「PLASMA」に関連した英語例文の一覧と使い方(557ページ目) - Weblio英語例文検索

The toner for electrostatic charge image development includes at least a binder resin and a colorant, characterized in that: the binder resin contains polyester resin; the aluminum content of the toner ranges 0.005 to 0.040 mass% by fluorescent X-ray analysis; and the proportion of titanium ranges 50 to 500 ppm by IPC (induction plasma coupling) emission spectrochemical analysis.例文帳に追加

少なくとも結着樹脂及び着色剤からなる静電荷像現像用トナーであって、前記結着樹脂がポリエステル樹脂を含み、蛍光Ｘ線分析によるアルミニウム含有量が０．００５〜０．０４０質量％の範囲であり、かつ、ＩＰＣ発光分光分析によるチタン含有率が５０〜５００ｐｐｍの範囲である静電荷像現像用トナーである。 - 特許庁

Where the total number of plastic containers stored inside the main-chambers, simultaneously form a thin film onto their inner faces by the plasma CVD method, and a component to regulate discharging velocity of generated gas from the containers, is equipped by installing it in the main-chamber or the sub-chamber.例文帳に追加

１つの筐体からなるサブチャンバーに複数のメインチャンバーが整列し、その内部に収納されたプラスチック容器の内面に全数同時にプラズマＣＶＤ法で薄膜を形成する装置であって、メインチャンバーあるいはサブチャンバーに組み込んで容器から流れ出る生成ガスの排出速度を調整する部材が具備されていることを特徴とする成膜装置。 - 特許庁

The plasma display panel has a strip-shaped address electrode, a display electrode covered by a dielectric, a strip-shaped electrode bus-bar which applies a voltage to the display electrode through a resistor and is extended in a direction crossing at right angles with the address electrode and a discharging space formed between the address electrode and the display electrode.例文帳に追加

帯状のアドレス電極と、誘電体で覆われた表示用電極と、前記表示用電極に抵抗体を介して電圧を印加する、前記アドレス電極に直交する方向に延伸する帯状の電極母線と、前記アドレス電極と前記表示用電極の間に形成される放電空間と、を有するプラズマディスプレイパネル。 - 特許庁

The manufacturing method of the MIS semiconductor device having the gate insulating film constituted of the silicon nitride oxidized film 5 comprises a process for oxidizing the silicon substrate 1 by gas including an active oxygen species (a) and a process for forming the silicon nitride oxidized film 5 whose surface is nitrided by performing plasma nitriding the silicon oxidized film 3 (b).例文帳に追加

シリコン窒化酸化膜５からなるゲート絶縁膜を有するＭＩＳ型半導体装置の製造方法において、（ａ）シリコン基板１を、活性酸素種を含むガスで酸化してシリコン酸化膜３を形成する工程、（ｂ）シリコン酸化膜３をプラズマ窒化処理することにより、表面が窒化されたシリコン窒化酸化膜５を形成する工程を含める。 - 特許庁

The protruded silicon electrode plate for plasma etching is constituted so that a silicon electrode plate 13 having through small holes 5 and with a small diameter, a silicon electrode plate 14 having through small holes 5 and with a large diameter and a cooling plate 3 having small holes 5 and with a large diameter are concentrically superposed so that the through small holes 5 communicate, and they are fixed by means of bolts 6.例文帳に追加

貫通細孔５を有する小径のシリコン電極板１３と、貫通細孔５を有する大径のシリコン電極板１４と、貫通細孔５を有する大径の冷却板３とを同心円状にかつ前記貫通細孔５が連通するように重ね合わせ、これらをボルト６で固定してなることを特徴とする。 - 特許庁

In the manufacturing method of the electrophotographic photoreceptor prepared by laminating the organic photosensitive layer and the surface protective layer on the conductive base in this order, the surface protective layer is deposited according to a plasma vapor deposition method at a temperature of the photosensitive layer of 80 to 150°C and a degree of vacuum of 10^-1 to 10^-6 Pa.例文帳に追加

導電性支持体上に、感光層及び表面保護層を順次積層した電子写真感光体の製造方法において、前記表面保護層を感光層の温度を８０℃〜１５０℃で、且つ、真空度１０^−１Ｐａ〜１０^−６Ｐａでプラズマ気相成長法により形成することを特徴とする電子写真感光体の製造方法。 - 特許庁

This plasma display apparatus comprises a blue phosphor having a crystal structure of MeMgSi_2O_6:Eu or Me_3MgSi_2O_8:Eu (with the proviso that Me is any one or more kinds of Ca, Sr and Ba) manufactured by using a precursor synthesized by a synthetic method in an aqueous solution in the phosphor layer 110 of the panel.例文帳に追加

プラズマディスプレイ装置において、パネルの蛍光体層１１０の中の青色蛍光体として、水溶液中合成法で合成された前駆体を用いて作製したＭｅＭｇＳｉ_2Ｏ_6：ＥｕまたはＭｅ_3ＭｇＳｉ_2Ｏ_8：Ｅｕ（ただしＭｅは、Ｃａ，Ｓｒ，Ｂａの内のいずれか一種以上）の結晶構造を有する青色蛍光体を用いるものである。 - 特許庁

The manufacturing method of the semiconductor device has a process A for depositing a low dielectric constant insulating film 15 on an upper layer of a semiconductor substrate 11, a process B for laminating a silicon content insulating film 26 having rich silicon on at least the upper layer of the low dielectric constant insulating film 15, and a process C for plasma-processing a surface of the silicon content insulating film 26.例文帳に追加

半導体基板１１の上層に低誘電率絶縁膜１５を積層する工程Ａと、低誘電率絶縁膜１５の少なくとも上層にシリコンリッチなシリコン含有絶縁膜２６を積層する工程Ｂと、シリコン含有絶縁膜２６の表面をプラズマ処理する工程Ｃとを備える半導体装置の製造方法を提供する。 - 特許庁

The method comprises providing a substrate 100, depositing an amorphous silicon layer 114 on the substrate 100, adjusting the threshold voltage of the thin film transistor 101 by bringing the plasma into contact with the amorphous silicon layer 114, and performing a crystallization process to convert the amorphous silicon layer 114 into a polycrystalline silicon layer 114'.例文帳に追加

基板１００を提供することと、前記基板１００の上に非晶質シリコン層１１４を堆積することと、プラズマを前記非晶質シリコン層１１４と接触させることによって、前記薄膜トランジスタ１０１の閾値電圧を調整することと、結晶工程を行い、前記非晶質シリコン層１１４を多結晶シリコン層１１４に変換することを含む。 - 特許庁

In the case of forming an insulating film 15b for a wiring cap by an SiON film formed by a plasma CVD method using mixed gas of trimethoxysilane gas and nitrogen oxide gas in a semiconductor device having embedded wiring structure composed of copper, a conductive barrier film 17a of embedded 2nd film wiring L2 is prevented from being oxidized.例文帳に追加

銅からなる埋込配線構造を有する半導体装置において、配線キャップ用の絶縁膜１５ｂを、例えばトリメトキシシランガスと酸化窒素ガスとの混合ガスを用いたプラズマＣＶＤ法により形成されたＳｉＯＮ膜によって形成する際に、埋込第２層配線Ｌ２の導電性バリア膜１７ａが酸化されないようにする。 - 特許庁

A method of forming an insulation film on a semiconductor substrate includes: a first process for placing the semiconductor substrate in a vacuum chamber; a second process for supplying nitrogen, oxygen, and aluminum alkoxide into the vacuum chamber; and a third process for turning the mixed air of the nitrogen, oxygen, and aluminum alkoxide supplied into the vacuum chamber into a plasma state.例文帳に追加

半導体基板に絶縁膜を形成する方法は、半導体基板を真空チャンバ内に載置する第１工程と、前記真空チャンバ内に窒素と酸素とアルミニウムアルコキシドを供給する第２工程と、前記真空チャンバ内に供給した窒素と酸素とアルミニウムアルコキシドの混合気をプラズマ化する第３工程を備えている。 - 特許庁

In fabrication of a front plate constituting the plasma display panel, after a magnesium-made protection layer is installed, without making the protection layer contact moisture and carbon dioxide, by making fluorine contact the protection layer, magnesium oxide of at least a surface part of the protection layer is changed into magnesium fluoride, and this magnesium fluoride layer is made a second protection layer.例文帳に追加

プラズマディスプレイパネルを構成する前面板の作製において、酸化マグネシウム製の保護層を設けたのち、その保護層を水分および二酸化炭素に接触させることなく、上記保護層にフッ素を接触させることにより、上記保護層の少なくとも表面部分の酸化マグネシウムをフッ化マグネシウムに変化させ、このフッ化マグネシウム層を第２の保護層とする。 - 特許庁

The PFC decomposition apparatus is equipped with a chamber in the PFC decomposition apparatus 14 into which the PFC gas discharged from a processing apparatus 10 such as a semiconductor manufacturing apparatus is introduced, a mechanism for generating plasma in the PFC decomposition chamber and a mechanism 16 for supplying an oxidizing gas into the PFC decomposition chamber.例文帳に追加

本発明に係るＰＦＣ分解装置は、半導体製造装置等のプロセス装置１０から排気されるＰＦＣガスが導入されるＰＦＣ分解装置１４内のチャンバーと、ＰＦＣ分解チャンバー内にプラズマを発生させるプラズマ発生機構と、このＰＦＣ分解チャンバーに酸化反応ガスを供給するための供給機構１６と、を具備する。 - 特許庁

The method for producing the tungsten ultrafine powder which has the average particle diameter of 100 nm or smaller and a geometrical standard deviation of the particle diameter in an amount of 1.35 or less comprises the steps of: vaporizing a tungsten compound such as WO_3 with thermal plasma in a reductive atmosphere containing an inert gas and hydrogen gas; and condensing the obtained tungsten vapor to form the fine powder.例文帳に追加

不活性ガスと水素ガスを含む還元性雰囲気中において、ＷＯ_３のようなタングステン化合物を熱プラズマにより気化させ、得られたタングステン蒸気を凝縮させて微粉化させることにより、平均粒径が１００ｎｍ以下であり、粒径の幾何標準偏差が１.３５以下であるタングステン超微粉を製造する。 - 特許庁

The gas treatment device has an auxiliary pump 24 which reduces the pressure of the gas containing the reactive component and then discharges the gas, a plasma-decomposition apparatus 26 which decomposes the reactive component contained in the gas discharged from the pump 24 and then discharges the gas, and a main pump 28 which reduces the pressure of the gas discharged from the apparatus 26 and then discharges the gas.例文帳に追加

本発明のガス処理装置は、反応性成分を含有するガスを減圧した後排出する副ポンプ２４と、副ポンプ２４から排出されたガスに含まれる前記反応性成分を分解した後排出するプラズマ分解装置２６と、プラズマ分解装置２６から排出されたガスを減圧した後排出する主ポンプ２８と、を含む。 - 特許庁

As a structure of the plasma display panel 21, the front plate 22 and the rear plate 23 are arranged opposed to each other interposing a partition wall 33 including a partition wall 33b arranged so as to overlap with a scanning electrode 25 and a sustaining electrode 26 being a display electrode through at least a dielectric layer 28, and a discharge cell 36 divided by the partition wall 33 is provided.例文帳に追加

プラズマディスプレイパネル２１の構成として、前面板２２と背面板２３とを、少なくとも誘電体層２８を介して表示電極である走査電極２５および維持電極２６とに重なり合うように配置した隔壁３３ｂを含む隔壁３３を挟んで対向配置し、隔壁３３により仕切られた放電セル３６を備えるものとする。 - 特許庁

This method for manufacturing this semiconductor element comprises a process for forming a trench 5 for separating an element on a silicon substrate 1, a process for forming an oxide film 7a by using a high density plasma DVD method in order to bury the trench 5 to the middle, and a process for injecting boron to an element forming region positioned at the upper part of the side wall of the trench 5.例文帳に追加

この半導体装置の製造方法は、シリコン基板１に素子を分離するためのトレンチ５を形成する工程と、トレンチ５を途中まで埋め込むように、高密度プラズマＣＶＤ法を用いて酸化膜７ａを形成する工程と、その後、トレンチ５の側壁上部に位置する素子形成領域にボロンを注入する工程とを備えている。 - 特許庁

The whole part or one part of one silicon wafer is immersed in the mixed acid of oxygenated water and sulfuric acid, and immediately dissolved by steam to be generated due to the heating of the mixed acid of hydrofluoric acid and nitric acid, and the acquired solution is heated, condensed, and analyzed by a high frequency inductive coupled plasma mass spectrometry or an atomic absorption spectrometry.例文帳に追加

１枚のシリコンウェーハの全部又は一部分を、過酸化水素水と硫酸との混酸に浸漬した後、直ちにフッ化水素酸と硝酸との混酸の加熱によって発生する蒸気により溶解し、得られた溶液を加熱濃縮して高周波誘導結合プラズマ質量分析法又は原子吸光分析法により分析する。 - 特許庁

After the solution treatment and aging treatment of a bolt material of a titanium alloy, the material is subjected to a plasma carburization treatment in an atmospheric gas with a temperature of 350°C-700°C and a pressure of 10-2,000 Pa, then heated at 150°C-350°C in an argon atmosphere, and subjected to thread form rolling.例文帳に追加

チタン合金のボルト素材を溶体化処理及び時効処理した後に、雰囲気ガスの温度が３５０℃〜７００℃の範囲に、その圧力が１０〜２０００Ｐａの範囲にあるプラズマ浸炭処理を施し、このプラズマ浸炭処理後に、アルゴン雰囲気下で１５０℃から３５０℃の温度域に再加熱し、ねじ転造加工をするようにしたのである。 - 特許庁

To eliminate the problem of a filter becoming cloudy caused when being returned to room temperature environment after a test of preservation in moist heat when the filter for a plasma display (PDP) is used by directly sticking the filter on a front display glass, and to prevent the front display glass of the PDP from being damaged by external shock by the lamination.例文帳に追加

ＰＤＰ用フィルタをＰＤＰの前面表示ガラスに直接貼り合わせて使用する際に、耐湿熱保存試験後に室温環境下に戻したときに発生する白濁の問題を回避すること、また上記直接の貼り合わせにより、ＰＤＰの前面表示ガラスの外部衝撃による破損を防止することを目的とする。 - 特許庁

The manufacturing method of the photoelectric converting element includes a stage of forming the silicon nitride film on one principal surface of the silicon substrate, the manufacturing method of the photoelectric converting element being characterized in that the silicon substrate is a (p) type on the principal surface side and has the principal surface subjected to a surface treatment using plasma produced using raw material gas containing nitrogen gas before the silicon nitride film is formed.例文帳に追加

本発明の光電変換素子の製造方法は、シリコン基板の一主面上に窒化シリコン膜を形成する工程を備え、前記シリコン基板は、前記主面側がｐ型であり、前記窒化シリコン膜を形成する前に、窒素ガスを含む原料ガスを用いて形成されるプラズマによって前記主面の表面処理を行うことを特徴とする。 - 特許庁

Plasma-treated steam is used as an oxidant for converting PM trapped on the filter arranged in the exhaust mechanism and/or oxidizing NO and/or N2 into NO2 (these steam, PM, NO and N2 exist in the exhaust gas from a gasoline engine operated at a stoichimetric air-fuel ratio), and then NO2 is used for burning PM.例文帳に追加

プラズマ処理した水蒸気を酸化体として使用し、排気機構中に配置されたフィルター上に捕獲された粒子状物質（ＰＭ）を転化する、および／またはＮＯおよび／またはＮ_２ をＮＯ_２に酸化し（この水蒸気、ＰＭ、ＮＯおよびＮ_２ は、理論空然比に運転されるガソリンエンジンの排気中に存在する）、次いでＮＯ_２ を使用してＰＭを燃焼させる。 - 特許庁

An apparatus includes: a CVD chamber 10 for a thin film solar battery that includes a supplying path 12 of process gas containing hydrogen gas; a plasma discharging apparatus 26 sequentially arranged on a gas exhausting and re-supplying path 21 that is exhausted from the CVD chamber 10 and re-supplied to the CVD chamber 10; and an impurity removing mechanism 20 having a particle filter 27.例文帳に追加

水素ガスを含むプロセスガスの供給経路１２を有する薄膜太陽電池用のＣＶＤチャンバ１０と、ＣＶＤチャンバ１０から排気されてＣＶＤチャンバ１０に再供給させるガス排気・再供給経路２１上に順に設置されたプラズマ放電装置２６とパーティクルフィルタ２７とを有する不純物除去機構２０と、を備える。 - 特許庁

An insulation film is used, composed of an Si nitride film formed by the low pressure CVD method as an intermediate insulation film 107 which is inserted between insulation films 106, 108 having first and second contact holes 161, 162 and used for a mask in etching the second contact holes 162, and an Si nitride film formed by the plasma CVD method.例文帳に追加

第１及び第２のコンタクト孔１６１、１６２が形成された絶縁膜１０６、１０８間に挿入され、第２のコンタクト孔１６２をエッチングする際のマスクに用いられる中間絶縁膜１０７として減圧ＣＶＤ法により形成されたシリコン窒化膜とプラズマＣＶＤ法により形成されたシリコン窒化膜とから構成された絶縁膜を用いる。 - 特許庁

The discharge gas treatment device is provide with a linear discharge electrode 16 along a duct 6 in at least partial space of the metal duct 6 introducing gas 2 from its generation source 4 to an atmosphere release part 8 to form a discharge treatment part 20 which generates non-equilibrium plasma discharge in the gas 2 between this discharge electrode 16 and the duct 6.例文帳に追加

この放電ガス処理装置は、ガス２をその発生源４から大気開放部８まで導く金属製のダクト６の少なくとも一部分内の空間に、ダクト６に沿って線状の放電電極１６を配置して、この放電電極１６とダクト６間のガス２中で非平衡プラズマ放電を発生させる放電処理部２０を形成している。 - 特許庁

Creeping discharge plasma is generated by applying a high voltage by a high-voltage power supply 4 to transparent electrodes 2 and 3 arranged on a surface or inside the windshield glass or the rearview mirror, and shapes or motion of droplets 5 present on the surface or a hydrophilic property of the surface is controlled to improve optical transparency or light reflectivity, whereby external visibility is secured.例文帳に追加

風防ガラス又はバックミラーの表面又は内部に設置された透明な電極２及び３に高電圧電源４による高電圧を印加して沿面放電プラズマを発生させ、表面に存在する液滴５の形状又は運動又は表面の親水性を制御して、光透過性又は光反射性を向上させ、外部視界を確保する。 - 特許庁

To provide a method of forming a tunnel insulation film of a flash memory device that can improve leak current property and insulation breakdown voltage property or the like by suppressing boron impregnation by forming a silicon oxinitride film (SiON) through a process of forming the tunnel insulation film including a plasma nitridation process at a temperature higher than 800°C to reduce trap sites.例文帳に追加

８００℃以上の高温のプラズマ窒化処理工程を含んでトンネル絶縁膜を形成することにより、トラップサイト(trap site)を減少させ、シリコン酸化窒化膜（ＳｉＯＮ）の形成によってホウ素浸透を抑制して漏れ電流および絶縁破壊電圧特性などを改善することが可能なフラッシュメモリ素子のトンネル絶縁膜形成方法の提供。 - 特許庁

To provide a plasma processing device and cleaning method for suppressing etching in an electrode on cleaning to drastically reduce an operation time for cleaning without using a material to protect the electrode; and attaining a high-rank quality in a cleaning operation, by making the improvement of an economic potential through the protection of the electrode compatible with the reduction of the time required for the cleaning operation.例文帳に追加

電極を保護する部材を用いることなく、クリーニング時の電極のエッチングを抑制すると共にクリーニング作業時間を大幅に短縮でき、電極保護による経済性の向上と、クリーニング作業時間の短縮化とを両立させて、クリーニング作業の高品位化を図ったプラズマ処理装置及びそのクリーニング方法を提供する。 - 特許庁

The film-forming apparatus 10 has an ion source 20 for generating plasma discharge in an inert gas and a mechanism 2 for introducing a film-forming gas, in a vacuum chamber provided with an exhaust system, wherein the mechanism 2 for introducing the film-forming gas is placed in a downstream side of a traveling direction of a support 1 with respect to the ion source 20.例文帳に追加

排気系を備えた真空槽の中に、不活性ガスによってプラズマ放電を起こすようになされているイオン源２０と、成膜ガス導入機構２とを具備してなり、この成膜ガス導入機構２は、イオン源２０を基準として支持体１の走行方向の、下流側に設けられているものとした成膜装置１０を提供する。 - 特許庁

In a magnetron discharge type sputtering apparatus, a cylindrical carbon target having a hollow portion with one end opened and the other end closed is disposed, the plasma is generated in the hollow portion, and an aperture of the target is separated from a substrate so as to deposit the amorphous carbon having the film hardness Hv≥1,500 kgf/mm2.例文帳に追加

一端が開口し他端が閉じた中空部を有する円筒状炭素ターゲットが配置され、該中空部にプラズマが発生するように構成され、該ターゲットの開口部と基板との間の距離が、Ｈｖ＝１５００ｋｇｆ／ｍｍ^2以上の膜硬度を有するアモルファス炭素が形成されるように離してあるマグネトロン放電型スパッタ装置。 - 特許庁

The production method of the multilayer films comprises forming the multilayer films laminated with the layers varying in at least one among constitution elements, compositions, and crystal structures by using a magnetron sputtering apparatus 1 which has a target 14 composed of thin film raw materials as base materials and performs sputtering by concentrating a plasma by the effect of a magnetic field near to the surface of the target 14.例文帳に追加

多層膜の製造方法は、薄膜原料を基材とするターゲット１４を有し、ターゲット１４の表面近傍に磁場の作用でプラズマを集中させてスパッタリングを行うマグネトロン・スパッタ装置１を用い、構成元素、組成、結晶構造の少なくとも一つが相違する層を積層させた多層膜を形成する方法である。 - 特許庁

To provide a light-transmitting electromagnetic wave shielding film that is excellent in chemical resistance such as salt water resistance, moreover heat resistance, heat-humidity resistance, durability and discoloration resistance and has high electromagnetic wave shielding properties and high light transmittance with low light scattering, and provide a film for display panels using the same, an optical filter for display panels and a plasma display panel.例文帳に追加

耐塩水性などの耐薬品性に優れ、さらに耐熱性、耐湿熱性、耐久性、変色耐性に優れ、高い電磁波シールド性を有し、光散乱が小さく高い光透過率を有する、透光性電磁波シールド膜、これを用いたディスプレイパネル用フィルム、ディスプレイパネル用光学フィルター及びプラズマディスプレイパネルを提供すること。 - 特許庁

The ion beam generating device is composed of a high frequency discharge tube 1 to generate helium plasma by high frequency discharge, a laser generating device 13 capable of adjusting a wavelength and carrying out optical pumping, a laser irradiating device to irradiate laser light from the laser generating device to the inside of the high frequency discharge tube, and an observing device to observe the wavelength of laser light.例文帳に追加

イオンビーム発生装置は、高周波放電によりヘリウムプラズマを発生させる高周波放電管１と、波長調整可能で光ポンピングが可能なレーザ発生装置１３と、レーザ発生装置からのレーザ光を高周波放電管内に照射するレーザ照射装置と、レーザ光の波長を観察する観察装置とからなる。 - 特許庁

The silicon electrode board 2 coated with the etching resistance film for plasma etching is formed with penetrating small holes 5 parallel to one another in the direction of a thickness, and circular etching resistance covering films 11 in the penetrating small holes 5 of the silicon electrode board 2 and around openings of the penetrating small holes on the lower surface 8 of the silicon electrode board.例文帳に追加

厚さ方向に平行に貫通細孔５が設けられているプラズマエッチング用シリコン電極板２において、前記シリコン電極板２の貫通細孔５内面およびシリコン電極板下面８の貫通細孔開口部周囲に円形状に耐エッチング性被膜１１を形成してなるプラズマエッチング用耐エッチング膜被覆シリコン電極板。 - 特許庁

In the method for fabricating a slidable member 100 having a slidable part 14, an iron-based metal bulk material 30 functioning as a main part 13 of the slidable member 100 is solid-state bonded to a Cu-alloy bulk material 31 functioning as the slidable part 14 by applying heat and pressure according to a spark plasma sintering method.例文帳に追加

摺動部１４を有する摺動部材１００の製造方法であって、摺動部材１００の本体部１３として機能する鉄系金属のバルク材３０と摺動部１４として機能するＣｕ合金のバルク材３１とを放電プラズマ焼結法による加熱加圧によって固相接合して摺動部材１００を製造する。 - 特許庁

In a capacitive coupling plasma CVD system comprising parallel flat plate cathode 1 and anode 4, a glass substrate 11 to be coated with film is placed on the anode 4 and a third electrode of metal mesh 3, for example, is disposed directly above the glass substrate 11 wherein the distance between the third electrode and the glass substrate 11 is set not longer than 10 mm.例文帳に追加

平行平板型のカソード１及びアノード４を備えた容量結合型プラズマＣＶＤ装置において、アノード４上に被成膜物たるガラス基板１１を設置するとともに、ガラス基板１１の直上に金属製メッシュ３などの第３電極を配置し、第３電極とガラス基板１１の距離は１０ｍｍ以下とする。 - 特許庁

To provide a method of forming a transparent conductive film by which a transparent conductive film having a low resistance and a high visible light transmissivity can be formed by irradiating plasma or electromagnetic wave on a coating film in an oxidizing atmosphere, and furthermore, which is superior in mass-producibility and cost-wise by using a coating method, and a transparent conductive film.例文帳に追加

塗布膜に酸化性雰囲気中にてプラズマまたは電磁波を照射することにより、低抵抗かつ可視光透過率の高い透明導電膜を形成することができ、さらに、塗工法を用いたことにより量産性及びコスト面で優れている透明導電膜の形成方法及び透明導電膜を提供する。 - 特許庁

The plasma processing method includes: product etching (step S1: processing of a sample including Ti material); thereafter carbon system deposition discharge for depositing a carbon system film on a Ti reaction product deposited on the surface of the processing chamber (step S2); and thereafter chlorine electric discharge for removing the carbon system film abd the Ti deposited on the surface of the processing chamber (step S3).例文帳に追加

製品エッチング（工程Ｓ１：Ｔｉ材料を含む試料の処理）後に、処理室表面に堆積するＴｉ反応生成物に対してカーボン系膜を堆積させるカーボン系堆積放電（工程Ｓ２）と、その後に処理室表面に堆積するカーボン系膜とＴｉを除去する塩素系放電（工程Ｓ３）とを含むプラズマの処理方法とする。 - 特許庁

The voltage for plasma generation to be supplied to the conductors (6, 30, 39, and 40) is composed to include RF (Radio Frequency)band pulses (22) at which the AC voltage of an RF band is continued for the prescribed time, positive voltage DC pulses (21) having a positive voltage, and negative voltage DC pulses (23) having a negative voltage.例文帳に追加

導体（６，３０，３９，４０）に供給されるプラズマ発生用電圧は，ＲＦ（Ｒａｄｉｏ Ｆｒｅｑｕｅｎｃｙ）帯の周波数の交流電圧が所定の時間継続されるＲＦ交流パルス（２２）と，正電圧を有する正電圧直流パルス（２１）と，負電圧を有する負電圧直流パルス（２３）とを含んで構成されている。 - 特許庁

This method has a process in which an insulating film 4 containing an organic siloxane as a main component and an organic component having no chemical bonding with the organic siloxane is formed on a semiconductor substrate 1; and a process in which plasma treatment is applied to the insulation film 4 to remove the organic component, and to form a modified layer 5 on the surface of the insulating film 4.例文帳に追加

半導体基材１上に有機シロキサンを主成分としこの有機シロキサンと化学結合のない有機成分を含む絶縁膜４を形成する工程と、この絶縁膜４にプラズマ処理を行うことによって有機成分を除去するとともに絶縁膜４の表面に改質層５を形成する工程とを有する。 - 特許庁

To provide a photosensitive resin composition which can form a high-definition baked product pattern, and can form the pattern without causing missing lines due to undercut, in a bus electrode having a double-layered structure that includes a black layer and a white layer, and to provide a baked product pattern using the same and a plasma display panel having the baked product pattern.例文帳に追加

高精細な焼成物パターンの形成を可能とし、また、白黒二層構造のバス電極においては、さらにアンダーカットによるライン欠損を生じることなくパターンの形成を可能とした感光性樹脂組成物及びそれを用いた焼成物パターン並びにその焼成物パターンを備えたプラズマディスプレイパネルを提供する。 - 特許庁

The analyzing method is characterized by that a sample pretreatment method is used having processes of dissolution of a fluorite sample, removal of a great deal of coexisting substances (such as Ca, F and solvent used for dissolution), and concentration of residual contained impurity elements, and that an ICP-MS(an inductively coupled plasma mass spectrometer) is used as an analyzer.例文帳に追加

本発明の一側面としての分析方法は、蛍石試料の溶液化、多量共存物（Ｃａ、Ｆ及び溶解に用いた溶媒など）の除去、及び残る含有不純物元素の濃縮過程を持つ試料前処理法と、分析装置としてＩＣＰ−ＭＳ（誘導結合プラズマ質量分析装置）を用いることを特徴とする。 - 特許庁

A plasma etching apparatus has a treatment chamber, a support stand that is arranged in the treatment chamber for supporting a substrate, a gas supply opening for supplying gas for etching to the treatment chamber, a coil that is arranged outside the treatment chamber, and a coil-varying means for varying position of the coil in a vertical direction to the substrate.例文帳に追加

プラズマエッチング装置において、処理室と、前記処理室内に配置され、基板を支持するための支持台と、前記処理室にエッチング用のガスを供給するためのガス供給口と、前記処理室の外側に配置されたコイルと、前記コイルの位置を基板に対して垂直な方向に変動させるコイル変動手段とを備える。 - 特許庁

In the plasma display panel which is equipped with an anode 3 on one of the pair of substrates 1 and 2 arranged to face each other with a discharge space in between and a cathode 21 arranged on the other substrate, the cathode mainly contains oxide fine particles whose average particle diameter R is more than 0 μm and not more than 0.5 μm and subsidiary contains conductive metal.例文帳に追加

放電空間を挟んで対向配置した一対の基板１，２の一方に陽極３を備えると共に、他方に陰極２１を備えたプラズマディスプレイパネルにおいて、陰極は、平均粒径Ｒが０μｍ＜Ｒ≦０．５μｍの酸化物微粒子を主として含有すると共に、従として導電性金属を含有することにより上記課題を解決する。 - 特許庁

To provide a fuel system resin hose which is excellent in fuel barrier properties, heat resistance, heat-aging resistance and has high interlayer adhesive force of each layer even when each layer is laminated directly (direct lamination structure) without forming an adhesive layer on the interface of each layer and without being subjected to adhesive treatment such as plasma treatment (without using an adhesive).例文帳に追加

燃料低透過性、耐熱性や耐熱老化性に優れるとともに、各層の界面に接着剤層を形成したり、プラズマ処理等の接着処理を行うことなく（接着剤レスで）、各層を直接積層する直接積層構造としても、各層の層間接着力に優れている燃料系樹脂ホースを提供する。 - 特許庁