「PLASMA」に関連した英語例文の一覧と使い方(540ページ目) - Weblio英語例文検索

To provide a corrosion resistant member coated with diamond, which exhibits excellent corrosion resistance and is used as a member, e.g. a ring, a chamber lining, a shower plate for gas, a nozzle, a susceptor, an electrostatic chuck or a heater, in a reaction chamber in which a substrate typified by a silicon wafer is exposed to plasma, a corrosive gas or the like.例文帳に追加

シリコンウエハに代表される基板がプラズマや腐食性ガス等に曝される反応チャンバ内の部材、例えば、リング類、チャンバ内張、ガスシャワープレート、ノズル類、サセプタ、静電チャック、ヒータ等として好適に用いられ得る優れた耐腐食性を発揮するダイヤモンドコート耐腐食性部材を提供すること。 - 特許庁

To provide a plasma generation device in which a frequency of a resonance frequency of a hollow resonator and a frequency of high-frequency oscillation source are made to be coincided with, utilization efficiency of high frequency electric power is improved, low electric power consumption of the high-frequency oscillation source is realized, and reduction of running cost and improvement of safety is realized.例文帳に追加

空洞共振器の共振周波数と高周波発振源の周波数を一致させ、高周波電力の利用効率が向上し、高周波発振源の低電力化が図られ、ランニングコストの削減、安全性の向上が図れるプラズマ発生装置を提供する。 - 特許庁

In the plasma display device, a voltage of a power recovery capacitor Cr is set to be greater than a half voltage of a sustain discharge voltage when a voltage of a power recovery circuit is increased, and a voltage of a capacitor Cf is set to be lower than the half voltage of the sustain discharge voltage when the voltage of the power recovery circuit is decreased.例文帳に追加

プラズマ表示装置で、電力回収回路の電圧上昇時電力回収用キャパシタＣｒの電圧を維持放電電圧の中間電圧よりも高く設定し、電圧降下時キャパシタＣｆの電圧を維持放電電圧の中間電圧よりも低く設定する。 - 特許庁

To complete cleaning of a gas discharge pipe in short time without damaging the gas discharge pipe, a valve and a vacuum pump, by preventing a local temperature rise and preventing unreacted cleaning gas from flowing into the vacuum pump in a non-plasma cleaning process of a deposited film forming device.例文帳に追加

堆積膜形成装置のノンプラズマクリーニング工程において、局部的な昇温の防止や、未反応のクリーニングガスが真空ポンプへ流入するのを防止して、排気配管やバルブ、真空ポンプなどにダメージを与えることなく、短時間で排気配管等のクリーニングを完了できるようにする。 - 特許庁

On a surface layer t of an organic material which has a bonding of carbon and hydrogen formed on a figure of component (e.g., shield ring) located in a processing room of a plasma processing apparatus, a surface fluorination treatment, which replaces hydrogen bound with carbon contained in the surface layer with fluorine, is performed.例文帳に追加

プラズマ処理装置における処理室内に配設される部品（例えばシールドリング）の形状に形成された炭素と水素の結合を有する有機材料の表面層ｔに，この表面層に含まれる炭素に結合されている水素をフッ素に置換する表面フッ素化処理を施す。 - 特許庁

To provide a film deposition apparatus for obtaining a neutron conversion layer to be formed at the cathode of a neutron detector inserted into a nuclear reactor core and measuring neutrons in the reactor core, the apparatus generating stable plasma even under a high vacuum degree thereby providing the high quality (film quality) neutron conversion layer.例文帳に追加

原子炉炉心に挿入して炉心内の中性子を測定する中性子検出器のカソードに形成される中性子変換層ついて、高真空度下においても安定なプラズマを発生させて、品質（膜質）の高い中性子変換層を得ることのできる成膜装置を提供する。 - 特許庁

To provide a transparent electrode filming device, as well as its manufacturing method and a high luminous efficiency organic electroluminescent element, not damaging an organic light-emitting medium layer in plasma-filming a transparent electrode on the organic light-emitting medium layer of the organic electroluminescent element.例文帳に追加

本発明は、有機エレクトロルミネッセンス素子の有機発光媒体層上に透明電極をプラズマ成膜する際に、有機発光媒体層にダメージを与えない透明電極成膜装置、製造方法を提供し、高発光効率の有機エレクトロルミネッセンス素子を提供することを課題とする。 - 特許庁

To provide a method for generating X-rays or EUV radiation via laser plasma emission, in which at least one target (17) is generated in a chamber, and at least one pulsed laser beam (3) is focused on the target (17) in the chamber.例文帳に追加

レーザプラズマ放射によりＸ線放射線または極紫外線放射線を発生するための方法であって、少なくとも１つのターゲット（１７）をチャンバ内で発生させるとともに、少なくとも１つのパルスレーザビーム（３）をチャンバ内でターゲット（１７）に集光させる方法を提供する。 - 特許庁

In the manufacturing method of the separator for the fuel cell, when plasma irradiation of fluorine containing gas is carried out after the gas flow passage face is formed into a rugged face by blasting, the fluorine containing carbon layer is formed, and then, the fluorine containing carbon layer except that on the gas flow passage face is removed.例文帳に追加

燃料電池用セパレータにブラスト処理を行ってそのガス流路面に凹凸を形成した後、フッ素含有ガスのプラズマ照射を施すことでフッ素含有カーボン層を形成した後、ガス流路面以外のフッ素含有カーボン層を除去する燃料電池用セパレータの製造方法。 - 特許庁

Pior to forming an SiNx base ceramic film in a DC magnetron spattering method on the filmless surface of the grain oriented silicon steel plate already subjected to a finish annealing, bom-bard treatment is applied under plasma atmosphere using inert gas to remove the oxide on the surface of the silicon steel plate.例文帳に追加

仕上焼鈍済みの膜無し一方向性けい素鋼板の表面に、直流マグネトロン・スパッタ法によってSiＮ_x 系セラミック被膜を被成するに先立ち、不活性ガスを用いたプラズマ雰囲気中にてボンバード処理を行うことにより、けい素鋼板表面の酸化物を除去する。 - 特許庁

A manufacturing method for a semiconductor device including a thin film transistor including a gate electrode 103, a gate insulation film 105 containing nitrogen, and a channel region formed using microcrystalline semiconductor films 107 and 109 comprises: performing plasma treatment in a manner that the gate insulation film is exposed to plasma in an oxidation gas atmosphere including hydrogen and an oxidation gas including an oxygen atom; and forming the microcrystalline semiconductor films on the gate insulation film.例文帳に追加

本発明の一態様は、ゲート電極１０３、窒素を含むゲート絶縁膜１０５、微結晶半導体膜１０７，１０９によって形成されたチャネル領域を有する薄膜トランジスタを備えた半導体装置の作製方法であって、前記ゲート絶縁膜を、酸素原子を含む酸化ガスと水素とを有する酸化ガス雰囲気のプラズマに曝すプラズマ処理を行い、前記ゲート絶縁膜上に前記微結晶半導体膜を形成し、前記酸化ガス雰囲気における前記水素の量をａとし、前記酸化ガスの量をｂとした場合に下記式（１）、（２）を満たすことを特徴とする半導体装置の作製方法。 - 特許庁

Since the in-blood content of a tumor marker generally tends to increase along with a progression of a cancer, the blood plasma of a patient in a stage IV where the tumor marker is considered to be highly developed is extracted, and then a comprehensive protein analysis is carried out using a two-dimensional column chromatography and a mass spectrometry.例文帳に追加

一般的に腫瘍マーカーの血中含有量は、がんの進行に伴い上昇する傾向があるため、発明者らは、腫瘍マーカーが高発現していると考えられるステージIVの患者血漿を採取し、二次元カラムクロマトグラフィー及び質量分析による網羅的なタンパク解析を行った。 - 特許庁

A precursor (CuxCly) 30 film-deposited by plasma is subjected to reduction with hydrogen while controlling its temperature, a substrate 12 formed with Cu hyperfine particles 29 with a desired and uniform grain size is produced, and chemical vapor phase deposition treatment is applied to produce the Cu hyperfine particles 29 on the substrate 12 having an optional shape.例文帳に追加

プラズマで成膜した前駆体（CuxCly）３０を、温度制御しながら水素還元することで、所望の粒径で、しかも、粒径のそろったCu超超微粒子２９が形成された基板１２を作製し、化学気相堆積処理を適用してCu超超微粒子２９を任意の形状の基板１２に作製する。 - 特許庁

A plurality of electrode plates 3 each obtained by fixing an electrical dielectric 3a to the single surface of a metal plate 3b are provided in an exhaust gas passage 2 so as to leave an interval and plasma discharge is induced between the electrode plates by applying high voltage across the metal plates to decompose and dissociate a harmful substance in exhaust gas.例文帳に追加

排気ガス通路内に、金属板３ｂの片面に電気的誘電体３ａを固着した電極板３を間隔をおいて複数枚取りつけ、各金属板に高電圧を加えることにより、前記電極板間にプラズマ放電を誘起させ、排気ガス中の有害物質を分解、解離させる。 - 特許庁

This NOx removal system 1 is constituted so that an HC adding unit 5, a plasma reactor 6, and a removal unit 7 having an NOx selectively reducing catalyst are arranged in this order from the side of an NOx discharging source 2 in a discharge pipe 3 of the source 2 to remove NOx in exhaust gas under an oxygen-excessive atmosphere.例文帳に追加

ＮＯｘ浄化システム１は，ＮＯｘ排出源２の排気管３に，そのＮＯｘ排出源２側から順次，ＨＣ添加装置５と，プラズマリアクタ６と，ＮＯｘ選択還元触媒を有する浄化装置７とを配設したもので，酸素過剰雰囲気下にて排ガス中のＮＯｘを浄化するようになっている。 - 特許庁

The chamber 11 further includes a sub-chamber 15 arranged upstream of the pumping port and downstream of the workpiece support, and the sub-chamber 15 includes a window 19 and an excitation source, adjacent the window, for generating plasma in a sample of the exhaust gas to generate an optical emission which can be monitored through the window 19.例文帳に追加

チャンバ１１は、さらに、ポンピングポートの上流側且つワークピース支持部の下流側に配置されるサブチャンバ１５を備え、サブチャンバ１５は、窓部１９と、その窓部に近接した励起源であって、排気ガスの標本にプラズマを発生させて窓部１９を通じて監視可能な光学的発光を発生させる励起源とを備える。 - 特許庁

A carbon nanotube is synthesized on the surface of a substrate (4a, 4b) by applying a vacuum deposition method or by generating a high-frequency discharge plasma of low output while heating and evaporating a metal porphyrin complex (5), which is arranged opposite to the surface of the substrate (4a, 4b) in the vicinity of the surface.例文帳に追加

基板（４ａ，４ｂ）表面近傍に対向配置した金属ポルフィリン錯体（５）を加熱し蒸発させながら、真空蒸着法により基板（４ａ，４ｂ）表面上に、または低出力の高周波放電プラズマを発生させて基板（４ａ，４ｂ）表面上にカーボンナノチューブを合成することとする。 - 特許庁

To provide an exhaust gas processing system and the system control method in which electric power is applied useful to reduce exhaust gas corresponding to an engine operation condition, an operator is informed by an indication with an alarm when an electrical disconnection is judged, and an electrical connection factor is self-purified via a plasma reaction when energized.例文帳に追加

エンジンの運転条件に応じて排気ガス低減に有利な電力を印加し、断線判定時には運転者にアラームで表示することによって認知できるようにし、通電の場合には通電要因をプラズマ反応を通じて自己浄化するようにする排気ガス処理システム及びこのシステム制御方法の提供。 - 特許庁

Closing covers 61b and 61c are provided at both the ends of a cylindrical insulator 61a, a gas approach pipe 62 for introducing a gas-like substance is inserted into one choking lid 61b, and a plasma radiation opening 61d is provided at the other closing covers 61c.例文帳に追加

筒状絶縁体６１ａの両端部に閉塞蓋６１ｂ、６１ｃが設けられ、内部でガス状物質をプラズマ化するプラズマ室６１の、一方の閉塞蓋６１ｂにガス状物質を導入するガス導入管６２が挿入され、他方の閉塞蓋６１ｃにプラズマ放射口６１ｄが設けられている。 - 特許庁

Dummy patterns 2 having areas smaller than a main pattern 1 are formed in an empty space in addition to the main pattern 1, in which the excellent working uniformity cannot be obtained only by the pattern 1 owing to the small ratio of an area, and the areas of plasma-etched sections are expanded up to area ratios, where the excellent working uniformity is obtained.例文帳に追加

面積の比率の小さいためにそれだけでは優れた加工均一性を得ることができない本パターン１に加えて、本パターン１より面積が小さいダミーパターン２を空いているスペースに形成し、優れた加工均一性が得られる面積比率まで、プラズマエッチングされる部分の面積を拡大する。 - 特許庁

The coating liquid for forming a heat-resistant layer is to be used for forming a heat-resistant plasma layer or heat-resistant overcoat layer on a long-length substrate after drawn from that rolled in the form of a roll; wherein the coating liquid includes a solvent and a tri- or higher-functional acrylate.例文帳に追加

ロール状に巻かれた長尺の基材を引き出し、この基材上に耐熱プラズマ層又は耐熱オーバーコート層を形成するために用いる耐熱層形成用塗布液であって、この耐熱層形成用塗布液が３官能以上のアクリレート及び溶媒を含有するようにすることで上記課題を解決する。 - 特許庁

The plasma processing apparatus comprises a process chamber having a substrate holder supporting a procesing substrate, a dielectric tube installed at the upper part of the process chamber so as to be communicated with the interior of the process chamber, a helical coil wound around the dielectric tube, and an RF power source for feeding RF power to the helical coil.例文帳に追加

処理基板を支持する基板ホルダーを有する工程チャンバーと、工程チャンバーの内部と連通されるように工程チャンバーの上部に設置される誘電体管と、誘電体管の周りに巻かれた螺旋コイルと、螺旋コイルにＲＦ電力を供給するためのＲＦ電源と、を備えるプラズマ処理装置である。 - 特許庁

The element is provided with a first substrate 10, a second substrate 20 opposing to the first substrate 10 through a plurality of partitions 40, discharge gas enclosed in a space 50 surrounded by the first substrate 10, the second substrate 20 and the partitions 40, and a plurality of electrodes 12, 22 for generating plasma discharge.例文帳に追加

第１基板１０と、第１基板１０に複数の隔壁４０を介して対向する第２基板２０と、第１基板１０と第２基板２０と隔壁４０とによって囲まれた空間５０に封入された放電ガスと、プラズマ放電を発生させるための複数の電極１２および２２とを有する。 - 特許庁

A method for manufacturing a multi-layer circuit wiring board laminating the film having a conductor layer with an adhesive comprises a process for heat-processing the surface of the film in a non-oxidation gas phase atmosphere in preferably residual oxygen concentration of 0.5 % or less, a process for performing plasma treatment, and a process for laminating by the adhesive.例文帳に追加

導体層を有するフィルムを接着剤により積層する多層回路配線板の製造方法において、少なくとも、フィルム表面を好ましくは残留酸素濃度０．５％以下の非酸化性気相雰囲気中で熱処理する工程、プラズマ処理を行う工程、接着剤により積層する工程、を具備する。 - 特許庁

An AC voltage is applied between a pair of discharge electrodes arranged oppositely in parallel while being spaced apart from each other in the vacuum under material gas atmosphere, and a thin film of material gas is deposited on a substrate 10 arranged on the side of a substrate arrangement electrode 9 out of the pair of discharge electrodes by plasma CVD.例文帳に追加

本発明方法は、真空中で原料ガス雰囲気下においてほぼ平行に対向離間配置された一対の放電電極間に交流電圧を印加し、一対の放電電極のうち基板配置電極９側に配置した基板１０上に原料ガスの薄膜をプラズマＣＶＤ法によって成膜するものである。 - 特許庁

To prevent deposition substance from affecting a characteristic of etching, to generate plasma of a low dissociation degree which is suitable for deposition, and to secure anisotropy in an etching cycle even if cycles of etching and deposition are made into high speed in a manufacturing method of a semiconductor device to which etching and deposition are alternately applied.例文帳に追加

エッチングとデポジションとを交互に適用する半導体装置の製造方法において、エッチングとデポジションとのサイクルを高速にした場合でも、デポジション物質がエッチングの特性に影響を及ぼさず、さらに、デポジションに適した解離度の低いプラズマを生成して、エッチングサイクルにおける異方性を確保すること。 - 特許庁

The hydrogenated amorphous carbon film is prepared from a hydrocarbon gas through a plasma CVD method and is characterized by a G band shift of 1,550-1,559 cm^-1 and a half-width of G band of 180-197 cm^-1 in a Raman spectrum measured by Raman spectroscopy with an Ar laser (wavelength: 488 nm).例文帳に追加

プラズマＣＶＤ法によって炭化水素ガスから得られる水素化アモルファスカーボン膜であって、Ａｒレーザ（波長：４８８ｎｍ）によるラマン分光分析によって測定されるラマンスペクトルのＧバンドシフトが１５５０〜１５５９ｃｍ^−１、かつＧバンド半値幅が１８０〜１９７ｃｍ^−１であることを特徴とする。 - 特許庁

To provide a method for exciting and/or ionizing a material utilizing plasma as an excitation and/or ion source, capable of obtaining high excitation efficiency and ionization efficiency regardless of a material state (in other words, solution state, solid state, composition, size, or the like).例文帳に追加

物質の状態（つまり、溶液状態か固体状態か、組成、または大きさ等）に関わらず、高い励起効率とイオン化効率を得ることができる、プラズマを励起および／またはイオン源とした物質の励起および／またはイオン化方法、およびこの励起方法を利用した分析方法と分析装置を提供する。 - 特許庁

The method of manufacturing the target substance-containing liquid comprises sputtering the target substance toward a liquid material arranged in the same treatment chamber as a treatment chamber in which the target is arranged by using a plasma sputtering method using a target, to disperse the target substance in the liquid material.例文帳に追加

ターゲットを用いたプラズマスパッタリング法を用い、前記ターゲットが配置された処理室と同一の処理室内に配置された液体材料に向けてターゲット物質をスパッタリングすることにより、前記ターゲット物質を前記液体材料中に分散させることを特徴とするターゲット物質含有液体の製造方法である。 - 特許庁

In structure having the SiC film 61 and the organic Si low dielectric constant film 62 which is formed on the film, gas including CH_2F_2 or gas including CH_3F is used as etching gas when the SiC film 61 is etched by the plasma of etching gas with the organic Si low dielectric constant film 62 as the mask.例文帳に追加

ＳｉＣ膜６１と、その上に形成された有機Ｓｉ系低誘電率膜６２とを有する構造において、有機Ｓｉ系低誘電率膜６２をマスクとしてＳｉＣ膜６１をエッチングガスのプラズマによりエッチングするに際し、エッチングガスとして、ＣＨ_２Ｆ_２を含有するガスまたはＣＨ_３Ｆを含有するガスを用いる。 - 特許庁

A manufacturing process of a molding die 10 for molding an optical element includes: forming an inorganic oxide layer 81 on molding surfaces 101C, 102C; exposing the surface of the inorganic oxide layer 81 to oxygen plasma; and forming the a layer 82 of a fluorine-containing compound which contains a silane coupling agent on the surface of the inorganic oxide layer 81.例文帳に追加

光学素子を成形するための成形型１０の製造方法は、成形面１０１Ｃ，１０２Ｃに無機酸化物層８１を形成し、当該無機酸化物層８１の表面を酸素プラズマ中に曝した後、この無機酸化物層８１の表面に、シランカップリング剤を含有するフッ素含有化合物層８２を形成する。 - 特許庁

In response thereto, the information providing computer 24 accesses to a server 21, reads the game information of the respective Pachinko machines 11 in the server 21, reaches ranking information of the respective Pachinko machines 11 out of the game information, and displays the ranking information on the screen of a plasma display device 29 and the screen of the display device 26.例文帳に追加

これに応答して情報提供コンピュータ２４は、サーバ２１をアクセスし、サーバ２１内の各パチンコ機１１の遊技情報を読み出し、この遊技情報から各パチンコ機１１のランキング情報を導出し、このランキング情報をプラズマディスプレイ装置２９の画面及び表示装置２６の画面に表示する。 - 特許庁

To make a chiller unit for a refrigerant cooling a mount base small- sized and to suppress the consumption of gas for heat conduction when the mount base is cooled and a semiconductor wafer is cooled by interposing the gas for heat conduction between the wafer and the mount base for vacuum treatment, e.g. plasma treatment to the semiconductor wafer.例文帳に追加

半導体ウエハに対して真空処理例えばプラズマ処理を行うにあたり、載置台を冷却し、ウエハと載置台との間に伝熱用ガスを介在させてウエハを冷却するようにしているが、この場合に載置台を冷却する冷媒のチラーユニットを小型化し、また伝熱用ガスの消費を抑えること。 - 特許庁

Gas containing the Sn compound vaporized by heating the solution by the heater acts as a gas target which is carried to a nozzle 3 by carrier gas filled in a gas bomb 13 and is ejected into the interior of the vacuum chamber, and changed into plasma and generates EUV light when irradiated by laser light generated by a laser device 6.例文帳に追加

該ヒータにより溶液を加熱することにより気化したＳｎ化合物を含む気体は、ガスボンベ１３に充填されたキャリアガスによりノズル３に運ばれて真空チャンバの内部に噴射され、レーザ装置６から発生したレーザ光を照射されるとプラズマ化してＥＵＶ光を発生するガスターゲットとして作用する。 - 特許庁

Plasma light 3 of a vacuum processing chamber 2 is spectrally dispersed using a plurality of spectral devices 7, and a plurality of spectrally dispersed light beams having a plurality of wavelengths are made incident on one photomultiplier 9 to detect etching end points without any alteration of a device control system when films of a plurality of specifies are successively etched.例文帳に追加

真空処理室２のプラズマ光３を複数の分光装置７を用いて分光し、分光した複数波長の複数の光を１つの光電子増倍管９に入射することにより、複数種の膜を連続的にエッチングするに際して、装置制御システム変更無しにエッチング終点の検出を行う。 - 特許庁

In the ashing of an organosilicon film containing an organosilicon compound having an Si-Si bond in the principal chain formed on a substrate 3, a gaseous mixture of oxygen, a fluorine-containing compound and chlorine is used as a reactive gas and the substrate 3 is exposed to plasma generated by activating the reactive gas.例文帳に追加

本発明は基体３上に形成された主鎖にＳｉ−Ｓｉ結合を有するシリコン有機化合物を含有するシリコン有機膜をアッシング処理する際に、反応ガスとして酸素とフッ素を含む化合物と塩素の混合ガスを用い、活性化されて発生したプラズマに基体３をさらすことを特徴とするものである。 - 特許庁

To provide a method by which accumulations on the surface of parallel plate electrodes located in a reaction chamber of a parallel plate type plasma CVD device are removed using a gas containing F_2 or CF_3OF as a cleaning gas without causing damage on the material in the reaction chamber.例文帳に追加

本発明の目的は、平行平板型のプラズマＣＶＤ装置の反応チャンバー内に備わっている平行平板電極表面の堆積物を、Ｆ_２あるいはＣＦ_３ＯＦを含有するガスをクリーニングガスとして用いて、反応チャンバー内の材質に損傷を与えることなく除去する方法を提供することである。 - 特許庁

Meanwhile, the generation of defects which can not be restored by heat treatment is prevented by performing the surface treatment process continuously in the same chamber using a plasma gas including a halogen having an atomic weight not less than Cl and a rare gas having an atomic weight not less than Ar after the gate oxide film exposure time.例文帳に追加

一方、ゲート酸化膜露出時点以降は、引き続き同じチャンバ内でＣｌ以上の原子量を持つハロゲンとＡｒ以上の原子量を持つ希ガスを含むプラズマガスを用いて表面処理工程を行なうこととしたことにより、熱処理では回復できない欠陥の発生を抑制したこと。 - 特許庁

The gas is introduced into the external electrode by the gas-introducing means and the RF output is supplied by the RF power source via the matching box to the external electrode to produce plasma between the internal electrode and the external electrode, by which the thin film adhering to the internal electrode can be decomposed and removed.例文帳に追加

ガス導入手段によりガスが外部電極内に導入され、高周波電源によりマッチングボックスを介して外部電極に高周波出力が供給され、内部電極と外部電極の間にプラズマを発生させることにより、内部電極に付着した薄膜を分解して除去する。 - 特許庁

In the decomposition method of gases by means of atmospheric plasma discharge, two or more kinds of dielectric materials are filled in a discharge space, wherein the first kind dielectric material has a dielectric constant of ≤100 and the second kind dielectric material has a dielectric constant of ≥500.例文帳に追加

大気圧プラズマ放電によるガスの分解処理方法において、放電空間内に２種以上の誘電体物質が充填されており、そのうち１種目の誘電体物質は比誘電率が１００以下、２種目は比誘電率が５００以上であることを特徴とするガスの分解処理方法を提供する。 - 特許庁

An embodiment of this semiconductor device manufacturing method includes a process wherein the reaction product deposited on the conducting layer to extend in the vertical direction is bent so that the thickness of the reaction product is thinner relative to the direction of the acceleration of the active species excited by plasma discharge.例文帳に追加

本発明の半導体装置の製造方法の一は、反応生成物の厚さが、プラズマ放電によって励起された活性種が加速される方向に対して薄くなるように、導電層の上に垂直方向に延びるように付着した反応生成物を倒す工程を有することを特徴としている。 - 特許庁

To stably keep a regular electrode gap without using an electrode drive mechanism, and to suppress the separation of a solid dielectric layer from an electrode and the generation of particles, in a plasma treatment device of a type for introducing gas into a gap between a pair of electrodes and activating the gas to exhaust it.例文帳に追加

一対の電極間のギャップにガスを導入し、ガスを活性化して排出する方式のプラズマ処理装置において、電極駆動機構なしに電極ギャップを安定して一定に保持できるようにすると共に、固体誘電体層の電極からの剥離やパーティクルの発生を抑制することである。 - 特許庁

The manufacturing method of the semiconductor device includes a process of subjecting a semiconductor substrate having a region where a silicide film is formed on a surface to a plasma treatment in a gas atmosphere containing an oxygen element to form an oxide film on the silicide film and a process of forming a silicon nitride film covering the surface of the semiconductor substrate after the oxide film is formed.例文帳に追加

表面にシリサイド膜が形成された領域を有する半導体基板を、酸素元素を含むガス雰囲気中でプラズマ処理してシリサイド膜の上に酸化膜を形成する工程と、その酸化膜を形成した後、半導体基板の表面を覆うシリコン窒化膜を形成する工程と、を備えた。 - 特許庁

By dispersing a beam of laser induction plasma generated in welding, presence or absence of defect generation is discriminated based on an intensity ratio between the emission spectrum intensity of the specific element relating to welding defect generation and the emission spectrum intensity of the material to be welded having a wave length close to a wave length of the specific element.例文帳に追加

溶接時に発生するレーザ誘起プラズマの光を分光し、溶接欠陥の発生に関わる特定の元素の発光スペクトルの強度と、この元素の発光スペクトルの波長に近接する波長を持つ被溶接材の元素の発光スペクトルの強度との強度比に応じて欠陥発生の有無を判定する。 - 特許庁

A plasma etching process is carried out using a process gas containing CF_4 and O_2 to simultaneously form a hole 111 which penetrates a passivation film 108 and a gate insulating film 103 to reach a gate electrode 102, and a hole 112 which penetrates the passivation film 108 to reach a drain electrode 107.例文帳に追加

ＣＦ_４とＯ_２を含む処理ガスを用いてプラズマエッチング処理を行なうことによって、パッシベーション膜１０８とゲート絶縁膜１０３を貫通し、ゲート電極１０２に到達するホール１１１と、パッシベーション膜１０８を貫通してドレイン電極１０７に到達するホール１１２とが一度に形成される。 - 特許庁