment using plasma of a reactive ion etching (RIE) mode is applied to at least one surface of a substrate consisting of an antistatic plastic material, and a vapor deposition layer with a thickness of 5-100 nm comprising a metal or an inorganic compound is provided on the treated surface of the substrate to constitute the vapor deposition film strong in adhesion having the antistatic capacity.例文帳に追加
帯電防止性を有するプラスチック材料からなる基材の少なくとも一方の面に、リアクティブイオンエッチング(RIE)モードのプラズマを利用した前処理を施し、その上に厚さ5〜100nmの金属もしくは無機化合物からなる蒸着層を設けることを特徴とする帯電防止性能を有する強密着蒸着フィルムである。 - 特許庁
In this method for forming the barrier of the plasma display panel, which includes a process to pattern a barrier material layer by a sand blasting process through a mask 13 for sand blast after forming the barrier material layer 12 on a base 11 and providing the mask 13 for sand blast on it, a material having conductivity is used for the mask 13 for sand blast.例文帳に追加
基板11上に障壁材料層12を形成し、その上にサンドブラスト用マスク13を設けた後、そのサンドブラスト用マスク13を介してのサンドブラスト加工により障壁材料層12をパターニングする工程を含むプラズマディスプレイパネルの障壁形成方法において、サンドブラスト用マスク13として導電性を有するものを用いる。 - 特許庁
This method includes a step for forming, on a specified material layer 21, a photoresist pattern which exposes the part where the ions are implanted, a step for ion-implanting impurity elements into the specified material layer 21 with the photoresist pattern as an ion implantation barrier, and a step for stripping the photoresist pattern by using plasma of a mixed gas containing at least a hydrocarbon-based gas.例文帳に追加
所定の物質層21上に、イオンを注入する部分を露出させたフォトレジストパターンを形成するステップと、フォトレジストパターンをイオン注入バリアとして、所定の物質層21に不純物元素をイオン注入するステップと、少なくとも炭化水素系ガスを含む混合ガスのプラズマを用いて、フォトレジストパターンをストリップするステップとを含む。 - 特許庁
The surface modifying apparatus 10 is provided with a guide 12 hanging to the film roll 2, a slider part 14 movable along the guide 12, a bracket part 16 connected to the slider part 14, a modifying apparatus body 18 modifying the surface of the film F by a plasma discharge mounted on the bracket part 16, and supporting leg part 20.例文帳に追加
この表面改質装置10は、フィルムロール2の側に向けて垂下される案内部12と、その案内部12に沿って移動可能なスライダ部14と、そのスライダ部14に連結されたブラケット部16とを備え、そのブラケット部16に、プラズマ放電でフィルムFの表面を改質可能な改質装置本体18と、支持脚部20とが装着されている。 - 特許庁
A first electrode 107, a second electrode 108, and a third electrode 106 are provided in a vacuum treatment chamber; a semiconductor wafer W is subjected to desired etching treatment; then a switch 116 connected to the second electrode 108 is turned off; prescribed high-frequency power is applied to the first electrode 107; and plasma is generated in a vacuum vessel 101.例文帳に追加
真空処理室内に第1電極107と第2電極108と第3電極106を備え、半導体ウエハWを所望のエッチング処理を行った後、第2電極108に接続してあるスイッチ116を切断し、所定の高周波電力を第1電極107に印加され、真空容器101内にプラズマを発生させる。 - 特許庁
The flat face light source has a sealed container 1 having a flat discharge space 80 having translucency, a discharge gas encapsulated into the sealed container 1, at least one pair of discharge electrodes 40 and 41 which are installed in the sealed container 1 and covered by an insulating layer, and the plasma igniter 70 constituted of an electrode covered by the insulating layer.例文帳に追加
透光性を有する扁平状の放電空間80を有する密閉容器1と、該密閉容器に封入された放電気体と、該密閉容器1内に設けられ絶縁層で覆われた少なくとも一対の放電電極40及び41と、絶縁層で覆われた電極で構成されるプラズマイグナイタ70とを有することを特徴とする平面光源。 - 特許庁
In the process A, a film-forming material is supplied (202) to allow inorganic starting gas to attach to the substrate being unreacted during the heating of the substrate up to a film-forming temperature, and an oxygen radical is supplied to the substrate for performing (203) RPO (remote plasma oxidation) treatment to form the first film layer thereon.例文帳に追加
第1薄膜層形成工程Aは、基板温度を成膜温度まで昇温させる基板昇温加熱の途中で、有機原料ガスを基板上に未反応のまま付着させる成膜原料供給を行なった後(202)、酸素ラジカルを基板上に供給して第1の薄膜層を形成するRPO(リモートプラズマ酸化)処理を行なう(203)。 - 特許庁
The manufacturing method of the plasma display comprises a process of forming partition walls on a substrate 10, a process of forming liquid-repellent layers 16 by giving the surface of the substrate 10 and the partition walls 14 a liquid-repelling treatment, and a process of forming address electrodes of a given pattern by applying liquid matter including conductive particles on the substrate 10 by an inkjet.例文帳に追加
プラズマディスプレイの製造方法は、基板10上に隔壁14を形成する工程と、基板10および隔壁14の表面を撥液処理して撥液層16を形成する工程と、導電性粒子を含む液状体を基板10上にインクジェットによって付与し、所定パターンのアドレス電極を形成する工程と、を有する。 - 特許庁
This optical filter 1 for a plasma display panel(PDP) includes a transparent base material 7; an electromagnetic wave shielding layer 4 provided on the PDP 2 side of the transparent base material 7; and a metal frame 5, surrounding and holding the transparent base material 7 and the electromagnetic wave shielding layer 4 from the outside and including a ground part 5a provided on the front side.例文帳に追加
本発明によるプラズマディスプレイパネル(PDP)用光学フィルタ1は、透明基材7と、透明基材7のPDP2側に設けられた電磁波シールド層4と、透明基材7と、電磁波シールド層4とを外方から囲んで保持するとともに、前面側に設けられた接地部5aを有する金属フレーム5とを備えている。 - 特許庁
To provide the metal wiring formation method of a semiconductor device that can prevent deterioration in the electric characteristics of copper wiring due to the high specific resistance of a chemical reinforcing agent by eliminating the layer of the chemical reinforcing agent floating on the surface of copper by plasma treatment after copper deposition although the layer of the chemical reinforcing agent is used for increasing the deposition speed of copper.例文帳に追加
化学的強化剤層を用いて銅の蒸着速度を増加させるが、銅蒸着後、銅の表面に浮び上がった化学的強化剤層をプラズマ処理で除去することにより、化学的強化剤の高い比抵抗による銅配線の電気的特性低下を防止することができる半導体素子の金属配線形成方法を提供する。 - 特許庁
The intensity distribution of the soft X-ray generated from the plasma 5 becomes nearly symmetric with respect to the optical axis of the pulse laser light 3 and the light axis agrees with the symmetry axis of the multilayer film paraboloid-of-revolution mirror 6 so that the parallel flux 7 formed after reflecting the multilayers film paraboloid-of-revolution mirror 6 has nearly axisymmetric intensity distribution.例文帳に追加
プラズマ5から発する軟X線の強度分布は照射したパルスレーザー光3の光軸に対してほぼ対称となり、この光軸は多層膜回転放物面鏡6の対称軸と一致しているので、多層膜回転放物面鏡6で反射した後に形成される平行光束7も、ほぼ軸対称の強度分布を持つ。 - 特許庁
A group III nitride semiconductor 6 is processed by bringing the surface of the group III nitride semiconductor 6 fixed to the substrate stage 4 via a first substrate holder 11 into contact with the region, where the distribution of the amount of surface processing is gently distributed in all the regions of the plasma 10 between the cylindrical rotating electrode 2 and the substrate stage 4.例文帳に追加
上記円筒型回転電極2と基板ステージ4との間に生成されたプラズマ10の全領域のうちの表面加工量の分布がなだらかな領域を、第1基板ホルダー11を介して基板ステージ4に固定されたIII族窒化物半導体6の表面と接触させることによってIII族窒化物半導体6の表面を加工する。 - 特許庁
The surface of a flat homoepitaxial diamond film of low surface level density grown on a diamond (111) single-crystal substrate by a vapor-phase growing method using carbon hydride is terminated with oxygen atoms by boiling and washing processing using mixed acid, processing using oxygen plasma, or atmospheric annealing to obtain p-type surface conductive oxygen-terminated (111) diamond.例文帳に追加
ダイヤモンド(111)単結晶基板上に炭化水素による気相成長法で成長させた平坦かつ低表面準位密度のホモエピタキシャルダイヤモンド膜の表面を、混酸による沸騰洗浄処理または酸素プラズマによる処理または大気中アニールにより酸素原子で終端し、p型表面伝導性酸素終端(111)ダイヤモンドとした。 - 特許庁
To achieve high-definition image display by reducing the size of a single pixel without reducing the diameter of an arc tube in a plasma tube array in which a plurality of arc tubes each having a phosphor layer inside are arranged and discharge is generated inside the plurality of arc tubes to obtain light emission of the phosphor layers inside the arc tubes so as to display an image.例文帳に追加
本発明は、内部に蛍光体層を有する複数の発光管を並べておき、それら複数の発光管内部で放電を生じさせてその発光管内部の蛍光体層を発光させることにより画像を表示するプラズマチューブアレイに関し、発光管を小径化することなく1ピクセルの寸法を低減し高精細な画像表示を実現する。 - 特許庁
A hydrogen barrier layer 32, wherein a capacitor 14 provided with an upper part electrode 28 comprising an electrostatic capacity film 26 of a PZT film and a laminated metal film of IrO2 film/Ir film is coated so that a hydrogen is prevented from approaching the capacitor 14 for contact, is an SiON film of thickness 600 Å which is film-formed by a plasma CVD method.例文帳に追加
PZT膜からなる静電容量膜26及びIrO_2 膜/Ir膜の積層金属膜からなる上部電極28を有するキャパシタ14を被覆して、水素がキャパシタ14に近接し、接触するのを防止する水素バリヤ層32が、プラズマCVD法で成膜した、膜厚600ÅのSiON膜である。 - 特許庁
The method comprises: condensing and irradiating pulse laser beams from beneath of a solution with an objective lens 5 of a microscope, thereby generating plasma emission at the upper portion of the solution surface; and condensing the emission spectrum with an objective lens 9 at the upper portion of the solution and measuring it with a spectrometer 12, thereby analyzing a metallic element contained in the solution.例文帳に追加
顕微鏡を使用して溶液の下からパルスレーザー光線を対物レンズ5で集光して照射ことより、溶液表面上部でプラズマ発光が発生する、その発光スペクトルを溶液上部の対物レンズ9で集光して分光装置12で測定して、溶液に含まれる金属元素を分析することを特徴とする。 - 特許庁
To provide a manufacturing method for a plasma display panel sufficiently reducing the number of process in the formation of a partition wall, having superior production efficiency, and capable of forming highly accurate partition wall compared with the conventional manufacturing method and to provide a transfer film for forming the partition wall suitably used for a new formation process of the partition wall.例文帳に追加
従来の製造方法に比べて、隔壁形成における工程数が実質的に少なく、製造効率に優れ、寸法精度の高い隔壁を形成することができるプラズマディスプレイパネルの製造方法、および、新規な隔壁の形成工程に好適に使用することのできる隔壁形成用転写フィルムを提供すること。 - 特許庁
In the ON period of display driving of a plasma display panel display device, refresh driving periods 4 in which the refresh of a discharge characteristic of all cells constituting a display panel is performed, are freely placed, in its refresh driving state, display of a picture is performed discharging the all cells of the display panel for a fixed period to perform the refresh.例文帳に追加
プラズマディスプレイパネル表示装置における表示駆動のON期間2において、表示パネルを構成する全セルの放電特性のリフレッシュが行われるリフレッシュ駆動期間4を自在に介在させ、そのリフレッシュ駆動状態で、前記表示パネルの前記全セルを一定期間内に集中的に放電しながら画像表示を行い前記リフレッシュを行う。 - 特許庁
A phosphor layer of this plasma display panel is formed by attaching at least one of metal oxide fine particles containing at least one of Al, Zn, In, Ga, Ge, and Bi and diamond fine particles as modifying material for improving luminance on a surface of a phosphor particle or by mixing with the phosphor particle in a matrix of the phosphor layer.例文帳に追加
Al,Zn,In,Ga,GeおよびBiの少なくとも一種を含む金属酸化物微粒子、およびダイヤモンド微粒子から選ばれる少なくとも一つを輝度改善修飾材料として蛍光体粒子の表面に付着させるか、もしくは蛍光体層のマトリックス中に蛍光体粒子と共に混在させて、プラズマディスプレイパネルの蛍光体層を構成する。 - 特許庁
To provide a method of manufacturing, without energy cost, a water-resistant laminate which consists of a resin substrate film and a metal foil laminated firmly through an adhesive layer and is used as a transparent electroconductive film e.g. a film for shielding electromagnetic waves employed in plasma displays, an antenna film for noncontact IC cards, etc.例文帳に追加
樹脂基材フィルムと、金属箔とが接着層を介してしっかりと積層され、プラズマディスプレイの電磁波シールド用フィルム等の透明導電性フィルムおよび非接触ICカード用アンテナフィルムなどに用いる積層体をエネルギーコストをかけずに製造することができるとともに、耐水性を備えた積層体の製造方法を提供する。 - 特許庁
This substrate with the light shielding membrane for a plasma display has the substrate and the shielding membrane at least at a part of at least one side of the substrate, and a resin layer containing metal particulates included by the light shielding membrane, and an OD per thickness of 1 μm at 555 nm of the light shielding membrane being from 3 to 20.例文帳に追加
基板と、該基板の少なくとも一方の側の、少なくとも一部に遮光膜を有す、プラズマディスプレイ用遮光膜付基板であって、該遮光膜が、金属微粒子を含有する樹脂層を含み、該遮光膜の555nmにおける厚さ1μmあたりのODが3から20であることを特徴とするプラズマディスプレイ用遮光膜付基板。 - 特許庁
Moreover, in the manufacturing method, magnetron plasmas having ≥400 G magnetic field intensity and each having a closed loop are generated on the surface of the target located on the surface of the cathode by using the two magnetron magnetic circuits arranged on the back side of the cathode of equipotential, and sputtering voltage at the magnetron-plasma generation is made to ≤350 V.例文帳に追加
また、本発明の製造方法においては、同電位のカソード背面に配置した2つのマグネトロン磁気回路を用いて、カソード表面に設置されたターゲット表面に400G以上の磁場強度をもつそれぞれ閉じたループを有するマグネトロンプラズマを発生させ、マグネトロンプラズマを発生させた時のスパッタ電圧が350V以下となるように構成される。 - 特許庁
To provide a method for manufacturing a functional film, which can develop a target gas barrier performance according to a film thickness and also stably form a gas barrier film excellent in temporal stability when forming an inorganic film by a plasma chemical vapor deposition (CVD) while conveying a long substrate having a surface formed of an organic material in a longitudinal direction.例文帳に追加
有機材料からなる表面を有する長尺な基板を長手方向に搬送しつつ、プラズマCVDによって、無機膜を成膜する際に、膜厚に応じた、目的とするガスバリア性能を発現でき、しかも経時安定性にも優れるガスバリア膜を、安定して形成することを可能にする機能性フィルムの製造方法を提供する。 - 特許庁
This VOC eliminating device includes an adsorption discharge part 20 having an adsorbent 15, a discharge electrode 16 and a high-voltage power supply 17, and configured to adsorb VOC in the air to be treated with the adsorbent 15 and decompose the adsorbed VOC with discharge plasma, wherein a dehumidifying element (a dehumidifier) 21 is provided on the upstream of the adsorption discharge part 20.例文帳に追加
VOC除去装置は、吸着剤15、放電電極16及び高電圧電源17を有し、被処理空気中のVOCを吸着剤15で吸着するとともに、吸着したVOCを放電プラズマで分解する吸着放電部20を有しており、この吸着放電部20の上流に除湿素子(除湿装置)21を設けている。 - 特許庁
To provide a method for producing a new halogen-containing ketone compound, a halogen-containing alkene compound and a halogen-containing alkane compound which are precursors of a perfluoroalkyne compound used as a production raw material of a fluorine-containing polymer, a medicine or an agrochemical, and as a gas for a plasma reaction used in a semiconductor production process, in high yields and high selectivity.例文帳に追加
含フッ素ポリマーや医農薬の製造原料、及び半導体製造工程で使用されるプラズマ反応用ガスなどとして有用なパーフルオロアルキン化合物の前駆体である新規な含ハロゲンケトン化合物及び含ハロゲンアルケン化合物及び含ハロゲンアルカン化合物を高収率、高選択率で製造できる方法を提供することにある。 - 特許庁
The plasma excitation gas flow is uniformed by increasing the number of gas discharging holes per unit area arranged in a shower plate with progression away from the center of the shower plate, or alternatively, by increasing the hole radius of the gas discharging hole with progression away from the center of the shower plate, whereby uniform processing of the substrate to be processed is enabled.例文帳に追加
シャワープレートに配置するガス放出孔の単位面積あたりの配置数を、シャワープレート中心から離れるに従って増加させる、もしくは、ガス放出孔の孔半径をシャワープレート中心から離れるに従って増加させることにより、プラズマ励起ガス流を均一にし、これによって、被処理基板の均一処理を可能にする。 - 特許庁
This plasma display panel is provided with a discharge space having a red phosphor layer, a green phosphor layer, and a blue phosphor layer on at least a part of its inner wall, and the green phosphor layer is formed by a green phosphor 35a coated with a positively chargeable oxide 35b to which platinum group elements 35c are added.例文帳に追加
内壁の少なくとも一部に赤色蛍光体層、緑色蛍光体層、青色蛍光体層を有する放電空間を備えたプラズマディスプレイパネルであって、緑色蛍光体層を、白金族元素35cを添加したプラス帯電性を有する酸化物35bで皮膜された緑色蛍光体35aにより形成している。 - 特許庁
A driving circuit which drives the plasma display panel applies a driving voltage for generating a display discharge between the first and second electrodes adjacent across the main gap in a display period wherein the display discharge is generated to control the pair of the second electrode and first electrode adjacent across the sub-gap to the same potential.例文帳に追加
プラズマディスプレイパネルを駆動する駆動回路は、表示放電を生じさせる表示期間において、主間隙を介して隣接する第1電極と第2電極との電極対に表示放電を生じさせるための駆動電圧を印加し、副間隙を介して隣接する第2電極と第1電極との電極対を互いに同じ電位に制御する。 - 特許庁
This plasma display panel contains the back substrate, a number of barriers formed on the back substrate, the front substrate, a dielectric layer formed on the front substrate so as to have a groove having a prescribed depth along a region abutting on the barriers, and a grounding electrode formed along the groove of the dielectric layer and formed so that its both ends are commonly connected.例文帳に追加
背面基板と、背面基板に形成される多数の隔壁と、前面基板と、隔壁と当接する領域に沿って所定の深さの溝を有するように前面基板に形成された誘電層と、誘電層の溝に沿って形成され、互いの両端がそれぞれ共通に連結されるように形成された接地用電極とを含む。 - 特許庁
Additionally, etching depth dispersion on a wafer surface is reduced while maintaining verticality for etching depth in forming a nozzle hole 2a or the groove part of a supply port 7a, etc. on a nozzle wafer 3 an original material of which is a silicon monocrystal by carrying out the etching process within a working condition range on the inductively coupled plasma etching device.例文帳に追加
また、誘導結合型プラズマエッチング装置において加工条件範囲内でエッチング加工を行なうことで、原材料がシリコン単結晶であるノズルウェハ3上にノズル穴2aまたは供給口7a等の溝部を形成する際にエッチング深さに対する垂直性を維持しつつ且つウェハ面内のエッチング深さバラツキを低減できる。 - 特許庁
The quartz glass contains metal elements and is improved in plasma corrosion resistance and has a content of foams and foreign matters <100 mm2 projected area per 100 cm3, OH concentration 100-2,000 ppm, surface roughness Ra 0.01-10 μm, and discharge gas amount 2 mol/m3 or less from room temperature to 1,000°C.例文帳に追加
金属元素を含有しプラズマ耐食性を増大した石英ガラスであり、該石英ガラス中の泡と異物の含有量が100cm^3当りの投影面積で100mm^2未満、OH濃度が100〜2000ppm、表面粗さRaが0.01〜10μm、及び室温から1000℃までの放出ガス量が2mol/m^3以下であるようにした。 - 特許庁
The method for the solid electrolyte the constituent of which is shown by a formula (1-x)ZrO_2+xSc_2O_3 (x=0.05 to 0.15), uses a spark plasma sintering for a sintering process, where the pressure during a sintering step is 40 MPa or less, and the pressure during a cooling step is 10 to 15 MPa.例文帳に追加
組成成分が式:(1−x)ZrO_2+xSc_2O_3(x=0.05〜0.15)で表される固体電解質の製造方法であって、焼結工程にスパークプラズマ法を用い、焼結過程における圧力が40MPa以下であり、かつ冷却過程における圧力が10〜15MPaであることを特徴とする、固体電解質の製造方法である。 - 特許庁
Then, if the rare-metal chip 36 is connected with the electrode base material 33 while being pressed toward a tip part 16 of the insulator 10, the gap between the grounding electrode 30 (the electrode base material 33) and the tip part 16 of the insulator 10 can be closed by the rare-metal chip 36, thus energy of plasma formed at a cavity 60 does not leak.例文帳に追加
そして貴金属チップ36を絶縁碍子10の先端部16に向けて押さえつつ電極母材33と接合すれば、貴金属チップ36により、接地電極30(電極母材33)と絶縁碍子10の先端部16との間の間隙を塞ぐことができ、キャビティ60で形成されるプラズマのエネルギーが漏出することがない。 - 特許庁
The plasma treatment apparatus 1 has a recessed part 253 for allowing an edge of the work 10 to be inserted therein, and also has a frame member 25 for supporting the work 10 in a separate manner from the first electrode 3 and a leg part 26 for supporting the frame member 25 in a separate manner from the thirst electrode 3 when the work 10 is placed in the recessed part 253.例文帳に追加
また、プラズマ処理装置1は、ワーク10の縁部を挿入可能な凹部253を備え、この凹部253にワーク10を載置することにより、ワーク10を第1の電極3から離間させた状態で支持する枠部材25と、枠部材25を第1の電極3から離間させた状態に支持する脚部26とを有する。 - 特許庁
A plasma etching processing apparatus 1 comprises a nozzle head 10 for implementing an etching processing by spraying etching gas 4 to the surface of a silicon substrate 2 to be processed, and a cleaning head 20 for cleaning the silicon substrate 2 to remove residues such as ammonium silicofluoride and ammonium fluoride or the like formed by a reaction between a silicon compound produced by the etching processing and etching gas.例文帳に追加
プラズマエッチング処理装置1は、被処理物であるシリコン基板2の表面にエッチングガス4を吹き付けてエッチング処理するノズルヘッド10と、エッチング処理により生じたシリコン化合物とエッチングガスとが反応して形成されたケイフッ化アンモニウムやフッ化アンモニウム等の残渣物を除去するべくシリコン基板2を洗浄する洗浄ヘッド20とを備える。 - 特許庁
A pseudo noise is generated by estimating vibrations and/or noises which may be generated directly from an abnormal vibration and/or a high voltage drive waveform becoming a source of generating the noise of a plasma display panel, thereby, a noise reduction means which has no constraint at the time of designing of drive waveform and no time lag of vibration generation part 550 is provided.例文帳に追加
プラズマディスプレイパネル100の異常振動及び/又は音が発生する元となる高電圧駆動波形から直接的に、発生するだろう振動及び/又は音を推定して疑似異音として発生させることで、駆動波形設計時の制約や振動生成部550の時間遅れの無い異音低減手段を提供する。 - 特許庁
The method of manufacturing the photoelectric conversion device 100 includes a step of forming a photoelectric converting layer 3 of silicon on a substrate 1 by using a plasma CVD technique using a gas containing a silane gas and a hydrogen gas as a raw material gas under the condition where a flow rate of the hydrogen gas per unit area of the substrate 1 is 80 slm/m^2 or more.例文帳に追加
基板1上に、シラン系ガスと水素ガスとを含むガスを原料ガスとするプラズマCVD法を用いて、前記基板1の単位面積当たりの前記水素ガス流量80slm/m^2以上の条件で、シリコン系の光電変換層3を形成する工程を含むことを特徴とする光電変換装置100の製造方法。 - 特許庁
To provide a film-forming apparatus for forming a neutron conversion layer with high quality (film quality) on a cathode of a neutron detector for measuring neutrons in a reactor core by being inserted into the core of a reactor, by reducing the concentration of impurities in an atmospheric gas that generates plasma, and to provide a film-forming method therefor.例文帳に追加
原子炉炉心に挿入して炉心内の中性子を測定する中性子検出器のカソードに形成される中性子変換層について、プラズマを発生させる雰囲気ガス中の不純物の濃度を低減させて、品質(膜質)の高い中性子変換層を得ることのできる成膜装置および成膜方法を提供する。 - 特許庁
To provide a method for reforming a film-formation surface and a method for manufacturing a semiconductor device using the same by which the base dependency to film formation can be thoroughly eliminated on a film- formation surface, by eliminating an additional energy such as plasma irradiation or high temperature heating, processing in a vacuum, etc., by an extremely simplified method.例文帳に追加
プラズマ照射或いは高温加熱、真空中の処理等の付加的なエネルギを用いることなく、極めて簡単な手法により被成膜面への成膜に対する下地依存性をほぼ完全に消去することができる被成膜面の改質方法及びこの改質方法を用いた半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁
The device for bonding articles each having a metal bonding part on the surface of a basic material comprises a cleaning means for irradiating the surface of the metal bonding part with plasma under a reduced pressure, and a means for bonding the metal bonding parts of the articles taken out from the cleaning means each other in the atmosphere.例文帳に追加
基材の表面に金属接合部を有する被接合物同士を接合する装置であって、減圧下で前記金属接合部の表面にプラズマを照射する洗浄手段と、該手段から取り出した被接合物の金属接合部同士を大気中で接合する接合手段とを有することを特徴とする接合装置、および接合方法。 - 特許庁
The quartz glass, which contains metal elements and is improved in plasma corrosion resistance, has no granular structure inside, the concentration of metal elements of 0.1-20 wt.%, a content of foams and foreign substances of <100 mm2 projected area per 100 cm3, and the inner visible light transmissivity of 50%/cm or more.例文帳に追加
金属元素を含有しプラズマ耐食性を増大した石英ガラスであり、内部に粒状構造が確認されず、該金属元素の濃度が0.1〜20wt%、該石英ガラス体中の泡と異物の含有量が100cm^3当たりの投影面積で100mm^2未満で、可視光線の内部透過率が50%/cm以上であるようにした。 - 特許庁
The plasma display apparatus is equipped with a plurality of electrodes A and Y and a plurality of drive circuits 11 and 12 for driving the plurality of electrodes, and the drive circuits 11 and 12 include at least one drive IC 21, having a plurality of outputs for independently outputting a plurality of driving signals and drive one electrode in combination with the plurality of driving signals outputted from the driving IC.例文帳に追加
複数の電極A,Yと、複数の電極を駆動する駆動回路11,12とを備えるプラズマディスプレイ装置であって、駆動回路11,12は、複数の駆動信号を独立して出力可能な複数の出力を有する少なくとも1つの駆動IC21を備え、駆動ICから出力される複数個の駆動信号を合わせて1個の電極を駆動する。 - 特許庁
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