「Sputtering」に関連した英語例文の一覧と使い方(120ページ目) - Weblio英語例文検索

The sputtering target in which a refractive index of the protective film consisting mainly of zinc sulfide and further containing a nitride can be adjusted in the range of 2.0 to 2.7, and the optical recording medium with the protective film for the phase transition type optical disk consisting essentially of zinc sulfide, formed by using the target are provided.例文帳に追加

硫化亜鉛を主成分とし、さらに窒化物を含有することを特徴とする膜の屈折率を２．０〜２．７の範囲に調整できるスパッタリングターゲット及び該ターゲットを使用して硫化亜鉛を主成分とする相変化型光ディスク保護膜を形成した光記録媒体。 - 特許庁

To provide a high-purity ruthenium sputtering target capable of preventing generation of cracks when increasing the size of an ingot by a melting method, suppressing generation of particles when performing film deposition for an electrode for capacitor of a semi-conductor memory, a magnetic head, a magnetic disk or the like, and reducing the film thickness distribution, and a method for manufacturing the same.例文帳に追加

熔解法によってインゴットを大型化する際にクラックを発生させず、半導体メモリーのキャパシタ用電極、磁気ヘッドや磁気ディスクなどの製膜時にパーティクルの発生を抑えることができ、膜厚分布を小さくしうる高純度ルテニウムスパッタリングターゲットとその製造方法の提供。 - 特許庁

An orifice plate 58 is formed on the uppermost layer of a heating part 52, a common electrode 53, a discrete interconnection electrode 54, an ink supply trench 55, an ink supply hole 56, a barrier wall 57, and the like, formed on a chip substrate 51 and a metal mask film 63 is formed thereon by sputtering thus forming a pattern 63-1.例文帳に追加

チップ基板５１上の発熱部５２、共通電極５３、個別配線電極５４、インク供給溝５５、インク供給孔５６、隔壁５７等の最上層にオリフィス板５８を積層し、この上にメタルマスク膜６３をスパッタ成膜しパターン６３−１を形成する。 - 特許庁

The method of mounting the large-size substrate on a carrier and manufacturing the transparent conductive thin film of ITO on the large-size substrate by sputtering is provided, wherein an O_2 gas flow rate is divided and adjusted independently in a direction perpendicular to a substrate conveying direction to manufacture the transparent conductive thin film.例文帳に追加

大型基板をキャリア上に載置して、ＩＴＯの透明導電性薄膜をこの大型基板上にスパッタリングにより形成する方法であって、Ｏ_２ガス流量を基板搬送方向に垂直な方向に独立に分割調整して透明導電性薄膜を製造する。 - 特許庁

The surface of a wood-based filler such as wood flour, etc., is previously provided with a thin film composed of a metal or an inorganic compound, especially a metal or an inorganic compound having electroconductivity and about 2-50 nm, preferably about 5-50 nm thickness by a vacuum deposition method, a sputtering method, etc.例文帳に追加

木粉等の木質系充填剤の表面に、予め真空蒸着法又はスパッタリング法等により、金属又は無機化合物、特に金属又は導電性の無機化合物からなる、厚さが２〜５００ｎｍ程度、好ましくは５〜５０ｎｍ程度の薄膜を形成しておく。 - 特許庁

To provide an Sn alloy reflection film for an optical information recording medium for only reproduction having excellent marking properties even in the case of low laser power, to provide the optical information recording medium for only reproduction and to provide a sputtering target for forming the Sn alloy reflection film for the optical information recording medium for only reproduction.例文帳に追加

低レーザパワーでもマーキング性が優れた、再生専用光情報記録媒体用Ｓｎ合金反射膜、再生専用光情報記録媒体および再生専用光情報記録媒体用Ｓｎ合金反射膜形成用のスパッタリングターゲットを提供することを目的とする。 - 特許庁

To provide a copper alloy film which can attain resistance reduction in a process temperature region of a wiring film of a flat panel display apparatus or the like, can suppress a hillock and a void produced in a copper-based film and has heat resistance and to provide a sputtering target material for forming the copper alloy film.例文帳に追加

平面表示装置等の配線膜のプロセス温度域での低抵抗化が可能であるとともに、Ｃｕ系膜で発生するヒロックおよびボイドを抑制可能な耐熱性を有するＣｕ合金膜とそのＣｕ合金膜を形成するためのスパッタリングターゲット材を提供する。 - 特許庁

In this case, the ratio of the distance between the substrate S and the inner wall opposing to the substrate S in the chemical film deposition chamber 11b, to the distance between the substrate S and the target arranged opposed to the substrate S in the sputtering chamber 11a, is set to be within a range of 0.07 to 0.3.例文帳に追加

この場合、スパッタ室内で処理基板とこの処理基板に対向して配置されるターゲットと間の距離に対し、化学的成膜室内で処理基板とこの処理基板に対向した化学的成膜室の内壁との間の距離を０．０７〜０．３の範囲に設定する。 - 特許庁

In the electrochromic element having a transparent conductive film, an oxidation coloring layer, an electrolytic layer, a reduction coloring layer, and a transparent conductive film laminated on a substrate, one or two or more layers out of the oxidation coloring layer, electrolytic layer, reduction coloring layer, and the transparent conductive film, are deposited with a gas flow sputtering method.例文帳に追加

基板上に、透明導電膜、酸化発色層、電解層、還元発色層、及び透明導電膜が積層されたエレクトロクロミック素子の酸化発色層、電解層、還元発色層及び透明導電膜のうちのいずれか１層又は２層以上をガスフロースパッタリング法により成膜する。 - 特許庁

To provide an Al-based alloy reflective film of which the reflective film surface reproduces a groove, a pit, etc. formed on a substrate with high accuracy so as to reduce the noise of the optical information recording medium and which has high reflectance, and to provide a sputtering target which is useful for forming such a reflective film.例文帳に追加

反射膜表面が基板に形成されたグルーブやピット等を精度よく再現して光情報記録媒体のノイズの低減を図れると共に、高い反射率を有するＡｌ基合金反射膜、およびこうした反射膜を形成するために有用なスパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁

This plating sheet 1 has an elastic layer 20 of an open-cell foamed sponge as a center, a thin film plating layer 10 formed by a sputtering method on one skin layer 20a created during the formation process of the elastic layer 20 and a film layer 30 of PET film that is bonded to the other skin layer 20a.例文帳に追加

メッキシート１は、連続発泡スポンジである弾性層２０を中心に、弾性層２０の形成過程で生成される一方のスキン層２０ａにスパッタリング法によって薄膜のメッキ層１０を形成し、他方のスキン層２０ａにＰＥＴフィルムであるフィルム層３０を接着した。 - 特許庁

To provide a thin film formation method capable of forming a thin film having a uniform thickness on an adhered substrate including a rotating elliptical body shape even when a film formation method wherein film formation particles come flying only in a specific direction like a film formation method by various kinds of deposition methods or sputtering methods is used.例文帳に追加

各種蒸着法やスパッタリング法による成膜方法のように特定方向からのみ成膜粒子が飛来する成膜方法を用いても、回転楕円体形状を含む被着体基板上に均一な膜厚の薄膜を形成できる薄膜の形成方法を提供する。 - 特許庁

A sputtering target is used for forming the n-layer of the solar cell, and contains In, Ga, Zn and O, where an atomic content of each of In, Ga, and Zn is 10 atom% or more, when a total number of In, Ga and Zn atoms in the n-layer is assumed as 100 atom%.例文帳に追加

本発明のスパッタリングターゲットは、太陽電池のｎ層を形成するために用いられ、Ｉｎ、Ｇａ、Ｚｎ及びＯを含有し、Ｉｎ、Ｇａ及びＺｎの原子数を１００原子％とした場合、Ｉｎ、Ｇａ及びＺｎの含有量がいずれも１０原子％以上である。 - 特許庁

At this time, the Cr-V-B-N alloy film is formed preferably by a physical vapor deposition method, particularly, an ion plating method, a vacuum deposition method or a sputtering method, and, preferably, the content of V is 0.1 to 30 wt.%, and the content of B is 0.05 to 20 wt.%.例文帳に追加

このとき、Ｃｒ−Ｖ−Ｂ−Ｎ合金皮膜が、物理的蒸着法、特にイオンプレーティング法、真空蒸着法またはスパッタリング法で形成されることが好ましく、Ｖ含有量が０．１〜３０重量％およびＢ含有量が０．０５〜２０重量％であることが好ましい。 - 特許庁

To provide a target wherein, in a sputtering process of forming a transparent electrode film, a sintered body target hardly generating a nodule at high density is efficiently manufactured, thereby degradation of productivity and degradation of quality caused by the generation of a nodule are prevented, and contamination from fractured media can be neglected.例文帳に追加

透明電極膜を形成するスパッタリングプロセスにおいて、高密度でノジュール発生が少ない焼結体ターゲットを効率的に製造し、これによってノジュールの発生に伴う生産性の低下や品質の低下を抑制し、さらに粉砕メディアからの汚染（コンタミ）を無視できるターゲットを提供する。 - 特許庁

Further, a method for manufacturing this sputtering target includes a step of hot-pressing, in vacuum or an inert gas atmosphere, mixed powder of: at least one of AuPt alloy powder and CuPt alloy powder; AgPt alloy powder; FePt alloy powder; Pt powder; and graphite powder or carbon black powder.例文帳に追加

また、このスパッタリングターゲットの製造方法は、ＡｕＰｔ合金粉およびＣｕＰｔ合金粉の少なくとも一方と、ＡｇＰｔ合金粉と、ＦｅＰｔ合金粉と、Ｐｔ粉と、グラファイト粉またはカーボンブラック粉と、の混合粉末を、真空または不活性ガス雰囲気中でホットプレスする工程を有している。 - 特許庁

A thin film prepared by dispersing metal and hetero-phase component incompatible with the metal is formed on the substrate composed of a material incompatible with the metal by a sputtering method or vacuum vapor deposition method in such a manner that the volume fraction of the hetero-phase component attains 20 to 65% and the thickness attains ≥1 μm.例文帳に追加

スパッタリング法または真空蒸着法により、金属と、該金属と相溶しない異相成分とが分散してなる薄膜を、前記異相成分の体積分率が２０〜６５体積％、厚さが１μｍ以上となるように、前記金属と相溶しない材質からなる基板上に形成する。 - 特許庁

In particular, the barrier container according to Claim 1, which has the ceramic thin film formed by a CVD method or a PVD method such as sputtering method or vapor deposition method, or the barrier container with a composition of the ceramic thin film mainly containing silicon oxide, diamond-like carbon or alumina is preferable.例文帳に追加

特に、セラミック薄膜がＣＶＤ法またはスパッタ、蒸着等のＰＶＤ法で形成されていることを特徴とする請求項１記載のバリア性容器や、セラミック薄膜の組成が酸化珪素、ダイヤモンドライクカーボンまたはアルミナを主成分とすることを特徴とするバリア性容器が好ましい。 - 特許庁

The method of forming the Ru film includes a step of giving a predetermined bias potential to a substrate 20 when a non-magnetic Ru film interposed between a pair of ferromagnetic films is formed by a sputtering method, in the case that the tunnel magnetoresistance effect layer is formed on the substrate 20.例文帳に追加

本発明は、基板２０上にトンネル磁気抵抗効果多層膜を形成する場合において、一対の強磁性膜に挟まれる非磁性Ｒｕ膜をスパッタリング法によって形成する際、前記基板２０に所定のバイアス電位を与える工程を有するものである。 - 特許庁

To provide a metal particulate-dispersed composite of nanosize capable of producing a thin film in which particulates are dispersed in such a manner that the particle sizes are uniform and fine using a vacuum film deposition process such as an electron beam vapor deposition process and a sputtering process where uniform film deposition is possible, and to provide a method for producing the same.例文帳に追加

均一な成膜が可能である電子ビーム蒸着法やスパッタリング法等の真空成膜法を用い、かつ微粒子サイズが均一かつ微細に分散した薄膜を作製することができる、ナノサイズの金属微粒子分散複合体及びその製造方法を提供する。 - 特許庁

In the barrier layer, a target formed of Ti and a rare gas are introduced, then a plasma atmosphere is formed and a first metal layer is formed by sputtering the target, and a gas containing an oxygen gas and a nitrogen gas is introduced into a treating chamber to subject the surface of the first metal layer and the surface of the target to oxynitriding treatment.例文帳に追加

バリア層は、Ｔｉ製のターゲットと希ガスを導入してプラズマ雰囲気を形成し、ターゲットをスパッタリングして第１金属層を形成し、処理室内に酸素ガス及び窒素ガスを含むガスを導入して、第１金属層の表面およびターゲット表面を酸窒化処理する。 - 特許庁

A thin film layer 16 is made up by depositing an inorganic material such as Ni or the like on the probes 13 on the substrate 11 in a sputtering process or a vacuum evaporation process, and a support layer 17 is made up on the upper surface of the evenly formed thin film layer 16 by depositing the same inorganic material in an electroforming process.例文帳に追加

プローブ１３の上から基板１１状にＮｉ等の無機物質をスパッタリングや真空蒸着によって堆積させて薄膜層１６を形成し、平坦に形成された薄膜層１６の上面に同じ無機物質を電鋳法により析出させて支持層１７を形成する。 - 特許庁

The liquid crystal panel of a rear projection television (RPTV) includes a float glass plate (a glass substrate) 1 formed by a float method into the thickness of 0.2 to 1.1 mm (±0.1 mm), and a reflection enhancing film 2 comprising aluminum (Al) formed by sputtering method, on one surface 1a of the glass substrate 1.例文帳に追加

リアプロジェクションテレビ（ＲＰＴＶ）の液晶パネルは、フロート製法により板厚が０．２〜１．１ｍｍ（±０．１ｍｍ）に形成されたフロートガラス板（ガラス基板）１と、ガラス基板１の一方の表面１ａに、スパッタ法により形成されたアルミニウム（Ａｌ）から成る増反射膜２とを備える。 - 特許庁

In another way, the NiAl orientation controlled film is formed on the glass substrate by the DC magnetron sputtering method, a first intermediate film of CoCr, a second intermediate film of CoCrMn and the CoCrPt magnetic film being formed thereon sequentially and a CN protective film being formed lastly.例文帳に追加

基板上に形成されたB2（CsCl）構造、L10(AuCu I)構造、あるいはL21(Cu2AlMn)構造を有する配向制御膜、該配向制御膜上に形成されたCo基合金を含む非磁性中間膜、該非磁性中間膜上に形成されたCo基合金を含む磁性膜を有することを特徴とする磁気記録媒体とする。 - 特許庁

An SiO_2 film 48A is formed by a sputtering process on the surface of a first plate 34 before forming a nozzle for discharging a liquid droplet, then a fluorine-based water repellent film 48B is formed on the SiO_2 film 48A by a vapor deposition method and polymerized by heat to form the water repellent layer 48.例文帳に追加

液滴を吐出するためのノズルを形成する前の第１のプレート３４表面に、スパッタ法でＳｉＯ_２膜４８Ａを形成し、このＳｉＯ_２膜４８Ａの上にフッ素系撥水膜４８Ｂを蒸着法で形成した後、加熱により重合処理して撥水層４８を形成する。 - 特許庁

In this forming method of an Al wiring, a TiN film 4 which is nitrified by including N2 gas into process gas during the formation of the Ti film 2 on the semiconductor substrate 1 is formed on the Ti film 2, and thereafter the Al wiring film 3 is formed and made to reflow through the use of high- temperature sputtering.例文帳に追加

また、半導体基板１上へのＴｉ膜２の形成時にプロセスガスの中にＮ_2 ガスを混入して窒化させたＴｉＮ膜４をＴｉ膜２上に成膜させ、その後、Ａｌ配線膜３を高温スパッタリングを用いて成膜・リフローさせて成膜するＡｌ配線の形成方法である。 - 特許庁

On a transparent substrate 1, a 1st dielectric layer 2, a phase change recording layer 3, a 2nd dielectric layer 4, and a metal reflecting layer 6 are deposited by sputtering in this order and a 3rd dielectric layer 5 is deposited of a material other than sulfide between the 2nd dielectric layer and the metal reflecting layer.例文帳に追加

透明基板１上に、第１誘電体層２、相変化記録層３、第２誘電体層４及び金属反射層６をその順にスパッタ製膜してなり、第２誘電体層と金属反射層との間に硫化物以外の材料からなる第３誘電体層５を設けてなる。 - 特許庁

To provide an IZO sintered body which is high in relative density as 95% or higher by making crystal grain sizes homogeneous and fine, can be reduced in the thickness of a yellow layer generated on the surface, can be stabilized in discharge for sputtering, can obtain a stable and well reproducible transparent conductive film.例文帳に追加

結晶粒径を均一微細化し、焼結体の相対密度が９５％以上と高く、表面に出来る黄色層の厚みを低下でき、スパッタリングの放電を安定化させるとともに、安定かつ再現性よい透明導電膜を得ることのできるＩＺＯ焼結体を提供する。 - 特許庁

To provide a Co-Fe-Zr-based alloy target material which is used for forming a soft magnetic film of the Co-Fe-Zr-based alloy used in a perpendicular magnetic recording medium, and has adequate sputtering characteristics and a low magnetic permeability, and to provide a production method therefor.例文帳に追加

垂直磁気記録媒体に用いられるＣｏ−Ｆｅ−Ｚｒ系合金の軟磁性膜を成膜するためのＣｏ−Ｆｅ−Ｚｒ系合金ターゲット材に関して、良好なスパッタリング特性を有する低透磁率のＣｏ−Ｆｅ−Ｚｒ系合金ターゲット材およびその製造方法を提供する。 - 特許庁

The filter is manufactured, such that a high-purity ZnO target is epitaxially grown on a sapphire substrate, using the sputtering method to obtain a high-resistance ZnO film, which is further grown by doping As using the ion implantation technique or using a dopant-mixed target to obtain a low-resistance P-type 2-6 group compound semiconductor film.例文帳に追加

高純度ＺｎＯターゲットをスパッタリング法によりサファイア基板上にエピタキシャル成長させ高抵抗のＺｎＯ膜を得、さらにＡｓをイオン注入法でドーピング、または、ドーパントを混ぜたターゲットを用いて成長させる低抵抗のＰ型２−６族化合物半導体膜を得る。 - 特許庁

To provide an original plate of a metal printed circuit board which has superior heat dissipation characteristics and electric characteristics by forming an insulating layer and a thick electric conductive layer of high density on a metal board by a sputtering method for physical vapor deposition, and to provide a method of manufacturing the original plate.例文帳に追加

金属基板上に物理気相蒸着のためのスパッタリング方法により絶縁層及び厚膜の高密度の電気伝導層を形成し、優れた放熱特性及び電気的な特性を有する金属印刷回路基板の原板及び原板の製造方法を提供する。 - 特許庁

To provide an Ag alloy film for shielding an electromagnetic wave, which shows superior abrasion resistance and weathering resistance, and has superior visible light transparency and shielding properties for the electromagnetic wave, by suppressing coagulation of Ag, to provide a body coated with the Ag alloy film, and to provide a sputtering target for manufacturing the Ag alloy film.例文帳に追加

本発明の目的はＡｇの凝集を抑止することにより、優れた耐摩耗性，耐候性を発揮し、しかも優れた可視光透過性，電磁波シールド特性を有する電磁波シールド用のＡｇ合金膜，及び該Ａｇ合金膜を被覆したＡｇ合金膜形成体を提供することである。 - 特許庁

The sputtering target for forming the protective film of the optical recording medium is the sintered compact which has a composition comprising 10-30 atomic% silicon dioxide, 0.01-10 atomic% argon, nitrogen or a mixture thereof and the balance being zinc sulfide.例文帳に追加

二酸化ケイ素：１０〜３０原子％、アルゴン、窒素、またはアルゴンおよび窒素の混合成分：０．０１〜１０原子％を含有し、残りが硫化亜鉛からなる組成を有する焼結体からなることを特徴とする高速スパッタリングが可能な光記録保護膜形成用スパッタリングターゲット。 - 特許庁

The plasma treatment of the surface of an insulating resin board prepared by molding a resin composition is carried out so that the surface of the insulating resin board can be activated, and the metallic coating treatment of the surface of the resin board is carried out by a method selected from sputtering, vacuum vaporization, and ion plating so that a circuit board can be manufactured.例文帳に追加

樹脂組成物を成形して作製された絶縁性の樹脂基板の表面をプラズマ処理して表面の活性化を行なった後、スパッタリング、真空蒸着、イオンプレーティングから選ばれる方法で樹脂基板の表面に金属被覆処理をすることによって回路基板を製造する。 - 特許庁

The first insulating layer 10 is made of the complete set resin having a high accuracy for its thickness D, the conductive layer 30 is formed through sputtering in a condition that the layer 10 is in its semi-set state prior to the complete setting of the layer 10, and a thickness E of the layer 30 is set to 0.5 μm-1 μm.例文帳に追加

第１の絶縁層１０は厚さＤを高精度とした完全硬化樹脂よりなり、導電層３０は第１の絶縁層１０が完全硬化される前の半硬化状態でスパッタリングにより形成され、層厚Ｅを０．５μｍ〜１μｍとしてなる。 - 特許庁

In the Al-based alloy sputtering target, an Al-Ta-based intermetallic compound including Al and Ta preferably has a mean particle diameter of 0.005 μm or more and 1.0 μm or less, and a mean inter-particle distance of 0.01 μm or more and 10.0 μm or less.例文帳に追加

好ましくは、ＡｌおよびＴａを含むＡｌ−Ｔａ系金属間化合物の平均粒子直径は０．００５μｍ以上１．０μｍ以下で、且つ、Ａｌ−Ｔａ系金属間化合物の平均粒子間距離は０．０１μｍ以上１０．０μｍ以下を満足するものである。 - 特許庁

In the sputtering system, chucking-proof plates 7a, 7b are installed by a plurality of metal members doubly and in a non-contact state therebetween, and also, an amount of a residual gas obtained from a residual gas detecting means 15 is analyzed and a DC negative potential is applied to the outside chucking-proof plate 7b.例文帳に追加

スパッタリング装置において、防着板７ａ、７ｂを複数の金属材にて二重に且つ互いに非接触状態に設置するとともに、外側の防着板７ｂに、残留ガス検出手段１５から得られる残留ガス量を解析して直流負電位を印加するように構成する。 - 特許庁

To provide a sputtering target which enables an oxide film superior in electroconductivity and transparency for visible light to be formed at a high deposition rate, and decreases transmissivity for visible light little even when a large number of such electroconductive films are stacked as are made from an oxide film, silver or the like, and to provide a film-forming method.例文帳に追加

導電性および可視光透過性に優れた酸化物膜を速い成膜速度で形成でき、かつ該酸化物膜および銀等からなる導電膜の積層数を多くしても可視光透過率の低下が少ないスパッタリングターゲットおよび成膜方法を提供する。 - 特許庁

To provide a sputtering target for a high resistance transparent electroconductive film which is useful for the formation of a transparent, electroconductive film having a high surface resistivity satisfying a sheet resistance of 500 to 2,000 Ω/square, and used for defining the position of the screen of a resistance film type touch panel apparatus or the like.例文帳に追加

高抵抗透明導電膜、特に抵抗膜式タッチパネル装置等の画面位置確定のために使用されるシート抵抗５００〜２０００Ω／□程度の高い表面抵抗率を有する透明導電膜の形成に有用である高抵抗透明導電性膜用スパッタリングターゲットを提供する。 - 特許庁

Moreover, by heating the sputtering target assembled body to the temp. equal to or below the m.p. of the insert material, in a state in which the joining strength between the insert material and the target material and/or the backing plate is reduced, an external load is applied to separate the target material and the backing plate.例文帳に追加

また、スパッタリングターゲット組立体１を、インサート材４の融点以下の温度に熱することにより、インサート材４と、ターゲット材２および／またはバッキングプレート３との接合強度を低下させた状態において外力負荷を加えることによりターゲット材２とバッキングプレート３とを分離させる。 - 特許庁

To improve a uniformity of a film thickness distribution and film quality of an Ru film or an Ru alloy film and an adhering force to a base material, at a sputtering target made from Ru or a Ru alloy used for formation of an electrode of a thin-film capacitor mounted on a DRAM or a FRAM.例文帳に追加

ＤＲＡＭやＦＲＡＭに搭載される薄膜キャパシタの電極形成などに用いられるＲｕまたはＲｕ合金からなるスパッタリングターゲットにおいて、Ｒｕ膜やＲｕ合金膜の膜厚分布や膜質の均一性を高めると共に、下地に対する付着力を向上させる。 - 特許庁

The wiring grooves having depths of ≤300 nm are formed on the insulating layer 11 composed of, for example, a silicon oxide film and formed on a substrate 10, and tantalum nitrides (TaN) are deposited in the groove as lower-layer conductors 12 which become barrier metals in a thin-film state by using the sputtering method or CVD method.例文帳に追加

基板１０上に、形成された例えばシリコン酸化膜からなる絶縁層１１に深さ３００ｎｍ以下の配線用の溝を形成し、バリアメタルとなる下層導電体１２として例えばタンタルナイトライド（ＴａＮ）をスパッタリング法またはＣＶＤ法を利用して薄膜状態で堆積する。 - 特許庁

Charge supplying layers and superconducting layers constituting the Cu-based high temperature superconducting thin film are formed by alternately sputtering a target for the charge supplying layers having a composition of the charge supplying layers and a target for superconducting layers having a composition of the superconducting layers while controlling the thickness of each film.例文帳に追加

Ｃｕ系高温超伝導薄膜を構成する電荷供給層と超伝導層を、電荷供給層の組成を有する電荷供給層用ターゲットと超伝導層の組成を有する超伝導層用ターゲットとを、それぞれ交互に膜厚を制御してスパッタする。 - 特許庁

The incident angle of the sputtering particles made incident on the film deposition face 22 is restricted by shielding members 25 or the length of a TS distance, the maximum incident angle θ5 is ≤15°, and the prospective incident angle Δθ as a difference between the maximum incident angle θ5 and the minimum incident angle is ≤10°.例文帳に追加

成膜面２２に入射するスパッタ粒子の入射角度は、遮蔽部材２５又はＴＳ距離の長さによって制限され、最大入射角度θ５が１５°以下、最大入射角度θ５と最小入射角度の差である見込み入射角度Δθが１０°以下になっている。 - 特許庁

In the liquid crystal display device, a polysilicon film 2 with 20 nm thickness is formed in a light shielding region 20 on an insulating substrate 1 as a primary coat, further a WSiN film 3, a part of a light shielding film, with 20 nm thickness is formed with a sputtering method and subsequently a WSi film 4, the light shielding film, with 100 nm thickness is formed.例文帳に追加

絶縁基板１上の光遮蔽領域２０に、下地としてのポリＳｉ膜２を２０ｎｍ厚形成し、さらに遮光膜の一部であるＷＳｉＮ膜３をスパッタ法により２０ｎｍ厚形成後、遮光膜のＷＳｉ膜４を１００ｎｍ厚形成する。 - 特許庁